Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123006) > Сторінка 369 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 364 365 366 367 368 369 370 371 372 373 374 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT60R125CFD7XTMA1 IPT60R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 600V 21A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TR AUIRF7669L2TR Infineon Technologies auirf7669l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad8c6113f2 Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.62 грн
10+374.22 грн
100+346.12 грн
500+318.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7663 IRF7663 Infineon Technologies IRF7663.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALSHNBV01DPS310TOBO1 Infineon Technologies Description: EVAL SENSOR HUB NANO DPS310
Packaging: Box
Interface: RF
Contents: Board(s)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Sensor Type: Pressure
Utilized IC / Part: DPS310, XMC1100
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Sensing Range: 300 ~ 1200 hPa
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2GOPRESSUREDPS368TOBO1 S2GOPRESSUREDPS368TOBO1 Infineon Technologies Infineon-DPS368%20Shield2Go%20Quick%20Start%20Guide-GS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a3063d3ba7e44 Description: S2GO PRESSURE DPS368
Packaging: Bulk
Function: Pressure
Type: Sensor
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: DPS368
Platform: Shield2Go
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9024NB Infineon Technologies Description: MOSFET 55V 11A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC2060N40F80LAAKXUMA1 XC2060N40F80LAAKXUMA1 Infineon Technologies Product_Cat_3-10-14.pdf Description: IC MCU 16/32B 320KB FLSH 100LQFP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEB3331HTV2.1 PEB3331HTV2.1 Infineon Technologies VINETIC_CPE.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: TELEPHONY INTERFACE CIRCUIT
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Analog Voice Access
Interface: Parallel, PCM, Serial
Supplier Device Package: PG-TQFP-100
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+928.97 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C165LMHABXUMA1 C165LMHABXUMA1 Infineon Technologies c165_ds_v20_2000_12_7.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4362c3764dc Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 100MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-100
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 77
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+3775.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2EDL05I06PFTOBO1 EVAL2EDL05I06PFTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Evaluationboard_2EDL05I06PF-ApplicationNotes-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029ae383a02fa Description: EVAL BOARD FOR 2EDL05I06-PF
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 2EDL05I06-PF
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362 Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362 Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
на замовлення 9032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.43 грн
10+114.47 грн
100+78.50 грн
500+59.25 грн
1000+54.61 грн
2000+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R660CFD IPP65R660CFD Infineon Technologies INFNS28046-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 4564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099CFD7AAKSA1 IPP65R099CFD7AAKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP65R099CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701714e9346d9680b Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+542.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R050CFD7AAKSA1 IPP65R050CFD7AAKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP65R050CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701714e8a4ea46808 Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Infineon Technologies BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376 Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.95 грн
10000+29.73 грн
15000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7234E TLE7234E Infineon Technologies tle7234e_ds_101.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7234EM TLE7234EM Infineon Technologies tle7234em_ds_10.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SPI DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: SPI
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 900mOhm, 1.6Ohm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 175mA, 350mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-SSOP-24-4
Fault Protection: Open Load Detect, Over Temperature, Reverse Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1 IPN70R750P7SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn70r750p7s-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP772TFUMA1 ISP772TFUMA1 Infineon Technologies Infineon-ISP772T-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c904970db232a&redirId=115369 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-8
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Features: Auto Restart
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: PG-DSO-8-24
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 2.6A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 50mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.41 грн
10+114.24 грн
25+104.08 грн
100+87.18 грн
250+82.18 грн
500+79.16 грн
1000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709ZSTRRPBF IRF3709ZSTRRPBF Infineon Technologies irf3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8d801943 Description: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709ZSTRRPBF IRF3709ZSTRRPBF Infineon Technologies irf3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8d801943 Description: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB837E6327HTSA1 BB837E6327HTSA1 Infineon Technologies bb837_bb857series.pdf?folderId=db3a304313d846880113d94414f400fc&fileId=db3a304313d846880113d97339a9011a Description: DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.52pF @ 28V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C25
Supplier Device Package: PG-SOD323-3D
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Capacitance Ratio: 12.0
на замовлення 66085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2377+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 2377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3005A-02VE6327 BAS3005A-02VE6327 Infineon Technologies INFNS16691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTT 30V 500MA SC79-2-1
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 5V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3005A-02VH6327 BAS3005A-02VH6327 Infineon Technologies INFNS16691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTT 30V 500MA SC79-2-1
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 5V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N04S304AKSA1 IPP80N04S304AKSA1 Infineon Technologies INFNS10666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N04S3-03 IPP80N04S3-03 Infineon Technologies INFNS10911-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+66.41 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N04S2-H4 Infineon Technologies INFNS11807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127AXI-S443 CY8C4127AXI-S443 Infineon Technologies PSoC_4100S_Plus_RevH_9-14-18.pdf Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 44TQFP
