| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTY18P10T | IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO252Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
на замовлення 2581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP32P05T | IXYS |
Description: MOSFET P-CH 50V 32A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V |
на замовлення 2866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LPBC31 | IXYS |
Description: CONN TERM BLK COVER CLEAR 1POSPackaging: Box Color: Clear For Use With/Related Products: POWR-BLOKS® LD and LS Series Number of Positions: 1 Type: Cover |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LPBC32 | IXYS |
Description: CONN TERM BLK COVER CLEAR 2POSPackaging: Box Color: Clear For Use With/Related Products: POWR-BLOKS® LD and LS Series Number of Positions: 2 Type: Cover |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| LPBC41 | IXYS |
Description: CONN TERM BLK COVER CLEAR 1POSPackaging: Box Color: Clear For Use With/Related Products: POWR-BLOKS® LD and LS Series Number of Positions: 1 Type: Cover |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
LPBC02 | IXYS |
Description: CONN TERM BLK COVER CLEAR 2POSPackaging: Box Color: Clear For Use With/Related Products: POWR-BLOKS® LD and LS Series Number of Positions: 2 Type: Cover |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXD0579MTR | IXYS |
Description: HALF-BRIDGE DRIVER 100V 1A TDFN-Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 6.5V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V Supplier Device Package: 10-TDFN (3x3) Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXD0579MTR | IXYS |
Description: HALF-BRIDGE DRIVER 100V 1A TDFN-Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 6.5V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V Supplier Device Package: 10-TDFN (3x3) Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A |
на замовлення 26945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA80N10T | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXKH35N60C5 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247ADPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXTP28P065T | IXYS |
Description: MOSFET P-CH 65V 28A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXTY14N60X2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO252Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V |
на замовлення 1923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFA14N60P-TRL | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXFX520N075T2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V |
на замовлення 914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTK60N50L2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 60A TO264Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXFN64N50P | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 61A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTQ88N30P | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFH270N06T3 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 60V 270A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXCP10M45S | IXYS |
Description: IC CURRENT REGULATOR TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Function: Current Regulator Voltage - Input: 450V Current - Output: 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: TO-220-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXTA6N50D2-TRL | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTA6N50D2-TRL | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP08N100D2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA3N50D2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V |
на замовлення 1346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP6N100D2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V |
на замовлення 522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTH6N100D2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V |
на замовлення 1067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBK64N250 | IXYS |
Description: IGBT 2500V 75A TO-264AAPackaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A Supplier Device Package: TO-264AA Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V Power - Max: 735 W |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTY90N055T2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO252Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V |
на замовлення 1569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFH90N65X3 | IXYS |
Description: MOSFET 90A 650V X3 TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 (IXFH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 25 V |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA80N075L2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AAPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GUO40-12NO1 | IXYS |
Bridge Rectifiers 40 Amps 1200V |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FBE22-06N1 | IXYS |
Bridge Rectifiers RECTIFIER BRIDGE ISOPLUS i4-PAC |
на замовлення 513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
VUO190-08NO7 | IXYS |
Bridge Rectifiers 190 Amps 800V |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VUB72-16NOXT | IXYS |
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VUO160-08NO7 | IXYS |
Bridge Rectifiers 160 Amps 800V |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GBO25-12NO1 | IXYS |
Bridge Rectifiers 25 Amps 1600V |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VUO190-12NO7 | IXYS |
