Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119460) > Сторінка 786 з 1991

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 781 782 783 784 785 786 787 788 789 790 791 796 995 1194 1393 1592 1791 1990 1991  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2ED3147MC12LXUMA1 2ED3147MC12LXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: 2ED3147MC12LXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3147MC12LXUMA1 2ED3147MC12LXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: 2ED3147MC12LXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.55 грн
10+108.41 грн
25+98.90 грн
100+83.02 грн
250+78.34 грн
500+75.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3142MC12LXUMA1 2ED3142MC12LXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: 2ED3142MC12LXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3142MC12LXUMA1 2ED3142MC12LXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: 2ED3142MC12LXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.55 грн
10+108.41 грн
25+98.90 грн
100+83.02 грн
250+78.34 грн
500+75.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3143MC12LXUMA1 2ED3143MC12LXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: 2ED3143MC12LXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3143MC12LXUMA1 2ED3143MC12LXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: 2ED3143MC12LXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.55 грн
10+108.41 грн
25+98.90 грн
100+83.02 грн
250+78.34 грн
500+75.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYW43143KMLGT CYW43143KMLGT Infineon Technologies Infineon-CYW43143_Single_Chip_IEEE_802.11_b_g_n_MAC_PHY_Radio_with_USB_SDIO_Host_Interface_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee21f67687b&utm_source=cypress&utm_medium=referral& Description: IC RF TXRX+MCU WIFI 56QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -97dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 256kB ROM, 448kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: 0°C ~ 65°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Power - Output: 21dBm
Protocol: 802.11b/g/n
Current - Receiving: 68mA ~ 94mA
Data Rate (Max): 150Mbps
Current - Transmitting: 368mA ~ 427mA
Supplier Device Package: 56-QFN (7x7)
GPIO: 19
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+287.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CYW43143KMLGT CYW43143KMLGT Infineon Technologies Infineon-CYW43143_Single_Chip_IEEE_802.11_b_g_n_MAC_PHY_Radio_with_USB_SDIO_Host_Interface_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee21f67687b&utm_source=cypress&utm_medium=referral& Description: IC RF TXRX+MCU WIFI 56QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -97dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 256kB ROM, 448kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: 0°C ~ 65°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Power - Output: 21dBm
Protocol: 802.11b/g/n
Current - Receiving: 68mA ~ 94mA
Data Rate (Max): 150Mbps
Current - Transmitting: 368mA ~ 427mA
Supplier Device Package: 56-QFN (7x7)
GPIO: 19
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.75 грн
10+378.41 грн
25+358.12 грн
100+309.93 грн
250+294.26 грн
500+283.20 грн
1000+268.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC088N08NM6ATMA1 ISC088N08NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC088N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f5b77422d42 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC088N08NM6ATMA1 ISC088N08NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC088N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f5b77422d42 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 40 V
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.17 грн
10+88.07 грн
100+59.49 грн
500+44.36 грн
1000+40.66 грн
2000+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC018N08NM6ATMA1 ISC018N08NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc018n08nm6-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f9382112e16 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.27 грн
10+224.35 грн
100+159.74 грн
500+132.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC151N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f802c4e2ddb Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC151N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f802c4e2ddb Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF Infineon Technologies irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF Infineon Technologies irf8304mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d20db1d5d Description: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF IRF8308MTRPBF Infineon Technologies irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61 Description: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF IR21271PBF Infineon Technologies ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 description Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+156.92 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF IR21271PBF Infineon Technologies ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 description Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BC857B Infineon Technologies NEXP-S-A0004677720-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8955+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOFX20MIPI001TOBO1 DEMOFX20MIPI001TOBO1 Infineon Technologies infineon-ez-usb-fx20-demo-board-demo-fx20-mipi-001-usermanual-en.pdf Description: EVAL BOARD FOR CYUSB402X
