Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15964) > Сторінка 243 з 267

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 260 267  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH110N25T IXTH110N25T IXYS IXTH110N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+804.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2 IXFA110N15T2 IXYS IXFA(P)110N15T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns
Case: TO263
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 85ns
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 480W
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+474.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P IXYS IXFH110N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+577.06 грн
5+431.72 грн
10+352.15 грн
20+332.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30PB DSB60C30PB IXYS DSB60C30PB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.49V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.49V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 530A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.95 грн
5+94.81 грн
10+83.80 грн
50+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C60PB DSB60C60PB IXYS DSB60C60PB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.69V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.69V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward impulse current: 490A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30HB DSB60C30HB IXYS DSB60C30HB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 30Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.47V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.47V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 570A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C45HB DSB60C45HB IXYS DSB60C45HB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 30Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.58V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 0.58V
Max. forward impulse current: 570A
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C45PB DSB60C45PB IXYS DSB60C45PB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 490A
Power dissipation: 145W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYP8N90C3D1 IXYS IXYA(P)8N90C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector current: 8A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 48A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 39ns
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+288.07 грн
3+240.41 грн
10+212.47 грн
50+191.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3 IXYP8N90C3 IXYS IXYP(y)8N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector current: 8A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 48A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 39ns
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-56R IXBOD2-56R IXYS _Katalog LF_IXYS_WESTCODE_2021.pdf Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; 2nd Gen; 5.6kV; bulk
Mounting: THT
Type of thyristor: BOD x4
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
Breakover voltage: 5.6kV
Technology: 2nd Gen
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3 IXFH120N25X3 IXYS IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+918.01 грн
30+733.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P IXFH120N20P IXYS IXFH(K)120N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+907.07 грн
5+701.76 грн
10+622.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15P IXFH120N15P IXYS IXF_120N15P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+784.91 грн
5+618.80 грн
10+539.23 грн
20+463.04 грн
30+436.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI120-12A DSEI120-12A IXYS dsei120-12a.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 109A; Ifsm: 540A; TO247-2; tube; 357W
Power dissipation: 357W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 540A
Max. forward voltage: 1.55V
Technology: FRED
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 109A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 40ns
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1008.26 грн
5+827.89 грн
30+740.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI120-12AZ-TUB DSEI120-12AZ-TUB IXYS DSEI120-12AZ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 109A; 40ns; TO268AA; Ufmax: 1.55V
Power dissipation: 357W
Case: TO268AA
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 540A
Max. forward voltage: 1.55V
Technology: FRED
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 109A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 40ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+984.56 грн
3+839.74 грн
10+744.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12A DSEI12-12A IXYS DSEI12-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 11A; tube; Ifsm: 75A; TO220AC; 78W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 11A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 78W
Technology: FRED
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+209.67 грн
5+173.53 грн
10+159.99 грн
25+141.37 грн
50+129.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12AZ-TRL IXYS Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 12A; 50ns; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 2.6V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK; TO263AB
Max. forward voltage: 2.6V
Max. forward impulse current: 75A
Technology: FRED
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12AZ-TUB IXYS DSEI12-12AZ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 11A; 50ns; TO263ABHV; Ufmax: 2.2V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 11A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO263ABHV
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 78W
Technology: FRED
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2 IXTA100N04T2 IXYS IXTA(P)100N04T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 34ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXA30RG1200DHGLB IXA30RG1200DHGLB IXYS IXA30RG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 147W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Pulsed collector current: 75A
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Topology: boost chopper
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+476.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB IXYS IXA20PG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 23A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+773.06 грн
3+629.80 грн
10+595.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200HB CLA30E1200HB IXYS CLA30E1200HB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 28mA; TO247AD; THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Case: TO247AD
Gate current: 28mA
Max. load current: 47A
Kind of package: tube
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+314.90 грн
10+255.65 грн
16+241.26 грн
30+224.33 грн
120+193.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCG10P1200HR DCG10P1200HR IXYS DCG10P1200HR.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 12.5A; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12.5A
Semiconductor structure: double series
Case: ISO247™
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 750A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3048.48 грн
3+2539.53 грн
10+2370.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCG17P1200HR DCG17P1200HR IXYS DCG17P1200HR.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 18A; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: double series
Case: ISO247™
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 1kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+7508.17 грн
3+6382.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50P IXFN100N50P IXYS 99497.pdf description Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 75A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 240nC
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3145.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1973Y CPC1973Y IXYS CPC1973.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 0.35mA; max.400VAC
