Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149448) > Сторінка 367 з 2491

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 362 363 364 365 366 367 368 369 370 371 372 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCR573E6327 BCR573E6327 Infineon Technologies INFNS10767-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 34451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5505+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 5505
В кошику  од. на суму  грн.
BCR573 BCR573 Infineon Technologies INFNS17204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4418+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 4418
В кошику  од. на суму  грн.
IPC90R120C3X1SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC90R1K0C3X1SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC90R500C3X1SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC90R800C3X1SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH BARE DIE
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC95R750P7X7SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC95R1K2P7X7SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH BARE DIE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF IRFH5110TRPBF Infineon Technologies irfh5110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561aec951ea8 Description: MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3152 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPC100N04S5-2R8-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801b9b92904 Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.93 грн
10+66.10 грн
100+51.38 грн
500+38.00 грн
1000+34.50 грн
2000+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R9ATMA1 IPC100N04S5L1R9ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPC100N04S5L-1R9-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c29ca352fb Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 74418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.11 грн
10+66.59 грн
100+51.41 грн
500+40.91 грн
1000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA924N6E6327XTSA1 BGA924N6E6327XTSA1 Infineon Technologies BGA924N6.pdf Description: IC AMP GALI 1.559-1.61GHZ TSNP6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.559GHz ~ 1.61GHz
RF Type: Galileo, GLONASS, GPS
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.3V
Gain: 16.2dB
Current - Supply: 4.85mA
Noise Figure: 0.55dB
P1dB: -8dBm
Test Frequency: 1.55GHz ~ 1.615GHz
Supplier Device Package: TSNP-6-2
на замовлення 1152982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 644
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L009ATMA1 IAUC120N04S6L009ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC120N04S6L009-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4c4d087c177b Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC120N04S6N010-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4c43cb2e1748 Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SIPC19N80C3 Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Infineon Technologies irfh8325pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fbc041f1d Description: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.53 грн
10+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY22050KFI CY22050KFI Infineon Technologies Infineon-CY22050_CY220501_One-PLL_General-Purpose_Flash-Programmable_Clock_Generator-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec0cb203573&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_inte Description: IC CLOCK GEN PROG 16-TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Frequency - Max: 150MHz, 166.6MHz
Type: Clock Generator, Fanout Distribution
Input: LVCMOS, LVTTL, Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.5V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 1:6
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-TSSOP
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+168.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MB89615RPMC-G-1090-BNDE1 Infineon Technologies Description: IC MCU 8BIT 16KB MROM 64LQFP
Packaging: Tray
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
RAM Size: 512 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: Mask ROM
Core Processor: F²MC-8L
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 6V
Connectivity: Serial I/O
Peripherals: POR, PWM, WDT
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 53
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB89615RPMC-G-XXX-BND Infineon Technologies Description: IC MCU 8BIT 16KB MROM 64LQFP
Packaging: Tray
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
RAM Size: 512 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: Mask ROM
Core Processor: F²MC-8L
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 6V
Connectivity: Serial I/O
Peripherals: POR, PWM, WDT
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 53
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2PS13512E43W43079NOSA1 2PS13512E43W43079NOSA1 Infineon Technologies Description: STACKS IPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N14TOFXPSA1 T560N14TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T560N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128637eb8405343 Description: SCR MODULE 1800V 809A DO200AA
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 559 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 809 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16TOFXPSA1 T560N16TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T560N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128637eb8405343 Description: SCR MODULE 1800V 809A DO200AA
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 559 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 809 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9565.16 грн
12+8526.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
T560N14TOCMODXPSA1 Infineon Technologies Description: MOD DIODE THYRISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16T1CMODXPSA1 Infineon Technologies Description: MOD DIODE THYRISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16TOCMODXPSA1 Infineon Technologies Description: MOD DIODE THYRISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I100N12S3-05-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0aced7fe9 Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+200.47 грн
2000+181.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I100N12S3-05-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0aced7fe9 Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.48 грн
10+313.51 грн
100+253.64 грн
500+211.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV50ATMA1 TLE4274DV50ATMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4274-DS-v01_70-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8e637f1f8f Description: IC REG LIN 5V 400MA TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV50ITJKKNTMA1 TLE4274DV50ITJKKNTMA1 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 400MA TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW 61D E6327 BCW 61D E6327 Infineon Technologies INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7454+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 7454
В кошику  од. на суму  грн.
