Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149636) > Сторінка 446 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 441 442 443 444 445 446 447 448 449 450 451 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DDB2U50N08W1RB23BOMA2 Infineon Technologies DDB2U50N08W1R_B23_Rev3.0.pdf Description: IGBT MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUXDIFZ44ESTRL Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DHR Infineon Technologies Description: IRFS52N15DHR
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS0615N Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD800S33K2CNOSA1 DD800S33K2CNOSA1 Infineon Technologies Infineon-DD800S33K2C-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d06e5a4557ef4 Description: DIODE MOD GP 3300V AIHV130-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1100 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD400S33K2CNOSA1 DD400S33K2CNOSA1 Infineon Technologies Infineon-DD400S33K2C-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430e682524f Description: DIODE MOD GP 3300V AIHV130-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD400S33K2CB3NDSA1 Infineon Technologies DD400S33K2C_rev3.2_11-25-13.pdf Description: MODULE DIODE HV130-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD800S33K2CB3S2NDSA1 Infineon Technologies DD800S33K2C_v3.0_6-17-16.pdf Description: DIODE MOD GP 3300V 800A AIHV130
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 800A (DC)
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1100 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP200R12N3T7BPSA1 FP200R12N3T7BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP200R12N3T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b0ad005d8710e Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO3-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 40.3 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12002.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T7BPSA1 FP35R12W2T7BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP35R12W2T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01742693a9e565e2 Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-711
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.8 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.62 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4734.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-DDB2U20N12W1RF_B11-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f0179794dde9f5179 Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-2311
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: AG-EASY1B-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 58 µA @ 1200 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5706.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7B3BOMA1 FP15R12W1T7B3BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FP15R12W1T7_B3-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f185a2eb72da Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3261.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7B11BOMA1 FP15R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FP15R12W1T7_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017057c6ba956751 Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R07W2H3B77BPSA1 DF200R07W2H3B77BPSA1 Infineon Technologies Infineon-DF200R07W2H3_B77-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1b7966c40982 Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-411
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 21 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.95 nF @ 650 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4472.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2GO_CUR-SENSE_TLI4971 Infineon Technologies Infineon-TLI4971_S2Go_Arduino_Quick_Start-GettingStarted-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f36156157dfc Description: SENSOR BOARD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971 MS2GO Infineon Technologies Infineon-TLI4971-ProductBrief-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017352fd97da5dc4 Description: XENSIV MAG CUR SENSOR
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A075T5E0001XUMA1 TLI4971A075T5E0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09 Description: CURRENT SEN HE/OL 75A PG-TISON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-1
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A075T5E0001XUMA1 TLI4971A075T5E0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09 Description: CURRENT SEN HE/OL 75A PG-TISON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-1
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.32 грн
5+255.93 грн
10+244.74 грн
25+217.35 грн
50+208.88 грн
100+201.14 грн
500+182.51 грн
1000+181.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A025T5E0001XUMA1 TLI4971A025T5E0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09 Description: CURRENT SENSOR HE/OL 25A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 48mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 25A
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.26 грн
5+230.51 грн
10+220.52 грн
25+195.62 грн
50+187.93 грн
100+180.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A075T5UE0001XUMA1 TLI4971A075T5UE0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09 Description: CURRENT SENSOR HE/OL 75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A075T5UE0001XUMA1 TLI4971A075T5UE0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09 Description: CURRENT SENSOR HE/OL 75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.77 грн
5+266.80 грн
10+255.29 грн
25+226.74 грн
50+217.98 грн
100+209.93 грн
500+190.57 грн
1000+189.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 325 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DEMODISTANCE2GOLTOBO1 DEMODISTANCE2GOLTOBO1 Infineon Technologies Infineon-BGT24LTR11N16-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed7601569d2ae3a9158a Description: EVAL BOARD FOR BGT24LTR11N16
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BGT24LTR11N16
Frequency: 24GHz
Type: Transceiver
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BGT24LTR11N16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6716MTRPBF IRF6716MTRPBF Infineon Technologies IRSDS10736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
на замовлення 89960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+98.97 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FESDH6327XTSA1 BFP640FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4-TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8B ~ 30.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 46GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI072N10N3G IPI072N10N3G Infineon Technologies INFNS16324-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+109.68 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5866LTI-LP022 CY8C5866LTI-LP022 Infineon Technologies Infineon-PSoC_5LP_CY8C58LP_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec547013ab9 Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 68QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 1x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1198.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5248LTI-030 CY8C5248LTI-030 Infineon Technologies CY8C52.pdf Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x12b; D/A 1x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 36
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+921.32 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39 Description: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V
на замовлення 15847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.30 грн
10+162.25 грн
100+113.29 грн