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 5ms
Switched voltage: max. 400V AC
Case: SIP4
Max. operating current: 0.35mA
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 5Ω
Type of relay: solid state
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+695.57 грн
10+567.16 грн
25+515.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1302G CPC1302G IXYS CPC1302.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: Darlington; Uinsul: 3.75kV; Uce: 350V
Kind of output: Darlington
Case: DIP8
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Number of channels: 2
Collector-emitter voltage: 350V
CTR@If: 1000-8000%@1mA
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.80 грн
50+123.59 грн
100+111.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100PD1200NA CLA100PD1200NA IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA100PD1200NA-Datasheet?assetguid=3c99ebf3-0787-4f96-8215-5f6801302969 Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 100A; SOT227B; Ufmax: 1.21V; screw
Max. forward impulse current: 1.5kA
Gate current: 40/80mA
Max. forward voltage: 1.21V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 100A
Max. load current: 150A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.83V
Case: SOT227B
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2586.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 IXYS ixgn200n60b3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; PT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X61-02A DSEI2X61-02A IXYS DSEI2x61-02A.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 71Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 71A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 0.95kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 142A
Kind of package: tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2053.90 грн
10+1747.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC120-12AK DSEC120-12AK IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC120-12AK-Datasheet?assetguid=6d7c4a83-944f-41eb-8b81-8f646ced8d79 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60Ax2; Ifsm: 500A; TO264; tube; 330W
Reverse recovery time: 40ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 0.5kA
Max. forward voltage: 2.66V
Power dissipation: 330W
Technology: HiPerFRED™
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO264
Type of diode: rectifying
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1118.57 грн
3+974.33 грн
10+914.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3 IXYS IXFH26N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80MT1200NHB CLA80MT1200NHB IXYS CLA80MT1200NHB.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 40A; Igt: 70/90mA; TO247-3; tube; Ifsm: 440A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Gate current: 70/90mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Typ of triac: standard
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NHB CLA60MT1200NHB IXYS CLA60MT1200NHB.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 30A; Igt: 60/80mA; TO247-3; tube; Ifsm: 325A
Max. forward impulse current: 325A
Gate current: 60/80mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Typ of triac: standard
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NHR CLA60MT1200NHR IXYS CLA60MT1200NHR.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 30A; Igt: 60/80mA; ISO247™; tube; Ifsm: 325A
Max. forward impulse current: 325A
Gate current: 60/80mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Case: ISO247™
Typ of triac: standard
Mounting: THT
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+886.10 грн
3+725.46 грн
10+651.81 грн
30+627.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T IXFH230N10T IXYS IXFH230N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+670.05 грн
10+514.68 грн
30+419.02 грн
120+414.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 IXYS IXFH(T)320N10T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 98ns
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1096.69 грн
5+850.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCB40P1200LB-TRR IXYS MCB40P1200LB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 55A
Case: SMPD-B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCB40P1200LB-TUB IXYS MCB40P1200LB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 55A
Case: SMPD-B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP8-12A DSEP8-12A IXYS DSEP8-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 40A; TO220AC; 60W; 40ns
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
Max. forward voltage: 1.96V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 40A
Power dissipation: 60W
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+198.73 грн
10+162.53 грн
50+110.89 грн
100+90.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426MTR IX4426MTR IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...30V
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: inverting
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Number of channels: 2
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.69 грн
10+58.58 грн
25+52.74 грн
50+49.86 грн
100+48.08 грн
250+47.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426NTR IX4426NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-ix4426-27-28-datasheet?assetguid=56368590-6fa3-453c-9630-e9feee6f9250 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...35V
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: inverting
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Number of channels: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426NE IXYS Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 4.5÷30V
Impulse rise time: 10ns
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...30V
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: MOSFET
Pulse fall time: 8ns
Case: SOIC8
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426NETR IXYS Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 4.5÷30V
Impulse rise time: 10ns
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...30V
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: MOSFET
Pulse fall time: 8ns
Case: SOIC8
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170A IXBN42N170A IXYS IXBN42N170A.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Power dissipation: 313W
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3084.95 грн
3+2575.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1G320N60B3 IXYS MMIX1G320N60B3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 180A; 1kW; SMPD
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Mounting: SMD
Case: SMPD
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Gate charge: 585nC
Turn-off time: 595ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 1kA
Power dissipation: 1kW
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
OMA160 OMA160 IXYS OMA160.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 50mA; max.250VAC
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP6
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Turn-on time: 125µs
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Max. operating current: 50mA
Turn-off time: 125µs
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 100Ω
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+607.14 грн
10+462.20 грн
25+402.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1560G CPC1560G IXYS CPC1560.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 300mA; max.60VAC
Mounting: THT
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 0.1ms
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Max. operating current: 300mA
Turn-off time: 400µs
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 5.6Ω
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+608.06 грн
10+495.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06B DSEP30-06B IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9922dd98-2752-4f64-b2f8-12debebce6e5&filename=littelfuse-power-semiconductors-dsep30-06b-datasheet Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; Ifsm: 250A; TO247-2; tube; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 250A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.51V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 25ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+335.48 грн
