Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148832) > Сторінка 367 з 2481

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 362 363 364 365 366 367 368 369 370 371 372 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480 2481  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
T560N14TOFXPSA1 T560N14TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T560N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128637eb8405343 Description: SCR MODULE 1800V 809A DO200AA
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 559 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 809 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16TOFXPSA1 T560N16TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T560N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128637eb8405343 Description: SCR MODULE 1.8KV 809A DO-200AB
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 559 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 809 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8798.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
T560N14TOCMODXPSA1 Infineon Technologies Description: MOD DIODE THYRISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16T1CMODXPSA1 Infineon Technologies Description: MOD DIODE THYRISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16TOCMODXPSA1 Infineon Technologies Description: MOD DIODE THYRISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I100N12S3-05-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0aced7fe9 Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+201.42 грн
2000+182.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I100N12S3-05-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0aced7fe9 Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.33 грн
10+315.00 грн
100+254.85 грн
500+212.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV50ATMA1 TLE4274DV50ATMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4274-DS-v01_70-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8e637f1f8f Description: IC REG LIN 5V 400MA TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV50ITJKKNTMA1 TLE4274DV50ITJKKNTMA1 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 400MA TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW 61D E6327 BCW 61D E6327 Infineon Technologies INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7454+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 7454
В кошику  од. на суму  грн.
BCW61BE6327 BCW61BE6327 Infineon Technologies INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW61DE6327 BCW61DE6327 Infineon Technologies INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 64915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6869+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 6869
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1168KV18-400BZXC CY7C1168KV18-400BZXC Infineon Technologies Infineon-CY7C1168KV18_CY7C1170KV18_18-Mbit_DDR_II+_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdb60c308a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign= Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.18 грн
10+720.32 грн
25+698.20 грн
50+639.54 грн
136+617.07 грн
272+601.69 грн
544+576.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1245KV18-400BZXC CY7C1245KV18-400BZXC Infineon Technologies download Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1605.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSL372SNH6327XTSA1 BSL372SNH6327XTSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0000110228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 2A TSOP6-6
на замовлення 10385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYM300B170DN2HOSA1 BYM300B170DN2HOSA1 Infineon Technologies Infineon-BYM300B170DN2-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fc8994d84 Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49615KXTSA1 TLE49615KXTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4961_5K-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304338ec6d390138fc81f56e76bb Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SC59
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF Infineon Technologies irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R17N3E4BPSA1 F4100R17N3E4BPSA1 Infineon Technologies Infineon-F4-100R17N3E4-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301761e2e216b021e Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16326.03 грн
10+14724.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R17N3E4PB11BPSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFS150B17N3E4PB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-IFS150B17N3E4P_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e94ae58b32e1a Description: IGBT MOD 1700V 300A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT4B11BOSA1 FS75R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS75R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a49691bbc0130 Description: IGBT MOD 1200V 75A 385W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 385 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16B5000 BC817-16B5000 Infineon Technologies INFNS12118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.5A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8955+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16B5003 BC817-16B5003 Infineon Technologies INFNS12118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.5A PG-SOT23-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8955+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XE162FM-48F80L AA SAF-XE162FM-48F80L AA Infineon Technologies XE162xM.pdf Description: IC MCU 16BIT 384KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 384KB (384K x 8)
RAM Size: 34K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 9x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-13
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 40
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM240M6Y1BAKSA1 Infineon Technologies IM240-M6xxB.pdf Description: MODULE IPM 3PHASE 23DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1900Vrms
Current: 4 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S2L_65-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a3c2672326cf Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S2L_65-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a3c2672326cf Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.37 грн
10+70.78 грн
100+47.23 грн
500+34.83 грн
1000+31.77 грн
2000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DA2B6HTSA1 TLI493DA2B6HTSA1 Infineon Technologies TLI493D-A2B6_v1.3_4-9-19.pdf Description: MAGNETIC SWITCH PROG TSOP-6-6-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.33 грн
6000+41.29 грн
9000+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DA2B6HTSA1 TLI493DA2B6HTSA1 Infineon Technologies TLI493D-A2B6_v1.3_4-9-19.pdf Description: MAGNETIC SWITCH PROG TSOP-6-6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
на замовлення 10912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.13 грн
5+74.65 грн
10+70.86 грн
25+62.39 грн
50+59.56 грн
100+56.98 грн
500+50.95 грн
1000+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183S BCR183S Infineon Technologies INFNS17188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 101966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8485+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 8485
В кошику  од. на суму  грн.