500+92.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI147N12N3GAKSA1 IPI147N12N3GAKSA1 Infineon Technologies IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01 Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+77.55 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6228GPNT Infineon Technologies Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6228GPAUMA1 Infineon Technologies Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD70P04P4_09-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9c0b0b5c51 Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.21 грн
5000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD70P04P4_09-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9c0b0b5c51 Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.44 грн
10+85.52 грн
100+57.68 грн
500+42.93 грн
1000+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2 IPB180P04P403ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB180P04P4-03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78472a2a2e4e Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+142.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2 IPB180P04P403ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB180P04P4-03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78472a2a2e4e Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.45 грн
10+247.06 грн
100+199.90 грн
500+166.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146LQI-S423 CY8C4146LQI-S423 Infineon Technologies Infineon-PSOC_4_PSOC_4100S_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP_(PSOC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda5fc45c69&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 40QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 16x10b Slope, 16x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.40 грн
10+169.29 грн
25+155.41 грн
80+133.53 грн
230+130.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEATMA1 IPD60R460CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R460CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c8366df61f0e Description: MOSFET N-CH 600V 9.1A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N04NM5ATMA1 ISC019N04NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC019N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e458430007 Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N04NM5ATMA1 ISC019N04NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC019N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e458430007 Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 10568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.97 грн
10+83.44 грн
100+56.15 грн
500+41.62 грн
1000+38.06 грн
2000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U145N16LHOSA1 DDB6U145N16LHOSA1 Infineon Technologies Infineon-DDB6U145N16L-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4314b2f53ff Description: DIODE MODULE GP 1600V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20466A-24LQXI CY8C20466A-24LQXI Infineon Technologies Infineon-TS2000_001-64564-Software+Module+Datasheets-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0fa2d0df1226&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC CAPSENSE PSOC 32K 32QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 32-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Controller Series: CY8C20xx6A
Program Memory Type: FLASH (32kB)
Applications: Capacitive Sensing
Core Processor: M8C
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Number of I/O: 28
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.90 грн
10+88.16 грн
25+81.81 грн
100+68.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3445LTI-079 CY8C3445LTI-079 Infineon Technologies download Description: IC MCU 8BIT 32KB FLASH 68QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 50MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 1K x 8
Core Processor: 8051
Data Converters: A/D 16x12b; D/A 2x8b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+634.13 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2890DSPBF IRS2890DSPBF Infineon Technologies Infineon-IRS2890DS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad6fbc8a4bf4 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 30ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 220mA, 480mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+135.49 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
ACCESSORY21392NOSA1 Infineon Technologies Description: ACCESSORY 21392NOSA1
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW40N65DH5XKSA1 IKFW40N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW40N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972f3891f03 Description: IGBT TRENCH FS 650V 53A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 14Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.87 грн
30+198.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 17086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.14 грн
10+80.25 грн
100+53.97 грн
500+40.05 грн
1000+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1 IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMZA65R057M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e0c74563c6b Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5ATMA1 IQE050N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE050N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c921b620bf1 Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5ATMA1 IQE050N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE050N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c921b620bf1 Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 9048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.25 грн
10+151.38 грн
100+109.90 грн
500+85.99 грн
1000+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5ATMA1 IQE065N10NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE065N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c9c33bb0dae Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+80.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5ATMA1 IQE065N10NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE065N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c9c33bb0dae Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 22345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.83 грн
10+156.26 грн
100+108.45 грн
500+82.61 грн
1000+76.46 грн
2000+72.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC022N10NM6ATMA1 ISC022N10NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC022N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017babad55375f91 Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+141.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC022N10NM6ATMA1 ISC022N10NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC022N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017babad55375f91 Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V
на замовлення 12134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+327.03 грн
10+247.06 грн
100+210.67 грн
500+145.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1 IQE008N03LM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE008N03LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c822c327f74 Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1 IQE008N03LM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE008N03LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c822c327f74 Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.03 грн
10+159.61 грн
100+127.06 грн
500+100.90 грн
1000+85.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1 BSC019N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC019N08NS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178edf8c9466c45 Description: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1 BSC019N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC019N08NS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178edf8c9466c45 Description: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.28 грн
10+248.89 грн
