Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15705) > Сторінка 106 з 262

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 130 156 182 208 234 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFT80N65X2HV IXFT80N65X2HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixft80n65x2hv-datasheet?assetguid=98a9675c-3288-46ca-8a25-6362ea5fb6bd Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1227.87 грн
30+732.24 грн
120+637.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT80N65X2HV-TRL IXFT80N65X2HV-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixft80n65x2hv-datasheet?assetguid=98a9675c-3288-46ca-8a25-6362ea5fb6bd Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX210N30X3 IXFX210N30X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-210n30x3-datasheet?assetguid=99fbb122-dbc7-44b2-8327-31e7978761a8 Description: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2384.73 грн
30+1507.62 грн
120+1480.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10T IXTN210P10T IXYS DS100408AIXTN210P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3552.71 грн
10+2583.64 грн
100+2428.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N30P IXTQ36N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0 Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.92 грн
30+250.57 грн
120+208.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB Description: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2072.41 грн
10+1459.58 грн
100+1240.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N65X2M IXFP18N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp18n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=1472e3a2-00ef-43b9-be11-5dfc49693d88 Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N65X2 IXFA18N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-18n65x2-datasheet?assetguid=caf1a2be-4d45-4d83-bc47-d506e7353176 Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N65X2 IXFH18N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-18n65x2-datasheet?assetguid=caf1a2be-4d45-4d83-bc47-d506e7353176 Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH60N20L2 IXTH60N20L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-60n20-datasheet?assetguid=963578f0-6c06-4c5b-abb1-606983fd5867 Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1465.75 грн
30+887.94 грн
120+799.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T IXTQ60N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n20t_datasheet.pdf?assetguid=a2bc6b7d-dab8-4007-9c70-5b1fc95634b1 Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20T-TRL IXTA60N20T-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-60n20t-datasheet?assetguid=a2bc6b7d-dab8-4007-9c70-5b1fc95634b1 Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2 IXTH110N10L2 IXYS PdfFile135152.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1465.75 грн
30+887.94 грн
120+799.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfh110n10p-datasheet?assetguid=eea29d76-c01c-4f16-9d4c-b0769d445f2f Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10L2-TRL IXTT110N10L2-TRL IXYS PdfFile135152.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268 (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10L2-TRL IXTT110N10L2-TRL IXYS PdfFile135152.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268 (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80P IXFB60N80P IXYS 99560.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80P IXFK32N80P IXYS 99425.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1272.37 грн
25+777.53 грн
100+671.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P-TRL IXFA10N80P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-10n80p-datasheet?assetguid=a565a5d2-4577-4a3a-8c98-1b06bc0768c1 Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCNA220PD2200YB MCNA220PD2200YB IXYS littelfuse-power-semiconductors-mcna220pd2200yb-datasheet?assetguid=bed999c7-e39c-47e6-b233-4a7c0647b7f8 Description: SCR MODULE 2.2KV 345A Y4-M6
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 7200A, 7780A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 220 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 345 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCNA40PD2200TB MCNA40PD2200TB IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=AA91350D-9182-4A62-AB0E-51F3B9201283&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MCNA40PD2200TB-Datasheet Description: SCR MODULE 2.2KV 63A TO-240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 100 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 70 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 500A, 540A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 40 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.4 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 63 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCNA55PD2200TB MCNA55PD2200TB IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=170F279D-DA7D-4C1E-BA38-C51A726043BB&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MCNA55PD2200TB-Datasheet Description: SCR MODULE 2.2KV 86A TO-240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 95 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1000A, 1080A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 55 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 86 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCNA75PD2200TB MCNA75PD2200TB IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=8959BE89-6337-4D3B-9F1A-3F2023F2125E&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MCNA75PD2200TB-Datasheet Description: SCR MODULE 2.2KV 118A TO-240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 95 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1400A, 1510A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 75 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.4 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 118 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCNA95PD2200TB MCNA95PD2200TB IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=FBECFD23-7EC3-4098-8B34-555EACFFB215&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MCNA95PD2200TB-Datasheet Description: SCR MODULE 2.2KV 149A TO-240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1700A, 1840A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 95 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 149 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+2648.32 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