FF400R12KE3S5HOSA1 Infineon Technologies INFNS28395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+13005.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R199CP Infineon Technologies Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT68E6359HTMA1 Infineon Technologies INFNS15410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4157+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 4157
В кошику  од. на суму  грн.
BAT68-06E6327 BAT68-06E6327 Infineon Technologies INFNS15410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2308+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 2308
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215STRL AUIRF6215STRL Infineon Technologies auirf6215s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf0a713ca Description: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISS17EP06LMXTSA1 ISS17EP06LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISS17EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0731173673a6 Description: MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 30 V
на замовлення 47400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.53 грн
21+15.82 грн
100+7.67 грн
500+6.81 грн
1000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50201EKAXUMA1 BTS50201EKAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS5020-1EKA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84fd1c7575cc Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50201EKAXUMA1 BTS50201EKAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS5020-1EKA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84fd1c7575cc Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Active
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.17 грн
10+104.97 грн
25+95.65 грн
100+80.13 грн
250+75.54 грн
500+72.77 грн
1000+69.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TC275T64F200NDCKXUMA1 TC275T64F200NDCKXUMA1 Infineon Technologies TC270_TC275_TC277_v1.2_4-4-19.pdf Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 176-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 472K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 40x12b, 6 x Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-22
Part Status: Active
Number of I/O: 112
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1636.30 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TC275T64F200NDCKXUMA1 TC275T64F200NDCKXUMA1 Infineon Technologies TC270_TC275_TC277_v1.2_4-4-19.pdf Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 176-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 472K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 40x12b, 6 x Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-22
Part Status: Active
Number of I/O: 112
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2446.34 грн
10+1905.60 грн
25+1793.32 грн
100+1567.18 грн
250+1511.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC277T64F200NDCKXUMA1 TC277T64F200NDCKXUMA1 Infineon Technologies TC270_TC275_TC277_v1.2_4-4-19.pdf Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 292LFBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC277T64F200SDCLXUMA1 TC277T64F200SDCLXUMA1 Infineon Technologies TC270_TC275_TC277_v1.2_4-4-19.pdf Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 292LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 292-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 472K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 60x12b, 6 x Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I²C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Number of I/O: 169
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3GS03LJGXUMA1 ICE3GS03LJGXUMA1 Infineon Technologies ICE3GS03LJG.pdf Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DSO
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3B0365 ICE3B0365 Infineon Technologies INFNS22601-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: OFF-LINE SMPS CURRENT MODE CONTR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
405+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 405
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WE6327 BCR185WE6327 Infineon Technologies INFNS11751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 375000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8955+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183WE6327 BCR183WE6327 Infineon Technologies INFNS11627-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185E6327 BCR185E6327 Infineon Technologies INFNS11751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183WH6327 BCR183WH6327 Infineon Technologies INFNS17188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7123+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 7123
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185WH6327 Infineon Technologies Infineon-BCR185SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431428a3730114403af22402d4 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 45301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6571+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 6571
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.49 грн
10000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 12842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+62.21 грн
100+41.26 грн
500+30.29 грн
1000+27.57 грн
2000+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSB21483FV1.6 PSB21483FV1.6 Infineon Technologies Description: INCA-S CODEC
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12MS4BOSA1 FF225R12MS4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF225R12MS4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113ba985a0e00b0 Description: IGBT MOD 1200V 275A 1450W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11267.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA14H6327XTSA1 PZTA14H6327XTSA1 Infineon Technologies pzta14.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e89099018b Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1176+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 1176
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127FNI-BL483T CY8C4127FNI-BL483T Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC RF TXRX+MCU BLE 68WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 68-UFBGA, WLCSP
Sensitivity: -92dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 128kB Flash, 16kB SRAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Power - Output: 3dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 16.4mA ~ 18.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 16.5mA ~ 20mA
Supplier Device Package: 68-WLCSP (3.52x3.91)
GPIO: 36
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, General ISM > 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+112.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127FNI-BL483T CY8C4127FNI-BL483T Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC RF TXRX+MCU BLE 68WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 68-UFBGA, WLCSP
Sensitivity: -92dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 128kB Flash, 16kB SRAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Power - Output: 3dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 16.4mA ~ 18.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 16.5mA ~ 20mA
Supplier Device Package: 68-WLCSP (3.52x3.91)
GPIO: 36
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, General ISM > 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127FNI-BL483T CY8C4127FNI-BL483T Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC RF TXRX+MCU BLE 68WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 68-UFBGA, WLCSP
Sensitivity: -92dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 128kB Flash, 16kB SRAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Power - Output: 3dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 16.4mA ~ 18.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 16.5mA ~ 20mA
Supplier Device Package: 68-WLCSP (3.52x3.91)
GPIO: 36
