Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123001) > Сторінка 354 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 349 350 351 352 353 354 355 356 357 358 359 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BAR6305WH6327XTSA1 BAR6305WH6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF DIODE PIN 50V 250MW PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6305E6327HTSA1 BAR6305E6327HTSA1 Infineon Technologies INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF DIODE PIN 50V 250MW PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.60 грн
25+12.16 грн
28+10.81 грн
100+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C201A0-LDX2I CY8C201A0-LDX2I Infineon Technologies ?utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC CAPSENSE EXP 10 I/O 16QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Type: Buttons, Slider
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.4V ~ 5.25V
Current - Supply: 1.5mA
Number of Inputs: Up to 6
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Proximity Detection: No
LED Driver Channels: Up to 5
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+100.31 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R12KE4EHOSA1 FF450R12KE4EHOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF450R12KE4_E-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304344d727a80144dfdce80e0c42 Description: IGBT MOD 1200V 520A 2400W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 520 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9081.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PEB4365T-SV1.1 Infineon Technologies Description: TWIN SUBSCRIBER LINE INTERFACE
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+661.02 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF-1 IRF8707TRPBF-1 Infineon Technologies IRF8707PbF-1_6-23-14.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT6W13VP7950VTOBO1 KIT6W13VP7950VTOBO1 Infineon Technologies Infineon-General_description_KIT_6W_13V_P7_950V-AdditionalTechnicalInformation-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462724fa97201725020678f0582 Description: KIT_6W_13V_P7_950V BIAS BOARD
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 120V ~ 440V
Current - Output: 500mA
Regulator Topology: Flyback
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: ICE5QSAG, IPU95R3K7P7
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Active
Power - Output: 6 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2818.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL3K3WLLCHBCFD7TOBO1 EVAL3K3WLLCHBCFD7TOBO1 Infineon Technologies Infineon-Evaluationboard_EVAL_3K3W_LLC_HB_CFD7-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d3a60583725dc Description: EVAL BOARD FOR ICE5QSAG XMC4200
Packaging: Box
Voltage - Output: 43.5V ~ 59.5V
Voltage - Input: 350V ~ 415V
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Flyback
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: ICE5QSAG, XMC4200
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Isolated Output
Power - Output: 3.3kW
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+36617.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R090CFD7ATMA1 IPB60R090CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2452db11936 Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF20954HTV1.1 PEF20954HTV1.1 Infineon Technologies Description: SIDEC SMART INTEGRATED DIGITAL E
Packaging: Bulk
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Smart Integrated Digital Echo Canceller (SIDEC)
Interface: PCM, Serial, UCC
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Current - Supply: 350mA
Supplier Device Package: PG-TQFP-144-2
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8116.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07AATMA1 IPG20N04S4L07AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4L_07A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d454a0c9d515c Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSZ018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ee77f32012f072b132a57fc Description: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSZ018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ee77f32012f072b132a57fc Description: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.06 грн
10+81.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS3207Z-INF AUIRFS3207Z-INF Infineon Technologies INFN-S-A0004165566-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79 Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.02 грн
5000+52.39 грн
7500+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79 Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.50 грн
10+120.74 грн
100+82.90 грн
500+62.60 грн
1000+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25B5000 BC807-25B5000 Infineon Technologies INFNS11647-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 45V 0.5A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 1425000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8955+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 8955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25B5003 BC807-25B5003 Infineon Technologies INFNS11647-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 45V 0.5A PG-SOT23-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8955+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 8955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO303SPH BSO303SPH Infineon Technologies INFNS16523-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 7.2A, 30V, 0.021OHM, P-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
866+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 866 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO303SP BSO303SP Infineon Technologies INFNS11933-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
751+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 751 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO303SPNTMA1 BSO303SPNTMA1 Infineon Technologies BSO303SP_080102.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.9A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.35W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1754 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEB4265TV1.2 Infineon Technologies INTL-S-A0006019977-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DUSLIC DUAL CHANNEL SUBSCRIBER L
Packaging: Bulk
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+398.27 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GXUMA1 ICE2PCS06GXUMA1 Infineon Technologies ProductDatasheetICE2PCS06_v1.1+Mar2010.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a3043327f13e3013285ff4ecb2e77 Description: IC PFC CTRLR CCM 70KHZ 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11V ~ 26V
Frequency - Switching: 58kHz ~ 70kHz
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Current - Startup: 450 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GXUMA1 ICE2PCS06GXUMA1 Infineon Technologies ProductDatasheetICE2PCS06_v1.1+Mar2010.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a3043327f13e3013285ff4ecb2e77 Description: IC PFC CTRLR CCM 70KHZ 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11V ~ 26V
Frequency - Switching: 58kHz ~ 70kHz
