Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15945) > Сторінка 108 з 266

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 130 156 182 208 234 260 266  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTK100N25P IXTK100N25P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=A81F4223-C5D3-44C0-A60C-AE41A30745EF&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-100N25P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1269.82 грн
25+770.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100L IXTH12N100L IXYS DS99126BIXTH12N100L.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1693.09 грн
30+1039.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T IXTP18P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682 Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.43 грн
10+190.47 грн
50+147.44 грн
100+125.36 грн
500+102.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRL IXTY01N100D-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27 Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRL IXTY01N100D-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27 Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.49 грн
10+258.88 грн
50+203.33 грн
100+174.03 грн
500+157.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I650PA DCK10I650PA IXYS dck10i650pa-datasheet?assetguid=9b5d15fc-c4a1-4bf1-94e4-71dcd40e367d Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 398pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29.3A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.21 грн
50+158.95 грн
100+144.40 грн
500+111.57 грн
1000+103.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I1200PA DCK10I1200PA IXYS dck10i1200pa-datasheet?assetguid=75ab63a7-eaa1-45f4-ae79-cc11d6480a07 Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 28A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.57 грн
50+209.72 грн
100+191.46 грн
500+149.64 грн
1000+140.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I1200HA DCK10I1200HA IXYS dck10i1200ha-datasheet?assetguid=5be3408f-41a7-455b-8ce9-874e03b13e5b Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.35 грн
30+237.24 грн
120+197.37 грн
510+157.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK15I1200HA DCK15I1200HA IXYS dck15i1200ha-datasheet?assetguid=44b53e84-c4e7-4c80-a892-b93db1544069 Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 888pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.76 грн
30+279.12 грн
120+233.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I650HA DCK10I650HA IXYS dck10i650ha-datasheet?assetguid=e5d675c1-245d-4cad-ad47-33338feb2dfa Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 398pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30.4A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.83 грн
10+215.76 грн
450+146.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I1200UZ IXYS Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXCY10M45S IXCY10M45S IXYS Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M45S-IXCY10M45s?assetguid=731077FA-A99E-41C1-BC82-960F7ED0C52C Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 450V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.75 грн
10+184.67 грн
70+156.37 грн
140+140.29 грн
280+134.98 грн
560+130.61 грн
1050+125.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXCY10M45S-TRL IXCY10M45S-TRL IXYS 98704.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 450V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HV-TRL IXTA4N150HV-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859 Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT4N150HV-TRL IXTT4N150HV-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859 Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12S-TRL DSP8-12S-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-12S-Datasheet?assetguid=9719434f-f61b-4b2f-aff1-587c9c00aa7d Description: DIODE ARRAY GP 1200V 11A TO263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 11A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 7 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12S-TRL DSP8-12S-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-12S-Datasheet?assetguid=9719434f-f61b-4b2f-aff1-587c9c00aa7d Description: DIODE ARRAY GP 1200V 11A TO263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 11A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 7 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20T IXTK120P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e Description: MOSFET P-CH 200V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2536.47 грн
25+1638.73 грн
50+1535.23 грн
100+1395.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK120N25P-Datasheet.PDF?assetguid=EAA52095-EEBE-4AEB-9ABA-160258F95F30 Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1392.45 грн
25+855.39 грн
50+792.82 грн
100+694.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T IXFK180N25T IXYS DS100129AIXFKFX180N25T.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1670.14 грн
25+1041.95 грн
100+907.54 грн
500+823.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60P IXTK32P60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P60P-Datasheet.PDF?assetguid=4E3CC1EB-28DE-4BB7-B025-3DB667A4A4E2 Description: MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1816.51 грн
25+1143.77 грн
100+1000.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3 IXFK150N30P3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-150n30p3-datasheet?assetguid=0a16f037-5ff0-4073-8510-c98e76e3d154 Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1856.86 грн
25+1170.98 грн
100+1024.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf?assetguid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200 Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2466.05 грн
25+1592.81 грн
100+1445.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3 IXFK240N25X3 IXYS PdfFile108782.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 240A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2648.02 грн
