Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148749) > Сторінка 781 з 2480

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 776 777 778 779 780 781 782 783 784 785 786 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUZN04S7L012ATMA1 IAUZN04S7L012ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauzn04s7l012-datasheet-en.pdf Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 199A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3686 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L012ATMA1 IAUZN04S7L012ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauzn04s7l012-datasheet-en.pdf Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 199A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3686 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.64 грн
10+77.29 грн
100+51.82 грн
500+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT40R036M2HXTMA1 IMLT40R036M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imt40r036m2h-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c5568a4d54 Description: IMLT40R036M2HXTMA1
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 200 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.69 грн
10+333.30 грн
100+242.67 грн
500+191.51 грн
1800+190.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT40R025M2HXTMA1 IMLT40R025M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imt40r025m2h-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c54cec4d51 Description: IMLT40R025M2HXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT40R025M2HXTMA1 IMLT40R025M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imt40r025m2h-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c54cec4d51 Description: IMLT40R025M2HXTMA1
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 200 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+285.32 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT40R015M2HXTMA1 IMLT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imt40r015m2h-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84b72f374933 Description: IMLT40R015M2HXTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 200 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+407.67 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT40R015M2HXTMA1 IMLT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imt40r015m2h-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84b72f374933 Description: IMLT40R015M2HXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 200 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.54 грн
10+564.42 грн
100+480.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT40R011M2HXTMA1 IMLT40R011M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imlt40r011m2h-datasheet-en.pdf Description: IMLT40R011M2HXTMA1
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC30UPBF IRG4BC30UPBF Infineon Technologies irg4bc30upbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564005ad2289 description Description: IGBT 600V 23A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/78ns
Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC30SPBF IRG4BC30SPBF Infineon Technologies irg4bc30spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563fe53a2281 description Description: IGBT 600V 34A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns
Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off)
Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SHIELDBTS70081EPZTOBO1 SHIELDBTS70081EPZTOBO1 Infineon Technologies infineon-profet-2-12v-grade0-productbrief-en.pdf Description: SHIELD_BTS7008-1EPZ
Packaging: Box
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7008-1EPZ
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7315.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR4426PBF IR4426PBF Infineon Technologies ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822 description Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 21734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+137.95 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
IR4426PBF IR4426PBF Infineon Technologies ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822 description Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF IR4427PBF Infineon Technologies ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822 description Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SHIELD_XENSIV_A SHIELD_XENSIV_A Infineon Technologies Infineon-SHIELD_XENSIV_A_UG-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93956f5001939dcf496b4bc4 Description: SHIELD_XENSIV_A
Packaging: Box
Function: Carbon Dioxide (CO2), Humidity, Pressure, Radar, Temperature
Type: Sensor
Contents: Board(s)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5049.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2EP130RVDTOBO1 EVAL2EP130RVDTOBO1 Infineon Technologies UG-2024-01_EVAL-2EP130R-VD_v1.00_2024-02-26_en.pdf Description: EVAL BOARD FOR 2EP130R
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 2EP130R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6518.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2EP130RPRTOBO1 EVAL2EP130RPRTOBO1 Infineon Technologies UG-2024-02_EVAL-2EP130R-PR_v1.00_2024-02-26_en.pdf Description: EVAL BOARD FOR 2EP130R
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 2EP130R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7006.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SHIELDXENSIVA SHIELDXENSIVA Infineon Technologies infineon-xensiv-sensor-shield-product-brief-productbrief-en.pdf Description: IOT-PSOC6
Packaging: Box
Function: Carbon Dioxide (CO2), Humidity, Pressure, Radar, Temperature
Type: Sensor
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG48VSWITCHKITTOBO1 DG48VSWITCHKITTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Dual_Gate_48V_switch_board_quick_introduction-Presentations-v02_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d2029a416004e Description: EVAL BOARD FOR IAUTN08S5N012L
