Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119458) > Сторінка 371 з 1991

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 366 367 368 369 370 371 372 373 374 375 376 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1990 1991  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF450R12KE4PHOSA1 FF450R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF450R12KE4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153e679fa2d78c7 Description: IGBT MODULE 1200V 450A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R12ME3BOSA1 FF450R12ME3BOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 600A 2100W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICB1FL01G ICB1FL01G Infineon Technologies ICB1FL01G.pdf Description: IC PFC/BALLAST CTR 100KHZ DSO-18
на замовлення 29880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+87.96 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098EPXUMA1 TLD5098EPXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLD5098EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b67681811 Description: IC LED DRV CTRL PWM 90MA 14TSDSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 4.5V ~ 5.5V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 100kHz ~ 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output / Channel: 90mA
Internal Switch(s): No
Topology: Flyback, SEPIC, Step-Down (Buck), Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14
Dimming: Analog, PWM
Voltage - Supply (Min): 4.5V
Voltage - Supply (Max): 45V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BTF3050EJDEMOBOARDTOBO1 BTF3050EJDEMOBOARDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Demoboard_BTFxxxEJ-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712fc897870114 Description: BTF3050EJ DEMOBOARD
Packaging: Bulk
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTF3050EJ
Platform: Arduino
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTF3125EJDEMOBOARDTOBO1 BTF3125EJDEMOBOARDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Demoboard_BTFxxxEJ-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712fc897870114 Description: BTF3125J DEMOBOARD
Packaging: Bulk
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTF3125EJ
Platform: Arduino
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3802.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTF3035EJDEMOBOARDTOBO1 BTF3035EJDEMOBOARDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Demoboard_BTFxxxEJ-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712fc897870114 Description: BTF3035EJ DEMOBOARD
Packaging: Bulk
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTF3035EJ
Platform: Arduino
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3436.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon Technologies Infineon-DF100R07W1H5FP_B54-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5761855903ab Description: IGBT MODULE 650V 40A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2476.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 DF100R07W1H5FPB53BPSA2 Infineon Technologies Infineon-DF100R07W1H5FP_B53-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a64b1b0c55aed Description: IGBT MODULE 650V 40A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2476.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFG 19S E6327 BFG 19S E6327 Infineon Technologies BFG19S.pdf Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB ~ 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 210mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC045N03L5SATMA1 ISC045N03L5SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC045N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c2360e098e Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4208G TLE4208G Infineon Technologies TLE4208G_2016.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BRUSH DC MOTOR CONTROLLER, 1A
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 5V ~ 18V
Applications: General Purpose
Technology: Bipolar
Voltage - Load: 5V ~ 18V
Supplier Device Package: P-DSO-28
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 94404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+165.12 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1 IGD01N120H2BUMA1 Infineon Technologies INFNS16255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB914E6327HTSA1 BB914E6327HTSA1 Infineon Technologies INFNS15712-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE VARACTOR 18V DUAL SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 19.75pF @ 8V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C2/C8
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 18 V
Capacitance Ratio: 2.42
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.38 грн
12+26.89 грн
100+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
на замовлення 13807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.98 грн
10+104.87 грн
100+71.73 грн
500+54.00 грн
1000+53.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4227PBF IR4227PBF Infineon Technologies IRSDS09409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: GATE DRIVER IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1 IPD80R2K7C3AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R2K7C3A-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec2d9c72064a0 Description: MOSFET N-CH TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC889N03MSG BSC889N03MSG Infineon Technologies INFNS15761-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1154+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 1154
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03MSCG BSC119N03MSCG Infineon Technologies INFNS13709-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1094+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 1094
В кошику  од. на суму  грн.