MCNA650PD2200CB MCNA650PD2200CB IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=CBDA49D5-9FD9-49E5-A455-70AC7F88D31C&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MCNA650PD2200CB-Datasheet Description: SCR MODULE 2.2KV 1200A COMPACK
Packaging: Box
Package / Case: ComPack
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16000A, 17300A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 650 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1200 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH70N60C5 IXKH70N60C5 IXYS IXKH70N60C5.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10T-TRL IXTA80N10T-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtp80n10t-datasheet?assetguid=97c849e2-6910-43ce-9bda-8b33b853f553 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T7-TRL IXTA180N10T7-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta180n10t7-datasheet?assetguid=63142f38-9ba5-4484-ab78-644b1c6ee8aa Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2-TRL IXFA180N10T2-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-180n10t2-datasheet?assetguid=fe756911-5a6e-4383-b388-3883df0a0b48 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GUO40-12NO1 GUO40-12NO1 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_GUO40_12NO1_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 40 Amps 1200V
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1431.34 грн
10+1246.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBE22-06N1 FBE22-06N1 IXYS media-3319454.pdf Bridge Rectifiers RECTIFIER BRIDGE ISOPLUS i4-PAC
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1209.85 грн
10+1173.47 грн
25+828.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO190-08NO7 VUO190-08NO7 IXYS media-3323304.pdf Bridge Rectifiers 190 Amps 800V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6433.17 грн
10+5955.57 грн
25+5032.42 грн
50+4993.66 грн
100+4809.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-16NOXT VUB72-16NOXT IXYS media-3319306.pdf Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4392.75 грн
10+3897.00 грн
24+3122.91 грн
48+3048.56 грн
120+2707.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO160-08NO7 VUO160-08NO7 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO160_08NO7_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 160 Amps 800V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4692.68 грн
10+4118.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-12NO1 GBO25-12NO1 IXYS media-3320854.pdf Bridge Rectifiers 25 Amps 1600V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1115.72 грн
10+738.65 грн
25+618.57 грн
112+541.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO190-12NO7 VUO190-12NO7 IXYS media-3322463.pdf Bridge Rectifiers 190 Amps 1200V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6753.39 грн
10+6369.46 грн
25+5393.91 грн
50+5210.39 грн
100+4734.21 грн
250+4715.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUE75-06NO7 VUE75-06NO7 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUE75_06NO7_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 75 Amps 600V
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1688.81 грн
10+1102.51 грн
100+942.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBE100-06NO7 VBE100-06NO7 IXYS l546-1547503.pdf Bridge Rectifiers 100 Amps 600V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO86-16NO7 VUO86-16NO7 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO86_16NO7_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 3 PHS REC BRDG 1600V, 86A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FUO50-16N FUO50-16N IXYS media-3323401.pdf Bridge Rectifiers 50 Amps 1600V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1897.37 грн
10+1823.88 грн
25+1124.82 грн
100+1113.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBE60-06A VBE60-06A IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VBE60_06A_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 60 Amps 600V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2602.43 грн
10+1995.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO35-12NO7 VUO35-12NO7 IXYS VUO35_12NO7-1549508.pdf Bridge Rectifiers 35 Amps 1200V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO121-16NO1 VUO121-16NO1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO121-16NO1-Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 121 Amps 1600V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6225.53 грн
12+4682.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO34-18NO1 VUO34-18NO1 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO34_18NO1_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 34 Amps 1800V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2791.61 грн
10+1986.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-12NOXT VUB72-12NOXT IXYS media-3319958.pdf Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3928.56 грн