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
Speed: 24MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-LQFP
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 37
Supplier Device Package: 44-TQFP (10x10)
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Single-Core
Data Converters: A/D 16x10b Slope, 16x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 16K x 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRLPBF IRLR7843TRLPBF Infineon Technologies irlr7843pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566de53526d8 Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRLPBF IRLR7843TRLPBF Infineon Technologies irlr7843pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566de53526d8 Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 BAT5405WH6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS15399-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 96182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
18+17.39 грн
100+10.92 грн
500+7.60 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4263GXUMA1 TLE4263GXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4263-2ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a1330ce5f0daf Description: IC REG LINEAR 5V 200MA PG-DSO-20
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.3 mA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-20
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Inhibit, Reset, Watchdog
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 23 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4263GSNTMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC REG LINEAR LDO 5V 0.2A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4IBC10UDPBF IRG4IBC10UDPBF Infineon Technologies irg4ibc10udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643673122a9 Description: IGBT 600V 6.8A TO220AB FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/87ns
Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 15 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 27 A
Power - Max: 25 W
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+127.49 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLF9630ID1XFSA2 Infineon Technologies Description: TRANSPORT TICKETING
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Interface: ISO7816
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Applications: Security
Core Processor: 16-Bit
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007WH6327XTSA1 BAS4007WH6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR SCHOTT 40V SOT343-4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF517E6327 Infineon Technologies INFNS10757-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF 0.025, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 280mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 2.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1460AV33-167BZC CY7C1460AV33-167BZC Infineon Technologies CY7C146xAV33_RevF.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 167 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.4 ns
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+4161.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N03LGHKSA1 IPP114N03LGHKSA1 Infineon Technologies INFNS16463-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 12496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
944+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 944 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N03LG Infineon Technologies INFNS17011-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 12946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4473GV52AUMA1 Infineon Technologies INFNS14515-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC REG LINEAR 2.6V/5V DSO-12
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 300mA, 180mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 12-BSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Current - Supply (Max): 20 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Transient Voltage
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 100mA
PSRR: 65dB (100Hz), 65dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Inhibit, Reset, Watchdog
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.6V, 5V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-11
Number of Regulators: 2
Voltage - Input (Max): 42V
Current - Quiescent (Iq): 165 µA
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+124.90 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7469G V52 Infineon Technologies Infineon-TLE7469-DS-v01_60-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f9e958903f04 Description: IC REG LINEAR FIXED LDO REG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1315JV18-300BZC CY7C1315JV18-300BZC Infineon Technologies CY7C1311%2813%2C15%29%2C1911JV18_8.pdf Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 36
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 300 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 18Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+2670.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4207GXUMA1 TLE4207GXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4207G-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=db3a30431c48a312011c4b7917e47fd0 Description: IC MOTOR DRIVER 5V-18V 14DSO
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: P-DSO-14-8
Voltage - Load: 5V ~ 18V
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 5V ~ 18V
Output Configuration: Half Bridge (2)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Parallel
Current - Output: 800mA
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 91591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+103.92 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD1200S33KL2C_B5 Infineon Technologies INFNS28218-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RECTIFIER DIODE MODULE
Power - Max: 1800 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: A-IHV130-6
NTC Thermistor: No
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+92103.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD1200S12H4 DD1200S12H4 Infineon Technologies Infineon-DD1200S12H4-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304335f1f4b60136063f715759af Description: DIODE MOD GP 1200V AGIHMB130-2
Supplier Device Package: AG-IHMB130-2
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 1200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD1200S33K2CB3S2NDSA1 DD1200S33K2CB3S2NDSA1 Infineon Technologies DD1200S33K2C.pdf Description: DIODE MOD GP 3300V 1200A AIHV130
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700 A @ 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 1200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1200A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD1200S33K2CB3NOSA1 DD1200S33K2CB3NOSA1 Infineon Technologies DD1200S33K2C.pdf Description: DIODE MOD GP 3300V 1200A AIHV130
