Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15414) > Сторінка 108 з 257

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 125 150 175 200 225 250 257  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTK170P10P IXTK170P10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170p10p-datasheet?assetguid=68622d8b-7303-4f51-80e6-161b6a15098f Description: MOSFET P-CH 100V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1779.19 грн
25+1120.27 грн
100+979.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX100N65X2 IXFX100N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-100n65x2-datasheet?assetguid=bd7dffc9-72d4-4ee4-8bc2-7b72f9da7072 Description: MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1586.24 грн
30+966.99 грн
120+844.50 грн
510+775.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT94N30P3 IXFT94N30P3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-94n30p3-datasheet?assetguid=1c2cbca8-18e8-479e-a630-47553c9a3855 Description: MOSFET N-CH 300V 94A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N65L2-7TR IXSA40N65L2-7TR IXYS power-semiconductor-sic-mosfet-ixsa40n65l2-7tr-datasheet?assetguid=14bc6aa8-1f68-4e9b-bc8f-1b3f568b17e4 Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+241.35 грн
1600+231.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N65L2-7TR IXSA40N65L2-7TR IXYS power-semiconductor-sic-mosfet-ixsa40n65l2-7tr-datasheet?assetguid=14bc6aa8-1f68-4e9b-bc8f-1b3f568b17e4 Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.03 грн
10+388.77 грн
100+285.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10P60 IXTT10P60 IXYS DS98849EIXTHT10P60.pdf Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1021.33 грн
30+600.50 грн
120+516.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25T-TRL IXTA50N25T-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n25t-datasheet?assetguid=d7f19b2b-0219-4b0c-a29d-b093518ee586 Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV IXTA08N100D2HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta08n100d2hv-datasheet?assetguid=23b14127-6bd0-4c59-8a5b-b6c34e880015 Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.80 грн
50+192.54 грн
100+175.55 грн
500+136.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2-TRL IXTY08N100D2-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2 IXTA6N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-6n100-datasheet?assetguid=c49ba42b-7a18-44bb-be04-da2e6496f67b Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+744.69 грн
50+399.77 грн
100+369.21 грн
500+296.29 грн
1000+293.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX400N15X3 IXFX400N15X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_400n15x3_datasheet.pdf?assetguid=c6e53bef-e462-4a4c-ba1f-c0550f6db46e Description: MOSFET N-CH 150V 400A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 365 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25P IXTK100N25P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=A81F4223-C5D3-44C0-A60C-AE41A30745EF&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-100N25P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1022.88 грн
25+615.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100L IXTH12N100L IXYS DS99126BIXTH12N100L.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1658.30 грн
30+1018.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T IXTP18P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682 Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.77 грн
50+133.48 грн
100+120.93 грн
500+92.85 грн
1000+86.22 грн
2000+80.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRL IXTY01N100D-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27 Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+135.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRL IXTY01N100D-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27 Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.58 грн
10+246.47 грн
100+176.55 грн
500+149.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I650PA DCK10I650PA IXYS dck10i650pa-datasheet?assetguid=9b5d15fc-c4a1-4bf1-94e4-71dcd40e367d Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 398pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29.3A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.61 грн
50+155.69 грн
100+141.43 грн
500+109.28 грн
1000+101.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I1200PA DCK10I1200PA IXYS dck10i1200pa-datasheet?assetguid=75ab63a7-eaa1-45f4-ae79-cc11d6480a07 Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 28A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.05 грн
50+205.42 грн
100+187.52 грн
500+146.56 грн
1000+137.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I1200HA DCK10I1200HA IXYS dck10i1200ha-datasheet?assetguid=5be3408f-41a7-455b-8ce9-874e03b13e5b Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.42 грн
30+232.37 грн
120+193.32 грн
510+154.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK15I1200HA DCK15I1200HA IXYS dck15i1200ha-datasheet?assetguid=44b53e84-c4e7-4c80-a892-b93db1544069 Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 888pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.39 грн
30+273.39 грн
120+228.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I650HA DCK10I650HA IXYS dck10i650ha-datasheet?assetguid=e5d675c1-245d-4cad-ad47-33338feb2dfa Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 398pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30.4A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.89 грн
10+211.33 грн
450+143.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I1200UZ IXYS Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXCY10M45S IXCY10M45S IXYS Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M45S-IXCY10M45s?assetguid=731077FA-A99E-41C1-BC82-960F7ED0C52C Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 450V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.02 грн
