Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149308) > Сторінка 441 з 2489

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 436 437 438 439 440 441 442 443 444 445 446 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480 2489  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S25FL032P0XNFV003M S25FL032P0XNFV003M Infineon Technologies Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 5µs, 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 4M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3820AMTRPBF IR3820AMTRPBF Infineon Technologies IR3820AMPBF.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 14A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 15-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 14A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Obsolete
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.47 грн
10+210.59 грн
25+197.29 грн
100+167.83 грн
250+157.29 грн
500+149.77 грн
1000+140.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ146N10LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1a0a327fc Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 10846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.41 грн
10+66.97 грн
100+52.63 грн
500+41.47 грн
1000+36.98 грн
2000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9202EDXUMA1 TLE9202EDXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9202ED-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462580663ef01583e8508e71921 Description: IC HALF BRIDGE DRVR 6A DSO36-72
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-BFSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.9V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 100mOhm LS, 100mOhm HS
Applications: DC Motors, General Purpose
Current - Output / Channel: 6A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-DSO-36-72
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Short Circuit, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5109A16DE2210XUMA1 TLE5109A16DE2210XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE5x09A16_D-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977889fe858c9 Description: IC ANGLE SENSOR 5.0 V
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 5V
Linearity: ±0.1°
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-16-2
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 180°
Output Signal: Cosine, Sine
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 123952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+269.35 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
FS820R08A6P2LMBPSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE 820A HYBRID PK DRIVE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 820 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEB4265-2VV1.1 Infineon Technologies INTL-S-A0006019977-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DUSLIC DUAL CHANNEL SUBSCRIBER L
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL116K0XMFN043 S25FL116K0XMFN043 Infineon Technologies S25FL116K_132K_164K__RevH_5-19-17.pdf Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 2M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N04NM5ATMA1 ISC046N04NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC046N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e494460010 Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.49 грн
10000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N04NM5ATMA1 ISC046N04NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC046N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e494460010 Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
на замовлення 14250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.90 грн
10+67.05 грн
100+44.62 грн
500+32.84 грн
1000+29.94 грн
2000+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1 ISC058N04NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC058N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e4a6770013 Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1 ISC058N04NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC058N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e4a6770013 Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
на замовлення 22013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.86 грн
10+46.94 грн
100+33.83 грн
500+25.14 грн
1000+21.50 грн
2000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R12MT4B22BOSA1 F3L300R12MT4B22BOSA1 Infineon Technologies Infineon-F3L300R12MT4_B22-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304333b8a7ca0133fa764b864496 Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+16804.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 2055 N V2.1 PEF 2055 N V2.1 Infineon Technologies PEB205x%2C%20PEF205x.pdf Description: IC TELECOM INTERFACE 44LCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: PCM Interface Controller
Interface: ISDN, PCM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Current - Supply: 9.5mA
Supplier Device Package: P-LCC-44-1
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 2054 N V2.1 PEF 2054 N V2.1 Infineon Technologies PEB205x%2C%20PEF205x.pdf Description: IC TELECOM INTERFACE 44LCC
Packaging: Tube
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: PCM Interface Controller
Interface: ISDN, PCM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Current - Supply: 9.5mA
Supplier Device Package: P-LCC-44-1
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3585BMSY02TRP Infineon Technologies Description: IC REG BUCK 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE050N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c921b620bf1 Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+85.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE050N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c921b620bf1 Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 9687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.47 грн
10+161.69 грн
100+112.83 грн
500+86.31 грн
1000+80.01 грн
2000+77.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGATMA1 IQE030N06NM5CGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE030N06NM5CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c8ec8f70bee Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGATMA1 IQE030N06NM5CGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE030N06NM5CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c8ec8f70bee Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.36 грн
10+155.41 грн
100+110.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKN03N60RC2ATMA1 IKN03N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKN03N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a68660766 Description: IGBT 600V 5.7A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/77.5ns
Switching Energy: 62µJ (on), 44µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 6.3 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKN03N60RC2ATMA1 IKN03N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKN03N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a68660766 Description: IGBT 600V 5.7A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/77.5ns
Switching Energy: 62µJ (on), 44µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 6.3 W
на замовлення 2721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.22 грн
10+43.77 грн
100+28.58 грн
500+20.72 грн
1000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKN01N60RC2ATMA1 IKN01N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKN01N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a5b490763 Description: IGBT 600V 2.2A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 5.6ns/80ns