10+3613.18 грн
24+2827.08 грн
48+2774.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO110-16NO7 VUO110-16NO7 IXYS VUO110-16NO7-1549614.pdf Bridge Rectifiers 110 Amps 1600V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FBS16-06SC FBS16-06SC IXYS FBS16-06SC.pdf Bridge Rectifiers 16 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUE130-12NO7 VUE130-12NO7 IXYS media-3319668.pdf Bridge Rectifiers 130 Amps 1200V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3568.65 грн
10+3055.56 грн
100+2399.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO125-12NO7 VBO125-12NO7 IXYS VBO125_08NO7-1548071.pdf Bridge Rectifiers 125 Amps 1200V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUM33-06PH VUM33-06PH IXYS media-3320410.pdf Bridge Rectifiers Power MOSFET Stage for Boost Converters
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5693.97 грн
10+4336.37 грн
20+3763.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO28-12NO7 VUO28-12NO7 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO28_12NO7_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 28 Amps 1200V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1527.31 грн
10+951.51 грн
100+785.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA120UJ1800ED MCMA120UJ1800ED IXYS media-3323050.pdf SCR Modules Thyristor Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7468.60 грн
12+5921.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO20-12NO2 VBO20-12NO2 IXYS VBO20-1548119.pdf Bridge Rectifiers 20 Amps 1200V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO105-12NO7 VUO105-12NO7 IXYS VUO105-12NO7-1549580.pdf Bridge Rectifiers 105 Amps 1200V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VBO22-16NO8 VBO22-16NO8 IXYS VBO22-16NO8.pdf Bridge Rectifiers 22 Amps 1600V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1234.77 грн
10+706.81 грн
100+613.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO105-16NO7 VBO105-16NO7 IXYS VBO105-08NO7-1548186.pdf Bridge Rectifiers 105 Amps 1600V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA260PD1600YB MCMA260PD1600YB IXYS media-3323065.pdf SCR Modules Thyristor/Diode Module
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7498.13 грн
12+7181.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO120-12NO2T VUO120-12NO2T IXYS VUO120-12NO2T-1549499.pdf Bridge Rectifiers 3 Phase Rectifier Bridge w/ NTC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO55-16NO7 VUO55-16NO7 IXYS VUO55_16NO7-1549631.pdf Bridge Rectifiers 55 Amps 1600V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3879.65 грн
10+3567.70 грн
30+3037.49 грн
100+2898.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO13-12AO2 VBO13-12AO2 IXYS VBO13-1548073.pdf Bridge Rectifiers 13 Amps 1200V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT80N65X2HV littelfuse-discrete-mosfets-ixft80n65x2hv-datasheet?assetguid=98a9675c-3288-46ca-8a25-6362ea5fb6bd
IXFT80N65X2HV
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1227.87 грн
30+732.24 грн
120+637.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT80N65X2HV-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixft80n65x2hv-datasheet?assetguid=98a9675c-3288-46ca-8a25-6362ea5fb6bd
IXFT80N65X2HV-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX210N30X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-210n30x3-datasheet?assetguid=99fbb122-dbc7-44b2-8327-31e7978761a8
IXFX210N30X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2384.73 грн
30+1507.62 грн
120+1480.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10T DS100408AIXTN210P10T.pdf
IXTN210P10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3552.71 грн
10+2583.64 грн
100+2428.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0
IXTQ36N30P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.92 грн
30+250.57 грн
120+208.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB
IXFN360N10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2072.41 грн
10+1459.58 грн
100+1240.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp18n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=1472e3a2-00ef-43b9-be11-5dfc49693d88
IXFP18N65X2M
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-18n65x2-datasheet?assetguid=caf1a2be-4d45-4d83-bc47-d506e7353176
IXFA18N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-18n65x2-datasheet?assetguid=caf1a2be-4d45-4d83-bc47-d506e7353176
IXFH18N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH60N20L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-60n20-datasheet?assetguid=963578f0-6c06-4c5b-abb1-606983fd5867
IXTH60N20L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1465.75 грн
30+887.94 грн
120+799.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n20t_datasheet.pdf?assetguid=a2bc6b7d-dab8-4007-9c70-5b1fc95634b1
IXTQ60N20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20T-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-60n20t-datasheet?assetguid=a2bc6b7d-dab8-4007-9c70-5b1fc95634b1
IXTA60N20T-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2 PdfFile135152.pdf
IXTH110N10L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1465.75 грн
30+887.94 грн
120+799.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixfh110n10p-datasheet?assetguid=eea29d76-c01c-4f16-9d4c-b0769d445f2f
IXFH110N10P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10L2-TRL PdfFile135152.pdf
IXTT110N10L2-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268 (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10L2-TRL PdfFile135152.pdf
IXTT110N10L2-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268 (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80P 99560.pdf