10+169.31 грн
70+143.44 грн
140+128.69 грн
280+123.82 грн
560+119.81 грн
1050+114.88 грн
2520+111.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXCY10M45S-TRL IXCY10M45S-TRL IXYS 98704.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 450V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HV-TRL IXTA4N150HV-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859 Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT4N150HV-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859 Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12S-TRL DSP8-12S-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-12S-Datasheet?assetguid=9719434f-f61b-4b2f-aff1-587c9c00aa7d Description: DIODE ARRAY GP 1200V 11A TO263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 11A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 7 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12S-TRL DSP8-12S-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-12S-Datasheet?assetguid=9719434f-f61b-4b2f-aff1-587c9c00aa7d Description: DIODE ARRAY GP 1200V 11A TO263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 11A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 7 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20T IXTK120P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e Description: MOSFET P-CH 200V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2415.39 грн
25+1560.08 грн
100+1415.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK120N25P-Datasheet.PDF?assetguid=EAA52095-EEBE-4AEB-9ABA-160258F95F30 Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1325.87 грн
25+814.35 грн
100+704.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T IXFK180N25T IXYS DS100129AIXFKFX180N25T.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1586.24 грн
25+989.59 грн
100+861.92 грн
500+782.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60P IXTK32P60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P60P-Datasheet.PDF?assetguid=4E3CC1EB-28DE-4BB7-B025-3DB667A4A4E2 Description: MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1779.19 грн
25+1120.27 грн
100+979.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3 IXFK150N30P3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-150n30p3-datasheet?assetguid=0a16f037-5ff0-4073-8510-c98e76e3d154 Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1818.71 грн
25+1146.92 грн
100+1003.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf?assetguid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200 Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2415.39 грн
25+1560.08 грн
100+1415.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3 IXFK240N25X3 IXYS PdfFile108782.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 240A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2593.62 грн
25+1685.23 грн
100+1547.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UGE3126AY4 UGE3126AY4 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-UGE3126AY4-Datasheet?assetguid=2134b641-5bc2-41e8-96c6-300dd4861c1c Description: DIODE STANDARD 24000V 2A UGE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 24000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 18 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 24000 V
Supplier Device Package: UGE
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: UGE
Packaging: Box
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7877.71 грн
12+7528.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXCY10M90S IXCY10M90S IXYS Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M90S-IXCY10M90S?assetguid=C96AECA6-1B81-4B5D-AF9F-6CBD5216C35E Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 900V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
на замовлення 6384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.28 грн
10+251.70 грн
70+215.21 грн
140+193.63 грн
280+186.78 грн
560+181.13 грн
1050+173.98 грн
2520+169.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXCP10M90S IXCP10M90S IXYS Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M90S-IXCY10M90S?assetguid=C96AECA6-1B81-4B5D-AF9F-6CBD5216C35E Description: IC CURRENT REGULATOR TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 900V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220-3
на замовлення 4389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.66 грн
10+266.55 грн
50+233.41 грн
100+209.43 грн
250+199.28 грн
500+193.16 грн
1000+185.04 грн
2500+179.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T IXTA120P065T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+632.32 грн
50+334.18 грн
100+307.68 грн
500+245.25 грн
1000+236.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N100X IXFB70N100X IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFB70N100X-Datasheet.PDF?assetguid=94C5CCCD-2715-4D69-A428-53AF01206B6C Description: MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N250-T/R IXGT25N250-T/R IXYS PdfFile357005.pdf Description: IGBT NPT 2500V 60A TO-268HV
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+2235.75 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N250-T/R IXGT25N250-T/R IXYS PdfFile357005.pdf Description: IGBT NPT 2500V 60A TO-268HV
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3359.22 грн
10+2635.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA30P1600HR DMA30P1600HR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=733120e1-b91a-45fb-8507-858f4287130f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DMA30P1600HR-Datasheet Description: DIODE STANDARD 1600V 30A ISO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5 IXYA50N65C5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTXYA50N65C5Datasheet.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 110A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK110N07 IXFK110N07 IXYS 92802.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 110A TO264AA