BSC889N03LSG BSC889N03LSG Infineon Technologies INFNS15760-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 329990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1126+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 1126
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N03L5SATMA1 ISC019N03L5SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6c201097f Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N03L5SATMA1 ISC019N03L5SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6c201097f Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 18544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.29 грн
11+29.23 грн
100+24.24 грн
500+22.35 грн
1000+22.14 грн
2000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1 ISZ019N03L5SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISZ019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c249de0991 Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1 ISZ019N03L5SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISZ019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c249de0991 Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 9848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.74 грн
10+70.59 грн
100+49.67 грн
500+37.84 грн
1000+34.97 грн
2000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0302LSATMA1 BSC0302LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0302LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708b866a8713cd Description: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.84 грн
10+125.74 грн
100+86.80 грн
500+65.80 грн
1000+60.76 грн
2000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6BTMA1 IPD65R600C6BTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R600C6-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433f1b26e8013f2ceafdee37c4 Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IPP70N04S3-07 IPP70N04S3-07 Infineon Technologies INFNS10667-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY96F613RBPMC-GS-UJE2 CY96F613RBPMC-GS-UJE2 Infineon Technologies Infineon-CY96610_SERIES_F2MC-16FX_16_BIT_PROPRIETARY_MICROCONTROLLER-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edae3195d8d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all Description: IC MCU 16BIT 96KB FLASH 48LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY96F612RBPMC-GS-UJE1 CY96F612RBPMC-GS-UJE1 Infineon Technologies Infineon-CY96610_SERIES_F2MC-16FX_16_BIT_PROPRIETARY_MICROCONTROLLER-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edae3195d8d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all Description: IC MCU 16BIT 64KB FLASH 48LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY96F613ABPMC-GS-UJE1 CY96F613ABPMC-GS-UJE1 Infineon Technologies Infineon-CY96610_SERIES_F2MC-16FX_16_BIT_PROPRIETARY_MICROCONTROLLER-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edae3195d8d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all Description: IC MCU 16BIT 96KB FLASH 48LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY96F613RBPMC-GS-UJE1 CY96F613RBPMC-GS-UJE1 Infineon Technologies Infineon-CY96610_SERIES_F2MC-16FX_16_BIT_PROPRIETARY_MICROCONTROLLER-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edae3195d8d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all Description: IC MCU 16BIT 96KB FLASH 48LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY96F615RBPMC-GS-UJE1 CY96F615RBPMC-GS-UJE1 Infineon Technologies Infineon-CY96610_SERIES_F2MC-16FX_16_BIT_PROPRIETARY_MICROCONTROLLER-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edae3195d8d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all Description: IC MCU 16BIT 160KB FLASH 48LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB96F625RBPMC1-GS119JAE2 Infineon Technologies Description: IC AUTO MCU
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB96F625RBPMC1-GS120JAE2 Infineon Technologies Description: IC AUTO MCU
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6 IPD65R600E6 Infineon Technologies INFN-S-A0004583418-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6TR IPD65R600E6TR Infineon Technologies Infineon-IPD65R600E6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a0c175b3080 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6BTMA1 IPD65R600E6BTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R600E6-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433efacd9a013f0a0c175b3080 Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6ATMA1 IPD65R600C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R600C6-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433f1b26e8013f2ceafdee37c4 Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL6EDL04I06PTTOBO1 EVAL6EDL04I06PTTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Evaluationboard_6EDL04I06PT-ApplicationNotes-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029b1924102ff Description: EVAL BOARD FOR 6EDL04I06P
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: 6EDL04I06P
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11254.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K40WE6327 BC817K40WE6327 Infineon Technologies INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K-40WE6327 BC817K-40WE6327 Infineon Technologies INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB052N04NG IPB052N04NG Infineon Technologies INFNS16285-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 693
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ028N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bb10c8b6fff Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5085EJ TLD5085EJ Infineon Technologies 38725609546442328tld5085ej_ds_v11_december2009.pdffolderiddb3a3043163797a6011667aa.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SWITCHING REGULATOR, VOLT-MODE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 0.6V ~ 16V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 370kHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Backlight
Current - Output / Channel: 1.8A
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 4.75V
Voltage - Supply (Max): 45V
Part Status: Active
на замовлення 14226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+158.34 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies IKB20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432a40a650012a476e38862bd0 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.44 грн