Bridge Rectifiers 190 Amps 1200V |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VUE75-06NO7 | IXYS |
Bridge Rectifiers 75 Amps 600V |
на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VBE100-06NO7 | IXYS |
Bridge Rectifiers 100 Amps 600V |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
VUO86-16NO7 | IXYS |
Bridge Rectifiers 3 PHS REC BRDG 1600V, 86A |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FUO50-16N | IXYS |
Bridge Rectifiers 50 Amps 1600V |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VBE60-06A | IXYS |
Bridge Rectifiers 60 Amps 600V |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VUO35-12NO7 | IXYS |
Bridge Rectifiers 35 Amps 1200V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
VUO121-16NO1 | IXYS |
Bridge Rectifiers 121 Amps 1600V |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VUO34-18NO1 | IXYS |
Bridge Rectifiers 34 Amps 1800V |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VUB72-12NOXT | IXYS |
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VUO110-16NO7 | IXYS |
Bridge Rectifiers 110 Amps 1600V |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FBS16-06SC | IXYS |
Bridge Rectifiers 16 Amps 600V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
VUE130-12NO7 | IXYS |
Bridge Rectifiers 130 Amps 1200V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
VBO125-12NO7 | IXYS |
Bridge Rectifiers 125 Amps 1200V |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
VUM33-06PH | IXYS |
Bridge Rectifiers Power MOSFET Stage for Boost Converters |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VUO28-12NO7 | IXYS |
Bridge Rectifiers 28 Amps 1200V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MCMA120UJ1800ED | IXYS |
SCR Modules Thyristor Module |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VBO20-12NO2 | IXYS |
Bridge Rectifiers 20 Amps 1200V |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
VUO105-12NO7 | IXYS |
Bridge Rectifiers 105 Amps 1200V |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
VBO22-16NO8 | IXYS |
Bridge Rectifiers 22 Amps 1600V |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
VBO105-16NO7 | IXYS |
Bridge Rectifiers 105 Amps 1600V |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MCMA260PD1600YB | IXYS |
SCR Modules Thyristor/Diode Module |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VUO120-12NO2T | IXYS |
Bridge Rectifiers 3 Phase Rectifier Bridge w/ NTC |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
VUO55-16NO7 | IXYS |
Bridge Rectifiers 55 Amps 1600V |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VBO13-12AO2 | IXYS |
Bridge Rectifiers 13 Amps 1200V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTY18P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 364.48 грн |
| 70+ | 173.62 грн |
| 140+ | 158.63 грн |
| 560+ | 127.08 грн |
| 1050+ | 120.00 грн |
| IXTP32P05T |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 50V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 50V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 255.48 грн |
| 50+ | 123.62 грн |
| 100+ | 111.76 грн |
| 500+ | 85.40 грн |
| 1000+ | 79.15 грн |
| 2000+ | 74.22 грн |
| LPBC31 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: CONN TERM BLK COVER CLEAR 1POS
Packaging: Box
Color: Clear
For Use With/Related Products: POWR-BLOKS® LD and LS Series
Number of Positions: 1
Type: Cover
Description: CONN TERM BLK COVER CLEAR 1POS
Packaging: Box
Color: Clear
For Use With/Related Products: POWR-BLOKS® LD and LS Series
Number of Positions: 1
Type: Cover
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| LPBC32 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: CONN TERM BLK COVER CLEAR 2POS
Packaging: Box
Color: Clear
For Use With/Related Products: POWR-BLOKS® LD and LS Series
Number of Positions: 2
Type: Cover
Description: CONN TERM BLK COVER CLEAR 2POS
Packaging: Box
Color: Clear
For Use With/Related Products: POWR-BLOKS® LD and LS Series
Number of Positions: 2
Type: Cover
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| LPBC41 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: CONN TERM BLK COVER CLEAR 1POS
Packaging: Box
Color: Clear
For Use With/Related Products: POWR-BLOKS® LD and LS Series
Number of Positions: 1
Type: Cover
Description: CONN TERM BLK COVER CLEAR 1POS
Packaging: Box
Color: Clear
For Use With/Related Products: POWR-BLOKS® LD and LS Series
Number of Positions: 1
Type: Cover
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| LPBC02 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: CONN TERM BLK COVER CLEAR 2POS
Packaging: Box
Color: Clear
For Use With/Related Products: POWR-BLOKS® LD and LS Series
Number of Positions: 2
Type: Cover
Description: CONN TERM BLK COVER CLEAR 2POS
Packaging: Box
Color: Clear
For Use With/Related Products: POWR-BLOKS® LD and LS Series
Number of Positions: 2
Type: Cover
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXD0579MTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: HALF-BRIDGE DRIVER 100V 1A TDFN-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 6.5V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Supplier Device Package: 10-TDFN (3x3)
Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 15ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A
Description: HALF-BRIDGE DRIVER 100V 1A TDFN-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 6.5V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Supplier Device Package: 10-TDFN (3x3)
Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 15ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 30.10 грн |
