Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124842) > Сторінка 441 з 2081

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 436 437 438 439 440 441 442 443 444 445 446 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2081  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MB90548GSPFV-G-313E1 MB90548GSPFV-G-313E1 Infineon Technologies Description: IC MCU 16BIT 128KB MROM 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: Mask ROM
Core Processor: F²MC-16LX
Data Converters: A/D 8x8/10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.5V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SCI, Serial I/O, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 81
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT013N08NM5LFATMA1 IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT013N08NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0a29d018f Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+215.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT013N08NM5LFATMA1 IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT013N08NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0a29d018f Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
на замовлення 3211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.31 грн
10+356.69 грн
100+260.97 грн
500+238.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R090CFD7ATMA1 IPB65R090CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB65R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef432df49ce Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.11 грн
10+233.49 грн
100+167.28 грн
500+151.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850C2TEV33ATMA1 TLS850C2TEV33ATMA1 Infineon Technologies Infineon-TLS850C2TE%20V33-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170c58440fe1182 Description: IC REG LIN 3.3V 500MA PG-TO252-5
Current - Supply (Max): 42 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 250mA
PSRR: 63dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Reset
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 30 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 4952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.59 грн
10+79.02 грн
25+71.79 грн
100+59.95 грн
250+56.40 грн
500+54.27 грн
1000+51.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850C2TEV33ATMA1 TLS850C2TEV33ATMA1 Infineon Technologies Infineon-TLS850C2TE%20V33-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170c58440fe1182 Description: IC REG LIN 3.3V 500MA PG-TO252-5
Current - Supply (Max): 42 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 250mA
PSRR: 63dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Reset
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 30 µA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Output Configuration: Positive
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef4f3d049df Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+168.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef4f3d049df Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.76 грн
10+234.31 грн
100+167.73 грн
500+152.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0804NLSATMA1 ISC0804NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC0804NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62bbc36d90 Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0804NLSATMA1 ISC0804NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC0804NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62bbc36d90 Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 8951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.81 грн
10+88.57 грн
100+70.48 грн
500+55.97 грн
1000+47.49 грн
2000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3205G BTS3205G Infineon Technologies INFNS16538-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BTS3205 - HITFET, AUTOMOTIVE SMA
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 700mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 10V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 350mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-24
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM100GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies INFNS11478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSM100GB120 - INSULATED GATE BIP
Packaging: Bulk
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15348.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM100GB120DN2FE325HOSA1 Infineon Technologies EUPCS02845-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSM100GB120DN2 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6083.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM100GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies Infineon-SIGC156T120R2CL_L7181P-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c0128d509013e0133 Description: LOW POWER ECONO
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23081.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8533RXTMA1 2EDN8533RXTMA1 Infineon Technologies Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8533RXTMA1 2EDN8533RXTMA1 Infineon Technologies Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.59 грн
10+56.11 грн
25+50.74 грн
100+42.07 грн
250+39.42 грн
500+37.82 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7434RXTMA1 2EDN7434RXTMA1 Infineon Technologies 2EDN753X.PDF Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7434RXTMA1 2EDN7434RXTMA1 Infineon Technologies 2EDN753X.PDF Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.59 грн
10+56.11 грн
25+50.74 грн
100+42.07 грн
250+39.42 грн
500+37.82 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7534RXTMA1 2EDN7534RXTMA1 Infineon Technologies Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7534RXTMA1 2EDN7534RXTMA1 Infineon Technologies Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.59 грн
10+56.11 грн
25+50.74 грн
100+42.07 грн
250+39.42 грн
500+37.82 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7533RXTMA1 2EDN7533RXTMA1 Infineon Technologies Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7533RXTMA1 2EDN7533RXTMA1 Infineon Technologies Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.59 грн
10+56.11 грн
25+50.74 грн
100+42.07 грн
250+39.42 грн
500+37.82 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8534RXTMA1 2EDN8534RXTMA1 Infineon Technologies Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8534RXTMA1 2EDN8534RXTMA1 Infineon Technologies Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.59 грн
10+56.11 грн
25+50.74 грн
100+42.07 грн
250+39.42 грн
500+37.82 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7424RXTMA1 2EDN7424RXTMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDN7424R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5e5812b13f6b Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 6.4ns, 5.4ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524RXTMA1 2EDN7524RXTMA1 Infineon Technologies infineon-2edl50x3u2d-datasheet-en.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.98V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.94 грн
10000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8524RXTMA1 2EDN8524RXTMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.98V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7523RXTMA1 2EDN7523RXTMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.98V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U50N08W1RB23BOMA2 Infineon Technologies DDB2U50N08W1R_B23_Rev3.0.pdf Description: IGBT MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUXDIFZ44ESTRL Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DHR Infineon Technologies Description: IRFS52N15DHR