BCW61BE6327 BCW61BE6327 Infineon Technologies INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW61DE6327 BCW61DE6327 Infineon Technologies INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 64915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6869+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 6869
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1168KV18-400BZXC CY7C1168KV18-400BZXC Infineon Technologies Infineon-CY7C1168KV18_CY7C1170KV18_18-Mbit_DDR_II+_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdb60c308a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign= Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+801.35 грн
10+716.89 грн
25+694.88 грн
50+636.50 грн
136+614.14 грн
272+598.84 грн
544+574.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1245KV18-400BZXC CY7C1245KV18-400BZXC Infineon Technologies download Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1597.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSL372SNH6327XTSA1 BSL372SNH6327XTSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0000110228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 2A TSOP6-6
на замовлення 10385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYM300B170DN2HOSA1 BYM300B170DN2HOSA1 Infineon Technologies Infineon-BYM300B170DN2-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fc8994d84 Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49615KXTSA1 TLE49615KXTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4961_5K-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304338ec6d390138fc81f56e76bb Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SC59
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF Infineon Technologies irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R17N3E4BPSA1 F4100R17N3E4BPSA1 Infineon Technologies Infineon-F4-100R17N3E4-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301761e2e216b021e Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16248.51 грн
10+14654.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R17N3E4PB11BPSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFS150B17N3E4PB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-IFS150B17N3E4P_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e94ae58b32e1a Description: IGBT MOD 1700V 300A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT4B11BOSA1 FS75R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS75R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a49691bbc0130 Description: IGBT MOD 1200V 75A 385W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 385 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16B5000 BC817-16B5000 Infineon Technologies INFNS12118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.5A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8955+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16B5003 BC817-16B5003 Infineon Technologies INFNS12118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.5A PG-SOT23-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8955+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XE162FM-48F80L AA SAF-XE162FM-48F80L AA Infineon Technologies XE162xM.pdf Description: IC MCU 16BIT 384KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 384KB (384K x 8)
RAM Size: 34K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 9x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-13
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 40
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM240M6Y1BAKSA1 Infineon Technologies IM240-M6xxB.pdf Description: MODULE IPM 3PHASE 23DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1900Vrms
Current: 4 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S2L_65-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a3c2672326cf Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S2L_65-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a3c2672326cf Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.82 грн
10+70.44 грн
100+47.01 грн
500+34.66 грн
1000+31.62 грн
2000+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DA2B6HTSA1 TLI493DA2B6HTSA1 Infineon Technologies TLI493D-A2B6_v1.3_4-9-19.pdf Description: MAGNETIC SWITCH PROG TSOP-6-6-8
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.12 грн
6000+41.10 грн
9000+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DA2B6HTSA1 TLI493DA2B6HTSA1 Infineon Technologies TLI493D-A2B6_v1.3_4-9-19.pdf Description: MAGNETIC SWITCH PROG TSOP-6-6-8
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
на замовлення 10912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.71 грн
5+74.30 грн
10+70.52 грн
25+62.09 грн
50+59.27 грн
100+56.71 грн
500+50.70 грн
1000+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183S BCR183S Infineon Technologies INFNS17188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 101966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8485+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 8485
В кошику  од. на суму  грн.
FF400R12KE3S5HOSA1 Infineon Technologies INFNS28395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12943.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R199CP Infineon Technologies Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT68E6359HTMA1 Infineon Technologies INFNS15410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4157+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 4157
В кошику  од. на суму  грн.
