Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (129137) > Сторінка 368 з 2153

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TLE49762KHTSA1 TLE49762KHTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4976_2K-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432c59a87e012c5e9c3dc5351c Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SC59
на замовлення 495000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
995+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4976-2K TLE4976-2K Infineon Technologies Infineon-TLE4976_2K-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432c59a87e012c5e9c3dc5351c Description: TLE4976 - HALL SWITCH
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
995+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CP IPP60R385CP Infineon Technologies INFNS15867-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+95.64 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP001017058 Infineon Technologies Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203 Description: IPP60R380P6 - 600V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+87.16 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116E6433 BAS116E6433 Infineon Technologies SIEMD095-236.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116E6327 BAS116E6327 Infineon Technologies INFNS10816-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RECTIFIER DIODE, 0.25A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3241SBOARDB2BTOBO1 AUIR3241SBOARDB2BTOBO1 Infineon Technologies Infineon-AUIR324_demoboard-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016667e5d4133c3f Description: EVAL BOARD FOR AUIR3241S
Packaging: Box
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: AUIR3241S, AUIR3242S
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10112.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56WE6433 BAW56WE6433 Infineon Technologies INFNS11183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR GP 80V 200MA SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8955+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 8955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DEMO2PCS01GTOBO1 Infineon Technologies Description: EVAL BOARD FOR ICE2PCS01G
Packaging: Box
Function: Power Factor Correction
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: ICE2PCS01G
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA915N7E6327XTMA1 BGA915N7E6327XTMA1 Infineon Technologies INFNS16698-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC AMP UMTS 800MHZ/900MHZ TSLP16
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-XFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz, 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz, 2.1GHz
RF Type: UMTS
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Gain: 16.1dB
Current - Supply: 3.4mA
Noise Figure: 1.1dB
P1dB: -6dBm
Supplier Device Package: TSLP-16-1
на замовлення 10158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
472+47.49 грн
Мінімальне замовлення: 472 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGB717L7ESDE6327 BGB717L7ESDE6327 Infineon Technologies INFNS27657-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC AMP FM 76MHZ-108MHZ TSLP7-1
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 76MHz ~ 108MHz
RF Type: FM
Voltage - Supply: 1.8V ~ 4V
Gain: 12dB
Current - Supply: 3mA
Noise Figure: 1dB
P1dB: -5.5dBm
Test Frequency: 100MHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-7-1
на замовлення 132804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
670+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 670 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA715L7E6327 Infineon Technologies INFNS13467-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC AMP UMTS 1.9/2.1GHZ TSLP7-1
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.9GHz, 2.1GHz
RF Type: UMTS
Voltage - Supply: 2.6V ~ 3V
Gain: 17dB
Current - Supply: 3.6mA
Noise Figure: 1.1dB
P1dB: -8dBm
Test Frequency: 2.1GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-7-1
Part Status: Active
на замовлення 11336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
726+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 726 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T11DHIV20 S29GL512T11DHIV20 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+581.58 грн
10+520.22 грн
25+504.18 грн
40+465.45 грн
80+454.14 грн
260+446.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T11TFV010 S29GL512T11TFV010 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T12TFN010 S29GL512T12TFN010 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+735.84 грн
10+658.00 грн
25+637.52 грн
91+571.42 грн
182+569.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SLE 4418 M2.2 Infineon Technologies SLE4418%2C%20SLE4428.pdf Description: IC EEPROM 1KBYTE M2.2 PKG
Packaging: Bulk
Package / Case: M2.2 Chip Card Module
Applications: Security
Supplier Device Package: M2.2 Chip Card Module
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW16N50C3 SPW16N50C3 Infineon Technologies Infineon-SPW16N50C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d2eca4824 Description: SPW16N50 - 500V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+153.68 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA16N50C3 SPA16N50C3 Infineon Technologies INFNS14199-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SPA16N50 - 500V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA420H6327 BGA420H6327 Infineon Technologies INFNS11594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC RF AMP GPS SOT343-4
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 3V ~ 6V
Gain: 13dB
Current - Supply: 6.7mA
Noise Figure: 2.3dB
P1dB: -2.5dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120 IKW25T120 Infineon Technologies INFNS27302-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1IRF3710PBF 1IRF3710PBF Infineon Technologies IRSDS11475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF3710 - 100V HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF3710PBF RF3710PBF Infineon Technologies IRSDS11475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF3710 - N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1 IPD80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da0c589b5949 Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1 IPD80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da0c589b5949 Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB07N60C3 SPB07N60C3 Infineon Technologies Infineon-SPB07N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42df065491f Description: SPB07N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C057V-12BBC CY7C057V-12BBC Infineon Technologies CY7C056V,057V.pdf Description: IC SRAM 1.152MBIT PAR 172FBGA