Packaging: Box
Function: USB
Type: Interface
Contents: Board(s), Cable(s)
Utilized IC / Part: CYUSB402x
Embedded: Yes, FPGA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16658.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S6J332DJEESE20000 S6J332DJEESE20000 Infineon Technologies Infineon-S6J3310_Series_S6J3320_Series_S6J3330_Series_S6J3340_Series_32-bit_Microcontroller_TRAVEO_T1G_Family-AdditionalTechnicalInformation-v17_00-EN.PDF?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edb39375e0e Description: TRAVEO-40NM
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 240MHz
Program Memory Size: 3.0625MB (3.0625M x 8)
RAM Size: 544K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 112K x 8
Core Processor: Arm® Cortex®-R5F
Data Converters: A/D 48x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-TEQFP (24x24)
Number of I/O: 150
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDFW80C65D1XKSA1 IDFW80C65D1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDFW80C65D1-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174da579c702296 Description: DIODE ARR GP 650V 74A TO247-3-AI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 74A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+214.76 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
PSE846GPS2DBZC4XQSA1 PSE846GPS2DBZC4XQSA1 Infineon Technologies infineon-psoc-edge-e8x-consumer-datasheet-datasheet-en.pdf Description: IOT-EDGE
Packaging: Tray
Package / Case: 220-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz, 400MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 5M x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: NVSRAM
Core Processor: ARM® Cortex®-M55, ARM® Ethos-U55
Data Converters: A/D 17x20b SAR; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Dual-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, Ethernet, I2C, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: AES, Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, PWM, RSA, SHA, TRNG, WDT
Supplier Device Package: 220-FBGA (10x10)
Number of I/O: 147
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+851.18 грн
10+643.89 грн
25+600.00 грн
168+504.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9261BQXXUMA2 TLE9261BQXXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE9261BQX-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016073c1554f5b04 Description: OPTIREG SYST BASIS CHIPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Applications: System Basis Chip
Current - Supply: 3.5mA
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.92 грн
10+169.66 грн
25+155.67 грн
100+131.64 грн
250+124.75 грн
500+123.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N038TATMA1 IAUTN15S6N038TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUTN15S6N038T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196fdc7cc9b7125 Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N038TATMA1 IAUTN15S6N038TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUTN15S6N038T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196fdc7cc9b7125 Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.05 грн
10+347.00 грн
25+321.20 грн
100+274.86 грн
250+262.18 грн
500+254.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025TATMA1 IAUTN15S6N025TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUTN15S6N025T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9715623e0197399048cf5802 Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025TATMA1 IAUTN15S6N025TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUTN15S6N025T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9715623e0197399048cf5802 Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.23 грн
10+443.20 грн
25+411.45 грн
100+353.36 грн
250+337.75 грн
500+328.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010EZS AUIRF1010EZS Infineon Technologies IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUIRF1010 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+586.45 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZPBF IRF1010ZPBF Infineon Technologies irf1010zspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da7d69188d description Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4147LQEHVS136XXQLA1 CY8C4147LQEHVS136XXQLA1 Infineon Technologies Infineon-CY8C41x7_PSOC_4_high_voltage_HV_mixed_signal_MS_Automotive_MCU_Based_on_32-bit_Arm_Cortex_-M0-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a470195817786015ddd Description: PSOC BASED - HV FAMILY
Packaging: Tray
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 24x12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.6V ~ 28V
Connectivity: FIFO, I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, Temp Sensor, WDT
Supplier Device Package: 32-QFN (6x6)
Grade: Automotive
Number of I/O: 49
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+735.39 грн
10+553.42 грн
25+514.81 грн
100+443.29 грн
260+423.61 грн
520+412.29 грн
1040+396.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U50N08W1R_B23 DDB2U50N08W1R_B23 Infineon Technologies Infineon-DDB2U50N08W1R_B23-DS-v03_00-EN-219386.pdf Bridge Rectifiers Bridge Rectifier 600V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BA 592 E6327 BA 592 E6327 Infineon Technologies ba592_ba892series.pdf PIN Diodes PIN 35 V 100 mA
на замовлення 7384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.22 грн
41+7.92 грн
100+5.35 грн
500+5.08 грн
1000+4.87 грн
3000+4.52 грн