Packaging: Bulk
Function: MOSFET
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IAUTN08S5N012L
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC040N10NM7ATMA1 ISC040N10NM7ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc040n10nm7-datasheet-en.pdf Description: ISC040N10NM7ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC040N10NM7ATMA1 ISC040N10NM7ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc040n10nm7-datasheet-en.pdf Description: ISC040N10NM7ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44Z AUIRFZ44Z Infineon Technologies auirfz44z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b9f8771509 Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857B Infineon Technologies NEXP-S-A0004677720-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8955+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRRPBF IRFZ44NSTRRPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44N AUIRFZ44N Infineon Technologies AUIRFZ44N.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44NS AUIRFZ44NS Infineon Technologies AUIRFZ44NS%2CNL.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205ZS AUIRF3205ZS Infineon Technologies auirf3205z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac71f813a1 Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC018N08NM6SCATMA1 ISC018N08NM6SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC018N08NM6SC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196a72e1d697f01 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.04 грн
10+225.11 грн
25+207.15 грн
100+175.82 грн
250+166.97 грн
500+161.63 грн
1000+154.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06NM6SCATMA1 ISC009N06NM6SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC009N06NM6SC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196a72e39af7f07 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 344A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC016N08NM8SCATMA1 ISC016N08NM8SCATMA1 Infineon Technologies ISC016N08NM8SCATMA1 Description: ISC016N08NM8SCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC016N08NM8SCATMA1 ISC016N08NM8SCATMA1 Infineon Technologies ISC016N08NM8SCATMA1 Description: ISC016N08NM8SCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC165N15NM6ATMA1 ISC165N15NM6ATMA1 Infineon Technologies DS_ISC165N15NM6_en.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-45
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 75 V
на замовлення 4034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.99 грн
10+106.13 грн
100+72.35 грн
500+54.34 грн
1000+53.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U50N08W1R_B23 DDB2U50N08W1R_B23 Infineon Technologies Infineon-DDB2U50N08W1R_B23-DS-v03_00-EN-219386.pdf Bridge Rectifiers Bridge Rectifier 600V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BA 592 E6327 BA 592 E6327 Infineon Technologies ba592_ba892series.pdf PIN Diodes PIN 35 V 100 mA
на замовлення 13284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+15.87 грн
39+9.37 грн
100+6.41 грн
500+6.09 грн
1000+5.77 грн
3000+5.38 грн
6000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BA595E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
на замовлення 14327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELE6327XTMA1 BAR9002ELE6327XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BAR90-02EL-DS-v01_00-EN.pdf PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 8760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+11.90 грн
52+7.00 грн
100+4.75 грн
500+4.51 грн
1000+4.27 грн
2500+4.03 грн
5000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 81W H6327 BAR 81W H6327 Infineon Technologies bar81series.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 7092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.88 грн
16+23.65 грн
100+17.56 грн
500+17.01 грн
1000+16.61 грн
3000+15.90 грн
6000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BA 592 E6433 Infineon Technologies ba592_ba892series-87652.pdf PIN Diodes Silicon RF Switching Diode 35V 100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-02V H6327 BAR 63-02V H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.95 грн
19+19.47 грн
100+9.57 грн
500+6.49 грн
1000+5.14 грн
3000+4.43 грн
6000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BA 595 E6327 Infineon Technologies Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
на замовлення 6730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-04 E6327 BAR 64-04 E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_04_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
на замовлення 53649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.61 грн
18+20.92 грн
100+10.36 грн
500+6.96 грн
1000+5.54 грн
3000+4.75 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 88-02V H6327 BAR 88-02V H6327 Infineon Technologies bar88series-86027.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 3577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.14 грн
11+34.39 грн
100+18.67 грн
500+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-04 E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diodes
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.24 грн
29+12.64 грн
100+9.18 грн
500+8.70 грн
1000+8.38 грн
3000+7.83 грн
6000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAR8802VH6327XTSA1 BAR8802VH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAR88SERIES-DS-v01_01-en-1730988.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 17280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.14 грн
11+34.39 грн
100+18.67 грн
500+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 18-04 E6327 BAT 18-04 E6327 Infineon Technologies bat18series.pdf PIN Diodes Silicon RF Switching Diode
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.12 грн
11+34.48 грн
100+19.70 грн
500+15.03 грн
1000+13.29 грн
3000+11.47 грн