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+5927.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045A Infineon Technologies INFNS15132-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BUZ30 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM150GT120DN2BOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Tray
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12KT4B11BOSA1 FP35R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FP35R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c457e537082f Description: IGBT MOD 1200V 35A 210W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 210 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+5720.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD204B102ELSE6327XTSA1 ESD204B102ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies ESD204-B1-02.pdf Description: TVS DIODE 14VWM 28V PGTSSLP23
Packaging: Bulk
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 4pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V
Power Line Protection: No
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2834+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 2834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N65ET7XKSA1 IKW20N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW20N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bea06e57ef Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns
Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.07 грн
30+149.79 грн
120+122.65 грн
510+96.42 грн
1020+89.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70WE6327 BAV70WE6327 Infineon Technologies INFNS11270-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70WH6433 BAV70WH6433 Infineon Technologies INFNS11270-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V
на замовлення 926466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6632+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 6632 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV 70W H6327 BAV 70W H6327 Infineon Technologies INFNS11270-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6632+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 6632 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.02 грн
10+54.74 грн
50+40.61 грн
100+33.83 грн
500+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6393 BCR133E6393 Infineon Technologies Infineon-TLV4961-3M-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154529f327d6fdf Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 130 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133TE6327 BCR133TE6327 Infineon Technologies INFNS11633-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 130 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2A165IN ICE2A165IN Infineon Technologies Infineon-ICE2XXX-DS-v02_10-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b418cbe626ac Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 6.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 13.5 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Active
Power (Watts): 31 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4267GM TLE4267GM Infineon Technologies Infineon-TLE4267-DS-v02_51-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f967db593e49 Description: IC REG LIN FIXED POS LDO REG 5V
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 4 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Inhibit, Reset
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 400mA
Protection Features: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Polarity, Short Circuit, Transient Voltage
Current - Supply (Max): 80 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15-099E6327 BAT15-099E6327 Infineon Technologies INFNS15420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT1434
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Diode Type: Schottky - 2 Independent
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 5.5Ohm @ 50mA, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT143-4
Part Status: Active
Current - Max: 110 mA
Power Dissipation (Max): 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60FFE6327 BCW60FFE6327 Infineon Technologies INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BCW60 - LOW NOISE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF1005SE6327HTSA1 BF1005SE6327HTSA1 Infineon Technologies BF1005S_Series.pdf Description: RF MOSFET 5V SOT143
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel
Gain: 22dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 1.6dB
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 5 V
на замовлення 161400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4157+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 4157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BF1005SE6327 BF1005SE6327 Infineon Technologies INFNS10758-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 800µA
Frequency: 1GHz
Configuration: N-Channel
Gain: 22dB
Technology: MOSFET
Noise Figure: 1.6dB
Supplier Device Package: SOT143 (SC-61)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 5 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4157+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 4157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BF1005E6327HTSA1 BF1005E6327HTSA1 Infineon Technologies BF1005.pdf Description: RF MOSFET 5V SOT143
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel
Gain: 19dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 1.6dB
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 5 V
на замовлення 468680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2025+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 2025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CG7297AM Infineon Technologies Description: IC MCU CAPSENSE 32QFN
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP06CN10LG IPP06CN10LG Infineon Technologies INFNS17009-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+103.25 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP05CN10L G IPP05CN10L G Infineon Technologies IPP05CN10L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R07ME4BOSA1 FF450R07ME4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF450R07ME4-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e651a41016e7e227bfd1087 Description: IGBT MOD 650V 450A AG-ECONOD-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 27.5 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9363.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F4-50R07W2H3_B51 Infineon Technologies F4-50R07W2H3_B51_Rev2.0_10-29-14.pdf Description: IGBT MODULE VCES 650V 50A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF450R17N2E4PB11BPSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R06ME3BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF450R06ME3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304318a6cd680118e516f837131a Description: IGBT MOD 600V 550A 1250W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R17ME4B11BOSA1 FF450R17ME4B11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF450R17ME4_B11-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a30432fbc32ee012fc06716403a90 Description: IGBT MOD 1700V 600A 2500W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 2500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R33T3E3B5P2BPSA1 FF450R33T3E3B5P2BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9 Description: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-6