25+1720.59 грн
100+1579.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UGE3126AY4 UGE3126AY4 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-UGE3126AY4-Datasheet?assetguid=2134b641-5bc2-41e8-96c6-300dd4861c1c Description: DIODE STANDARD 24000V 2A UGE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 24000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 18 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 24000 V
Supplier Device Package: UGE
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: UGE
Packaging: Box
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8042.96 грн
12+7686.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXCY10M90S IXCY10M90S IXYS Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M90S-IXCY10M90S?assetguid=C96AECA6-1B81-4B5D-AF9F-6CBD5216C35E Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 900V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
на замовлення 6375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.06 грн
10+272.21 грн
70+232.75 грн
140+209.41 грн
280+202.00 грн
560+195.89 грн
1050+188.16 грн
2520+183.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXCP10M90S IXCP10M90S IXYS Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M90S-IXCY10M90S?assetguid=C96AECA6-1B81-4B5D-AF9F-6CBD5216C35E Description: IC CURRENT REGULATOR TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 900V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220-3
на замовлення 4389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.26 грн
10+272.14 грн
50+238.31 грн
100+213.83 грн
250+203.46 грн
500+197.21 грн
1000+188.92 грн
2500+183.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T IXTA120P065T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+645.59 грн
10+424.97 грн
50+340.95 грн
100+294.60 грн
500+250.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N100X IXFB70N100X IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFB70N100X-Datasheet.PDF?assetguid=94C5CCCD-2715-4D69-A428-53AF01206B6C Description: MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N250-T/R IXGT25N250-T/R IXYS PdfFile357005.pdf Description: IGBT NPT 2500V 60A TO-268HV
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+2282.65 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N250-T/R IXGT25N250-T/R IXYS PdfFile357005.pdf Description: IGBT NPT 2500V 60A TO-268HV
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3429.69 грн
10+2690.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA30P1600HR DMA30P1600HR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=733120e1-b91a-45fb-8507-858f4287130f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DMA30P1600HR-Datasheet Description: DIODE STANDARD 1600V 30A ISO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5 IXYA50N65C5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTXYA50N65C5Datasheet.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 110A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK110N07 IXFK110N07 IXYS 92802.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 110A TO264AA
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1340.23 грн
25+959.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1 IXXH80N65B4D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixxh80n65b4d1-datasheet?assetguid=279c11a8-2935-4966-866a-fc76b6081c30 Description: IGBT PT 650V 180A TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+742.11 грн
30+449.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N150 IXTH6N150 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-6n150-datasheet?assetguid=cb2b205b-634c-47df-8b0c-0bbd42d60262 Description: MOSFET N-CH 1500V 6A TO247
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1083.89 грн
30+639.30 грн
120+550.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR140N30P IXFR140N30P IXYS IXFR140N30P.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P IXFN140N30P IXYS DS99571FIXFN140N30P.pdf description Description: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2928.88 грн
10+2098.32 грн
50+1791.09 грн
100+1653.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DHG55I3300FE DHG55I3300FE IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=f4778fd3-9be4-4357-a6ee-3f2091f2a007&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DHG55I3300FE-Datasheet Description: DIODE STANDARD 3.3KV 50A ISOPLUS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2 IXTQ460P2 IXYS DS100216BTATPTQTH460P2.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.66 грн
30+338.37 грн
120+284.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065T IXTH120P065T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO247
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+731.83 грн
30+417.65 грн
60+383.36 грн
120+332.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3 IXFA72N30X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfa72n30x3-datasheet?assetguid=a7dc041c-d643-42db-b8fa-3c8eacfc3472 Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+895.60 грн
50+487.62 грн
100+451.57 грн
500+368.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150 IXTT12N150 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixth12n150-datasheet?assetguid=132d0873-d950-4b9b-8f36-572225e04e24 Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1466.82 грн
30+886.48 грн
120+771.45 грн
510+697.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150HV-TRL IXTT12N150HV-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtt12n150hv-datasheet?assetguid=da85b9fa-4ef6-47ad-9f28-773174b06926 Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268HV
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+3986.20 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DHG60U1200LB-TUB DHG60U1200LB-TUB IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=18f98573-a03e-4696-beb4-d5c97f0ab1a8&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DHG60U1200LB-Datasheet Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 60A 9-SMPDB