Switching Energy: 25.1µJ (on), 13.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 1A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 9 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 3 A
Power - Max: 5.1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKN01N60RC2ATMA1 IKN01N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKN01N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a5b490763 Description: IGBT 600V 2.2A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 5.6ns/80ns
Switching Energy: 25.1µJ (on), 13.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 1A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 9 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 3 A
Power - Max: 5.1 W
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.37 грн
10+38.70 грн
100+25.10 грн
500+18.07 грн
1000+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PEB3081HV1.4 PEB3081HV1.4 Infineon Technologies INFNS04966-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SBCX-X S/T BUS INTERFACE CIRCUIT
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: S / T Bus Interface Transceiver
Interface: IOM-2, ISDN, SCI
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply: 30mA
Supplier Device Package: P-MQFP-44
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+989.06 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P7 IPA60R600P7 Infineon Technologies Infineon-IPA60R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce923cb40487f Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P6 IPA60R280P6 Infineon Technologies INFNS28761-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600V, N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B161OLMHAXP B161OLMHAXP Infineon Technologies INFNS01615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 80MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-80-1
Part Status: Active
Number of I/O: 63
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+561.00 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-C161K-LM3VHA Infineon Technologies INFNS01615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 80MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-80-1
Part Status: Active
Number of I/O: 63
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+932.55 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
C161KLMHABXQ C161KLMHABXQ Infineon Technologies INFNS11060-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 80MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-80-1
Part Status: Active
Number of I/O: 63
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+645.25 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
F505CALMCAXP F505CALMCAXP Infineon Technologies INFNS04968-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC MCU 8BIT ROMLESS 44MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 1.25K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C500
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.25V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-44-2
Part Status: Active
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+458.33 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12KT4HOSA1 FF600R12KT4HOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF600R12KT4-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc743901781bd467bb0693 Description: 62MM POWER MODULE 1200 V WITH IG
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MM
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2400R17HP4B29BOSA2 FZ2400R17HP4B29BOSA2 Infineon Technologies Infineon-FZ2400R17HP4_B29-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac401527e7cc6136d15 Description: IGBT MODULE 1700V 4800A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 2400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 15500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 195 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+104912.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS450R17OP4BPSA1 FS450R17OP4BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FS450R17OP4-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b4a8bbd0415f Description: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOPP-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOPP-2-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40084.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70081EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70081EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7 Description: PROFET +2 12V BTS7008-1EPA DAUGH
Packaging: Box
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7008-1EPA
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3712.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70082EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70082EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7 Description: PROFET +2 12V BTS7008-2EPA DAUGH
Packaging: Box
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7008-2EPA
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3409.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70401EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70401EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7 Description: PROFET +2 12V BTS7040-1EPA DAUGH
Packaging: Box
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7040-1EPA
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3452.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70802EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70802EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7 Description: PROFET +2 12V BTS7080-2EPA DAUGH
Packaging: Box
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7080-2EPA
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3409.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12W2T7BPSA1 FS75R12W2T7BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FS75R12W2T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01742697484369b0 Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-711
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 13 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15.1 nF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3825.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT4B15BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS75R12KT4_B15-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a4964ea8d0126 Description: FS75R12 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8459TR AUIRFN8459TR Infineon Technologies auirfn8459.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b189201444 Description: MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8459TR AUIRFN8459TR Infineon Technologies auirfn8459.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b189201444 Description: MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12W1T7B11BOMA1 FS35R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FS35R12W1T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f186a62572f5 Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 7.3 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.62 nF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3218.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12YT3BOMA1 Infineon Technologies INFNS08977-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 225 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+2651.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12W1T7BOMA1 FS35R12W1T7BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FS35R12W1T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f188b9bd732e Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 7.3 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.62 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12KE3GBPSA1 Infineon Technologies Infineon-FS35R12KE3G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311aa45378 Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12KT3BPSA1 FS35R12KT3BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FS35R12KT3-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431421f53f3 Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 210 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10393.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12U1T4BPSA1 Infineon Technologies FS35R12U1T4.pdf Description: IGBT MOD 1200V 70A 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29PL032J55BAI120 S29PL032J55BAI120 Infineon Technologies Description: IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48FBGA