6000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BA595E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
на замовлення 14327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELE6327XTMA1 BAR9002ELE6327XTMA1 Infineon Technologies Infineon_BAR90_02EL_DS_v01_00_EN.pdf PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+10.47 грн
52+6.16 грн
100+4.17 грн
500+3.96 грн
1000+3.76 грн
2500+3.55 грн
5000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 81W H6327 BAR 81W H6327 Infineon Technologies bar81series.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 7092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.64 грн
14+23.51 грн
100+16.48 грн
500+15.79 грн
1000+15.16 грн
3000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BA 592 E6433 Infineon Technologies ba592_ba892series-87652.pdf PIN Diodes Silicon RF Switching Diode 35V 100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-02V H6327 BAR 63-02V H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.69 грн
19+17.11 грн
100+8.41 грн
500+5.70 грн
1000+4.52 грн
3000+3.89 грн
6000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BA 595 E6327 Infineon Technologies Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
на замовлення 6730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-04 E6327 BAR 64-04 E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_04_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
на замовлення 53649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.15 грн
18+18.39 грн
100+9.11 грн
500+6.12 грн
1000+4.87 грн
3000+4.17 грн
6000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 88-02V H6327 BAR 88-02V H6327 Infineon Technologies bar88series-86027.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 3577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.57 грн
11+30.23 грн
100+16.41 грн
500+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-04 E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diodes
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.55 грн
29+11.12 грн
100+8.07 грн
500+7.65 грн
1000+7.37 грн
3000+6.88 грн
6000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAR8802VH6327XTSA1 BAR8802VH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAR88SERIES-DS-v01_01-en-1730988.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 17280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.57 грн
11+30.23 грн
100+16.41 грн
500+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 18-04 E6327 BAT 18-04 E6327 Infineon Technologies bat18series.pdf PIN Diodes Silicon RF Switching Diode
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.58 грн
10+39.03 грн
100+21.42 грн
500+15.37 грн
1000+13.28 грн
3000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5602VH6327XTSA1 BBY5602VH6327XTSA1 Infineon Technologies bby56series_2014-59205.pdf PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 60374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.87 грн
28+11.68 грн
100+8.14 грн
3000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 61 E6327 Infineon Technologies bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 140mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405WH6327XTSA1 BAR6405WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BAR64_05W_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 9443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.71 грн
32+10.08 грн
100+6.88 грн
500+6.54 грн
1000+6.19 грн
3000+5.77 грн
6000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 BAR6404WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BAR64_04W_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.71 грн
33+9.84 грн
100+6.68 грн
500+6.33 грн
1000+6.12 грн
3000+6.05 грн
9000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-06W H6327 BAR 64-06W H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_06W_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.71 грн
33+9.84 грн
100+6.68 грн
500+6.33 грн
1000+6.12 грн
3000+5.70 грн
6000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402ELE6327XTMA1 BAR6402ELE6327XTMA1 Infineon Technologies Infineon_BAR64_02EL_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-06 E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-02EL E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_02EL_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 13838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.27 грн
13+24.79 грн
100+13.63 грн
500+8.55 грн
1000+7.51 грн
2500+6.61 грн
5000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 89-02LRH E6327 Infineon Technologies bar89-89034.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode
на замовлення 14999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAR90-02ELS-DS-v01_00-EN.pdf PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.20 грн
49+6.64 грн
100+4.52 грн
500+4.24 грн
1000+4.03 грн
2500+3.76 грн
5000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-02V H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_02V_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-05 E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_05_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.48 грн
12+28.07 грн
100+15.44 грн
500+9.67 грн
1000+8.48 грн
3000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 14-1 E6327 BAR 14-1 E6327 Infineon Technologies bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-04W H6327 BAR 64-04W H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_04W_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 15-1 E6327 BAR 15-1 E6327 Infineon Technologies bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.19 грн