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, General ISM > 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4248FLI-BL483T CY8C4248FLI-BL483T Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 76WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 76-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Bluetooth, Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, DMA LCD, LVD, POR, PWM, SmartCard, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 76-WLCSP (4.04x3.87)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4248FNI-BL483T CY8C4248FNI-BL483T Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 76WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 76-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Bluetooth, Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, DMA LCD, LVD, POR, PWM, SmartCard, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 76-WLCSP (4.04×3.87)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N14TOFXPSA1 Infineon-T560N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128637eb8405343
T560N14TOFXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1800V 809A DO200AA
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 559 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 809 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16TOFXPSA1 Infineon-T560N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128637eb8405343
T560N16TOFXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.8KV 809A DO-200AB
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 559 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 809 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8798.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
T560N14TOCMODXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOD DIODE THYRISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16T1CMODXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOD DIODE THYRISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16TOCMODXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOD DIODE THYRISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 Infineon-IPP_B_I100N12S3-05-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0aced7fe9
IPB100N12S305ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+201.42 грн
2000+182.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 Infineon-IPP_B_I100N12S3-05-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0aced7fe9
IPB100N12S305ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.33 грн
10+315.00 грн
100+254.85 грн
500+212.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV50ATMA1 Infineon-TLE4274-DS-v01_70-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8e637f1f8f
TLE4274DV50ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 400MA TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV50ITJKKNTMA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
TLE4274DV50ITJKKNTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 400MA TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW 61D E6327 INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW 61D E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7454+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 7454
В кошику  од. на суму  грн.
BCW61BE6327 INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW61BE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW61DE6327 INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW61DE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 64915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6869+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 6869
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1168KV18-400BZXC Infineon-CY7C1168KV18_CY7C1170KV18_18-Mbit_DDR_II+_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdb60c308a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=
CY7C1168KV18-400BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+805.18 грн
10+720.32 грн
25+698.20 грн
50+639.54 грн
136+617.07 грн
272+601.69 грн
544+576.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1245KV18-400BZXC download
CY7C1245KV18-400BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1605.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSL372SNH6327XTSA1 INFN-S-A0000110228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSL372SNH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 2A TSOP6-6
на замовлення 10385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYM300B170DN2HOSA1 Infineon-BYM300B170DN2-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fc8994d84
BYM300B170DN2HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49615KXTSA1 Infineon-TLE4961_5K-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304338ec6d390138fc81f56e76bb
TLE49615KXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SC59
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
IRF4905STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R17N3E4BPSA1 Infineon-F4-100R17N3E4-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301761e2e216b021e
F4100R17N3E4BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16326.03 грн
10+14724.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R17N3E4PB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFS150B17N3E4PB11BPSA1 Infineon-IFS150B17N3E4P_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e94ae58b32e1a
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 300A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT4B11BOSA1 Infineon-FS75R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a49691bbc0130
FS75R12KT4B11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 75A 385W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 385 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16B5000 INFNS12118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC817-16B5000
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.5A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8955+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16B5003 INFNS12118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC817-16B5003
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.5A PG-SOT23-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8955+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XE162FM-48F80L AA XE162xM.pdf
SAF-XE162FM-48F80L AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 384KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 384KB (384K x 8)
RAM Size: 34K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 9x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-13
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 40
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM240M6Y1BAKSA1 IM240-M6xxB.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE IPM 3PHASE 23DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1900Vrms
Current: 4 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1 Infineon-IPG20N06S2L_65-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a3c2672326cf
IPG20N06S2L65ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1 Infineon-IPG20N06S2L_65-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a3c2672326cf
IPG20N06S2L65ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.37 грн
10+70.78 грн
100+47.23 грн
500+34.83 грн
1000+31.77 грн
2000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DA2B6HTSA1 TLI493D-A2B6_v1.3_4-9-19.pdf
TLI493DA2B6HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH PROG TSOP-6-6-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.33 грн
6000+41.29 грн
9000+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DA2B6HTSA1 TLI493D-A2B6_v1.3_4-9-19.pdf
TLI493DA2B6HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH PROG TSOP-6-6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
на замовлення 10912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.13 грн
5+74.65 грн
10+70.86 грн
25+62.39 грн
50+59.56 грн
100+56.98 грн
500+50.95 грн
1000+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183S INFNS17188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR183S
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 101966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8485+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 8485
В кошику  од. на суму  грн.
FF400R12KE3S5HOSA1 INFNS28395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+13005.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R199CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT68E6359HTMA1 INFNS15410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4157+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 4157
В кошику  од. на суму  грн.
