Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (14783) > Сторінка 107 з 247

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 24 48 72 96 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 120 144 168 192 216 240 247  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTU4N70X2 IXTU4N70X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2 IXTA4N70X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3 IXTA90N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixta90n20x3_datasheet.pdf?assetguid=0d436688-a336-4e6b-a404-a707c9c33210 Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3-TRL IXFA90N20X3-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfa90n20x3-datasheet?assetguid=931087c8-e197-4323-a05d-f63953bc30e1 Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100F IXFH12N100F IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfh12n100-datasheet?assetguid=cefb7be4-73a0-469a-adea-87ac18070cb1 Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+896.24 грн
30+523.78 грн
120+449.48 грн
510+408.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT180N20X3HV IXFT180N20X3HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-180n20x3-datasheet?assetguid=e776435a-0ad7-472c-a5ba-3ce355c07926 Description: MOSFET N-CH 200V 180A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1251.59 грн
30+753.20 грн
120+669.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT80N20L IXTT80N20L IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n20l-datasheet?assetguid=336ee21c-0426-4737-a5c8-6c7350c8a845 Description: MOSFET N-CH 200V 80A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1444.99 грн
30+881.32 грн
120+805.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N20L IXTH80N20L IXYS DS100294IXTHTT80N20L.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1073.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG40N65L2K IXSG40N65L2K IXYS power-semiconductor-sic-mosfet-ixsg40n65l2k-datasheet?assetguid=15bde63b-8e75-40b2-8290-b484f25a2b34 Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG40N65L2K IXSG40N65L2K IXYS power-semiconductor-sic-mosfet-ixsg40n65l2k-datasheet?assetguid=15bde63b-8e75-40b2-8290-b484f25a2b34 Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.17 грн
10+350.06 грн
100+255.61 грн
500+232.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T IXTX120P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e Description: MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2065.29 грн
30+1296.74 грн
120+1257.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS DS100312BIXFKFX64N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1307.41 грн
25+800.18 грн
100+691.41 грн
500+605.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N17T2 IXFK220N17T2 IXYS DS100230IXFKFX220N17T2.pdf Description: MOSFET N-CH 170V 220A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31000 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1056.62 грн
25+639.47 грн
100+549.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT240N15X4HV IXTT240N15X4HV IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=F07A4921-4C00-4F9E-865D-595F4766A796&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXT-240N15X4-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 240A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1631.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N15T2 IXFK240N15T2 IXYS DS100191IXFKFX240N15T2.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 240A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH240N15X4 IXTH240N15X4 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-240n15x4-datasheet?assetguid=f07a4921-4c00-4f9e-865d-595f4766a796 Description: MOSFET N-CH 150V 240A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH240N15X3 IXFH240N15X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_240n15x3_datasheet.pdf?assetguid=db0daa8a-a090-4544-9e9a-0eaae950088b Description: MOSFET N-CH 150V 240A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T IXTP140P05T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21 Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.49 грн
50+315.51 грн
100+295.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10T IXTT140P10T IXYS DS100371BIXTHT140P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1490.59 грн
30+904.18 грн
120+788.02 грн
510+716.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=BC29D92E-B5D3-4AE1-A0E8-773B9B8B799F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK200N10P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1220.93 грн
25+743.58 грн
100+640.90 грн
500+555.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10L2 IXTK200N10L2 IXYS DS100239IXTKTX200N10L2.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170P10P IXTK170P10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170p10p-datasheet?assetguid=68622d8b-7303-4f51-80e6-161b6a15098f Description: MOSFET P-CH 100V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1637.61 грн
25+1021.39 грн
100+889.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX100N65X2 IXFX100N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-100n65x2-datasheet?assetguid=bd7dffc9-72d4-4ee4-8bc2-7b72f9da7072 Description: MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1415.90 грн
30+855.07 грн
120+743.84 грн
510+671.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT94N30P3 IXFT94N30P3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-94n30p3-datasheet?assetguid=1c2cbca8-18e8-479e-a630-47553c9a3855 Description: MOSFET N-CH 300V 94A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N65L2-7TR IXSA40N65L2-7TR IXYS power-semiconductor-sic-mosfet-ixsa40n65l2-7tr-datasheet?assetguid=14bc6aa8-1f68-4e9b-bc8f-1b3f568b17e4 Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+217.37 грн