| 6000+ | 28.29 грн |
| 9000+ | 27.95 грн |
| 15000+ | 25.86 грн |
| 21000+ | 25.65 грн |
| IXD0579MTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: HALF-BRIDGE DRIVER 100V 1A TDFN-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 6.5V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Supplier Device Package: 10-TDFN (3x3)
Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 15ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A
Description: HALF-BRIDGE DRIVER 100V 1A TDFN-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 6.5V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Supplier Device Package: 10-TDFN (3x3)
Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 15ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A
на замовлення 26945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 64.72 грн |
| 10+ | 44.53 грн |
| 25+ | 40.15 грн |
| 100+ | 33.12 грн |
| 250+ | 30.93 грн |
| 500+ | 29.62 грн |
| 1000+ | 28.07 грн |
| IXTA80N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 353.41 грн |
| 50+ | 175.80 грн |
| 100+ | 159.94 грн |
| 500+ | 124.04 грн |
| 1000+ | 115.67 грн |
| IXKH35N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTP28P065T |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 65V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 65V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTY14N60X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 431.76 грн |
| 70+ | 209.95 грн |
| 140+ | 192.52 грн |
| 560+ | 155.37 грн |
| 1050+ | 151.85 грн |
| IXFA14N60P-TRL |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFX520N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1222.04 грн |
| 30+ | 728.76 грн |
| 120+ | 634.27 грн |
| IXTK60N50L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 60A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 60A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFN64N50P | ![]() |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2161.36 грн |
| 10+ | 1526.70 грн |
| 100+ | 1309.93 грн |
| IXTQ88N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 975.08 грн |
| 30+ | 570.16 грн |
| 120+ | 489.29 грн |
| IXFH270N06T3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 60V 270A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 270A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IXCP10M45S |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 450V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220-3
Description: IC CURRENT REGULATOR TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 450V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTA6N50D2-TRL |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 351.64 грн |
| IXTA6N50D2-TRL |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 753.66 грн |
| 10+ | 500.89 грн |
| 100+ | 414.47 грн |
| IXTP08N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.85 грн |
| 50+ | 129.08 грн |
| 100+ | 116.83 грн |
| 500+ | 89.51 грн |
| IXTA3N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 430.91 грн |
| 50+ | 219.27 грн |
| 100+ | 200.34 грн |
| 500+ | 156.90 грн |
| 1000+ | 151.60 грн |
| IXTP6N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 743.45 грн |
| 50+ | 398.38 грн |
| 100+ | 367.83 грн |
| 500+ | 311.94 грн |
| IXTH6N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 842.23 грн |
| 30+ | 486.21 грн |
| 120+ | 414.96 грн |
| 510+ | 367.34 грн |
| IXBK64N250 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 75A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: TO-264AA
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Power - Max: 735 W
Description: IGBT 2500V 75A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: TO-264AA
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Power - Max: 735 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6565.83 грн |
| IXTY90N055T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 229.08 грн |
| 70+ | 104.63 грн |
| 140+ | 94.77 грн |
| 560+ | 74.61 грн |
| 1050+ | 69.58 грн |
| IXFH90N65X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 90A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 25 V
Description: MOSFET 90A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 25 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1330.20 грн |
| 30+ | 799.20 грн |
| 120+ | 707.28 грн |
| IXTA80N075L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1092.60 грн |
| 50+ | 608.57 грн |
| 100+ | 565.95 грн |
| 500+ | 515.05 грн |
| GUO40-12NO1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 40 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 40 Amps 1200V
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1424.54 грн |
| 10+ | 1240.32 грн |
| FBE22-06N1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers RECTIFIER BRIDGE ISOPLUS i4-PAC
Bridge Rectifiers RECTIFIER BRIDGE ISOPLUS i4-PAC
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1204.11 грн |
| 10+ | 1167.89 грн |
| 25+ | 824.26 грн |
| VUO190-08NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 190 Amps 800V
Bridge Rectifiers 190 Amps 800V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6402.62 грн |
| 10+ | 5927.29 грн |
| 25+ | 5008.52 грн |
| 50+ | 4969.95 грн |
| 100+ | 4786.52 грн |
| VUB72-16NOXT |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4371.89 грн |
| 10+ | 3878.49 грн |
| 24+ | 3108.09 грн |
| 48+ | 3034.08 грн |
| 120+ | 2694.78 грн |
| VUO160-08NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 160 Amps 800V
Bridge Rectifiers 160 Amps 800V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4670.40 грн |