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R33T3E3B5P3BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9 Description: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-6
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R33T3E3B5P4BPMA1 Infineon Technologies Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9 Description: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-6
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R33T3E3B5P6BPMA1 Infineon Technologies Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9 Description: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-6
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F450R12KS4B11BOSA1 F450R12KS4B11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-F4_50R12KS4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043345a30bc01346aa2466e1366 Description: IGBT MOD 1200V 70A 355W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 355 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.4 nF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7196.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS805B1LDV50XUMA1 TLS805B1LDV50XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLS805B1LD%20V50-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969ed62f84247 Description: IC REG LINEAR 5V 50MA PG-TSON-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 8 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TSON-10
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
PSRR: 55dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.35V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 12 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 14910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.79 грн
10+64.10 грн
25+58.05 грн
100+48.28 грн
250+45.32 грн
500+43.53 грн
1000+41.38 грн
2500+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS805B1LDVBOARDTOBO1 TLS805B1LDVBOARDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Z8F55443029_TLS805x1LD-TLS810x1LD-Demoboard-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a46f9d9c8037f Description: EVAL BOARD FOR TLS805B1LDV
Packaging: Box
Voltage - Input: 3V ~ 42V
Current - Output: 50mA
Contents: Board(s)
Regulator Type: Positive Adjustable
Utilized IC / Part: TLS805B1LDV
Channels per IC: 1 - Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG SPD18P06PG Infineon Technologies Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Description: SPD18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49762KHTSA1 Infineon-TLE4976_2K-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432c59a87e012c5e9c3dc5351c
TLE49762KHTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SC59
на замовлення 495000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
995+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4976-2K Infineon-TLE4976_2K-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432c59a87e012c5e9c3dc5351c
TLE4976-2K
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE4976 - HALL SWITCH
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
995+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CP INFNS15867-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP60R385CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
229+95.64 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP001017058 Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP60R380P6 - 600V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
267+87.16 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116E6433 SIEMD095-236.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS116E6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116E6327 INFNS10816-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS116E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RECTIFIER DIODE, 0.25A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3241SBOARDB2BTOBO1 Infineon-AUIR324_demoboard-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016667e5d4133c3f
AUIR3241SBOARDB2BTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR AUIR3241S
Packaging: Box
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: AUIR3241S, AUIR3242S
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10112.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56WE6433 INFNS11183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAW56WE6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR GP 80V 200MA SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8955+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 8955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DEMO2PCS01GTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR ICE2PCS01G
Packaging: Box
Function: Power Factor Correction
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: ICE2PCS01G
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA915N7E6327XTMA1 INFNS16698-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BGA915N7E6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP UMTS 800MHZ/900MHZ TSLP16
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-XFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz, 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz, 2.1GHz
RF Type: UMTS
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Gain: 16.1dB
Current - Supply: 3.4mA
Noise Figure: 1.1dB
P1dB: -6dBm
Supplier Device Package: TSLP-16-1
на замовлення 10158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
472+47.49 грн
Мінімальне замовлення: 472 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGB717L7ESDE6327 INFNS27657-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BGB717L7ESDE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP FM 76MHZ-108MHZ TSLP7-1
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 76MHz ~ 108MHz
RF Type: FM
Voltage - Supply: 1.8V ~ 4V
Gain: 12dB
Current - Supply: 3mA
Noise Figure: 1dB
P1dB: -5.5dBm