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700 A @ 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 1200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1200A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ET7XKSA1 IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bec5a657f5 Description: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 230.8 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Part Status: Active
Gate Charge: 235 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.17 грн
30+151.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XC2267-72F66LAC SAK-XC2267-72F66LAC Infineon Technologies Description: 16-BIT C166 MMC - XC2200 FAMILY
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 66MHz
Program Memory Size: 576KB (576K x 8)
RAM Size: 50K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 16x8/10b
Core Size: 16/32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: DMA, I²S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-3
Part Status: Active
Number of I/O: 75
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM50GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 85A 350W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 84 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KTY23-5 KTY23-5 Infineon Technologies INFNS04262-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: CURRENT OUTPUT TEMP SENSOR
на замовлення 146619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KTY21-7 KTY21-7 Infineon Technologies INFNS04262-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SENSOR PTC 1.015KOHM 3% TO92MINI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C
Resistance Tolerance: ±3%
Supplier Device Package: TO-92MINI
Resistance @ 25°C: 1.015 kOhms
на замовлення 127864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
799+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 799 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KTY21-5 KTY21-5 Infineon Technologies KT%2CKTY.pdf Description: THERMISTOR PTC 985 OHM 3% TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C
Resistance Tolerance: ±3%
Supplier Device Package: TO-92MINI
Resistance @ 25°C: 985 Ohms
на замовлення 84680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
611+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1568KV18-550BZXC CY7C1568KV18-550BZXC Infineon Technologies CY7C1568%2C70KV18.pdf Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 18
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 550 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 72Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25530.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157DV30LL-55BVXI CY62157DV30LL-55BVXI Infineon Technologies CY62157DV30.pdf Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+508.61 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118STRPBF IR2118STRPBF Infineon Technologies ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.51 грн
10+94.32 грн
25+85.87 грн
100+71.91 грн
250+67.78 грн
500+65.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT12TFN010 S29GL01GT12TFN010 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1275.50 грн
10+1137.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9180D31QKXUMA1 TLE9180D31QKXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9180D-31QK-DataSheet-v01_31-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230189002d2f5c0f49 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-27
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A
Grade: Automotive
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1900+252.00 грн
Мінімальне замовлення: 1900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125CFD7XTMA1
IPT60R125CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TR auirf7669l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad8c6113f2
AUIRF7669L2TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+493.62 грн
10+374.22 грн
100+346.12 грн
500+318.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7663 IRF7663.pdf
IRF7663
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALSHNBV01DPS310TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL SENSOR HUB NANO DPS310
Packaging: Box
Interface: RF
Contents: Board(s)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Sensor Type: Pressure
Utilized IC / Part: DPS310, XMC1100
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Sensing Range: 300 ~ 1200 hPa
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2GOPRESSUREDPS368TOBO1 Infineon-DPS368%20Shield2Go%20Quick%20Start%20Guide-GS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a3063d3ba7e44
S2GOPRESSUREDPS368TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: S2GO PRESSURE DPS368
Packaging: Bulk
Function: Pressure
Type: Sensor
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: DPS368
Platform: Shield2Go
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9024NB
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 55V 11A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC2060N40F80LAAKXUMA1 Product_Cat_3-10-14.pdf
XC2060N40F80LAAKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16/32B 320KB FLSH 100LQFP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEB3331HTV2.1 VINETIC_CPE.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
PEB3331HTV2.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TELEPHONY INTERFACE CIRCUIT
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Analog Voice Access
Interface: Parallel, PCM, Serial
Supplier Device Package: PG-TQFP-100
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+928.97 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C165LMHABXUMA1 c165_ds_v20_2000_12_7.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4362c3764dc
C165LMHABXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 100MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-100
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 77
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+3775.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2EDL05I06PFTOBO1 Infineon-Evaluationboard_2EDL05I06PF-ApplicationNotes-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029ae383a02fa
EVAL2EDL05I06PFTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR 2EDL05I06-PF
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 2EDL05I06-PF
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362
BSC0500NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362
BSC0500NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
на замовлення 9032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.43 грн
10+114.47 грн
100+78.50 грн
500+59.25 грн
1000+54.61 грн
2000+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R660CFD INFNS28046-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP65R660CFD
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 4564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
460+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099CFD7AAKSA1 Infineon-IPP65R099CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701714e9346d9680b
IPP65R099CFD7AAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+542.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R050CFD7AAKSA1 Infineon-IPP65R050CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701714e8a4ea46808