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS0615N Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 755 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD800S33K2CNOSA1 DD800S33K2CNOSA1 Infineon Technologies Infineon-DD800S33K2C-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d06e5a4557ef4 Description: DIODE MOD GP 3300V AIHV130-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1100 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD400S33K2CNOSA1 DD400S33K2CNOSA1 Infineon Technologies Infineon-DD400S33K2C-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430e682524f Description: DIODE MODULE GP 3300V AIHV130-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD400S33K2CB3NDSA1 Infineon Technologies DD400S33K2C_rev3.2_11-25-13.pdf Description: MODULE DIODE HV130-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD800S33K2CB3S2NDSA1 Infineon Technologies DD800S33K2C_v3.0_6-17-16.pdf Description: DIODE MOD GP 3300V 800A AIHV130
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 800A (DC)
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1100 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP200R12N3T7BPSA1 FP200R12N3T7BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP200R12N3T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b0ad005d8710e Description: IGBT MOD 1200V 200A AG-ECONO3B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 40.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T7BPSA1 FP35R12W2T7BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP35R12W2T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01742693a9e565e2 Description: IGBT MOD 1200V 35A AG-EASY1B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.8 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.62 nF @ 25 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3872.99 грн
15+2697.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-DDB2U20N12W1RF_B11-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f0179794dde9f5179 Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-2311
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: AG-EASY1B-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 58 µA @ 1200 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5327.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7B3BOMA1 FP15R12W1T7B3BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FP15R12W1T7_B3-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f185a2eb72da Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3044.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7B11BOMA1 FP15R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FP15R12W1T7_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017057c6ba956751 Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R07W2H3B77BPSA1 DF200R07W2H3B77BPSA1 Infineon Technologies Infineon-DF200R07W2H3_B77-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1b7966c40982 Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-411
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.95 nF @ 650 V
Current - Collector Cutoff (Max): 21 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-EASY2B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4175.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2GO_CUR-SENSE_TLI4971 Infineon Technologies Infineon-TLI4971_S2Go_Arduino_Quick_Start-GettingStarted-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f36156157dfc Description: SENSOR BOARD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971 MS2GO Infineon Technologies Infineon-TLI4971-ProductBrief-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017352fd97da5dc4 Description: XENSIV MAG CUR SENSOR
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A075T5E0001XUMA1 TLI4971A075T5E0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09 Description: CURRENT SEN HE/OL 75A PG-TISON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+180.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A075T5E0001XUMA1 TLI4971A075T5E0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09 Description: CURRENT SEN HE/OL 75A PG-TISON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.29 грн
5+242.52 грн
10+231.92 грн
25+205.86 грн
50+197.80 грн
100+190.42 грн
500+172.70 грн
1000+167.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A025T5E0001XUMA1 TLI4971A025T5E0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09 Description: CURRENT SENSOR HE/OL 25A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 48mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 25A
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.04 грн
5+222.07 грн
10+212.37 грн
25+188.41 грн
50+180.95 грн
100+174.13 грн
500+157.77 грн
1000+152.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A075T5UE0001XUMA1 TLI4971A075T5UE0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09 Description: CURRENT SENSOR HE/OL 75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+184.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A075T5UE0001XUMA1 TLI4971A075T5UE0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09 Description: CURRENT SENSOR HE/OL 75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.94 грн
5+246.70 грн
10+236.10 грн
25+209.58 грн
50+201.40 грн
100+193.90 грн
500+175.89 грн
1000+170.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 325 A
Part Status: Not For New Designs
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DEMODISTANCE2GOLTOBO1 DEMODISTANCE2GOLTOBO1 Infineon Technologies Infineon-BGT24LTR11N16-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed7601569d2ae3a9158a Description: EVAL BOARD FOR BGT24LTR11N16
Utilized IC / Part: BGT24LTR11N16
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Type: Transceiver
Frequency: 24GHz
For Use With/Related Products: BGT24LTR11N16
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6716MTRPBF IRF6716MTRPBF Infineon Technologies IRSDS10736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
на замовлення 89960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+92.40 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FESDH6327XTSA1 BFP640FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
Frequency - Transition: 46GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 200mW
Gain: 8B ~ 30.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI072N10N3G IPI072N10N3G Infineon Technologies INFNS16324-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+102.40 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5866LTI-LP022 CY8C5866LTI-LP022 Infineon Technologies Infineon-PSoC_5LP_CY8C58LP_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec547013ab9 Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 68QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 1x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1118.97 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5248LTI-030 CY8C5248LTI-030 Infineon Technologies CY8C52.pdf Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x12b; D/A 1x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 36
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+860.15 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39 Description: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.10 грн
10+152.97 грн
100+106.43 грн
500+81.21 грн
1000+80.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI147N12N3GAKSA1 IPI147N12N3GAKSA1 Infineon Technologies IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01 Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+72.40 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6228GPNT Infineon Technologies Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6228GPAUMA1 Infineon Technologies Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB90548GSPFV-G-313E1
MB90548GSPFV-G-313E1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 128KB MROM 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: Mask ROM