Test Frequency: 100MHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-7-1
на замовлення 132804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
670+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 670 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA715L7E6327 INFNS13467-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP UMTS 1.9/2.1GHZ TSLP7-1
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.9GHz, 2.1GHz
RF Type: UMTS
Voltage - Supply: 2.6V ~ 3V
Gain: 17dB
Current - Supply: 3.6mA
Noise Figure: 1.1dB
P1dB: -8dBm
Test Frequency: 2.1GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-7-1
Part Status: Active
на замовлення 11336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
726+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 726 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T11DHIV20 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL512T11DHIV20
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+581.58 грн
10+520.22 грн
25+504.18 грн
40+465.45 грн
80+454.14 грн
260+446.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T11TFV010 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL512T11TFV010
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T12TFN010 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL512T12TFN010
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+735.84 грн
10+658.00 грн
25+637.52 грн
91+571.42 грн
182+569.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SLE 4418 M2.2 SLE4418%2C%20SLE4428.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC EEPROM 1KBYTE M2.2 PKG
Packaging: Bulk
Package / Case: M2.2 Chip Card Module
Applications: Security
Supplier Device Package: M2.2 Chip Card Module
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW16N50C3 Infineon-SPW16N50C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d2eca4824
SPW16N50C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPW16N50 - 500V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
141+153.68 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA16N50C3 INFNS14199-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPA16N50C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPA16N50 - 500V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA420H6327 INFNS11594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BGA420H6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP GPS SOT343-4
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 3V ~ 6V
Gain: 13dB
Current - Supply: 6.7mA
Noise Figure: 2.3dB
P1dB: -2.5dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120 description INFNS27302-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IKW25T120
Виробник: Infineon Technologies
Description: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1IRF3710PBF IRSDS11475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
1IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF3710 - 100V HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF3710PBF IRSDS11475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF3710 - N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1 Infineon-IPD80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da0c589b5949
IPD80R4K5P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1 Infineon-IPD80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da0c589b5949
IPD80R4K5P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB07N60C3 Infineon-SPB07N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42df065491f
SPB07N60C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPB07N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C057V-12BBC CY7C056V,057V.pdf
CY7C057V-12BBC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1.152MBIT PAR 172FBGA
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+5927.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045A INFNS15132-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BUZ30 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM150GT120DN2BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Tray
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12KT4B11BOSA1 Infineon-FP35R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c457e537082f
FP35R12KT4B11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 35A 210W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 210 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+5720.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD204B102ELSE6327XTSA1 ESD204-B1-02.pdf
ESD204B102ELSE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 14VWM 28V PGTSSLP23
Packaging: Bulk
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 4pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V
Power Line Protection: No
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2834+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 2834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N65ET7XKSA1 Infineon-IKW20N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bea06e57ef
IKW20N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns
Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.07 грн
30+149.79 грн
120+122.65 грн
510+96.42 грн
1020+89.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70WE6327 INFNS11270-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAV70WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70WH6433 INFNS11270-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAV70WH6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V
на замовлення 926466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6632+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 6632 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV 70W H6327 INFNS11270-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAV 70W H6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6632+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 6632 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c
BSZ900N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.02 грн
10+54.74 грн
50+40.61 грн
100+33.83 грн
500+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6393 Infineon-TLV4961-3M-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154529f327d6fdf
BCR133E6393
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 130 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133TE6327 INFNS11633-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR133TE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 130 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2A165IN Infineon-ICE2XXX-DS-v02_10-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b418cbe626ac
ICE2A165IN
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 6.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 13.5 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Active