BAT68-06E6327 BAT68-06E6327 Infineon Technologies INFNS15410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2308+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 2308
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215STRL AUIRF6215STRL Infineon Technologies auirf6215s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf0a713ca Description: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISS17EP06LMXTSA1 ISS17EP06LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISS17EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0731173673a6 Description: MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 30 V
на замовлення 47400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.40 грн
21+15.75 грн
100+7.63 грн
500+6.78 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50201EKAXUMA1 BTS50201EKAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS5020-1EKA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84fd1c7575cc Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50201EKAXUMA1 BTS50201EKAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS5020-1EKA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84fd1c7575cc Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Active
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.48 грн
10+104.48 грн
25+95.19 грн
100+79.75 грн
250+75.18 грн
500+72.42 грн
1000+69.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCR573E6327 INFNS10767-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR573E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 34451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5505+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 5505
В кошику  од. на суму  грн.
BCR573 INFNS17204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR573
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4418+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 4418
В кошику  од. на суму  грн.
IPC90R120C3X1SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC90R1K0C3X1SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC90R500C3X1SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC90R800C3X1SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH BARE DIE
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC95R750P7X7SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC95R1K2P7X7SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH BARE DIE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF irfh5110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561aec951ea8
IRFH5110TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3152 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S52R8ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-2R8-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801b9b92904
IPC100N04S52R8ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.93 грн
10+66.10 грн
100+51.38 грн
500+38.00 грн
1000+34.50 грн
2000+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R9ATMA1 Infineon-IPC100N04S5L-1R9-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c29ca352fb
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 74418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.11 грн
10+66.59 грн
100+51.41 грн
500+40.91 грн
1000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d
BSZ070N08LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA924N6E6327XTSA1 BGA924N6.pdf
BGA924N6E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP GALI 1.559-1.61GHZ TSNP6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.559GHz ~ 1.61GHz
RF Type: Galileo, GLONASS, GPS
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.3V
Gain: 16.2dB
Current - Supply: 4.85mA
Noise Figure: 0.55dB
P1dB: -8dBm
Test Frequency: 1.55GHz ~ 1.615GHz
Supplier Device Package: TSNP-6-2
на замовлення 1152982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
644+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 644
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L009ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6L009-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4c4d087c177b
IAUC120N04S6L009ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N010ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6N010-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4c43cb2e1748
IAUC120N04S6N010ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+57.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SIPC19N80C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF irfh8325pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fbc041f1d
IRFH8325TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.53 грн
10+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY22050KFI Infineon-CY22050_CY220501_One-PLL_General-Purpose_Flash-Programmable_Clock_Generator-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec0cb203573&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_inte
CY22050KFI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK GEN PROG 16-TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Frequency - Max: 150MHz, 166.6MHz
Type: Clock Generator, Fanout Distribution
Input: LVCMOS, LVTTL, Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.5V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 1:6
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-TSSOP
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MB89615RPMC-G-1090-BNDE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 16KB MROM 64LQFP
Packaging: Tray
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
RAM Size: 512 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: Mask ROM
Core Processor: F²MC-8L
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 6V
Connectivity: Serial I/O
Peripherals: POR, PWM, WDT
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 53
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB89615RPMC-G-XXX-BND
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 16KB MROM 64LQFP
Packaging: Tray
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
RAM Size: 512 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: Mask ROM
Core Processor: F²MC-8L
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 6V
Connectivity: Serial I/O
Peripherals: POR, PWM, WDT
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 53
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2PS13512E43W43079NOSA1
2PS13512E43W43079NOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: STACKS IPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N14TOFXPSA1 Infineon-T560N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128637eb8405343
T560N14TOFXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1800V 809A DO200AA
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 559 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 809 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16TOFXPSA1 Infineon-T560N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128637eb8405343
T560N16TOFXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1800V 809A DO200AA
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 559 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 809 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9565.16 грн
12+8526.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
T560N14TOCMODXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOD DIODE THYRISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16T1CMODXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOD DIODE THYRISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16TOCMODXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOD DIODE THYRISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 Infineon-IPP_B_I100N12S3-05-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0aced7fe9
IPB100N12S305ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+200.47 грн
2000+181.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 Infineon-IPP_B_I100N12S3-05-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0aced7fe9
IPB100N12S305ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.48 грн
10+313.51 грн
100+253.64 грн
500+211.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV50ATMA1 Infineon-TLE4274-DS-v01_70-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8e637f1f8f
TLE4274DV50ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 400MA TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV50ITJKKNTMA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
TLE4274DV50ITJKKNTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 400MA TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW 61D E6327 INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW 61D E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7454+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 7454
В кошику  од. на суму  грн.