1600+205.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N65L2-7TR IXSA40N65L2-7TR IXYS power-semiconductor-sic-mosfet-ixsa40n65l2-7tr-datasheet?assetguid=14bc6aa8-1f68-4e9b-bc8f-1b3f568b17e4 Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.25 грн
10+354.53 грн
100+259.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10P60 IXTT10P60 IXYS DS98849EIXTHT10P60.pdf Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1036.18 грн
30+609.23 грн
120+523.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25T-TRL IXTA50N25T-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n25t-datasheet?assetguid=d7f19b2b-0219-4b0c-a29d-b093518ee586 Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV IXTA08N100D2HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta08n100d2hv-datasheet?assetguid=23b14127-6bd0-4c59-8a5b-b6c34e880015 Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.37 грн
50+195.34 грн
100+178.11 грн
500+138.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2-TRL IXTY08N100D2-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2 IXTA6N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-6n100-datasheet?assetguid=c49ba42b-7a18-44bb-be04-da2e6496f67b Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+755.52 грн
50+405.59 грн
100+374.58 грн
500+300.60 грн
1000+297.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX400N15X3 IXFX400N15X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_400n15x3_datasheet.pdf?assetguid=c6e53bef-e462-4a4c-ba1f-c0550f6db46e Description: MOSFET N-CH 150V 400A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 365 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25P IXTK100N25P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=A81F4223-C5D3-44C0-A60C-AE41A30745EF&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-100N25P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1037.75 грн
25+624.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100L IXTH12N100L IXYS DS99126BIXTH12N100L.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1682.42 грн
30+1032.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T IXTP18P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682 Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 4689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.65 грн
50+120.15 грн
100+108.64 грн
500+83.02 грн
1000+76.93 грн
2000+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GUO40-12NO1 GUO40-12NO1 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_GUO40_12NO1_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 40 Amps 1200V
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1455.30 грн
10+1101.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBE22-06N1 FBE22-06N1 IXYS media-3319454.pdf Bridge Rectifiers RECTIFIER BRIDGE ISOPLUS i4-PAC
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1068.85 грн
10+1036.70 грн
25+731.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO190-08NO7 VUO190-08NO7 IXYS media-3323304.pdf Bridge Rectifiers 190 Amps 800V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5683.42 грн
10+5261.48 грн
25+4445.92 грн
50+4411.67 грн
100+4248.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-16NOXT VUB72-16NOXT IXYS media-3319306.pdf Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3880.80 грн
10+3442.82 грн
24+2758.96 грн
48+2693.27 грн
120+2392.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO160-08NO7 VUO160-08NO7 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO160_08NO7_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 160 Amps 800V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4145.77 грн
10+3638.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-12NO1 GBO25-12NO1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-GBO25-12NO1-Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 25 Amps 1600V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+851.98 грн
10+597.91 грн
112+491.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO190-12NO7 VUO190-12NO7 IXYS media-3322463.pdf Bridge Rectifiers 190 Amps 1200V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5966.32 грн
10+5627.14 грн
25+4765.28 грн
50+4603.15 грн
100+4182.46 грн
250+4165.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUE75-06NO7 VUE75-06NO7 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUE75_06NO7_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 75 Amps 600V
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1491.99 грн
10+957.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBE100-06NO7 VBE100-06NO7 IXYS l546-1547503.pdf Bridge Rectifiers 100 Amps 600V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO86-16NO7 VUO86-16NO7 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO86_16NO7_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 3 PHS REC BRDG 1600V, 86A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FUO50-16N FUO50-16N IXYS media-3323401.pdf Bridge Rectifiers 50 Amps 1600V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1676.24 грн
10+1611.31 грн
25+993.73 грн
100+983.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBE60-06A VBE60-06A IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VBE60_06A_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 60 Amps 600V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2299.13 грн