6000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5602VH6327XTSA1 BBY5602VH6327XTSA1 Infineon Technologies bby56series_2014-59205.pdf PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 60374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+15.78 грн
28+13.28 грн
100+9.25 грн
3000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 61 E6327 Infineon Technologies bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 140mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405WH6327XTSA1 BAR6405WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BAR64_05W_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 13162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+19.01 грн
33+11.19 грн
100+7.59 грн
500+7.20 грн
1000+6.96 грн
3000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 BAR6404WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BAR64_04W_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+19.01 грн
33+11.19 грн
100+7.59 грн
500+7.20 грн
1000+6.96 грн
3000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-06W H6327 BAR 64-06W H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_06W_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 5107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+19.01 грн
33+11.19 грн
100+7.59 грн
500+7.20 грн
1000+6.96 грн
3000+6.49 грн
6000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402ELE6327XTMA1 BAR6402ELE6327XTMA1 Infineon Technologies Infineon_BAR64_02EL_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-06 E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diodes
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.24 грн
28+13.37 грн
100+9.18 грн
500+8.70 грн
1000+8.38 грн
3000+7.36 грн
6000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-02EL E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_02EL_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 14838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.31 грн
16+24.02 грн
100+11.87 грн
500+7.99 грн
1000+6.09 грн
2500+5.38 грн
5000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 89-02LRH E6327 Infineon Technologies bar89-89034.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode
на замовлення 14999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAR90-02ELS-DS-v01_00-EN.pdf PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+12.74 грн
49+7.55 грн
100+5.14 грн
500+4.83 грн
1000+4.59 грн
2500+4.27 грн
5000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-02V H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_02V_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.78 грн
19+20.19 грн
100+9.97 грн
500+6.72 грн
1000+5.30 грн
3000+4.59 грн
6000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-05 E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_05_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+10.34 грн
60+6.09 грн
100+4.11 грн
500+3.88 грн
1000+3.64 грн
3000+3.40 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 14-1 E6327 BAR 14-1 E6327 Infineon Technologies bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-04W H6327 BAR 64-04W H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_04W_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 15-1 E6327 BAR 15-1 E6327 Infineon Technologies bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.99 грн
10+38.57 грн
100+22.86 грн
500+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L012ATMA1 infineon-iauzn04s7l012-datasheet-en.pdf
IAUZN04S7L012ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 199A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3686 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L012ATMA1 infineon-iauzn04s7l012-datasheet-en.pdf
IAUZN04S7L012ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 199A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3686 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.64 грн
10+77.29 грн
100+51.82 грн
500+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT40R036M2HXTMA1 infineon-imt40r036m2h-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c5568a4d54
IMLT40R036M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMLT40R036M2HXTMA1
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 200 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.69 грн
10+333.30 грн
100+242.67 грн
500+191.51 грн
1800+190.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT40R025M2HXTMA1 infineon-imt40r025m2h-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c54cec4d51
IMLT40R025M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMLT40R025M2HXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT40R025M2HXTMA1 infineon-imt40r025m2h-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c54cec4d51
IMLT40R025M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMLT40R025M2HXTMA1
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 200 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+285.32 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT40R015M2HXTMA1 infineon-imt40r015m2h-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84b72f374933
IMLT40R015M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMLT40R015M2HXTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 200 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+407.67 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT40R015M2HXTMA1 infineon-imt40r015m2h-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84b72f374933
IMLT40R015M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMLT40R015M2HXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 200 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+844.54 грн
10+564.42 грн
100+480.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT40R011M2HXTMA1 infineon-imlt40r011m2h-datasheet-en.pdf
IMLT40R011M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMLT40R011M2HXTMA1
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC30UPBF description irg4bc30upbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564005ad2289