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+758.87 грн
80+701.54 грн
200+673.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XC864L-1FRI 5V AA SAF-XC864L-1FRI 5V AA Infineon Technologies XC864.pdf Description: IC MCU 8BIT 4KB FLASH 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 86MHz
Program Memory Size: 4KB (4K x 8)
RAM Size: 768 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: XC800
Data Converters: A/D 4x10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: LINbus, SSI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-20
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 9
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XC864L-1FRI 3V AA SAF-XC864L-1FRI 3V AA Infineon Technologies XC864.pdf Description: IC MCU 8BIT 4KB FLASH 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 86MHz
Program Memory Size: 4KB (4K x 8)
RAM Size: 768 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: XC800
Data Converters: A/D 4x10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Connectivity: LINbus, SSI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-20
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 9
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320P10LMATMA1 IPB320P10LMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB320P10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9660ea34edc Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320P10LMATMA1 IPB320P10LMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB320P10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9660ea34edc Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.47 грн
10+220.27 грн
100+156.90 грн
500+139.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SP0335V2M165NPSA1 Infineon Technologies Description: MODULE GATE DRIVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SP0335V2M145NPSA1 Infineon Technologies Description: MODULE GATE DRIVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C166-15VC CY7C166-15VC Infineon Technologies Description: 16KX4 24PIN 300MIL PWR-DN SRAM
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Standard
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 24-SOJ
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 16K x 4
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+323.94 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0925ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cec562a24914 Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 8133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.98 грн
10+57.68 грн
100+38.10 грн
500+27.87 грн
1000+25.33 грн
2000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA120N04S5N014AUMA1 IAUA120N04S5N014AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUA120N04S5N014-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc20aa5087743 Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPI120N04S4-01M Infineon Technologies IP(P,B,I)120N04S4_01_Rev1.0_04-12-10.pdf Description: MOSFET N-CH TO262-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XC164N-32F20F BB SAF-XC164N-32F20F BB Infineon Technologies XC164N-32F,32R.pdf Description: IC MCU 16BIT 256KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 12K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.35V ~ 2.7V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-5
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 79
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL032P0XNFV003M
S25FL032P0XNFV003M
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 5µs, 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 4M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3820AMTRPBF IR3820AMPBF.pdf
IR3820AMTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 14A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 15-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 14A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Obsolete
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.47 грн
10+210.59 грн
25+197.29 грн
100+167.83 грн
250+157.29 грн
500+149.77 грн
1000+140.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1 Infineon-BSZ146N10LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1a0a327fc
BSZ146N10LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 10846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.41 грн
10+66.97 грн
100+52.63 грн
500+41.47 грн
1000+36.98 грн
2000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9202EDXUMA1 Infineon-TLE9202ED-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462580663ef01583e8508e71921
TLE9202EDXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 6A DSO36-72
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-BFSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.9V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 100mOhm LS, 100mOhm HS
Applications: DC Motors, General Purpose
Current - Output / Channel: 6A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-DSO-36-72
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Short Circuit, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5109A16DE2210XUMA1 Infineon-TLE5x09A16_D-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977889fe858c9
TLE5109A16DE2210XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC ANGLE SENSOR 5.0 V
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 5V
Linearity: ±0.1°
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-16-2
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 180°
Output Signal: Cosine, Sine
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 123952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+269.35 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
FS820R08A6P2LMBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 820A HYBRID PK DRIVE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 820 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEB4265-2VV1.1 INTL-S-A0006019977-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: DUSLIC DUAL CHANNEL SUBSCRIBER L
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL116K0XMFN043 S25FL116K_132K_164K__RevH_5-19-17.pdf
S25FL116K0XMFN043
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 2M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N04NM5ATMA1 Infineon-ISC046N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e494460010
ISC046N04NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+27.49 грн
10000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N04NM5ATMA1 Infineon-ISC046N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e494460010
ISC046N04NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
на замовлення 14250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.90 грн
10+67.05 грн
100+44.62 грн
500+32.84 грн
1000+29.94 грн