10+1763.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO35-12NO7 VUO35-12NO7 IXYS VUO35_12NO7-1549508.pdf Bridge Rectifiers 35 Amps 1200V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO121-16NO1 VUO121-16NO1 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO121_16NO1_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 121 Amps 1600V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5599.44 грн
12+4872.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO34-18NO1 VUO34-18NO1 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO34_18NO1_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 34 Amps 1800V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2480.12 грн
10+2107.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-12NOXT VUB72-12NOXT IXYS media-3319958.pdf Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3470.71 грн
10+3192.09 грн
24+2497.60 грн
48+2450.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO110-16NO7 VUO110-16NO7 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO110_16NO7_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 110 Amps 1600V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3791.93 грн
10+3492.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS16-06SC FBS16-06SC IXYS FBS16-06SC.pdf Bridge Rectifiers 16 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUE130-12NO7 VUE130-12NO7 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUE130_12NO7_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 130 Amps 1200V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2898.37 грн
10+2576.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO125-12NO7 VBO125-12NO7 IXYS VBO125_08NO7-1548071.pdf Bridge Rectifiers 125 Amps 1200V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUM33-06PH VUM33-06PH IXYS media-3320410.pdf Bridge Rectifiers Power MOSFET Stage for Boost Converters
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5030.36 грн
10+3830.99 грн
20+3325.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO28-12NO7 VUO28-12NO7 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO28_12NO7_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 28 Amps 1200V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1349.31 грн
10+840.61 грн
100+693.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA120UJ1800ED MCMA120UJ1800ED IXYS media-3323050.pdf SCR Modules Thyristor Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6598.18 грн
12+5231.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO20-12NO2 VBO20-12NO2 IXYS VBO20-1548119.pdf Bridge Rectifiers 20 Amps 1200V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO105-12NO7 VUO105-12NO7 IXYS VUO105-12NO7-1549580.pdf Bridge Rectifiers 105 Amps 1200V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2 ixty2n65x2.pdf
IXTU4N70X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2 ixty2n65x2.pdf
IXTA4N70X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixta90n20x3_datasheet.pdf?assetguid=0d436688-a336-4e6b-a404-a707c9c33210
IXTA90N20X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixfa90n20x3-datasheet?assetguid=931087c8-e197-4323-a05d-f63953bc30e1
IXFA90N20X3-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100F littelfuse-discrete-mosfets-ixfh12n100-datasheet?assetguid=cefb7be4-73a0-469a-adea-87ac18070cb1
IXFH12N100F
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+896.24 грн
30+523.78 грн
120+449.48 грн
510+408.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT180N20X3HV littelfuse-discrete-mosfets-ixf-180n20x3-datasheet?assetguid=e776435a-0ad7-472c-a5ba-3ce355c07926
IXFT180N20X3HV
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 180A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1251.59 грн
30+753.20 грн
120+669.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT80N20L littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n20l-datasheet?assetguid=336ee21c-0426-4737-a5c8-6c7350c8a845
IXTT80N20L
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 80A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1444.99 грн
30+881.32 грн
120+805.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N20L DS100294IXTHTT80N20L.pdf
IXTH80N20L
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1073.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG40N65L2K power-semiconductor-sic-mosfet-ixsg40n65l2k-datasheet?assetguid=15bde63b-8e75-40b2-8290-b484f25a2b34
IXSG40N65L2K
Виробник: IXYS
Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG40N65L2K power-semiconductor-sic-mosfet-ixsg40n65l2k-datasheet?assetguid=15bde63b-8e75-40b2-8290-b484f25a2b34
IXSG40N65L2K
Виробник: IXYS
Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+536.17 грн
10+350.06 грн
100+255.61 грн
500+232.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e
IXTX120P20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2065.29 грн
30+1296.74 грн
120+1257.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 DS100312BIXFKFX64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1307.41 грн
25+800.18 грн
100+691.41 грн
500+605.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N17T2 DS100230IXFKFX220N17T2.pdf
IXFK220N17T2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 170V 220A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31000 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1056.62 грн
25+639.47 грн
100+549.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT240N15X4HV media?resourcetype=datasheets&itemid=F07A4921-4C00-4F9E-865D-595F4766A796&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXT-240N15X4-Datasheet.PDF