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+1733.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDNA700P2200CC MDNA700P2200CC IXYS littelfuse-diode-modules-dual-mdna700p2200cc-datasheet?assetguid=c926db6b-d806-48cc-a63f-5ae7c494cb13 Description: DIODE MOD GP 2200V 700A COMPACK
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19682.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N06P IXYS Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SK230RTP SK230RTP IXYS sxx30x-datasheet?assetguid=d584cc0c-6ac3-4595-9965-6dfeb7defaaa Description: SCR 1.2KV 30A TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.60 грн
50+217.50 грн
100+198.59 грн
500+155.31 грн
1000+145.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SK230NRP SK230NRP IXYS sxx30x-datasheet?assetguid=d584cc0c-6ac3-4595-9965-6dfeb7defaaa Description: SCR 1.2KV 30A TO-263 (D2PAK)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SK230NRP SK230NRP IXYS sxx30x-datasheet?assetguid=d584cc0c-6ac3-4595-9965-6dfeb7defaaa Description: SCR 1.2KV 30A TO-263 (D2PAK)
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.14 грн
10+280.67 грн
100+201.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DAA200XA1800NA DAA200XA1800NA IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DAA200XA1800NA-Datasheet?assetguid=6d681674-0f6b-4b00-b0e2-3aa2ba830407 Description: DIODE MODULE AVAL 1800V SOT227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DAA200X1800NA DAA200X1800NA IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DAA200X1800NA-Datasheet?assetguid=47a334c9-8a81-41d7-b6a8-33fe5c680b07 Description: DIODE MODULE AVAL 1800V SOT227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QJ6016NH5TP QJ6016NH5TP IXYS QJxx16xHx_Series_RevGD06-07-21.pdf Description: TRIAC ALTERNISTOR 600V 16A TO263
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.79 грн
10+253.47 грн
113+178.74 грн
565+139.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2-TRL IXTA110N055T2-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-110n055t2-datasheet?assetguid=21c020da-ce9b-49ec-a4f7-c30b99262b3a Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITF38IF1200HJ IXYS Description: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSM350KN IXYS Description: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-264(3)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100P IXFA4N100P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-4n100p-datasheet?assetguid=c0771f82-eebb-4a78-a88d-a53fc7a592a4 Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.27 грн
10+272.52 грн
50+214.48 грн
100+183.75 грн
500+153.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN75N120SK IXFN75N120SK IXYS ixfn75n120sk-datasheet?assetguid=fcadf421-c9d1-4a70-a9b4-9c4c8a66ee8b Description: SIC AND MULTICHIP DISCRETE
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4777.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN30N120SK IXFN30N120SK IXYS isolated-minibloc-solution-for-plasma-power-supplies-flyer?assetguid=557f76ca-313b-4510-a3e8-8b23507a6436 Description: SIC AND MULTICHIP DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2-TRL IXTY1R6N50D2-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+131.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25P media?resourcetype=datasheets&itemid=A81F4223-C5D3-44C0-A60C-AE41A30745EF&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-100N25P-Datasheet.PDF
IXTK100N25P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1269.82 грн
25+770.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100L DS99126BIXTH12N100L.pdf
IXTH12N100L
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1693.09 грн
30+1039.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682
IXTP18P10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.43 грн
10+190.47 грн
50+147.44 грн
100+125.36 грн
500+102.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27
IXTY01N100D-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27
IXTY01N100D-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+403.49 грн
10+258.88 грн
50+203.33 грн
100+174.03 грн
500+157.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I650PA dck10i650pa-datasheet?assetguid=9b5d15fc-c4a1-4bf1-94e4-71dcd40e367d
DCK10I650PA
Виробник: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 398pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29.3A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+321.21 грн
50+158.95 грн
100+144.40 грн
500+111.57 грн
1000+103.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I1200PA dck10i1200pa-datasheet?assetguid=75ab63a7-eaa1-45f4-ae79-cc11d6480a07
DCK10I1200PA
Виробник: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 28A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+414.57 грн
50+209.72 грн
100+191.46 грн
500+149.64 грн
1000+140.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I1200HA dck10i1200ha-datasheet?assetguid=5be3408f-41a7-455b-8ce9-874e03b13e5b
DCK10I1200HA
Виробник: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+434.35 грн
30+237.24 грн
120+197.37 грн
510+157.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK15I1200HA dck15i1200ha-datasheet?assetguid=44b53e84-c4e7-4c80-a892-b93db1544069
DCK15I1200HA
Виробник: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 888pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+504.76 грн
30+279.12 грн
120+233.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I650HA dck10i650ha-datasheet?assetguid=e5d675c1-245d-4cad-ad47-33338feb2dfa
DCK10I650HA
Виробник: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 398pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30.4A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.83 грн
10+215.76 грн
450+146.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I1200UZ
Виробник: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXCY10M45S Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M45S-IXCY10M45s?assetguid=731077FA-A99E-41C1-BC82-960F7ED0C52C
IXCY10M45S
Виробник: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 450V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.75 грн