2000+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1 Infineon-ISC058N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e4a6770013
ISC058N04NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1 Infineon-ISC058N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e4a6770013
ISC058N04NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
на замовлення 22013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.86 грн
10+46.94 грн
100+33.83 грн
500+25.14 грн
1000+21.50 грн
2000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R12MT4B22BOSA1 Infineon-F3L300R12MT4_B22-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304333b8a7ca0133fa764b864496
F3L300R12MT4B22BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+16804.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 2055 N V2.1 PEB205x%2C%20PEF205x.pdf
PEF 2055 N V2.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE 44LCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: PCM Interface Controller
Interface: ISDN, PCM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Current - Supply: 9.5mA
Supplier Device Package: P-LCC-44-1
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 2054 N V2.1 PEB205x%2C%20PEF205x.pdf
PEF 2054 N V2.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE 44LCC
Packaging: Tube
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: PCM Interface Controller
Interface: ISDN, PCM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Current - Supply: 9.5mA
Supplier Device Package: P-LCC-44-1
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3585BMSY02TRP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGATMA1 Infineon-IQE050N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c921b620bf1
IQE050N08NM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+85.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGATMA1 Infineon-IQE050N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c921b620bf1
IQE050N08NM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 9687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.47 грн
10+161.69 грн
100+112.83 грн
500+86.31 грн
1000+80.01 грн
2000+77.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGATMA1 Infineon-IQE030N06NM5CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c8ec8f70bee
IQE030N06NM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGATMA1 Infineon-IQE030N06NM5CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c8ec8f70bee
IQE030N06NM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.36 грн
10+155.41 грн
100+110.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKN03N60RC2ATMA1 Infineon-IKN03N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a68660766
IKN03N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 5.7A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/77.5ns
Switching Energy: 62µJ (on), 44µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 6.3 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKN03N60RC2ATMA1 Infineon-IKN03N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a68660766
IKN03N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 5.7A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/77.5ns
Switching Energy: 62µJ (on), 44µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 6.3 W
на замовлення 2721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.22 грн
10+43.77 грн
100+28.58 грн
500+20.72 грн
1000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKN01N60RC2ATMA1 Infineon-IKN01N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a5b490763
IKN01N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 2.2A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 5.6ns/80ns
Switching Energy: 25.1µJ (on), 13.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 1A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 9 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 3 A
Power - Max: 5.1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKN01N60RC2ATMA1 Infineon-IKN01N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a5b490763
IKN01N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 2.2A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 5.6ns/80ns
Switching Energy: 25.1µJ (on), 13.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 1A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 9 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 3 A
Power - Max: 5.1 W
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.37 грн
10+38.70 грн
100+25.10 грн
500+18.07 грн
1000+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PEB3081HV1.4 INFNS04966-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PEB3081HV1.4
Виробник: Infineon Technologies
Description: SBCX-X S/T BUS INTERFACE CIRCUIT
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: S / T Bus Interface Transceiver
Interface: IOM-2, ISDN, SCI
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply: 30mA
Supplier Device Package: P-MQFP-44
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+989.06 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P7 Infineon-IPA60R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce923cb40487f
IPA60R600P7
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P6 INFNS28761-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA60R280P6
Виробник: Infineon Technologies
Description: 600V, N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B161OLMHAXP INFNS01615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
B161OLMHAXP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 80MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-80-1
Part Status: Active
Number of I/O: 63
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+561.00 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-C161K-LM3VHA INFNS01615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 80MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-80-1
Part Status: Active
Number of I/O: 63
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+932.55 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
C161KLMHABXQ INFNS11060-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
C161KLMHABXQ
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 80MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-80-1
Part Status: Active
Number of I/O: 63
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+645.25 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
F505CALMCAXP INFNS04968-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
F505CALMCAXP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT ROMLESS 44MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 1.25K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C500
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.25V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-44-2
Part Status: Active
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+458.33 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12KT4HOSA1 Infineon-FF600R12KT4-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc743901781bd467bb0693
FF600R12KT4HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 62MM POWER MODULE 1200 V WITH IG
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MM
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2400R17HP4B29BOSA2 Infineon-FZ2400R17HP4_B29-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac401527e7cc6136d15
FZ2400R17HP4B29BOSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 4800A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 2400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 15500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 195 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+104912.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS450R17OP4BPSA1 Infineon-FS450R17OP4-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b4a8bbd0415f