IRG4BC30UPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 23A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/78ns
Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC30SPBF description irg4bc30spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563fe53a2281
IRG4BC30SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 34A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns
Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off)
Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SHIELDBTS70081EPZTOBO1 infineon-profet-2-12v-grade0-productbrief-en.pdf
SHIELDBTS70081EPZTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SHIELD_BTS7008-1EPZ
Packaging: Box
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7008-1EPZ
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7315.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR4426PBF description ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822
IR4426PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 21734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
157+137.95 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
IR4426PBF description ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822
IR4426PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF description ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822
IR4427PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SHIELD_XENSIV_A Infineon-SHIELD_XENSIV_A_UG-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93956f5001939dcf496b4bc4
SHIELD_XENSIV_A
Виробник: Infineon Technologies
Description: SHIELD_XENSIV_A
Packaging: Box
Function: Carbon Dioxide (CO2), Humidity, Pressure, Radar, Temperature
Type: Sensor
Contents: Board(s)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5049.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2EP130RVDTOBO1 UG-2024-01_EVAL-2EP130R-VD_v1.00_2024-02-26_en.pdf
EVAL2EP130RVDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR 2EP130R
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 2EP130R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6518.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2EP130RPRTOBO1 UG-2024-02_EVAL-2EP130R-PR_v1.00_2024-02-26_en.pdf
EVAL2EP130RPRTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR 2EP130R
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 2EP130R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7006.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SHIELDXENSIVA infineon-xensiv-sensor-shield-product-brief-productbrief-en.pdf
SHIELDXENSIVA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IOT-PSOC6
Packaging: Box
Function: Carbon Dioxide (CO2), Humidity, Pressure, Radar, Temperature
Type: Sensor
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG48VSWITCHKITTOBO1 Infineon-Dual_Gate_48V_switch_board_quick_introduction-Presentations-v02_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d2029a416004e
DG48VSWITCHKITTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR IAUTN08S5N012L
Packaging: Bulk
Function: MOSFET
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IAUTN08S5N012L
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC040N10NM7ATMA1 infineon-isc040n10nm7-datasheet-en.pdf
ISC040N10NM7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC040N10NM7ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC040N10NM7ATMA1 infineon-isc040n10nm7-datasheet-en.pdf
ISC040N10NM7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC040N10NM7ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44Z auirfz44z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b9f8771509
AUIRFZ44Z
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857B NEXP-S-A0004677720-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8955+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRRPBF description infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf
IRFZ44NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44N AUIRFZ44N.pdf
AUIRFZ44N
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44NS AUIRFZ44NS%2CNL.pdf
AUIRFZ44NS
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205ZS auirf3205z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac71f813a1
AUIRF3205ZS
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC018N08NM6SCATMA1 Infineon-ISC018N08NM6SC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196a72e1d697f01
ISC018N08NM6SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.04 грн
10+225.11 грн
25+207.15 грн
100+175.82 грн
250+166.97 грн
500+161.63 грн
1000+154.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06NM6SCATMA1 Infineon-ISC009N06NM6SC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196a72e39af7f07
ISC009N06NM6SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 344A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC016N08NM8SCATMA1 ISC016N08NM8SCATMA1
ISC016N08NM8SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC016N08NM8SCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC016N08NM8SCATMA1 ISC016N08NM8SCATMA1
ISC016N08NM8SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC016N08NM8SCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC165N15NM6ATMA1 DS_ISC165N15NM6_en.pdf
ISC165N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-45
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 75 V
на замовлення 4034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.99 грн
10+106.13 грн
100+72.35 грн
500+54.34 грн
1000+53.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U50N08W1R_B23 Infineon-DDB2U50N08W1R_B23-DS-v03_00-EN-219386.pdf
DDB2U50N08W1R_B23
Виробник: Infineon Technologies
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier 600V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BA 592 E6327 ba592_ba892series.pdf
BA 592 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 35 V 100 mA
на замовлення 13284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.87 грн
39+9.37 грн
100+6.41 грн