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Current - Startup: 450 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS03GXUMA1 ICE2PCS03GXUMA1 Infineon Technologies INFNS16598-1.pdf Description: IC PFC CTRLR CCM 100KHZ 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Frequency - Switching: 100kHz
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Current - Startup: 450 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS03GXUMA1 ICE2PCS03GXUMA1 Infineon Technologies INFNS16598-1.pdf Description: IC PFC CTRLR CCM 100KHZ 8DSO
Current - Startup: 450 µA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Frequency - Switching: 100kHz
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.52 грн
10+48.88 грн
25+44.12 грн
100+36.50 грн
250+34.16 грн
500+32.76 грн
1000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS05GXUMA1 ICE2PCS05GXUMA1 Infineon Technologies INFNS16600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC PFC CTRLR CCM ADJUSTABLE 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Frequency - Switching: Adjustable
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Current - Startup: 450 µA
на замовлення 11226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.84 грн
10+50.59 грн
25+45.64 грн
100+37.79 грн
250+35.37 грн
500+33.91 грн
1000+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSB21525NV2.1-HSCXTE Infineon Technologies SIEMS00941-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HSCX TE COMMS CONTROLLER
Packaging: Bulk
Type: Process, Temperature Controller
Part Status: Active
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+512.99 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2452AM IRS2452AM Infineon Technologies Infineon-IRS2452AM-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a01584ee4f1f00713 Description: IC AMP CLASS D STEREO 32MLPQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Depop
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 12V
Supplier Device Package: 32-MLPQ (7x7)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2452AM IRS2452AM Infineon Technologies Infineon-IRS2452AM-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a01584ee4f1f00713 Description: IC AMP CLASS D STEREO 32MLPQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Depop
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 12V
Supplier Device Package: 32-MLPQ (7x7)
Part Status: Active
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.12 грн
10+353.85 грн
25+327.26 грн
100+279.69 грн
250+266.61 грн
500+258.73 грн
1000+248.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH50KDPBF-INF IRG4PH50KDPBF-INF Infineon Technologies Description: SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST IG
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 Infineon Technologies INFNS09574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 Infineon Technologies INFNS09574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDV03S60C IDV03S60C Infineon Technologies INFNS14319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-22
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-22
Current - Average Rectified (Io): 3A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04S60CAKSA1 IDH04S60CAKSA1 Infineon Technologies IDH04S60C.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Bulk
на замовлення 18279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+117.35 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDV06S60C IDV06S60C Infineon Technologies INFNS13768-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+165.56 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDB06S60CATMA2 IDB06S60CATMA2 Infineon Technologies IDB06S60C.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO26332
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
на замовлення 38173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+196.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S60CAKSA1 IDH10S60CAKSA1 Infineon Technologies IDH10S60C.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2202
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+302.58 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDT08S60C IDT08S60C Infineon Technologies INFNS12282-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+217.60 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDT10S60C IDT10S60C Infineon Technologies INFNS12285-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A (DC)
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+276.58 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDT12S60C IDT12S60C Infineon Technologies INFNS12248-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+310.33 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06S60C IDH06S60C Infineon Technologies INFNS19762-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSB21521EV1.4-G Infineon Technologies Description: INCA-IP SOLUTION
Packaging: Bulk
Package / Case: 324-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Single-Chip IP-Phone Solution
Supplier Device Package: PG-LBGA-324-3
Part Status: Active
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+2248.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR142WH6327XTSA1 BCR142WH6327XTSA1 Infineon Technologies bcr142series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a3730114400b292302b6 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 72194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4486+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 4486 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR142WH6327 BCR142WH6327 Infineon Technologies INFNS17183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR142E6327 BCR142E6327 Infineon Technologies INFNS11629-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 142F E6327 BCR 142F E6327 Infineon Technologies bcr142series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a3730114400b292302b6 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 39000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 142L3 E6327 BCR 142L3 E6327 Infineon Technologies BCR142%20%282006%29.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 142T E6327 BCR 142T E6327 Infineon Technologies BCR142%20%282006%29.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SC75-3D
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R099C6FKSA1 IPW65R099C6FKSA1 Infineon Technologies IPA65R099C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043341f67a1013440dbd0a55019 Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD130B1W0201E6327XTSA1 ESD130B1W0201E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-ESD130-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155c02811e9592e Description: TVS DIODE 5.5VWM 18.5VC WLL-2-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Supplier Device Package: WLL-2-1
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.5V
Power - Peak Pulse: 27.5W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 68513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
32+9.63 грн
100+5.96 грн
500+4.08 грн
1000+3.59 грн
2000+3.17 грн
5000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB89535AP-G-1032-SHE1 Infineon Technologies Description: IC MCU 8BIT 16KB MROM 64DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 64-SDIP (0.750", 19.05mm)