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1283.25 грн
25+918.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1 IXXH80N65B4D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixxh80n65b4d1-datasheet?assetguid=279c11a8-2935-4966-866a-fc76b6081c30 Description: IGBT PT 650V 180A TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+710.59 грн
30+430.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N150 IXTH6N150 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-6n150-datasheet?assetguid=cb2b205b-634c-47df-8b0c-0bbd42d60262 Description: MOSFET N-CH 1500V 6A TO247
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1061.62 грн
30+626.17 грн
120+539.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR140N30P IXFR140N30P IXYS IXFR140N30P.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P IXFN140N30P IXYS DS99571FIXFN140N30P.pdf description Description: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DHG55I3300FE DHG55I3300FE IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=f4778fd3-9be4-4357-a6ee-3f2091f2a007&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DHG55I3300FE-Datasheet Description: DIODE STANDARD 3.3KV 50A ISOPLUS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2 IXTQ460P2 IXYS DS100216BTATPTQTH460P2.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.25 грн
30+331.42 грн
120+279.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GUO40-12NO1 GUO40-12NO1 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_GUO40_12NO1_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 40 Amps 1200V
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FBE22-06N1 FBE22-06N1 IXYS media-3319454.pdf Bridge Rectifiers RECTIFIER BRIDGE ISOPLUS i4-PAC
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO190-08NO7 VUO190-08NO7 IXYS media-3323304.pdf Bridge Rectifiers 190 Amps 800V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-16NOXT VUB72-16NOXT IXYS media-3319306.pdf Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO160-08NO7 VUO160-08NO7 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO160_08NO7_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 160 Amps 800V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-12NO1 GBO25-12NO1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-GBO25-12NO1-Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 25 Amps 1600V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO190-12NO7 VUO190-12NO7 IXYS media-3322463.pdf Bridge Rectifiers 190 Amps 1200V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUE75-06NO7 VUE75-06NO7 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUE75_06NO7_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 75 Amps 600V
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VBE100-06NO7 VBE100-06NO7 IXYS l546-1547503.pdf Bridge Rectifiers 100 Amps 600V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170P10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170p10p-datasheet?assetguid=68622d8b-7303-4f51-80e6-161b6a15098f
IXTK170P10P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1779.19 грн
25+1120.27 грн
100+979.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX100N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-100n65x2-datasheet?assetguid=bd7dffc9-72d4-4ee4-8bc2-7b72f9da7072
IXFX100N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1586.24 грн
30+966.99 грн
120+844.50 грн
510+775.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT94N30P3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-94n30p3-datasheet?assetguid=1c2cbca8-18e8-479e-a630-47553c9a3855
IXFT94N30P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 94A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N65L2-7TR power-semiconductor-sic-mosfet-ixsa40n65l2-7tr-datasheet?assetguid=14bc6aa8-1f68-4e9b-bc8f-1b3f568b17e4
IXSA40N65L2-7TR
Виробник: IXYS
Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+241.35 грн
1600+231.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N65L2-7TR power-semiconductor-sic-mosfet-ixsa40n65l2-7tr-datasheet?assetguid=14bc6aa8-1f68-4e9b-bc8f-1b3f568b17e4
IXSA40N65L2-7TR
Виробник: IXYS
Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+592.03 грн
10+388.77 грн
100+285.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10P60 DS98849EIXTHT10P60.pdf
IXTT10P60
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1021.33 грн
30+600.50 грн
120+516.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25T-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n25t-datasheet?assetguid=d7f19b2b-0219-4b0c-a29d-b093518ee586
IXTA50N25T-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV littelfuse-discrete-mosfets-ixta08n100d2hv-datasheet?assetguid=23b14127-6bd0-4c59-8a5b-b6c34e880015
IXTA08N100D2HV
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+382.80 грн
50+192.54 грн
100+175.55 грн
500+136.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc
IXTY08N100D2-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-6n100-datasheet?assetguid=c49ba42b-7a18-44bb-be04-da2e6496f67b
IXTA6N100D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+744.69 грн
50+399.77 грн
100+369.21 грн
500+296.29 грн
1000+293.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX400N15X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_400n15x3_datasheet.pdf?assetguid=c6e53bef-e462-4a4c-ba1f-c0550f6db46e
IXFX400N15X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 400A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 365 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25P media?resourcetype=datasheets&itemid=A81F4223-C5D3-44C0-A60C-AE41A30745EF&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-100N25P-Datasheet.PDF