100+177.48 грн
500+137.95 грн
1000+133.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC009N06LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01795f3b8c096992 Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+162.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U50N08W1RB23BOMA2 DDB2U50N08W1R_B23_Rev3.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUXDIFZ44ESTRL fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DHR
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRFS52N15DHR
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS0615N
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD800S33K2CNOSA1 Infineon-DD800S33K2C-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d06e5a4557ef4
DD800S33K2CNOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 3300V AIHV130-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1100 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD400S33K2CNOSA1 Infineon-DD400S33K2C-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430e682524f
DD400S33K2CNOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 3300V AIHV130-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD400S33K2CB3NDSA1 DD400S33K2C_rev3.2_11-25-13.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE DIODE HV130-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD800S33K2CB3S2NDSA1 DD800S33K2C_v3.0_6-17-16.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 3300V 800A AIHV130
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 800A (DC)
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1100 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP200R12N3T7BPSA1 Infineon-FP200R12N3T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b0ad005d8710e
FP200R12N3T7BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO3-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 40.3 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12002.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T7BPSA1 Infineon-FP35R12W2T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01742693a9e565e2
FP35R12W2T7BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-711
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.8 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.62 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4734.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 Infineon-DDB2U20N12W1RF_B11-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f0179794dde9f5179
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-2311
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: AG-EASY1B-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 58 µA @ 1200 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5706.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7B3BOMA1 Infineon-FP15R12W1T7_B3-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f185a2eb72da
FP15R12W1T7B3BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3261.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7B11BOMA1 Infineon-FP15R12W1T7_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017057c6ba956751
FP15R12W1T7B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R07W2H3B77BPSA1 Infineon-DF200R07W2H3_B77-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1b7966c40982
DF200R07W2H3B77BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-411
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 21 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.95 nF @ 650 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4472.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2GO_CUR-SENSE_TLI4971 Infineon-TLI4971_S2Go_Arduino_Quick_Start-GettingStarted-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f36156157dfc
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR BOARD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971 MS2GO Infineon-TLI4971-ProductBrief-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017352fd97da5dc4
Виробник: Infineon Technologies
Description: XENSIV MAG CUR SENSOR
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A075T5E0001XUMA1 Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09
TLI4971A075T5E0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CURRENT SEN HE/OL 75A PG-TISON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-1
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A075T5E0001XUMA1 Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09
TLI4971A075T5E0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CURRENT SEN HE/OL 75A PG-TISON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-1
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.32 грн
5+255.93 грн
10+244.74 грн
25+217.35 грн
50+208.88 грн
100+201.14 грн
500+182.51 грн
1000+181.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A025T5E0001XUMA1 Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09
TLI4971A025T5E0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CURRENT SENSOR HE/OL 25A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 48mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 25A
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.26 грн
5+230.51 грн
10+220.52 грн
25+195.62 грн
50+187.93 грн
100+180.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A075T5UE0001XUMA1 Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09
TLI4971A075T5UE0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CURRENT SENSOR HE/OL 75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A075T5UE0001XUMA1 Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09
TLI4971A075T5UE0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CURRENT SENSOR HE/OL 75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.77 грн
5+266.80 грн
10+255.29 грн
25+226.74 грн
50+217.98 грн
100+209.93 грн
500+190.57 грн
1000+189.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 325 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DEMODISTANCE2GOLTOBO1 Infineon-BGT24LTR11N16-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed7601569d2ae3a9158a
DEMODISTANCE2GOLTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR BGT24LTR11N16
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BGT24LTR11N16
Frequency: 24GHz
Type: Transceiver
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BGT24LTR11N16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6716MTRPBF IRSDS10736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6716MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
на замовлення 89960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+98.97 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FESDH6327XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
BFP640FESDH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4-TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8B ~ 30.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 46GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI072N10N3G INFNS16324-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI072N10N3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+109.68 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5866LTI-LP022 Infineon-PSoC_5LP_CY8C58LP_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec547013ab9
CY8C5866LTI-LP022
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 68QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 1x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+1198.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5248LTI-030 CY8C52.pdf
CY8C5248LTI-030
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x12b; D/A 1x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 36
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+921.32 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39
BSC077N12NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V
на замовлення 15847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.30 грн
10+162.25 грн
100+113.29 грн