10+184.67 грн
70+156.37 грн
140+140.29 грн
280+134.98 грн
560+130.61 грн
1050+125.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXCY10M45S-TRL 98704.pdf
IXCY10M45S-TRL
Виробник: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 450V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HV-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859
IXTA4N150HV-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT4N150HV-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859
IXTT4N150HV-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12S-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-12S-Datasheet?assetguid=9719434f-f61b-4b2f-aff1-587c9c00aa7d
DSP8-12S-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 1200V 11A TO263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 11A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 7 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12S-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-12S-Datasheet?assetguid=9719434f-f61b-4b2f-aff1-587c9c00aa7d
DSP8-12S-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 1200V 11A TO263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 11A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 7 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e
IXTK120P20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2536.47 грн
25+1638.73 грн
50+1535.23 грн
100+1395.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK120N25P-Datasheet.PDF?assetguid=EAA52095-EEBE-4AEB-9ABA-160258F95F30
IXTK120N25P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1392.45 грн
25+855.39 грн
50+792.82 грн
100+694.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T DS100129AIXFKFX180N25T.pdf
IXFK180N25T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1670.14 грн
25+1041.95 грн
100+907.54 грн
500+823.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P60P-Datasheet.PDF?assetguid=4E3CC1EB-28DE-4BB7-B025-3DB667A4A4E2
IXTK32P60P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1816.51 грн
25+1143.77 грн
100+1000.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-150n30p3-datasheet?assetguid=0a16f037-5ff0-4073-8510-c98e76e3d154
IXFK150N30P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1856.86 грн
25+1170.98 грн
100+1024.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf?assetguid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200
IXTK210P10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2466.05 грн
25+1592.81 грн
100+1445.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3 PdfFile108782.pdf
IXFK240N25X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 240A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2648.02 грн
25+1720.59 грн
100+1579.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UGE3126AY4 Littelfuse-Power-Semiconductors-UGE3126AY4-Datasheet?assetguid=2134b641-5bc2-41e8-96c6-300dd4861c1c
UGE3126AY4
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 24000V 2A UGE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 24000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 18 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 24000 V
Supplier Device Package: UGE
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: UGE
Packaging: Box
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8042.96 грн
12+7686.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXCY10M90S Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M90S-IXCY10M90S?assetguid=C96AECA6-1B81-4B5D-AF9F-6CBD5216C35E
IXCY10M90S
Виробник: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 900V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
на замовлення 6375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+371.06 грн
10+272.21 грн
70+232.75 грн
140+209.41 грн
280+202.00 грн
560+195.89 грн
1050+188.16 грн
2520+183.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXCP10M90S Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M90S-IXCY10M90S?assetguid=C96AECA6-1B81-4B5D-AF9F-6CBD5216C35E
IXCP10M90S
Виробник: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 900V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220-3
на замовлення 4389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+370.26 грн
10+272.14 грн
50+238.31 грн
100+213.83 грн
250+203.46 грн
500+197.21 грн
1000+188.92 грн
2500+183.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb
IXTA120P065T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+645.59 грн
10+424.97 грн
50+340.95 грн
100+294.60 грн
500+250.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N100X Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFB70N100X-Datasheet.PDF?assetguid=94C5CCCD-2715-4D69-A428-53AF01206B6C
IXFB70N100X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N250-T/R PdfFile357005.pdf
IXGT25N250-T/R
Виробник: IXYS
Description: IGBT NPT 2500V 60A TO-268HV
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+2282.65 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N250-T/R PdfFile357005.pdf
IXGT25N250-T/R
Виробник: IXYS
Description: IGBT NPT 2500V 60A TO-268HV
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3429.69 грн
10+2690.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA30P1600HR media?resourcetype=datasheets&itemid=733120e1-b91a-45fb-8507-858f4287130f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DMA30P1600HR-Datasheet
DMA30P1600HR
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 1600V 30A ISO247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTXYA50N65C5Datasheet.pdf
IXYA50N65C5
Виробник: IXYS
Description: IGBT TRENCH FS 650V 110A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK110N07 92802.pdf
IXFK110N07
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 70V 110A TO264AA
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1340.23 грн
25+959.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1 littelfuse-discrete-igbts-ixxh80n65b4d1-datasheet?assetguid=279c11a8-2935-4966-866a-fc76b6081c30