10+33.91 грн
100+20.10 грн
500+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 90-02EL E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR90_02EL_DS_v01_00_EN-1840578.pdf PIN Diodes RF DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3147MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
2ED3147MC12LXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 2ED3147MC12LXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3147MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
2ED3147MC12LXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 2ED3147MC12LXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.55 грн
10+108.41 грн
25+98.90 грн
100+83.02 грн
250+78.34 грн
500+75.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3142MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
2ED3142MC12LXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 2ED3142MC12LXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3142MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
2ED3142MC12LXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 2ED3142MC12LXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.55 грн
10+108.41 грн
25+98.90 грн
100+83.02 грн
250+78.34 грн
500+75.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3143MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
2ED3143MC12LXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 2ED3143MC12LXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3143MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
2ED3143MC12LXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 2ED3143MC12LXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.55 грн
10+108.41 грн
25+98.90 грн
100+83.02 грн
250+78.34 грн
500+75.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYW43143KMLGT Infineon-CYW43143_Single_Chip_IEEE_802.11_b_g_n_MAC_PHY_Radio_with_USB_SDIO_Host_Interface_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee21f67687b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&
CYW43143KMLGT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU WIFI 56QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -97dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 256kB ROM, 448kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: 0°C ~ 65°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Power - Output: 21dBm
Protocol: 802.11b/g/n
Current - Receiving: 68mA ~ 94mA
Data Rate (Max): 150Mbps
Current - Transmitting: 368mA ~ 427mA
Supplier Device Package: 56-QFN (7x7)
GPIO: 19
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+287.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CYW43143KMLGT Infineon-CYW43143_Single_Chip_IEEE_802.11_b_g_n_MAC_PHY_Radio_with_USB_SDIO_Host_Interface_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee21f67687b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&
CYW43143KMLGT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU WIFI 56QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -97dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 256kB ROM, 448kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: 0°C ~ 65°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Power - Output: 21dBm
Protocol: 802.11b/g/n
Current - Receiving: 68mA ~ 94mA
Data Rate (Max): 150Mbps
Current - Transmitting: 368mA ~ 427mA
Supplier Device Package: 56-QFN (7x7)
GPIO: 19
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+453.75 грн
10+378.41 грн
25+358.12 грн
100+309.93 грн
250+294.26 грн
500+283.20 грн
1000+268.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC088N08NM6ATMA1 Infineon-ISC088N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f5b77422d42
ISC088N08NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC088N08NM6ATMA1 Infineon-ISC088N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f5b77422d42
ISC088N08NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 40 V
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.17 грн
10+88.07 грн
100+59.49 грн
500+44.36 грн
1000+40.66 грн
2000+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC018N08NM6ATMA1 infineon-isc018n08nm6-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f9382112e16
ISC018N08NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.27 грн
10+224.35 грн
100+159.74 грн
500+132.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC151N08NM6ATMA1 Infineon-ISC151N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f802c4e2ddb
ISC151N08NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC151N08NM6ATMA1 Infineon-ISC151N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f802c4e2ddb
ISC151N08NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF irl620.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF irf8304mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d20db1d5d
IRF8304MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61
IRF8308MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF description ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
IR21271PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+156.92 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF description ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
IR21271PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BC857B NEXP-S-A0004677720-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8955+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOFX20MIPI001TOBO1 infineon-ez-usb-fx20-demo-board-demo-fx20-mipi-001-usermanual-en.pdf