IXTT240N15X4HV
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 240A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1631.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N15T2 DS100191IXFKFX240N15T2.pdf
IXFK240N15T2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 240A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH240N15X4 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-240n15x4-datasheet?assetguid=f07a4921-4c00-4f9e-865d-595f4766a796
IXTH240N15X4
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 240A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH240N15X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_240n15x3_datasheet.pdf?assetguid=db0daa8a-a090-4544-9e9a-0eaae950088b
IXFH240N15X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 240A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21
IXTP140P05T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+597.49 грн
50+315.51 грн
100+295.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10T DS100371BIXTHT140P10T.pdf
IXTT140P10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1490.59 грн
30+904.18 грн
120+788.02 грн
510+716.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P media?resourcetype=datasheets&itemid=BC29D92E-B5D3-4AE1-A0E8-773B9B8B799F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK200N10P-Datasheet.PDF
IXTK200N10P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1220.93 грн
25+743.58 грн
100+640.90 грн
500+555.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10L2 DS100239IXTKTX200N10L2.pdf
IXTK200N10L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170P10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170p10p-datasheet?assetguid=68622d8b-7303-4f51-80e6-161b6a15098f
IXTK170P10P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1637.61 грн
25+1021.39 грн
100+889.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX100N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-100n65x2-datasheet?assetguid=bd7dffc9-72d4-4ee4-8bc2-7b72f9da7072
IXFX100N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1415.90 грн
30+855.07 грн
120+743.84 грн
510+671.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT94N30P3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-94n30p3-datasheet?assetguid=1c2cbca8-18e8-479e-a630-47553c9a3855
IXFT94N30P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 94A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N65L2-7TR power-semiconductor-sic-mosfet-ixsa40n65l2-7tr-datasheet?assetguid=14bc6aa8-1f68-4e9b-bc8f-1b3f568b17e4
IXSA40N65L2-7TR
Виробник: IXYS
Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+217.37 грн
1600+205.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N65L2-7TR power-semiconductor-sic-mosfet-ixsa40n65l2-7tr-datasheet?assetguid=14bc6aa8-1f68-4e9b-bc8f-1b3f568b17e4
IXSA40N65L2-7TR
Виробник: IXYS
Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+543.25 грн
10+354.53 грн
100+259.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10P60 DS98849EIXTHT10P60.pdf
IXTT10P60
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1036.18 грн
30+609.23 грн
120+523.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25T-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n25t-datasheet?assetguid=d7f19b2b-0219-4b0c-a29d-b093518ee586
IXTA50N25T-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV littelfuse-discrete-mosfets-ixta08n100d2hv-datasheet?assetguid=23b14127-6bd0-4c59-8a5b-b6c34e880015
IXTA08N100D2HV
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.37 грн
50+195.34 грн
100+178.11 грн
500+138.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc
IXTY08N100D2-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-6n100-datasheet?assetguid=c49ba42b-7a18-44bb-be04-da2e6496f67b
IXTA6N100D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+755.52 грн
50+405.59 грн
100+374.58 грн
500+300.60 грн
1000+297.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX400N15X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_400n15x3_datasheet.pdf?assetguid=c6e53bef-e462-4a4c-ba1f-c0550f6db46e
IXFX400N15X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 400A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 365 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25P media?resourcetype=datasheets&itemid=A81F4223-C5D3-44C0-A60C-AE41A30745EF&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-100N25P-Datasheet.PDF
IXTK100N25P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1037.75 грн
25+624.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100L DS99126BIXTH12N100L.pdf
IXTH12N100L
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1682.42 грн
30+1032.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682
IXTP18P10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 4689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.65 грн
50+120.15 грн
100+108.64 грн
500+83.02 грн
1000+76.93 грн
2000+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GUO40-12NO1 Littelfuse_Power_Semiconductors_GUO40_12NO1_Datasheet.pdf
GUO40-12NO1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 40 Amps 1200V
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1455.30 грн
10+1101.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBE22-06N1 media-3319454.pdf
FBE22-06N1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers RECTIFIER BRIDGE ISOPLUS i4-PAC
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1068.85 грн
10+1036.70 грн
25+731.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO190-08NO7 media-3323304.pdf