IXFB60N80P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80P 99425.pdf
IXFK32N80P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1272.37 грн
25+777.53 грн
100+671.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixf-10n80p-datasheet?assetguid=a565a5d2-4577-4a3a-8c98-1b06bc0768c1
IXFA10N80P-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCNA220PD2200YB littelfuse-power-semiconductors-mcna220pd2200yb-datasheet?assetguid=bed999c7-e39c-47e6-b233-4a7c0647b7f8
MCNA220PD2200YB
Виробник: IXYS
Description: SCR MODULE 2.2KV 345A Y4-M6
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 7200A, 7780A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 220 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 345 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCNA40PD2200TB media?resourcetype=datasheets&itemid=AA91350D-9182-4A62-AB0E-51F3B9201283&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MCNA40PD2200TB-Datasheet
MCNA40PD2200TB
Виробник: IXYS
Description: SCR MODULE 2.2KV 63A TO-240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 100 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 70 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 500A, 540A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 40 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.4 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 63 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCNA55PD2200TB media?resourcetype=datasheets&itemid=170F279D-DA7D-4C1E-BA38-C51A726043BB&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MCNA55PD2200TB-Datasheet
MCNA55PD2200TB
Виробник: IXYS
Description: SCR MODULE 2.2KV 86A TO-240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 95 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1000A, 1080A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 55 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 86 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCNA75PD2200TB media?resourcetype=datasheets&itemid=8959BE89-6337-4D3B-9F1A-3F2023F2125E&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MCNA75PD2200TB-Datasheet
MCNA75PD2200TB
Виробник: IXYS
Description: SCR MODULE 2.2KV 118A TO-240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 95 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1400A, 1510A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 75 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.4 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 118 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCNA95PD2200TB media?resourcetype=datasheets&itemid=FBECFD23-7EC3-4098-8B34-555EACFFB215&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MCNA95PD2200TB-Datasheet
MCNA95PD2200TB
Виробник: IXYS
Description: SCR MODULE 2.2KV 149A TO-240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1700A, 1840A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 95 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 149 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+2648.32 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
MCNA650PD2200CB media?resourcetype=datasheets&itemid=CBDA49D5-9FD9-49E5-A455-70AC7F88D31C&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MCNA650PD2200CB-Datasheet
MCNA650PD2200CB
Виробник: IXYS
Description: SCR MODULE 2.2KV 1200A COMPACK
Packaging: Box
Package / Case: ComPack
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16000A, 17300A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 650 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1200 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH70N60C5 IXKH70N60C5.pdf
IXKH70N60C5
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10T-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixtp80n10t-datasheet?assetguid=97c849e2-6910-43ce-9bda-8b33b853f553
IXTA80N10T-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T7-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixta180n10t7-datasheet?assetguid=63142f38-9ba5-4484-ab78-644b1c6ee8aa
IXTA180N10T7-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixf-180n10t2-datasheet?assetguid=fe756911-5a6e-4383-b388-3883df0a0b48
IXFA180N10T2-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GUO40-12NO1 Littelfuse_Power_Semiconductors_GUO40_12NO1_Datasheet.pdf
GUO40-12NO1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 40 Amps 1200V
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1431.34 грн
10+1246.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBE22-06N1 media-3319454.pdf
FBE22-06N1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers RECTIFIER BRIDGE ISOPLUS i4-PAC
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1209.85 грн
10+1173.47 грн
25+828.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO190-08NO7 media-3323304.pdf
VUO190-08NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 190 Amps 800V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6433.17 грн
10+5955.57 грн
25+5032.42 грн
50+4993.66 грн
100+4809.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-16NOXT media-3319306.pdf
VUB72-16NOXT
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4392.75 грн
10+3897.00 грн
24+3122.91 грн
48+3048.56 грн
120+2707.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO160-08NO7 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO160_08NO7_Datasheet.pdf
VUO160-08NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 160 Amps 800V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4692.68 грн
10+4118.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-12NO1 media-3320854.pdf
GBO25-12NO1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 25 Amps 1600V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1115.72 грн
10+738.65 грн