IXTK100N25P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1022.88 грн
25+615.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100L DS99126BIXTH12N100L.pdf
IXTH12N100L
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1658.30 грн
30+1018.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682
IXTP18P10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+272.77 грн
50+133.48 грн
100+120.93 грн
500+92.85 грн
1000+86.22 грн
2000+80.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27
IXTY01N100D-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+135.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27
IXTY01N100D-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+383.58 грн
10+246.47 грн
100+176.55 грн
500+149.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I650PA dck10i650pa-datasheet?assetguid=9b5d15fc-c4a1-4bf1-94e4-71dcd40e367d
DCK10I650PA
Виробник: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 398pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29.3A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+314.61 грн
50+155.69 грн
100+141.43 грн
500+109.28 грн
1000+101.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I1200PA dck10i1200pa-datasheet?assetguid=75ab63a7-eaa1-45f4-ae79-cc11d6480a07
DCK10I1200PA
Виробник: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 28A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+406.05 грн
50+205.42 грн
100+187.52 грн
500+146.56 грн
1000+137.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I1200HA dck10i1200ha-datasheet?assetguid=5be3408f-41a7-455b-8ce9-874e03b13e5b
DCK10I1200HA
Виробник: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+425.42 грн
30+232.37 грн
120+193.32 грн
510+154.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK15I1200HA dck15i1200ha-datasheet?assetguid=44b53e84-c4e7-4c80-a892-b93db1544069
DCK15I1200HA
Виробник: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 888pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+494.39 грн
30+273.39 грн
120+228.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I650HA dck10i650ha-datasheet?assetguid=e5d675c1-245d-4cad-ad47-33338feb2dfa
DCK10I650HA
Виробник: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 398pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30.4A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+330.89 грн
10+211.33 грн
450+143.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCK10I1200UZ
Виробник: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXCY10M45S Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M45S-IXCY10M45s?assetguid=731077FA-A99E-41C1-BC82-960F7ED0C52C
IXCY10M45S
Виробник: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 450V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.02 грн
10+169.31 грн
70+143.44 грн
140+128.69 грн
280+123.82 грн
560+119.81 грн
1050+114.88 грн
2520+111.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXCY10M45S-TRL 98704.pdf
IXCY10M45S-TRL
Виробник: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 450V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HV-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859
IXTA4N150HV-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT4N150HV-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12S-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-12S-Datasheet?assetguid=9719434f-f61b-4b2f-aff1-587c9c00aa7d
DSP8-12S-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 1200V 11A TO263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 11A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 7 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12S-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-12S-Datasheet?assetguid=9719434f-f61b-4b2f-aff1-587c9c00aa7d
DSP8-12S-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 1200V 11A TO263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 11A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 7 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e
IXTK120P20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2415.39 грн
25+1560.08 грн
100+1415.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK120N25P-Datasheet.PDF?assetguid=EAA52095-EEBE-4AEB-9ABA-160258F95F30
IXTK120N25P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1325.87 грн
25+814.35 грн
100+704.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T DS100129AIXFKFX180N25T.pdf
IXFK180N25T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1586.24 грн
25+989.59 грн
100+861.92 грн
500+782.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P60P-Datasheet.PDF?assetguid=4E3CC1EB-28DE-4BB7-B025-3DB667A4A4E2
IXTK32P60P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1779.19 грн
25+1120.27 грн
100+979.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-150n30p3-datasheet?assetguid=0a16f037-5ff0-4073-8510-c98e76e3d154
IXFK150N30P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1818.71 грн
25+1146.92 грн
100+1003.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf?assetguid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200
IXTK210P10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2415.39 грн
25+1560.08 грн
100+1415.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3 PdfFile108782.pdf
IXFK240N25X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 240A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2593.62 грн
25+1685.23 грн
100+1547.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UGE3126AY4 Littelfuse-Power-Semiconductors-UGE3126AY4-Datasheet?assetguid=2134b641-5bc2-41e8-96c6-300dd4861c1c
UGE3126AY4