500+6.09 грн
1000+5.77 грн
3000+5.38 грн
6000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BA595E6327HTSA1 Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
на замовлення 14327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELE6327XTMA1 Infineon-BAR90-02EL-DS-v01_00-EN.pdf
BAR9002ELE6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 8760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+11.90 грн
52+7.00 грн
100+4.75 грн
500+4.51 грн
1000+4.27 грн
2500+4.03 грн
5000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 81W H6327 bar81series.pdf
BAR 81W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 7092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.88 грн
16+23.65 грн
100+17.56 грн
500+17.01 грн
1000+16.61 грн
3000+15.90 грн
6000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BA 592 E6433 ba592_ba892series-87652.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon RF Switching Diode 35V 100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-02V H6327 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf
BAR 63-02V H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.95 грн
19+19.47 грн
100+9.57 грн
500+6.49 грн
1000+5.14 грн
3000+4.43 грн
6000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BA 595 E6327 Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
на замовлення 6730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-04 E6327 Infineon_BAR64_04_DS_v01_01_EN.pdf
BAR 64-04 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
на замовлення 53649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.61 грн
18+20.92 грн
100+10.36 грн
500+6.96 грн
1000+5.54 грн
3000+4.75 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 88-02V H6327 bar88series-86027.pdf
BAR 88-02V H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 3577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.14 грн
11+34.39 грн
100+18.67 грн
500+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-04 E6327 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+22.24 грн
29+12.64 грн
100+9.18 грн
500+8.70 грн
1000+8.38 грн
3000+7.83 грн
6000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAR8802VH6327XTSA1 Infineon-BAR88SERIES-DS-v01_01-en-1730988.pdf
BAR8802VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 17280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.14 грн
11+34.39 грн
100+18.67 грн
500+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 18-04 E6327 bat18series.pdf
BAT 18-04 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon RF Switching Diode
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.12 грн
11+34.48 грн
100+19.70 грн
500+15.03 грн
1000+13.29 грн
3000+11.47 грн
6000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5602VH6327XTSA1 bby56series_2014-59205.pdf
BBY5602VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 60374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.78 грн
28+13.28 грн
100+9.25 грн
3000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 61 E6327 bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 140mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405WH6327XTSA1 Infineon_BAR64_05W_DS_v01_01_EN.pdf
BAR6405WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 13162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+19.01 грн
33+11.19 грн
100+7.59 грн
500+7.20 грн
1000+6.96 грн
3000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 Infineon_BAR64_04W_DS_v01_01_EN.pdf
BAR6404WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+19.01 грн
33+11.19 грн
100+7.59 грн
500+7.20 грн
1000+6.96 грн
3000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-06W H6327 Infineon_BAR64_06W_DS_v01_01_EN.pdf
BAR 64-06W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 5107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+19.01 грн
33+11.19 грн
100+7.59 грн
500+7.20 грн
1000+6.96 грн
3000+6.49 грн
6000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402ELE6327XTMA1 Infineon_BAR64_02EL_DS_v01_01_EN.pdf
BAR6402ELE6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-06 E6327 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+22.24 грн
28+13.37 грн
100+9.18 грн
500+8.70 грн
1000+8.38 грн
3000+7.36 грн
6000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-02EL E6327 Infineon_BAR64_02EL_DS_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 14838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+33.31 грн
16+24.02 грн
100+11.87 грн
500+7.99 грн
1000+6.09 грн
2500+5.38 грн
5000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 89-02LRH E6327 bar89-89034.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode
на замовлення 14999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELSE6327XTSA1 Infineon-BAR90-02ELS-DS-v01_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.74 грн
49+7.55 грн
100+5.14 грн
500+4.83 грн
1000+4.59 грн
2500+4.27 грн
5000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-02V H6327 Infineon_BAR64_02V_DS_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+27.78 грн
19+20.19 грн
100+9.97 грн
500+6.72 грн
1000+5.30 грн
3000+4.59 грн
6000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-05 E6327 Infineon_BAR64_05_DS_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+10.34 грн
60+6.09 грн
100+4.11 грн
500+3.88 грн
1000+3.64 грн
3000+3.40 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 14-1 E6327 bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf
BAR 14-1 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-04W H6327 Infineon_BAR64_04W_DS_v01_01_EN.pdf
BAR 64-04W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 15-1 E6327 bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf
BAR 15-1 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.99 грн
10+38.57 грн
100+22.86 грн
500+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 776 777 778 779 780 781 782 783 784 785 786 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480  [ Наступна Сторінка >> ]