2000+60.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies IKB20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432a40a650012a476e38862bd0 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.62 грн
10+126.41 грн
100+87.12 грн
500+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI072N10N3 G Infineon Technologies INFNS16324-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+116.57 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IPI072N10N3GXK IPI072N10N3GXK Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHY30N160R2XK Infineon Technologies Description: IGBT, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+187.58 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLPBF IRL520NSTRLPBF Infineon Technologies irl520nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fa45e255d Description: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFS75S12N3T4_B11 Infineon Technologies Description: TRANSISTOR IGBT MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7656.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SKA06N06 Infineon Technologies Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9670VQ20FW785XUMA1 SLB9670VQ20FW785XUMA1 Infineon Technologies Infineon-SLB%209670VQ2.0-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc78270350cd6&redirId=121746 Description: TPM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.98V, 3V ~ 3.6V
Program Memory Type: NVM (6.8kB)
Applications: Trusted Platform Module (TPM)
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-VQFN-32-13
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9670VQ20FW760XUMA1 SLB9670VQ20FW760XUMA1 Infineon Technologies Infineon-SLB%209670VQ2.0-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc78270350cd6&redirId=121746 Description: SECURITY IC'S/AUTHENTICATION IC'
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Program Memory Type: NVM (6.8kB)
Applications: Trusted Platform Module (TPM)
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-VQFN-32-13
Part Status: Active
Number of I/O: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9670XQ20FW760XUMA1 SLB9670XQ20FW760XUMA1 Infineon Technologies Infineon-SLB%209670VQ2.0-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc78270350cd6&redirId=121746 Description: SECURITY IC'S/AUTHENTICATION IC'
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Program Memory Type: NVM (6.8kB)
Applications: Trusted Platform Module (TPM)
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-VQFN-32-13
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX24401EL V50 Infineon Technologies INFNS14039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC REG LINEAR VOLTAGE REG
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 30 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 40 µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IFX24401ELV50 IFX24401ELV50 Infineon Technologies INFNS14039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC REG LINEAR VOLTAGE REG
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 30 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 40 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.84 грн
5000+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Infineon Technologies Infineon-F3L11MR12W2M1_B65-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92d4066064a2 Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.36 nF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bee5af57fb Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.79 грн
30+253.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R12KE4PHOSA1 Infineon-FF450R12KE4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153e679fa2d78c7
FF450R12KE4PHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 450A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R12ME3BOSA1
FF450R12ME3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 600A 2100W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICB1FL01G ICB1FL01G.pdf
ICB1FL01G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PFC/BALLAST CTR 100KHZ DSO-18
на замовлення 29880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+87.96 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098EPXUMA1 Infineon-TLD5098EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b67681811
TLD5098EPXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRV CTRL PWM 90MA 14TSDSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 4.5V ~ 5.5V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 100kHz ~ 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output / Channel: 90mA
Internal Switch(s): No
Topology: Flyback, SEPIC, Step-Down (Buck), Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14
Dimming: Analog, PWM
Voltage - Supply (Min): 4.5V
Voltage - Supply (Max): 45V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BTF3050EJDEMOBOARDTOBO1 Infineon-Demoboard_BTFxxxEJ-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712fc897870114
BTF3050EJDEMOBOARDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTF3050EJ DEMOBOARD
Packaging: Bulk
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTF3050EJ
Platform: Arduino
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTF3125EJDEMOBOARDTOBO1 Infineon-Demoboard_BTFxxxEJ-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712fc897870114
BTF3125EJDEMOBOARDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTF3125J DEMOBOARD
Packaging: Bulk
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTF3125EJ
Platform: Arduino
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3802.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTF3035EJDEMOBOARDTOBO1 Infineon-Demoboard_BTFxxxEJ-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712fc897870114
BTF3035EJDEMOBOARDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTF3035EJ DEMOBOARD
Packaging: Bulk
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTF3035EJ
Platform: Arduino
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3436.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon-DF100R07W1H5FP_B54-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5761855903ab
DF100R07W1H5FPB54BPSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 40A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2476.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 Infineon-DF100R07W1H5FP_B53-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a64b1b0c55aed