IPP65R050CFD7AAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376
BSC0901NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+32.95 грн
10000+29.73 грн
15000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7234E tle7234e_ds_101.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLE7234E
Виробник: Infineon Technologies
Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7234EM tle7234em_ds_10.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLE7234EM
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPI DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: SPI
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 900mOhm, 1.6Ohm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 175mA, 350mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-SSOP-24-4
Fault Protection: Open Load Detect, Over Temperature, Reverse Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1 infineon-ipn70r750p7s-ds-en.pdf
IPN70R750P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP772TFUMA1 Infineon-ISP772T-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c904970db232a&redirId=115369
ISP772TFUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-8
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Features: Auto Restart
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: PG-DSO-8-24
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 2.6A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 50mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.41 грн
10+114.24 грн
25+104.08 грн
100+87.18 грн
250+82.18 грн
500+79.16 грн
1000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709ZSTRRPBF irf3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8d801943
IRF3709ZSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709ZSTRRPBF irf3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8d801943
IRF3709ZSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB837E6327HTSA1 bb837_bb857series.pdf?folderId=db3a304313d846880113d94414f400fc&fileId=db3a304313d846880113d97339a9011a
BB837E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.52pF @ 28V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C25
Supplier Device Package: PG-SOD323-3D
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Capacitance Ratio: 12.0
на замовлення 66085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2377+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 2377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3005A-02VE6327 INFNS16691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS3005A-02VE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTT 30V 500MA SC79-2-1
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 5V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3005A-02VH6327 INFNS16691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS3005A-02VH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTT 30V 500MA SC79-2-1
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 5V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N04S304AKSA1 INFNS10666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP80N04S304AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
334+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N04S3-03 INFNS10911-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP80N04S3-03
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
345+66.41 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N04S2-H4 INFNS11807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127AXI-S443 PSoC_4100S_Plus_RevH_9-14-18.pdf
CY8C4127AXI-S443
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 44TQFP
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
Speed: 24MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-LQFP
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 37
Supplier Device Package: 44-TQFP (10x10)
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Single-Core
Data Converters: A/D 16x10b Slope, 16x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 16K x 8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRLPBF irlr7843pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566de53526d8
IRLR7843TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRLPBF irlr7843pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566de53526d8
IRLR7843TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 INFNS15399-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT5405WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 96182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.45 грн
18+17.39 грн
100+10.92 грн
500+7.60 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4263GXUMA1 Infineon-TLE4263-2ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a1330ce5f0daf
TLE4263GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 200MA PG-DSO-20
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.3 mA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-20
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Inhibit, Reset, Watchdog
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 23 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4263GSNTMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR LDO 5V 0.2A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4IBC10UDPBF irg4ibc10udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643673122a9
IRG4IBC10UDPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 6.8A TO220AB FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/87ns
Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 15 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 27 A
Power - Max: 25 W
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
155+127.49 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLF9630ID1XFSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANSPORT TICKETING
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Interface: ISO7816
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Applications: Security
Core Processor: 16-Bit
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007WH6327XTSA1 INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS4007WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V SOT343-4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF517E6327 INFNS10757-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF 0.025, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 280mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 2.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1460AV33-167BZC CY7C146xAV33_RevF.pdf
CY7C1460AV33-167BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 167 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.4 ns
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+4161.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N03LGHKSA1 INFNS16463-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP114N03LGHKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 12496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
944+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 944 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N03LG INFNS17011-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 12946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