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 24000V 2A UGE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 24000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 18 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 24000 V
Supplier Device Package: UGE
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: UGE
Packaging: Box
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7877.71 грн
12+7528.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXCY10M90S Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M90S-IXCY10M90S?assetguid=C96AECA6-1B81-4B5D-AF9F-6CBD5216C35E
IXCY10M90S
Виробник: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 900V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
на замовлення 6384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+343.28 грн
10+251.70 грн
70+215.21 грн
140+193.63 грн
280+186.78 грн
560+181.13 грн
1050+173.98 грн
2520+169.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXCP10M90S Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M90S-IXCY10M90S?assetguid=C96AECA6-1B81-4B5D-AF9F-6CBD5216C35E
IXCP10M90S
Виробник: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 900V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220-3
на замовлення 4389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+362.66 грн
10+266.55 грн
50+233.41 грн
100+209.43 грн
250+199.28 грн
500+193.16 грн
1000+185.04 грн
2500+179.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb
IXTA120P065T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+632.32 грн
50+334.18 грн
100+307.68 грн
500+245.25 грн
1000+236.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N100X Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFB70N100X-Datasheet.PDF?assetguid=94C5CCCD-2715-4D69-A428-53AF01206B6C
IXFB70N100X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N250-T/R PdfFile357005.pdf
IXGT25N250-T/R
Виробник: IXYS
Description: IGBT NPT 2500V 60A TO-268HV
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+2235.75 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N250-T/R PdfFile357005.pdf
IXGT25N250-T/R
Виробник: IXYS
Description: IGBT NPT 2500V 60A TO-268HV
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3359.22 грн
10+2635.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA30P1600HR media?resourcetype=datasheets&itemid=733120e1-b91a-45fb-8507-858f4287130f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DMA30P1600HR-Datasheet
DMA30P1600HR
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 1600V 30A ISO247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTXYA50N65C5Datasheet.pdf
IXYA50N65C5
Виробник: IXYS
Description: IGBT TRENCH FS 650V 110A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK110N07 92802.pdf
IXFK110N07
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 70V 110A TO264AA
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1283.25 грн
25+918.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1 littelfuse-discrete-igbts-ixxh80n65b4d1-datasheet?assetguid=279c11a8-2935-4966-866a-fc76b6081c30
IXXH80N65B4D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 180A TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+710.59 грн
30+430.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N150 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-6n150-datasheet?assetguid=cb2b205b-634c-47df-8b0c-0bbd42d60262
IXTH6N150
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 6A TO247
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1061.62 грн
30+626.17 грн
120+539.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR140N30P IXFR140N30P.pdf
IXFR140N30P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P description DS99571FIXFN140N30P.pdf
IXFN140N30P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DHG55I3300FE media?resourcetype=datasheets&itemid=f4778fd3-9be4-4357-a6ee-3f2091f2a007&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DHG55I3300FE-Datasheet
DHG55I3300FE
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 3.3KV 50A ISOPLUS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2 DS100216BTATPTQTH460P2.pdf
IXTQ460P2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+591.25 грн
30+331.42 грн
120+279.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GUO40-12NO1 Littelfuse_Power_Semiconductors_GUO40_12NO1_Datasheet.pdf
GUO40-12NO1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 40 Amps 1200V
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FBE22-06N1 media-3319454.pdf
FBE22-06N1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers RECTIFIER BRIDGE ISOPLUS i4-PAC
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO190-08NO7 media-3323304.pdf
VUO190-08NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 190 Amps 800V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-16NOXT media-3319306.pdf
VUB72-16NOXT
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO160-08NO7 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO160_08NO7_Datasheet.pdf
VUO160-08NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 160 Amps 800V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-12NO1 Littelfuse-Power-Semiconductors-GBO25-12NO1-Datasheet.pdf
GBO25-12NO1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 25 Amps 1600V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO190-12NO7 media-3322463.pdf
VUO190-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 190 Amps 1200V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUE75-06NO7 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUE75_06NO7_Datasheet.pdf
VUE75-06NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 75 Amps 600V
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VBE100-06NO7 l546-1547503.pdf
VBE100-06NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 100 Amps 600V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 125 150 175 200 225 250 257  [ Наступна Сторінка >> ]