IXXH80N65B4D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 180A TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+742.11 грн
30+449.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N150 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-6n150-datasheet?assetguid=cb2b205b-634c-47df-8b0c-0bbd42d60262
IXTH6N150
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 6A TO247
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1083.89 грн
30+639.30 грн
120+550.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR140N30P IXFR140N30P.pdf
IXFR140N30P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P description DS99571FIXFN140N30P.pdf
IXFN140N30P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2928.88 грн
10+2098.32 грн
50+1791.09 грн
100+1653.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DHG55I3300FE media?resourcetype=datasheets&itemid=f4778fd3-9be4-4357-a6ee-3f2091f2a007&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DHG55I3300FE-Datasheet
DHG55I3300FE
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 3.3KV 50A ISOPLUS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2 DS100216BTATPTQTH460P2.pdf
IXTQ460P2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+603.66 грн
30+338.37 грн
120+284.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb
IXTH120P065T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO247
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+731.83 грн
30+417.65 грн
60+383.36 грн
120+332.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixfa72n30x3-datasheet?assetguid=a7dc041c-d643-42db-b8fa-3c8eacfc3472
IXFA72N30X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+895.60 грн
50+487.62 грн
100+451.57 грн
500+368.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150 littelfuse-discrete-mosfets-ixth12n150-datasheet?assetguid=132d0873-d950-4b9b-8f36-572225e04e24
IXTT12N150
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1466.82 грн
30+886.48 грн
120+771.45 грн
510+697.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150HV-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixtt12n150hv-datasheet?assetguid=da85b9fa-4ef6-47ad-9f28-773174b06926
IXTT12N150HV-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268HV
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+3986.20 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DHG60U1200LB-TUB media?resourcetype=datasheets&itemid=18f98573-a03e-4696-beb4-d5c97f0ab1a8&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DHG60U1200LB-Datasheet
DHG60U1200LB-TUB
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 60A 9-SMPDB
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+1733.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDNA700P2200CC littelfuse-diode-modules-dual-mdna700p2200cc-datasheet?assetguid=c926db6b-d806-48cc-a63f-5ae7c494cb13
MDNA700P2200CC
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD GP 2200V 700A COMPACK
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+19682.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N06P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO3P
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SK230RTP sxx30x-datasheet?assetguid=d584cc0c-6ac3-4595-9965-6dfeb7defaaa
SK230RTP
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.2KV 30A TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+429.60 грн
50+217.50 грн
100+198.59 грн
500+155.31 грн
1000+145.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SK230NRP sxx30x-datasheet?assetguid=d584cc0c-6ac3-4595-9965-6dfeb7defaaa
SK230NRP
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.2KV 30A TO-263 (D2PAK)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SK230NRP sxx30x-datasheet?assetguid=d584cc0c-6ac3-4595-9965-6dfeb7defaaa
SK230NRP
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.2KV 30A TO-263 (D2PAK)
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+435.14 грн
10+280.67 грн
100+201.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DAA200XA1800NA Littelfuse-Power-Semiconductors-DAA200XA1800NA-Datasheet?assetguid=6d681674-0f6b-4b00-b0e2-3aa2ba830407
DAA200XA1800NA
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE AVAL 1800V SOT227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DAA200X1800NA Littelfuse-Power-Semiconductors-DAA200X1800NA-Datasheet?assetguid=47a334c9-8a81-41d7-b6a8-33fe5c680b07
DAA200X1800NA
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE AVAL 1800V SOT227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QJ6016NH5TP QJxx16xHx_Series_RevGD06-07-21.pdf
QJ6016NH5TP
Виробник: IXYS
Description: TRIAC ALTERNISTOR 600V 16A TO263
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+394.79 грн
10+253.47 грн
113+178.74 грн
565+139.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-110n055t2-datasheet?assetguid=21c020da-ce9b-49ec-a4f7-c30b99262b3a
IXTA110N055T2-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITF38IF1200HJ
Виробник: IXYS
Description: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSM350KN
Виробник: IXYS
Description: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-264(3)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-4n100p-datasheet?assetguid=c0771f82-eebb-4a78-a88d-a53fc7a592a4
IXFA4N100P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+423.27 грн
10+272.52 грн
50+214.48 грн
100+183.75 грн
500+153.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN75N120SK ixfn75n120sk-datasheet?assetguid=fcadf421-c9d1-4a70-a9b4-9c4c8a66ee8b
IXFN75N120SK
Виробник: IXYS
Description: SIC AND MULTICHIP DISCRETE
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4777.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN30N120SK isolated-minibloc-solution-for-plasma-power-supplies-flyer?assetguid=557f76ca-313b-4510-a3e8-8b23507a6436
IXFN30N120SK
Виробник: IXYS
Description: SIC AND MULTICHIP DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
IXTY1R6N50D2-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+131.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 130 156 182 208 234 260 266  [ Наступна Сторінка >> ]