DEMOFX20MIPI001TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR CYUSB402X
Packaging: Box
Function: USB
Type: Interface
Contents: Board(s), Cable(s)
Utilized IC / Part: CYUSB402x
Embedded: Yes, FPGA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16658.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S6J332DJEESE20000 Infineon-S6J3310_Series_S6J3320_Series_S6J3330_Series_S6J3340_Series_32-bit_Microcontroller_TRAVEO_T1G_Family-AdditionalTechnicalInformation-v17_00-EN.PDF?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edb39375e0e
S6J332DJEESE20000
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRAVEO-40NM
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 240MHz
Program Memory Size: 3.0625MB (3.0625M x 8)
RAM Size: 544K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 112K x 8
Core Processor: Arm® Cortex®-R5F
Data Converters: A/D 48x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-TEQFP (24x24)
Number of I/O: 150
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDFW80C65D1XKSA1 Infineon-IDFW80C65D1-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174da579c702296
IDFW80C65D1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR GP 650V 74A TO247-3-AI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 74A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+214.76 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
PSE846GPS2DBZC4XQSA1 infineon-psoc-edge-e8x-consumer-datasheet-datasheet-en.pdf
PSE846GPS2DBZC4XQSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IOT-EDGE
Packaging: Tray
Package / Case: 220-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz, 400MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 5M x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: NVSRAM
Core Processor: ARM® Cortex®-M55, ARM® Ethos-U55
Data Converters: A/D 17x20b SAR; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Dual-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, Ethernet, I2C, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: AES, Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, PWM, RSA, SHA, TRNG, WDT
Supplier Device Package: 220-FBGA (10x10)
Number of I/O: 147
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+851.18 грн
10+643.89 грн
25+600.00 грн
168+504.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9261BQXXUMA2 Infineon-TLE9261BQX-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016073c1554f5b04
TLE9261BQXXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIREG SYST BASIS CHIPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Applications: System Basis Chip
Current - Supply: 3.5mA
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.92 грн
10+169.66 грн
25+155.67 грн
100+131.64 грн
250+124.75 грн
500+123.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N038TATMA1 Infineon-IAUTN15S6N038T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196fdc7cc9b7125
IAUTN15S6N038TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N038TATMA1 Infineon-IAUTN15S6N038T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196fdc7cc9b7125
IAUTN15S6N038TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.05 грн
10+347.00 грн
25+321.20 грн
100+274.86 грн
250+262.18 грн
500+254.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025TATMA1 Infineon-IAUTN15S6N025T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9715623e0197399048cf5802
IAUTN15S6N025TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025TATMA1 Infineon-IAUTN15S6N025T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9715623e0197399048cf5802
IAUTN15S6N025TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+592.23 грн
10+443.20 грн
25+411.45 грн
100+353.36 грн
250+337.75 грн
500+328.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010EZS IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF1010EZS
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUIRF1010 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+586.45 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZPBF description irf1010zspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da7d69188d
IRF1010ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4147LQEHVS136XXQLA1 Infineon-CY8C41x7_PSOC_4_high_voltage_HV_mixed_signal_MS_Automotive_MCU_Based_on_32-bit_Arm_Cortex_-M0-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a470195817786015ddd
CY8C4147LQEHVS136XXQLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC BASED - HV FAMILY
Packaging: Tray
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 24x12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.6V ~ 28V
Connectivity: FIFO, I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, Temp Sensor, WDT
Supplier Device Package: 32-QFN (6x6)
Grade: Automotive
Number of I/O: 49
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+735.39 грн
10+553.42 грн
25+514.81 грн
100+443.29 грн
260+423.61 грн
520+412.29 грн
1040+396.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U50N08W1R_B23 Infineon-DDB2U50N08W1R_B23-DS-v03_00-EN-219386.pdf
DDB2U50N08W1R_B23
Виробник: Infineon Technologies
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier 600V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BA 592 E6327 ba592_ba892series.pdf
BA 592 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 35 V 100 mA
на замовлення 7384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.22 грн
41+7.92 грн
100+5.35 грн
500+5.08 грн
1000+4.87 грн
3000+4.52 грн