BCW61BE6327 INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW61BE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW61DE6327 INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW61DE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 64915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6869+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 6869
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1168KV18-400BZXC Infineon-CY7C1168KV18_CY7C1170KV18_18-Mbit_DDR_II+_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdb60c308a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=
CY7C1168KV18-400BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+801.35 грн
10+716.89 грн
25+694.88 грн
50+636.50 грн
136+614.14 грн
272+598.84 грн
544+574.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1245KV18-400BZXC download
CY7C1245KV18-400BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1597.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSL372SNH6327XTSA1 INFN-S-A0000110228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSL372SNH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 2A TSOP6-6
на замовлення 10385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYM300B170DN2HOSA1 Infineon-BYM300B170DN2-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fc8994d84
BYM300B170DN2HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49615KXTSA1 Infineon-TLE4961_5K-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304338ec6d390138fc81f56e76bb
TLE49615KXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SC59
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
IRF4905STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R17N3E4BPSA1 Infineon-F4-100R17N3E4-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301761e2e216b021e
F4100R17N3E4BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16248.51 грн
10+14654.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R17N3E4PB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFS150B17N3E4PB11BPSA1 Infineon-IFS150B17N3E4P_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e94ae58b32e1a
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 300A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT4B11BOSA1 Infineon-FS75R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a49691bbc0130
FS75R12KT4B11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 75A 385W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 385 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16B5000 INFNS12118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC817-16B5000
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.5A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8955+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16B5003 INFNS12118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC817-16B5003
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.5A PG-SOT23-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8955+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XE162FM-48F80L AA XE162xM.pdf
SAF-XE162FM-48F80L AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 384KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 384KB (384K x 8)
RAM Size: 34K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 9x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-13
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 40
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM240M6Y1BAKSA1 IM240-M6xxB.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE IPM 3PHASE 23DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1900Vrms
Current: 4 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1 Infineon-IPG20N06S2L_65-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a3c2672326cf
IPG20N06S2L65ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1 Infineon-IPG20N06S2L_65-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a3c2672326cf
IPG20N06S2L65ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.82 грн
10+70.44 грн
100+47.01 грн
500+34.66 грн
1000+31.62 грн
2000+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DA2B6HTSA1 TLI493D-A2B6_v1.3_4-9-19.pdf
TLI493DA2B6HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH PROG TSOP-6-6-8
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.12 грн
6000+41.10 грн
9000+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DA2B6HTSA1 TLI493D-A2B6_v1.3_4-9-19.pdf
TLI493DA2B6HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH PROG TSOP-6-6-8
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
на замовлення 10912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.71 грн
5+74.30 грн
10+70.52 грн
25+62.09 грн
50+59.27 грн
100+56.71 грн
500+50.70 грн
1000+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183S INFNS17188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR183S
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 101966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8485+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 8485
В кошику  од. на суму  грн.
FF400R12KE3S5HOSA1 INFNS28395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+12943.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R199CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT68E6359HTMA1 INFNS15410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4157+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 4157
В кошику  од. на суму  грн.
BAT68-06E6327 INFNS15410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT68-06E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2308+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 2308
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215STRL auirf6215s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf0a713ca
AUIRF6215STRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISS17EP06LMXTSA1 Infineon-ISS17EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0731173673a6
ISS17EP06LMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 30 V
на замовлення 47400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.40 грн
21+15.75 грн
100+7.63 грн
500+6.78 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50201EKAXUMA1 Infineon-BTS5020-1EKA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84fd1c7575cc
BTS50201EKAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50201EKAXUMA1 Infineon-BTS5020-1EKA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84fd1c7575cc
BTS50201EKAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Active
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.48 грн
10+104.48 грн
25+95.19 грн
100+79.75 грн
250+75.18 грн
500+72.42 грн
1000+69.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 362 363 364 365 366 367 368 369 370 371 372 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]