Power (Watts): 31 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4267GM Infineon-TLE4267-DS-v02_51-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f967db593e49
TLE4267GM
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN FIXED POS LDO REG 5V
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 4 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Inhibit, Reset
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 400mA
Protection Features: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Polarity, Short Circuit, Transient Voltage
Current - Supply (Max): 80 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15-099E6327 INFNS15420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT15-099E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT1434
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Diode Type: Schottky - 2 Independent
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 5.5Ohm @ 50mA, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT143-4
Part Status: Active
Current - Max: 110 mA
Power Dissipation (Max): 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60FFE6327 INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW60FFE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BCW60 - LOW NOISE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF1005SE6327HTSA1 BF1005S_Series.pdf
BF1005SE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 5V SOT143
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel
Gain: 22dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 1.6dB
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 5 V
на замовлення 161400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4157+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 4157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BF1005SE6327 INFNS10758-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BF1005SE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 800µA
Frequency: 1GHz
Configuration: N-Channel
Gain: 22dB
Technology: MOSFET
Noise Figure: 1.6dB
Supplier Device Package: SOT143 (SC-61)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 5 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4157+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 4157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BF1005E6327HTSA1 BF1005.pdf
BF1005E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 5V SOT143
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel
Gain: 19dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 1.6dB
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 5 V
на замовлення 468680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2025+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 2025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CG7297AM
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU CAPSENSE 32QFN
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP06CN10LG INFNS17009-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP06CN10LG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
208+103.25 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP05CN10L G IPP05CN10L.pdf
IPP05CN10L G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R07ME4BOSA1 Infineon-FF450R07ME4-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e651a41016e7e227bfd1087
FF450R07ME4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 450A AG-ECONOD-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 27.5 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+9363.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F4-50R07W2H3_B51 F4-50R07W2H3_B51_Rev2.0_10-29-14.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE VCES 650V 50A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF450R17N2E4PB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R06ME3BOSA1 Infineon-FF450R06ME3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304318a6cd680118e516f837131a
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 600V 550A 1250W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R17ME4B11BOSA1 Infineon-FF450R17ME4_B11-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a30432fbc32ee012fc06716403a90
FF450R17ME4B11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 600A 2500W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 2500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R33T3E3B5P2BPSA1 Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9
FF450R33T3E3B5P2BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-6
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R33T3E3B5P3BPSA1 Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-6
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R33T3E3B5P4BPMA1 Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-6
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R33T3E3B5P6BPMA1 Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-6
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F450R12KS4B11BOSA1 Infineon-F4_50R12KS4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043345a30bc01346aa2466e1366
F450R12KS4B11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 70A 355W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 355 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.4 nF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+7196.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS805B1LDV50XUMA1 Infineon-TLS805B1LD%20V50-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969ed62f84247
TLS805B1LDV50XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 50MA PG-TSON-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 8 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TSON-10
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
PSRR: 55dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.35V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 12 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 14910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.79 грн
10+64.10 грн
25+58.05 грн
100+48.28 грн
250+45.32 грн
500+43.53 грн
1000+41.38 грн
2500+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS805B1LDVBOARDTOBO1 Infineon-Z8F55443029_TLS805x1LD-TLS810x1LD-Demoboard-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a46f9d9c8037f
TLS805B1LDVBOARDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR TLS805B1LDV
Packaging: Box
Voltage - Input: 3V ~ 42V
Current - Output: 50mA
Contents: Board(s)
Regulator Type: Positive Adjustable
Utilized IC / Part: TLS805B1LDV
Channels per IC: 1 - Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
SPD18P06PG
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPD18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.