FS450R17OP4BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOPP-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOPP-2-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+40084.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70081EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7
BTS70081EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PROFET +2 12V BTS7008-1EPA DAUGH
Packaging: Box
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7008-1EPA
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3712.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70082EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7
BTS70082EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PROFET +2 12V BTS7008-2EPA DAUGH
Packaging: Box
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7008-2EPA
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3409.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70401EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7
BTS70401EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PROFET +2 12V BTS7040-1EPA DAUGH
Packaging: Box
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7040-1EPA
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3452.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70802EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7
BTS70802EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PROFET +2 12V BTS7080-2EPA DAUGH
Packaging: Box
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7080-2EPA
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3409.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12W2T7BPSA1 Infineon-FS75R12W2T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01742697484369b0
FS75R12W2T7BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-711
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 13 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15.1 nF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3825.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT4B15BOSA1 Infineon-FS75R12KT4_B15-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a4964ea8d0126
Виробник: Infineon Technologies
Description: FS75R12 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8459TR auirfn8459.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b189201444
AUIRFN8459TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8459TR auirfn8459.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b189201444
AUIRFN8459TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12W1T7B11BOMA1 Infineon-FS35R12W1T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f186a62572f5
FS35R12W1T7B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 7.3 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.62 nF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3218.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12YT3BOMA1 INFNS08977-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 225 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+2651.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12W1T7BOMA1 Infineon-FS35R12W1T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f188b9bd732e
FS35R12W1T7BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 7.3 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.62 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12KE3GBPSA1 Infineon-FS35R12KE3G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311aa45378
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12KT3BPSA1 Infineon-FS35R12KT3-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431421f53f3
FS35R12KT3BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 210 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10393.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12U1T4BPSA1 FS35R12U1T4.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 70A 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29PL032J55BAI120
S29PL032J55BAI120
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48FBGA
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+758.87 грн
80+701.54 грн
200+673.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XC864L-1FRI 5V AA XC864.pdf
SAF-XC864L-1FRI 5V AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 4KB FLASH 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 86MHz
Program Memory Size: 4KB (4K x 8)
RAM Size: 768 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: XC800
Data Converters: A/D 4x10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: LINbus, SSI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-20
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 9
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XC864L-1FRI 3V AA XC864.pdf
SAF-XC864L-1FRI 3V AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 4KB FLASH 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 86MHz
Program Memory Size: 4KB (4K x 8)
RAM Size: 768 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: XC800
Data Converters: A/D 4x10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Connectivity: LINbus, SSI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-20
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 9
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320P10LMATMA1 Infineon-IPB320P10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9660ea34edc
IPB320P10LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320P10LMATMA1 Infineon-IPB320P10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9660ea34edc
IPB320P10LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.47 грн
10+220.27 грн
100+156.90 грн
500+139.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SP0335V2M165NPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE GATE DRIVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SP0335V2M145NPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE GATE DRIVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C166-15VC
CY7C166-15VC
Виробник: Infineon Technologies
Description: 16KX4 24PIN 300MIL PWR-DN SRAM
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Standard
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 24-SOJ
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 16K x 4
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+323.94 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 Infineon-BSC0925ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cec562a24914
BSC0925NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 8133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.98 грн
10+57.68 грн
100+38.10 грн
500+27.87 грн
1000+25.33 грн
2000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA120N04S5N014AUMA1 Infineon-IAUA120N04S5N014-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc20aa5087743
IAUA120N04S5N014AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPI120N04S4-01M IP(P,B,I)120N04S4_01_Rev1.0_04-12-10.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH TO262-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XC164N-32F20F BB XC164N-32F,32R.pdf
SAF-XC164N-32F20F BB
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 256KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 12K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.35V ~ 2.7V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-5
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 79
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 436 437 438 439 440 441 442 443 444 445 446 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480 2489  [ Наступна Сторінка >> ]