DF100R07W1H5FPB53BPSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 40A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2476.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFG 19S E6327 BFG19S.pdf
BFG 19S E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB ~ 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 210mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC045N03L5SATMA1 Infineon-ISC045N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c2360e098e
ISC045N03L5SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4208G TLE4208G_2016.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLE4208G
Виробник: Infineon Technologies
Description: BRUSH DC MOTOR CONTROLLER, 1A
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 5V ~ 18V
Applications: General Purpose
Technology: Bipolar
Voltage - Load: 5V ~ 18V
Supplier Device Package: P-DSO-28
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 94404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+165.12 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1 INFNS16255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGD01N120H2BUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB914E6327HTSA1 INFNS15712-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BB914E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE VARACTOR 18V DUAL SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 19.75pF @ 8V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C2/C8
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 18 V
Capacitance Ratio: 2.42
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.38 грн
12+26.89 грн
100+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
на замовлення 13807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.98 грн
10+104.87 грн
100+71.73 грн
500+54.00 грн
1000+53.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4227PBF IRSDS09409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR4227PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: GATE DRIVER IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1 Infineon-IPD80R2K7C3A-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec2d9c72064a0
IPD80R2K7C3AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC889N03MSG INFNS15761-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC889N03MSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1154+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 1154
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03MSCG INFNS13709-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC119N03MSCG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1094+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 1094
В кошику  од. на суму  грн.
BSC889N03LSG INFNS15760-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC889N03LSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 329990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1126+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 1126
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N03L5SATMA1 Infineon-ISC019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6c201097f
ISC019N03L5SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N03L5SATMA1 Infineon-ISC019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6c201097f
ISC019N03L5SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 18544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.29 грн
11+29.23 грн
100+24.24 грн
500+22.35 грн
1000+22.14 грн
2000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1 Infineon-ISZ019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c249de0991
ISZ019N03L5SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1 Infineon-ISZ019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c249de0991
ISZ019N03L5SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 9848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.74 грн
10+70.59 грн
100+49.67 грн
500+37.84 грн
1000+34.97 грн
2000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0302LSATMA1 Infineon-BSC0302LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708b866a8713cd
BSC0302LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.84 грн
10+125.74 грн
100+86.80 грн
500+65.80 грн
1000+60.76 грн
2000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6BTMA1 Infineon-IPD65R600C6-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433f1b26e8013f2ceafdee37c4
IPD65R600C6BTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IPP70N04S3-07 INFNS10667-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP70N04S3-07
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY96F613RBPMC-GS-UJE2 Infineon-CY96610_SERIES_F2MC-16FX_16_BIT_PROPRIETARY_MICROCONTROLLER-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edae3195d8d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all
CY96F613RBPMC-GS-UJE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 96KB FLASH 48LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY96F612RBPMC-GS-UJE1 Infineon-CY96610_SERIES_F2MC-16FX_16_BIT_PROPRIETARY_MICROCONTROLLER-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edae3195d8d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all
CY96F612RBPMC-GS-UJE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 64KB FLASH 48LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY96F613ABPMC-GS-UJE1 Infineon-CY96610_SERIES_F2MC-16FX_16_BIT_PROPRIETARY_MICROCONTROLLER-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edae3195d8d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all
CY96F613ABPMC-GS-UJE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 96KB FLASH 48LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY96F613RBPMC-GS-UJE1 Infineon-CY96610_SERIES_F2MC-16FX_16_BIT_PROPRIETARY_MICROCONTROLLER-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edae3195d8d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all
CY96F613RBPMC-GS-UJE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 96KB FLASH 48LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY96F615RBPMC-GS-UJE1 Infineon-CY96610_SERIES_F2MC-16FX_16_BIT_PROPRIETARY_MICROCONTROLLER-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edae3195d8d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all
CY96F615RBPMC-GS-UJE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 160KB FLASH 48LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB96F625RBPMC1-GS119JAE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AUTO MCU