Core Processor: F²MC-16LX
Data Converters: A/D 8x8/10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.5V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SCI, Serial I/O, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 81
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon-IPT013N08NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0a29d018f
IPT013N08NM5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+215.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon-IPT013N08NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0a29d018f
IPT013N08NM5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
на замовлення 3211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+546.31 грн
10+356.69 грн
100+260.97 грн
500+238.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R090CFD7ATMA1 Infineon-IPB65R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef432df49ce
IPB65R090CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+330.11 грн
10+233.49 грн
100+167.28 грн
500+151.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850C2TEV33ATMA1 Infineon-TLS850C2TE%20V33-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170c58440fe1182
TLS850C2TEV33ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 3.3V 500MA PG-TO252-5
Current - Supply (Max): 42 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 250mA
PSRR: 63dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Reset
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 30 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 4952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.59 грн
10+79.02 грн
25+71.79 грн
100+59.95 грн
250+56.40 грн
500+54.27 грн
1000+51.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850C2TEV33ATMA1 Infineon-TLS850C2TE%20V33-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170c58440fe1182
TLS850C2TEV33ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 3.3V 500MA PG-TO252-5
Current - Supply (Max): 42 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 250mA
PSRR: 63dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Reset
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 30 µA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Output Configuration: Positive
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+56.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon-IPB65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef4f3d049df
IPB65R110CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+168.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon-IPB65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef4f3d049df
IPB65R110CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+365.76 грн
10+234.31 грн
100+167.73 грн
500+152.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0804NLSATMA1 Infineon-ISC0804NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62bbc36d90
ISC0804NLSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+48.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0804NLSATMA1 Infineon-ISC0804NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62bbc36d90
ISC0804NLSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 8951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.81 грн
10+88.57 грн
100+70.48 грн
500+55.97 грн
1000+47.49 грн
2000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3205G INFNS16538-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS3205G
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTS3205 - HITFET, AUTOMOTIVE SMA
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 700mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 10V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 350mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-24
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM100GB120DLCHOSA1 INFNS11478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSM100GB120 - INSULATED GATE BIP
Packaging: Bulk
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+15348.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM100GB120DN2FE325HOSA1 EUPCS02845-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSM100GB120DN2 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+6083.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM100GD120DLCBOSA1 Infineon-SIGC156T120R2CL_L7181P-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c0128d509013e0133
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+23081.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8533RXTMA1 Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf
2EDN8533RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8533RXTMA1 Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf
2EDN8533RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.59 грн
10+56.11 грн
25+50.74 грн
100+42.07 грн
250+39.42 грн
500+37.82 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7434RXTMA1 2EDN753X.PDF
2EDN7434RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7434RXTMA1 2EDN753X.PDF
2EDN7434RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.59 грн
10+56.11 грн
25+50.74 грн
100+42.07 грн
250+39.42 грн
500+37.82 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7534RXTMA1 Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf
2EDN7534RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7534RXTMA1 Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf
2EDN7534RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.59 грн
10+56.11 грн
25+50.74 грн
100+42.07 грн
250+39.42 грн
500+37.82 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7533RXTMA1 Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf
2EDN7533RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7533RXTMA1 Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf
2EDN7533RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.59 грн
10+56.11 грн
25+50.74 грн
100+42.07 грн
250+39.42 грн
500+37.82 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8534RXTMA1 Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf
2EDN8534RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8534RXTMA1 Infineon_2EDN7533B_DataSheet_v01_00_EN.pdf
2EDN8534RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.4V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.59 грн
10+56.11 грн
25+50.74 грн
100+42.07 грн
250+39.42 грн
500+37.82 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7424RXTMA1 Infineon-2EDN7424R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5e5812b13f6b
2EDN7424RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 6.4ns, 5.4ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524RXTMA1 infineon-2edl50x3u2d-datasheet-en.pdf
2EDN7524RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.98V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+37.94 грн
10000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8524RXTMA1 Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727
2EDN8524RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.98V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7523RXTMA1 Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727
2EDN7523RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.98V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U50N08W1RB23BOMA2 DDB2U50N08W1R_B23_Rev3.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUXDIFZ44ESTRL fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DHR
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRFS52N15DHR
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS0615N
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 755 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD800S33K2CNOSA1 Infineon-DD800S33K2C-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d06e5a4557ef4