Mounting Type: Through Hole
Speed: 12.5MHz
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
RAM Size: 512 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: Mask ROM
Core Processor: F²MC-8L
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 5.5V
Connectivity: Serial I/O, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-DIP
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB89202P-G-103-SH-CNE1 Infineon Technologies Description: IC MCU 8BIT 16KB MROM 32-SH-DIP
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 8x10b
Core Processor: F²MC-8L
Program Memory Type: Mask ROM
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 512 x 8
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
Speed: 12.5MHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-SDIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 26
Supplier Device Package: 32-SDIP
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: Serial I/O, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.5V ~ 5.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRAMX30TP60A-INF Infineon Technologies IRSD-S-Z0000001500-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AC MOTOR CONTROLLER, HYBRID, PZI
Packaging: Tube
Package / Case: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Active
Current: 30 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD816SNL6327 BSD816SNL6327 Infineon Technologies INFNS16725-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD816SN L6327 BSD816SN L6327 Infineon Technologies INFNS16725-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD816SNH6327 BSD816SNH6327 Infineon Technologies INFNS22455-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1461KV33-133AXI CY7C1461KV33-133AXI Infineon Technologies Infineon-CY7C1461KV33_CY7C1463KV33_36-Mbit_(1_M_36_2_M_18)_Flow-Through_SRAM_with_NoBL_Architecture-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece7f0c490a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_gl Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 6.5 ns
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4670.37 грн
10+4150.93 грн
25+4015.34 грн
72+3624.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S6SBP401AJ0SA1001 Infineon Technologies Infineon-S6SBP401AJ0SA1001_S6SBP401AM2SA100_Automotive_Evaluation_Board_Operation_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efb9814118a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_ Description: KIT S6SBP401AJ
Packaging: Box
Voltage - Output: 1.25V, 1.25V, 1.85V, 2.8V, 3.3V, 3.375V
Voltage - Input: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output: 3A, 2A, 2A, 1A, 500mA, 200mA
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: S6BP401A
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down with LDO
Outputs and Type: 6, Non-Isolated
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF20550HV2.1 PEF20550HV2.1 Infineon Technologies Description: ELIC LINE CARD INTERFACE
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Supplier Device Package: P-MQFP-80-1
Current - Supply: 15mA
Voltage - Supply: 5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Interface: ISDN, PCM
Function: Line Card Controller
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
Packaging: Bulk
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2738.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6305WH6327XTSA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAR6305WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 50V 250MW PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6305E6327HTSA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAR6305E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 50V 250MW PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.60 грн
25+12.16 грн
28+10.81 грн
100+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C201A0-LDX2I ?utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C201A0-LDX2I
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CAPSENSE EXP 10 I/O 16QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Type: Buttons, Slider
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.4V ~ 5.25V
Current - Supply: 1.5mA
Number of Inputs: Up to 6
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Proximity Detection: No
LED Driver Channels: Up to 5
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
221+100.31 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R12KE4EHOSA1 Infineon-FF450R12KE4_E-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304344d727a80144dfdce80e0c42
FF450R12KE4EHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 520A 2400W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 520 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+9081.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PEB4365T-SV1.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TWIN SUBSCRIBER LINE INTERFACE
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+661.02 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF-1 IRF8707PbF-1_6-23-14.pdf
IRF8707TRPBF-1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT6W13VP7950VTOBO1 Infineon-General_description_KIT_6W_13V_P7_950V-AdditionalTechnicalInformation-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462724fa97201725020678f0582
KIT6W13VP7950VTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT_6W_13V_P7_950V BIAS BOARD
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 120V ~ 440V
Current - Output: 500mA
Regulator Topology: Flyback
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: ICE5QSAG, IPU95R3K7P7
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Active
Power - Output: 6 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2818.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL3K3WLLCHBCFD7TOBO1 Infineon-Evaluationboard_EVAL_3K3W_LLC_HB_CFD7-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d3a60583725dc
EVAL3K3WLLCHBCFD7TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR ICE5QSAG XMC4200
Packaging: Box
Voltage - Output: 43.5V ~ 59.5V
Voltage - Input: 350V ~ 415V
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Flyback
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: ICE5QSAG, XMC4200
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Isolated Output
Power - Output: 3.3kW
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+36617.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R090CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2452db11936
IPB60R090CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF20954HTV1.1
PEF20954HTV1.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIDEC SMART INTEGRATED DIGITAL E
Packaging: Bulk
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Smart Integrated Digital Echo Canceller (SIDEC)
Interface: PCM, Serial, UCC
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Current - Supply: 350mA
Supplier Device Package: PG-TQFP-144-2
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+8116.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07AATMA1 Infineon-IPG20N04S4L_07A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d454a0c9d515c
IPG20N04S4L07AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ee77f32012f072b132a57fc