6000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BA595E6327HTSA1 Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
на замовлення 14327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELE6327XTMA1 Infineon_BAR90_02EL_DS_v01_00_EN.pdf
BAR9002ELE6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+10.47 грн
52+6.16 грн
100+4.17 грн
500+3.96 грн
1000+3.76 грн
2500+3.55 грн
5000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 81W H6327 bar81series.pdf
BAR 81W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 7092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.64 грн
14+23.51 грн
100+16.48 грн
500+15.79 грн
1000+15.16 грн
3000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BA 592 E6433 ba592_ba892series-87652.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon RF Switching Diode 35V 100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-02V H6327 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf
BAR 63-02V H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.69 грн
19+17.11 грн
100+8.41 грн
500+5.70 грн
1000+4.52 грн
3000+3.89 грн
6000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BA 595 E6327 Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
на замовлення 6730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-04 E6327 Infineon_BAR64_04_DS_v01_01_EN.pdf
BAR 64-04 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
на замовлення 53649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.15 грн
18+18.39 грн
100+9.11 грн
500+6.12 грн
1000+4.87 грн
3000+4.17 грн
6000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 88-02V H6327 bar88series-86027.pdf
BAR 88-02V H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 3577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.57 грн
11+30.23 грн
100+16.41 грн
500+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-04 E6327 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.55 грн
29+11.12 грн
100+8.07 грн
500+7.65 грн
1000+7.37 грн
3000+6.88 грн
6000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAR8802VH6327XTSA1 Infineon-BAR88SERIES-DS-v01_01-en-1730988.pdf
BAR8802VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 17280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.57 грн
11+30.23 грн
100+16.41 грн
500+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 18-04 E6327 bat18series.pdf
BAT 18-04 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon RF Switching Diode
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.58 грн
10+39.03 грн
100+21.42 грн
500+15.37 грн
1000+13.28 грн
3000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5602VH6327XTSA1 bby56series_2014-59205.pdf
BBY5602VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 60374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.87 грн
28+11.68 грн
100+8.14 грн
3000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 61 E6327 bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 140mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405WH6327XTSA1 Infineon_BAR64_05W_DS_v01_01_EN.pdf
BAR6405WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 9443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
32+10.08 грн
100+6.88 грн
500+6.54 грн
1000+6.19 грн
3000+5.77 грн
6000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 Infineon_BAR64_04W_DS_v01_01_EN.pdf
BAR6404WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
33+9.84 грн
100+6.68 грн
500+6.33 грн
1000+6.12 грн
3000+6.05 грн
9000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-06W H6327 Infineon_BAR64_06W_DS_v01_01_EN.pdf
BAR 64-06W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
33+9.84 грн
100+6.68 грн
500+6.33 грн
1000+6.12 грн
3000+5.70 грн
6000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402ELE6327XTMA1 Infineon_BAR64_02EL_DS_v01_01_EN.pdf
BAR6402ELE6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-06 E6327 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-02EL E6327 Infineon_BAR64_02EL_DS_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 13838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.27 грн
13+24.79 грн
100+13.63 грн
500+8.55 грн
1000+7.51 грн
2500+6.61 грн
5000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 89-02LRH E6327 bar89-89034.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode
на замовлення 14999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELSE6327XTSA1 Infineon-BAR90-02ELS-DS-v01_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.20 грн
49+6.64 грн
100+4.52 грн
500+4.24 грн
1000+4.03 грн
2500+3.76 грн
5000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-02V H6327 Infineon_BAR64_02V_DS_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-05 E6327 Infineon_BAR64_05_DS_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.48 грн
12+28.07 грн
100+15.44 грн
500+9.67 грн
1000+8.48 грн
3000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 14-1 E6327 bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf
BAR 14-1 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-04W H6327 Infineon_BAR64_04W_DS_v01_01_EN.pdf
BAR 64-04W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 15-1 E6327 bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf
BAR 15-1 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.19 грн
10+33.91 грн
100+20.10 грн
500+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 90-02EL E6327 Infineon_BAR90_02EL_DS_v01_00_EN-1840578.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 781 782 783 784 785 786 787 788 789 790 791 796 995 1194 1393 1592 1791 1990 1991  [ Наступна Сторінка >> ]