DD800S33K2CNOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 3300V AIHV130-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1100 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD400S33K2CNOSA1 Infineon-DD400S33K2C-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430e682524f
DD400S33K2CNOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MODULE GP 3300V AIHV130-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD400S33K2CB3NDSA1 DD400S33K2C_rev3.2_11-25-13.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE DIODE HV130-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD800S33K2CB3S2NDSA1 DD800S33K2C_v3.0_6-17-16.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 3300V 800A AIHV130
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 800A (DC)
Supplier Device Package: A-IHV130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1100 A @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP200R12N3T7BPSA1 Infineon-FP200R12N3T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b0ad005d8710e
FP200R12N3T7BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 200A AG-ECONO3B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 40.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T7BPSA1 Infineon-FP35R12W2T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01742693a9e565e2
FP35R12W2T7BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 35A AG-EASY1B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.8 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.62 nF @ 25 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3872.99 грн
15+2697.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 Infineon-DDB2U20N12W1RF_B11-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f0179794dde9f5179
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-2311
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: AG-EASY1B-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 58 µA @ 1200 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5327.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7B3BOMA1 Infineon-FP15R12W1T7_B3-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f185a2eb72da
FP15R12W1T7B3BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3044.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7B11BOMA1 Infineon-FP15R12W1T7_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017057c6ba956751
FP15R12W1T7B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R07W2H3B77BPSA1 Infineon-DF200R07W2H3_B77-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1b7966c40982
DF200R07W2H3B77BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-411
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.95 nF @ 650 V
Current - Collector Cutoff (Max): 21 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-EASY2B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4175.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2GO_CUR-SENSE_TLI4971 Infineon-TLI4971_S2Go_Arduino_Quick_Start-GettingStarted-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f36156157dfc
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR BOARD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971 MS2GO Infineon-TLI4971-ProductBrief-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017352fd97da5dc4
Виробник: Infineon Technologies
Description: XENSIV MAG CUR SENSOR
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A075T5E0001XUMA1 Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09
TLI4971A075T5E0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CURRENT SEN HE/OL 75A PG-TISON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+180.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A075T5E0001XUMA1 Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09
TLI4971A075T5E0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CURRENT SEN HE/OL 75A PG-TISON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+281.29 грн
5+242.52 грн
10+231.92 грн
25+205.86 грн
50+197.80 грн
100+190.42 грн
500+172.70 грн
1000+167.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A025T5E0001XUMA1 Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09
TLI4971A025T5E0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CURRENT SENSOR HE/OL 25A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 48mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 25A
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.04 грн
5+222.07 грн
10+212.37 грн
25+188.41 грн
50+180.95 грн
100+174.13 грн
500+157.77 грн
1000+152.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A075T5UE0001XUMA1 Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09
TLI4971A075T5UE0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CURRENT SENSOR HE/OL 75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+184.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A075T5UE0001XUMA1 Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09
TLI4971A075T5UE0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CURRENT SENSOR HE/OL 75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Accuracy: ±3.45%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+285.94 грн
5+246.70 грн
10+236.10 грн
25+209.58 грн
50+201.40 грн
100+193.90 грн
500+175.89 грн
1000+170.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 325 A
Part Status: Not For New Designs
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DEMODISTANCE2GOLTOBO1 Infineon-BGT24LTR11N16-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed7601569d2ae3a9158a
DEMODISTANCE2GOLTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR BGT24LTR11N16
Utilized IC / Part: BGT24LTR11N16
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Type: Transceiver
Frequency: 24GHz
For Use With/Related Products: BGT24LTR11N16
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6716MTRPBF IRSDS10736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6716MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
на замовлення 89960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
216+92.40 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FESDH6327XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
BFP640FESDH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
Frequency - Transition: 46GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 200mW
Gain: 8B ~ 30.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI072N10N3G INFNS16324-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI072N10N3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
197+102.40 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5866LTI-LP022 Infineon-PSoC_5LP_CY8C58LP_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec547013ab9
CY8C5866LTI-LP022
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 68QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 1x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+1118.97 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5248LTI-030 CY8C52.pdf
CY8C5248LTI-030
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x12b; D/A 1x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 36
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+860.15 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39
BSC077N12NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.10 грн
10+152.97 грн
100+106.43 грн
500+81.21 грн
1000+80.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI147N12N3GAKSA1 IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01
IPI147N12N3GAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
307+72.40 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6228GPNT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6228GPAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 436 437 438 439 440 441 442 443 444 445 446 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2081  [ Наступна Сторінка >> ]