BSZ018NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ee77f32012f072b132a57fc
BSZ018NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.06 грн
10+81.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS3207Z-INF INFN-S-A0004165566-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFS3207Z-INF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2 Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79
IPD90P04P405ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+58.02 грн
5000+52.39 грн
7500+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2 Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79
IPD90P04P405ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+194.50 грн
10+120.74 грн
100+82.90 грн
500+62.60 грн
1000+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25B5000 INFNS11647-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC807-25B5000
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.5A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 1425000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8955+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 8955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25B5003 INFNS11647-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC807-25B5003
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.5A PG-SOT23-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8955+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 8955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO303SPH INFNS16523-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSO303SPH
Виробник: Infineon Technologies
Description: 7.2A, 30V, 0.021OHM, P-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
866+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 866 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO303SP INFNS11933-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSO303SP
Виробник: Infineon Technologies
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
751+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 751 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO303SPNTMA1 BSO303SP_080102.pdf
BSO303SPNTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 8.9A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.35W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1754 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEB4265TV1.2 INTL-S-A0006019977-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: DUSLIC DUAL CHANNEL SUBSCRIBER L
Packaging: Bulk
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+398.27 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GXUMA1 ProductDatasheetICE2PCS06_v1.1+Mar2010.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a3043327f13e3013285ff4ecb2e77
ICE2PCS06GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PFC CTRLR CCM 70KHZ 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11V ~ 26V
Frequency - Switching: 58kHz ~ 70kHz
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Current - Startup: 450 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GXUMA1 ProductDatasheetICE2PCS06_v1.1+Mar2010.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a3043327f13e3013285ff4ecb2e77
ICE2PCS06GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PFC CTRLR CCM 70KHZ 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11V ~ 26V
Frequency - Switching: 58kHz ~ 70kHz
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Current - Startup: 450 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS03GXUMA1 INFNS16598-1.pdf
ICE2PCS03GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PFC CTRLR CCM 100KHZ 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Frequency - Switching: 100kHz
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Current - Startup: 450 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS03GXUMA1 INFNS16598-1.pdf
ICE2PCS03GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PFC CTRLR CCM 100KHZ 8DSO
Current - Startup: 450 µA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Frequency - Switching: 100kHz
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.52 грн
10+48.88 грн
25+44.12 грн
100+36.50 грн
250+34.16 грн
500+32.76 грн
1000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS05GXUMA1 INFNS16600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE2PCS05GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PFC CTRLR CCM ADJUSTABLE 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Frequency - Switching: Adjustable
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Current - Startup: 450 µA
на замовлення 11226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.84 грн
10+50.59 грн
25+45.64 грн
100+37.79 грн
250+35.37 грн
500+33.91 грн
1000+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSB21525NV2.1-HSCXTE SIEMS00941-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: HSCX TE COMMS CONTROLLER
Packaging: Bulk
Type: Process, Temperature Controller
Part Status: Active
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+512.99 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2452AM Infineon-IRS2452AM-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a01584ee4f1f00713
IRS2452AM
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP CLASS D STEREO 32MLPQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Depop
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 12V
Supplier Device Package: 32-MLPQ (7x7)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2452AM Infineon-IRS2452AM-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a01584ee4f1f00713
IRS2452AM
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP CLASS D STEREO 32MLPQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Depop
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 12V
Supplier Device Package: 32-MLPQ (7x7)
Part Status: Active
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+478.12 грн
10+353.85 грн
25+327.26 грн
100+279.69 грн
250+266.61 грн
500+258.73 грн
1000+248.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH50KDPBF-INF
IRG4PH50KDPBF-INF
Виробник: Infineon Technologies
Description: SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST IG
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 INFNS09574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB80N06S2L07ATMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 INFNS09574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB80N06S2L07ATMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDV03S60C INFNS14319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IDV03S60C
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-22
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-22
Current - Average Rectified (Io): 3A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
270+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04S60CAKSA1 IDH04S60C.pdf
IDH04S60CAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Bulk
на замовлення 18279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
183+117.35 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDV06S60C INFNS13768-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IDV06S60C
Виробник: Infineon Technologies
Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