BAT68-06E6327 INFNS15410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT68-06E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2308+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 2308
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215STRL auirf6215s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf0a713ca
AUIRF6215STRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISS17EP06LMXTSA1 Infineon-ISS17EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0731173673a6
ISS17EP06LMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 30 V
на замовлення 47400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.53 грн
21+15.82 грн
100+7.67 грн
500+6.81 грн
1000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50201EKAXUMA1 Infineon-BTS5020-1EKA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84fd1c7575cc
BTS50201EKAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50201EKAXUMA1 Infineon-BTS5020-1EKA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84fd1c7575cc
BTS50201EKAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Active
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.17 грн
10+104.97 грн
25+95.65 грн
100+80.13 грн
250+75.54 грн
500+72.77 грн
1000+69.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TC275T64F200NDCKXUMA1 TC270_TC275_TC277_v1.2_4-4-19.pdf
TC275T64F200NDCKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 176-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 472K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 40x12b, 6 x Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-22
Part Status: Active
Number of I/O: 112
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1636.30 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TC275T64F200NDCKXUMA1 TC270_TC275_TC277_v1.2_4-4-19.pdf
TC275T64F200NDCKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 176-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 472K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 40x12b, 6 x Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-22
Part Status: Active
Number of I/O: 112
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2446.34 грн
10+1905.60 грн
25+1793.32 грн
100+1567.18 грн
250+1511.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC277T64F200NDCKXUMA1 TC270_TC275_TC277_v1.2_4-4-19.pdf
TC277T64F200NDCKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 292LFBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC277T64F200SDCLXUMA1 TC270_TC275_TC277_v1.2_4-4-19.pdf
TC277T64F200SDCLXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 292LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 292-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 472K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 60x12b, 6 x Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I²C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Number of I/O: 169
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3GS03LJGXUMA1 ICE3GS03LJG.pdf
ICE3GS03LJGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DSO
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3B0365 INFNS22601-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE3B0365
Виробник: Infineon Technologies
Description: OFF-LINE SMPS CURRENT MODE CONTR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
405+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 405
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WE6327 INFNS11751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR185WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 375000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8955+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183WE6327 INFNS11627-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR183WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185E6327 INFNS11751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR185E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183WH6327 INFNS17188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR183WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7123+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 7123
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 Infineon-BCR185SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431428a3730114403af22402d4
BCR185WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 45301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6571+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 6571
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa
BSZ031NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.49 грн
10000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa
BSZ031NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 12842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.68 грн
10+62.21 грн
100+41.26 грн
500+30.29 грн
1000+27.57 грн
2000+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSB21483FV1.6
PSB21483FV1.6
Виробник: Infineon Technologies
Description: INCA-S CODEC
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12MS4BOSA1 Infineon-FF225R12MS4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113ba985a0e00b0
FF225R12MS4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 275A 1450W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11267.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA14H6327XTSA1 pzta14.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e89099018b
PZTA14H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1176+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 1176
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127FNI-BL483T Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4127FNI-BL483T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 68WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 68-UFBGA, WLCSP
Sensitivity: -92dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 128kB Flash, 16kB SRAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Power - Output: 3dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 16.4mA ~ 18.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 16.5mA ~ 20mA
Supplier Device Package: 68-WLCSP (3.52x3.91)
GPIO: 36
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, General ISM > 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127FNI-BL483T Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4127FNI-BL483T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 68WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 68-UFBGA, WLCSP
Sensitivity: -92dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 128kB Flash, 16kB SRAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Power - Output: 3dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 16.4mA ~ 18.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 16.5mA ~ 20mA
Supplier Device Package: 68-WLCSP (3.52x3.91)
GPIO: 36
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, General ISM > 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127FNI-BL483T Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4127FNI-BL483T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 68WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 68-UFBGA, WLCSP
Sensitivity: -92dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 128kB Flash, 16kB SRAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Power - Output: 3dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 16.4mA ~ 18.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 16.5mA ~ 20mA
Supplier Device Package: 68-WLCSP (3.52x3.91)
GPIO: 36
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, General ISM > 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4248FLI-BL483T Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4248FLI-BL483T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 76WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 76-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Bluetooth, Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, DMA LCD, LVD, POR, PWM, SmartCard, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 76-WLCSP (4.04x3.87)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4248FNI-BL483T Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4248FNI-BL483T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 76WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 76-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Bluetooth, Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, DMA LCD, LVD, POR, PWM, SmartCard, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 76-WLCSP (4.04×3.87)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 362 363 364 365 366 367 368 369 370 371 372 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480 2481  [ Наступна Сторінка >> ]