500+92.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI147N12N3GAKSA1 IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01
IPI147N12N3GAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
307+77.55 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6228GPNT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6228GPAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 Infineon-IPD70P04P4_09-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9c0b0b5c51
IPD70P04P409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.21 грн
5000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 Infineon-IPD70P04P4_09-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9c0b0b5c51
IPD70P04P409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.44 грн
10+85.52 грн
100+57.68 грн
500+42.93 грн
1000+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2 Infineon-IPB180P04P4-03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78472a2a2e4e
IPB180P04P403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+142.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2 Infineon-IPB180P04P4-03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78472a2a2e4e
IPB180P04P403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.45 грн
10+247.06 грн
100+199.90 грн
500+166.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146LQI-S423 Infineon-PSOC_4_PSOC_4100S_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP_(PSOC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda5fc45c69&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4146LQI-S423
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 40QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 16x10b Slope, 16x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.40 грн
10+169.29 грн
25+155.41 грн
80+133.53 грн
230+130.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEATMA1 Infineon-IPD60R460CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c8366df61f0e
IPD60R460CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9.1A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N04NM5ATMA1 Infineon-ISC019N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e458430007
ISC019N04NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N04NM5ATMA1 Infineon-ISC019N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e458430007
ISC019N04NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 10568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.97 грн
10+83.44 грн
100+56.15 грн
500+41.62 грн
1000+38.06 грн
2000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U145N16LHOSA1 Infineon-DDB6U145N16L-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4314b2f53ff
DDB6U145N16LHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MODULE GP 1600V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20466A-24LQXI Infineon-TS2000_001-64564-Software+Module+Datasheets-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0fa2d0df1226&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C20466A-24LQXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CAPSENSE PSOC 32K 32QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 32-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Controller Series: CY8C20xx6A
Program Memory Type: FLASH (32kB)
Applications: Capacitive Sensing
Core Processor: M8C
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Number of I/O: 28
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.90 грн
10+88.16 грн
25+81.81 грн
100+68.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3445LTI-079 download
CY8C3445LTI-079
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 32KB FLASH 68QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 50MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 1K x 8
Core Processor: 8051
Data Converters: A/D 16x12b; D/A 2x8b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+634.13 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2890DSPBF Infineon-IRS2890DS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad6fbc8a4bf4
IRS2890DSPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 30ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 220mA, 480mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+135.49 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
ACCESSORY21392NOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ACCESSORY 21392NOSA1
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW40N65DH5XKSA1 Infineon-IKFW40N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972f3891f03
IKFW40N65DH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 53A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 14Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.87 грн
30+198.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b
SPD03N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b
SPD03N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 17086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.14 грн
10+80.25 грн
100+53.97 грн
500+40.05 грн
1000+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R057M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e0c74563c6b
IMZA65R057M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5ATMA1 Infineon-IQE050N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c921b620bf1
IQE050N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5ATMA1 Infineon-IQE050N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c921b620bf1
IQE050N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 9048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.25 грн
10+151.38 грн
100+109.90 грн
500+85.99 грн
1000+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5ATMA1 Infineon-IQE065N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c9c33bb0dae
IQE065N10NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+80.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5ATMA1 Infineon-IQE065N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c9c33bb0dae
IQE065N10NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 22345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.83 грн
10+156.26 грн
100+108.45 грн
500+82.61 грн
1000+76.46 грн
2000+72.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC022N10NM6ATMA1 Infineon-ISC022N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017babad55375f91
ISC022N10NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+141.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC022N10NM6ATMA1 Infineon-ISC022N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017babad55375f91
ISC022N10NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V
на замовлення 12134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+327.03 грн
10+247.06 грн
100+210.67 грн
500+145.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1 Infineon-IQE008N03LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c822c327f74
IQE008N03LM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1 Infineon-IQE008N03LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c822c327f74
IQE008N03LM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.03 грн
10+159.61 грн
100+127.06 грн
500+100.90 грн
1000+85.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1 Infineon-BSC019N08NS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178edf8c9466c45
BSC019N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1 Infineon-BSC019N08NS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178edf8c9466c45
BSC019N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.28 грн
10+248.89 грн
100+177.48 грн
500+137.95 грн
1000+133.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06LM5ATMA1 Infineon-ISC009N06LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01795f3b8c096992
ISC009N06LM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+162.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 441 442 443 444 445 446 447 448 449 450 451 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]