693+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4473GV52AUMA1 INFNS14515-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 2.6V/5V DSO-12
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 300mA, 180mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 12-BSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Current - Supply (Max): 20 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Transient Voltage
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 100mA
PSRR: 65dB (100Hz), 65dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Inhibit, Reset, Watchdog
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.6V, 5V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-11
Number of Regulators: 2
Voltage - Input (Max): 42V
Current - Quiescent (Iq): 165 µA
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
160+124.90 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7469G V52 Infineon-TLE7469-DS-v01_60-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f9e958903f04
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR FIXED LDO REG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1315JV18-300BZC CY7C1311%2813%2C15%29%2C1911JV18_8.pdf
CY7C1315JV18-300BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 36
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 300 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 18Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+2670.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4207GXUMA1 Infineon-TLE4207G-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=db3a30431c48a312011c4b7917e47fd0
TLE4207GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOTOR DRIVER 5V-18V 14DSO
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: P-DSO-14-8
Voltage - Load: 5V ~ 18V
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 5V ~ 18V
Output Configuration: Half Bridge (2)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Parallel
Current - Output: 800mA
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 91591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
197+103.92 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD1200S33KL2C_B5 INFNS28218-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RECTIFIER DIODE MODULE
Power - Max: 1800 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: A-IHV130-6
NTC Thermistor: No
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+92103.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD1200S12H4 Infineon-DD1200S12H4-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304335f1f4b60136063f715759af
DD1200S12H4
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 1200V AGIHMB130-2
Supplier Device Package: AG-IHMB130-2
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 1200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD1200S33K2CB3S2NDSA1 DD1200S33K2C.pdf
DD1200S33K2CB3S2NDSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 3300V 1200A AIHV130
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700 A @ 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 1200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1200A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD1200S33K2CB3NOSA1 DD1200S33K2C.pdf
DD1200S33K2CB3NOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 3300V 1200A AIHV130
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700 A @ 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 1200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1200A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ET7XKSA1 Infineon-IKW40N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bec5a657f5
IKW40N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 230.8 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Part Status: Active
Gate Charge: 235 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+285.17 грн
30+151.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XC2267-72F66LAC
SAK-XC2267-72F66LAC
Виробник: Infineon Technologies
Description: 16-BIT C166 MMC - XC2200 FAMILY
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 66MHz
Program Memory Size: 576KB (576K x 8)
RAM Size: 50K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 16x8/10b
Core Size: 16/32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: DMA, I²S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-3
Part Status: Active
Number of I/O: 75
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM50GD120DLCBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 85A 350W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 84 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KTY23-5 INFNS04262-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
KTY23-5
Виробник: Infineon Technologies
Description: CURRENT OUTPUT TEMP SENSOR
на замовлення 146619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KTY21-7 INFNS04262-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
KTY21-7
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR PTC 1.015KOHM 3% TO92MINI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C
Resistance Tolerance: ±3%
Supplier Device Package: TO-92MINI
Resistance @ 25°C: 1.015 kOhms
на замовлення 127864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
799+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 799 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KTY21-5 KT%2CKTY.pdf
KTY21-5
Виробник: Infineon Technologies
Description: THERMISTOR PTC 985 OHM 3% TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C
Resistance Tolerance: ±3%
Supplier Device Package: TO-92MINI
Resistance @ 25°C: 985 Ohms
на замовлення 84680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
611+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1568KV18-550BZXC CY7C1568%2C70KV18.pdf
CY7C1568KV18-550BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 18
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 550 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 72Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+25530.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157DV30LL-55BVXI CY62157DV30.pdf
CY62157DV30LL-55BVXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+508.61 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118STRPBF ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d
IR2118STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.51 грн
10+94.32 грн
25+85.87 грн
100+71.91 грн
250+67.78 грн
500+65.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT12TFN010 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL01GT12TFN010
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1275.50 грн
10+1137.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9180D31QKXUMA1 Infineon-TLE9180D-31QK-DataSheet-v01_31-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230189002d2f5c0f49
TLE9180D31QKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-27
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A
Grade: Automotive
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1900+252.00 грн
Мінімальне замовлення: 1900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 364 365 366 367 368 369 370 371 372 373 374 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]