| 10+ | 4099.40 грн |
| GBO25-12NO1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 25 Amps 1600V
Bridge Rectifiers 25 Amps 1600V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1110.42 грн |
| 10+ | 735.14 грн |
| 25+ | 615.63 грн |
| 112+ | 539.27 грн |
| VUO190-12NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 190 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 190 Amps 1200V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6721.33 грн |
| 10+ | 6339.22 грн |
| 25+ | 5368.30 грн |
| 50+ | 5185.65 грн |
| 100+ | 4711.73 грн |
| 250+ | 4692.83 грн |
| VUE75-06NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 75 Amps 600V
Bridge Rectifiers 75 Amps 600V
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1680.79 грн |
| 10+ | 1097.28 грн |
| 100+ | 937.62 грн |
| VBE100-06NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 100 Amps 600V
Bridge Rectifiers 100 Amps 600V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| VUO86-16NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 3 PHS REC BRDG 1600V, 86A
Bridge Rectifiers 3 PHS REC BRDG 1600V, 86A
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1717.53 грн |
| 10+ | 1557.19 грн |
| 25+ | 954.15 грн |
| 100+ | 892.75 грн |
| FUO50-16N |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 50 Amps 1600V
Bridge Rectifiers 50 Amps 1600V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1888.36 грн |
| 10+ | 1815.22 грн |
| 25+ | 1119.48 грн |
| 100+ | 1108.46 грн |
| VBE60-06A |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 60 Amps 600V
Bridge Rectifiers 60 Amps 600V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2590.07 грн |
| 10+ | 1986.33 грн |
| VUO35-12NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 35 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 35 Amps 1200V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| VUO121-16NO1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 121 Amps 1600V
Bridge Rectifiers 121 Amps 1600V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6195.97 грн |
| 12+ | 4659.81 грн |
| VUO34-18NO1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 34 Amps 1800V
Bridge Rectifiers 34 Amps 1800V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2778.36 грн |
| 10+ | 1977.27 грн |
| VUB72-12NOXT |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3909.91 грн |
| 10+ | 3596.03 грн |
| 24+ | 2813.65 грн |
| 48+ | 2760.91 грн |
| VUO110-16NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 110 Amps 1600V
Bridge Rectifiers 110 Amps 1600V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FBS16-06SC |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 16 Amps 600V
Bridge Rectifiers 16 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| VUE130-12NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 130 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 130 Amps 1200V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3551.70 грн |
| 10+ | 3041.05 грн |
| 100+ | 2387.75 грн |
| VBO125-12NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 125 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 125 Amps 1200V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| VUM33-06PH |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Power MOSFET Stage for Boost Converters
Bridge Rectifiers Power MOSFET Stage for Boost Converters
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5666.93 грн |
| 10+ | 4315.78 грн |
| 20+ | 3745.76 грн |
| VUO28-12NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 28 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 28 Amps 1200V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1520.06 грн |
| 10+ | 946.99 грн |
| 100+ | 781.75 грн |
| MCMA120UJ1800ED |
![]() |
Виробник: IXYS
SCR Modules Thyristor Module
SCR Modules Thyristor Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7433.14 грн |
| 12+ | 5893.79 грн |
| VBO20-12NO2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 20 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 20 Amps 1200V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| VUO105-12NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 105 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 105 Amps 1200V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| VBO22-16NO8 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 22 Amps 1600V
Bridge Rectifiers 22 Amps 1600V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1228.91 грн |
| 10+ | 703.45 грн |
| 100+ | 610.91 грн |
| VBO105-16NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 105 Amps 1600V
Bridge Rectifiers 105 Amps 1600V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MCMA260PD1600YB |
![]() |
Виробник: IXYS
SCR Modules Thyristor/Diode Module
SCR Modules Thyristor/Diode Module
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7462.53 грн |
| 12+ | 7147.69 грн |
| VUO120-12NO2T |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 3 Phase Rectifier Bridge w/ NTC
Bridge Rectifiers 3 Phase Rectifier Bridge w/ NTC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| VUO55-16NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 55 Amps 1600V
Bridge Rectifiers 55 Amps 1600V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3861.23 грн |
| 10+ | 3550.76 грн |
| 30+ | 3023.06 грн |
| 100+ | 2884.51 грн |
| VBO13-12AO2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 13 Amps 1200V
Bridge Rectifiers 13 Amps 1200V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.



