25+618.57 грн
112+541.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO190-12NO7 media-3322463.pdf
VUO190-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 190 Amps 1200V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6753.39 грн
10+6369.46 грн
25+5393.91 грн
50+5210.39 грн
100+4734.21 грн
250+4715.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUE75-06NO7 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUE75_06NO7_Datasheet.pdf
VUE75-06NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 75 Amps 600V
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1688.81 грн
10+1102.51 грн
100+942.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBE100-06NO7 l546-1547503.pdf
VBE100-06NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 100 Amps 600V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO86-16NO7 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO86_16NO7_Datasheet.pdf
VUO86-16NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 3 PHS REC BRDG 1600V, 86A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FUO50-16N media-3323401.pdf
FUO50-16N
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 50 Amps 1600V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1897.37 грн
10+1823.88 грн
25+1124.82 грн
100+1113.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBE60-06A Littelfuse_Power_Semiconductors_VBE60_06A_Datasheet.pdf
VBE60-06A
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 60 Amps 600V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2602.43 грн
10+1995.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO35-12NO7 VUO35_12NO7-1549508.pdf
VUO35-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 35 Amps 1200V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO121-16NO1 Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO121-16NO1-Datasheet.pdf
VUO121-16NO1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 121 Amps 1600V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6225.53 грн
12+4682.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO34-18NO1 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO34_18NO1_Datasheet.pdf
VUO34-18NO1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 34 Amps 1800V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2791.61 грн
10+1986.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-12NOXT media-3319958.pdf
VUB72-12NOXT
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3928.56 грн
10+3613.18 грн
24+2827.08 грн
48+2774.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO110-16NO7 VUO110-16NO7-1549614.pdf
VUO110-16NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 110 Amps 1600V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FBS16-06SC FBS16-06SC.pdf
FBS16-06SC
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 16 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUE130-12NO7 media-3319668.pdf
VUE130-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 130 Amps 1200V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3568.65 грн
10+3055.56 грн
100+2399.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO125-12NO7 VBO125_08NO7-1548071.pdf
VBO125-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 125 Amps 1200V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUM33-06PH media-3320410.pdf
VUM33-06PH
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Power MOSFET Stage for Boost Converters
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5693.97 грн
10+4336.37 грн
20+3763.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO28-12NO7 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO28_12NO7_Datasheet.pdf
VUO28-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 28 Amps 1200V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1527.31 грн
10+951.51 грн
100+785.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA120UJ1800ED media-3323050.pdf
MCMA120UJ1800ED
Виробник: IXYS
SCR Modules Thyristor Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7468.60 грн
12+5921.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO20-12NO2 VBO20-1548119.pdf
VBO20-12NO2
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 20 Amps 1200V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO105-12NO7 VUO105-12NO7-1549580.pdf
VUO105-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 105 Amps 1200V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VBO22-16NO8 VBO22-16NO8.pdf
VBO22-16NO8
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 22 Amps 1600V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1234.77 грн
10+706.81 грн
100+613.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO105-16NO7 VBO105-08NO7-1548186.pdf
VBO105-16NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 105 Amps 1600V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA260PD1600YB media-3323065.pdf
MCMA260PD1600YB
Виробник: IXYS
SCR Modules Thyristor/Diode Module
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7498.13 грн
12+7181.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO120-12NO2T VUO120-12NO2T-1549499.pdf
VUO120-12NO2T
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 3 Phase Rectifier Bridge w/ NTC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO55-16NO7 VUO55_16NO7-1549631.pdf
VUO55-16NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 55 Amps 1600V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3879.65 грн
10+3567.70 грн
30+3037.49 грн
100+2898.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO13-12AO2 VBO13-1548073.pdf
VBO13-12AO2
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 13 Amps 1200V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 130 156 182 208 234 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]