147+165.56 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDB06S60CATMA2 IDB06S60C.pdf
IDB06S60CATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO26332
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
на замовлення 38173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+196.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S60CAKSA1 IDH10S60C.pdf
IDH10S60CAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2202
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+302.58 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDT08S60C INFNS12282-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IDT08S60C
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+217.60 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDT10S60C INFNS12285-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IDT10S60C
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A (DC)
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+276.58 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDT12S60C INFNS12248-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IDT12S60C
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+310.33 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06S60C INFNS19762-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IDH06S60C
Виробник: Infineon Technologies
Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSB21521EV1.4-G
Виробник: Infineon Technologies
Description: INCA-IP SOLUTION
Packaging: Bulk
Package / Case: 324-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Single-Chip IP-Phone Solution
Supplier Device Package: PG-LBGA-324-3
Part Status: Active
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+2248.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR142WH6327XTSA1 bcr142series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a3730114400b292302b6
BCR142WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 72194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4486+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 4486 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR142WH6327 INFNS17183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR142WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR142E6327 INFNS11629-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR142E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 142F E6327 bcr142series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a3730114400b292302b6
BCR 142F E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 39000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 142L3 E6327 BCR142%20%282006%29.pdf
BCR 142L3 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 142T E6327 BCR142%20%282006%29.pdf
BCR 142T E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SC75-3D
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R099C6FKSA1 IPA65R099C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043341f67a1013440dbd0a55019
IPW65R099C6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD130B1W0201E6327XTSA1 Infineon-ESD130-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155c02811e9592e
ESD130B1W0201E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5.5VWM 18.5VC WLL-2-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Supplier Device Package: WLL-2-1
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.5V
Power - Peak Pulse: 27.5W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 68513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
32+9.63 грн
100+5.96 грн
500+4.08 грн
1000+3.59 грн
2000+3.17 грн
5000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB89535AP-G-1032-SHE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 16KB MROM 64DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 64-SDIP (0.750", 19.05mm)
Mounting Type: Through Hole
Speed: 12.5MHz
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
RAM Size: 512 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: Mask ROM
Core Processor: F²MC-8L
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 5.5V
Connectivity: Serial I/O, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-DIP
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB89202P-G-103-SH-CNE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 16KB MROM 32-SH-DIP
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 8x10b
Core Processor: F²MC-8L
Program Memory Type: Mask ROM
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 512 x 8
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
Speed: 12.5MHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-SDIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 26
Supplier Device Package: 32-SDIP
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: Serial I/O, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.5V ~ 5.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRAMX30TP60A-INF IRSD-S-Z0000001500-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: AC MOTOR CONTROLLER, HYBRID, PZI
Packaging: Tube
Package / Case: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Active
Current: 30 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD816SNL6327 INFNS16725-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSD816SNL6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD816SN L6327 INFNS16725-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSD816SN L6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD816SNH6327 INFNS22455-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSD816SNH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1461KV33-133AXI Infineon-CY7C1461KV33_CY7C1463KV33_36-Mbit_(1_M_36_2_M_18)_Flow-Through_SRAM_with_NoBL_Architecture-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece7f0c490a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_gl
CY7C1461KV33-133AXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 6.5 ns
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4670.37 грн
10+4150.93 грн
25+4015.34 грн
72+3624.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S6SBP401AJ0SA1001 Infineon-S6SBP401AJ0SA1001_S6SBP401AM2SA100_Automotive_Evaluation_Board_Operation_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efb9814118a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_
Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT S6SBP401AJ
Packaging: Box
Voltage - Output: 1.25V, 1.25V, 1.85V, 2.8V, 3.3V, 3.375V
Voltage - Input: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output: 3A, 2A, 2A, 1A, 500mA, 200mA
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: S6BP401A
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down with LDO
Outputs and Type: 6, Non-Isolated
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF20550HV2.1
PEF20550HV2.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ELIC LINE CARD INTERFACE
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Supplier Device Package: P-MQFP-80-1
Current - Supply: 15mA
Voltage - Supply: 5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Interface: ISDN, PCM
Function: Line Card Controller
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
Packaging: Bulk
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2738.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 349 350 351 352 353 354 355 356 357 358 359 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]