VUO190-08NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 190 Amps 800V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5683.42 грн
10+5261.48 грн
25+4445.92 грн
50+4411.67 грн
100+4248.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-16NOXT media-3319306.pdf
VUB72-16NOXT
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3880.80 грн
10+3442.82 грн
24+2758.96 грн
48+2693.27 грн
120+2392.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO160-08NO7 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO160_08NO7_Datasheet.pdf
VUO160-08NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 160 Amps 800V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4145.77 грн
10+3638.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-12NO1 Littelfuse-Power-Semiconductors-GBO25-12NO1-Datasheet.pdf
GBO25-12NO1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 25 Amps 1600V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+851.98 грн
10+597.91 грн
112+491.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO190-12NO7 media-3322463.pdf
VUO190-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 190 Amps 1200V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5966.32 грн
10+5627.14 грн
25+4765.28 грн
50+4603.15 грн
100+4182.46 грн
250+4165.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUE75-06NO7 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUE75_06NO7_Datasheet.pdf
VUE75-06NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 75 Amps 600V
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1491.99 грн
10+957.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBE100-06NO7 l546-1547503.pdf
VBE100-06NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 100 Amps 600V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO86-16NO7 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO86_16NO7_Datasheet.pdf
VUO86-16NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 3 PHS REC BRDG 1600V, 86A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FUO50-16N media-3323401.pdf
FUO50-16N
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 50 Amps 1600V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1676.24 грн
10+1611.31 грн
25+993.73 грн
100+983.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBE60-06A Littelfuse_Power_Semiconductors_VBE60_06A_Datasheet.pdf
VBE60-06A
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 60 Amps 600V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2299.13 грн
10+1763.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO35-12NO7 VUO35_12NO7-1549508.pdf
VUO35-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 35 Amps 1200V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO121-16NO1 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO121_16NO1_Datasheet.pdf
VUO121-16NO1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 121 Amps 1600V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5599.44 грн
12+4872.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO34-18NO1 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO34_18NO1_Datasheet.pdf
VUO34-18NO1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 34 Amps 1800V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2480.12 грн
10+2107.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-12NOXT media-3319958.pdf
VUB72-12NOXT
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3470.71 грн
10+3192.09 грн
24+2497.60 грн
48+2450.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO110-16NO7 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO110_16NO7_Datasheet.pdf
VUO110-16NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 110 Amps 1600V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3791.93 грн
10+3492.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS16-06SC FBS16-06SC.pdf
FBS16-06SC
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 16 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUE130-12NO7 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUE130_12NO7_Datasheet.pdf
VUE130-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 130 Amps 1200V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2898.37 грн
10+2576.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO125-12NO7 VBO125_08NO7-1548071.pdf
VBO125-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 125 Amps 1200V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUM33-06PH media-3320410.pdf
VUM33-06PH
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Power MOSFET Stage for Boost Converters
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5030.36 грн
10+3830.99 грн
20+3325.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO28-12NO7 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO28_12NO7_Datasheet.pdf
VUO28-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 28 Amps 1200V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1349.31 грн
10+840.61 грн
100+693.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA120UJ1800ED media-3323050.pdf
MCMA120UJ1800ED
Виробник: IXYS
SCR Modules Thyristor Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6598.18 грн
12+5231.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO20-12NO2 VBO20-1548119.pdf
VBO20-12NO2
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 20 Amps 1200V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO105-12NO7 VUO105-12NO7-1549580.pdf
VUO105-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 105 Amps 1200V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 24 48 72 96 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 120 144 168 192 216 240 247  [ Наступна Сторінка >> ]