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB96F625RBPMC1-GS120JAE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AUTO MCU
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6 INFN-S-A0004583418-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD65R600E6
Виробник: Infineon Technologies
Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6TR Infineon-IPD65R600E6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a0c175b3080
IPD65R600E6TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6BTMA1 Infineon-IPD65R600E6-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433efacd9a013f0a0c175b3080
IPD65R600E6BTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6ATMA1 Infineon-IPD65R600C6-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433f1b26e8013f2ceafdee37c4
IPD65R600C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL6EDL04I06PTTOBO1 Infineon-Evaluationboard_6EDL04I06PT-ApplicationNotes-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029b1924102ff
EVAL6EDL04I06PTTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR 6EDL04I06P
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: 6EDL04I06P
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11254.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K40WE6327 INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC817K40WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K-40WE6327 INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC817K-40WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB052N04NG INFNS16285-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB052N04NG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
693+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 693
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 Infineon-BSZ028N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bb10c8b6fff
BSZ028N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5085EJ 38725609546442328tld5085ej_ds_v11_december2009.pdffolderiddb3a3043163797a6011667aa.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLD5085EJ
Виробник: Infineon Technologies
Description: SWITCHING REGULATOR, VOLT-MODE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 0.6V ~ 16V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 370kHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Backlight
Current - Output / Channel: 1.8A
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 4.75V
Voltage - Supply (Max): 45V
Part Status: Active
на замовлення 14226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+158.34 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432a40a650012a476e38862bd0
IKB20N60H3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+67.44 грн
2000+60.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432a40a650012a476e38862bd0
IKB20N60H3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.62 грн
10+126.41 грн
100+87.12 грн
500+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI072N10N3 G INFNS16324-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+116.57 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IPI072N10N3GXK
IPI072N10N3GXK
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHY30N160R2XK
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+187.58 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLPBF irl520nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fa45e255d
IRL520NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFS75S12N3T4_B11
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANSISTOR IGBT MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+7656.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SKA06N06
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9670VQ20FW785XUMA1 Infineon-SLB%209670VQ2.0-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc78270350cd6&redirId=121746
SLB9670VQ20FW785XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TPM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.98V, 3V ~ 3.6V
Program Memory Type: NVM (6.8kB)
Applications: Trusted Platform Module (TPM)
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-VQFN-32-13
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9670VQ20FW760XUMA1 Infineon-SLB%209670VQ2.0-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc78270350cd6&redirId=121746
SLB9670VQ20FW760XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SECURITY IC'S/AUTHENTICATION IC'
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Program Memory Type: NVM (6.8kB)
Applications: Trusted Platform Module (TPM)
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-VQFN-32-13
Part Status: Active
Number of I/O: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9670XQ20FW760XUMA1 Infineon-SLB%209670VQ2.0-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc78270350cd6&redirId=121746
SLB9670XQ20FW760XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SECURITY IC'S/AUTHENTICATION IC'
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Program Memory Type: NVM (6.8kB)
Applications: Trusted Platform Module (TPM)
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-VQFN-32-13
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX24401EL V50 INFNS14039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR VOLTAGE REG
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 30 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 40 µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IFX24401ELV50 INFNS14039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IFX24401ELV50
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR VOLTAGE REG
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 30 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 40 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee
IPD90P04P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.84 грн
5000+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Infineon-F3L11MR12W2M1_B65-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92d4066064a2
F3L11MR12W2M1B65BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.36 nF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ET7XKSA1 Infineon-IKW75N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bee5af57fb
IKW75N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.79 грн
30+253.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 366 367 368 369 370 371 372 373 374 375 376 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1990 1991  [ Наступна Сторінка >> ]