3+284.43 грн
10+253.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06A DSEP30-06A IXYS DSEP30-06A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; Ifsm: 250A; TO247-2; tube; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 250A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+485.90 грн
10+282.73 грн
30+268.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06BR DSEP30-06BR IXYS DSEP30-06BR.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; ISOPLUS247™
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 250A
Case: ISOPLUS247™
Max. forward voltage: 1.61V
Power dissipation: 135W
Reverse recovery time: 25ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+444.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1 IXYH40N90C3D1 IXYS IXYH40N90C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+840.52 грн
3+725.46 грн
5+688.21 грн
10+628.96 грн
30+538.38 грн
60+520.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3 IXYH40N90C3 IXYS IXYH40N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N90C3 IXYX140N90C3 IXYS IXYK(X)140N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1.63kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.63kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LCC110 LCC110 IXYS LCC110.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPDT
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 4ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: DIP8
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 4ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+565.21 грн
50+427.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCC110S LCC110S IXYS lcc110.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPDT
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 4ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: DIP8
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 4ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+925.30 грн
50+787.26 грн
100+672.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCC110P LCC110P IXYS LCC110.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 9.65x6.35x2.16mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPDT
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 4ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: DIP8
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 4ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LCC110PTR IXYS LCC110.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 9.65x6.35x2.16mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPDT
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 4ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: DIP8
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 4ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LCC110STR IXYS LCC110.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPDT
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 4ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: DIP8
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 4ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25T IXTH110N25T.pdf
IXTH110N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+804.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2 IXFA(P)110N15T2.pdf
IXFA110N15T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns
Case: TO263
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 85ns
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 480W
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+474.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P.pdf
IXFH110N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+577.06 грн
5+431.72 грн
10+352.15 грн
20+332.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30PB DSB60C30PB.pdf
DSB60C30PB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.49V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.49V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 530A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+113.95 грн
5+94.81 грн
10+83.80 грн
50+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C60PB DSB60C60PB.pdf
DSB60C60PB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.69V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.69V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward impulse current: 490A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30HB DSB60C30HB.pdf
DSB60C30HB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 30Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.47V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.47V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 570A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C45HB DSB60C45HB.pdf
DSB60C45HB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 30Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.58V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 0.58V
Max. forward impulse current: 570A
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C45PB DSB60C45PB.pdf
DSB60C45PB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 490A
Power dissipation: 145W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYA(P)8N90C3D1.pdf
IXYP8N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector current: 8A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 48A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 39ns
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+288.07 грн
3+240.41 грн
10+212.47 грн
50+191.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3 IXYP(y)8N90C3.pdf
IXYP8N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector current: 8A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 48A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 39ns
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-56R _Katalog LF_IXYS_WESTCODE_2021.pdf
IXBOD2-56R
Виробник: IXYS
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; 2nd Gen; 5.6kV; bulk
Mounting: THT
Type of thyristor: BOD x4
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
Breakover voltage: 5.6kV
Technology: 2nd Gen
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3 IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf
IXFH120N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+918.01 грн
30+733.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P IXFH(K)120N20P.pdf
IXFH120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+907.07 грн
5+701.76 грн
10+622.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15P IXF_120N15P.pdf
IXFH120N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+784.91 грн
5+618.80 грн
10+539.23 грн
20+463.04 грн
30+436.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI120-12A description dsei120-12a.pdf
DSEI120-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 109A; Ifsm: 540A; TO247-2; tube; 357W
Power dissipation: 357W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 540A
Max. forward voltage: 1.55V
Technology: FRED
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 109A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 40ns
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1008.26 грн
5+827.89 грн
30+740.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI120-12AZ-TUB DSEI120-12AZ.pdf
DSEI120-12AZ-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 109A; 40ns; TO268AA; Ufmax: 1.55V
Power dissipation: 357W
Case: TO268AA
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 540A
Max. forward voltage: 1.55V
Technology: FRED
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 109A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 40ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+984.56 грн
3+839.74 грн
10+744.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12A DSEI12-12A.pdf
DSEI12-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 11A; tube; Ifsm: 75A; TO220AC; 78W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 11A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 78W
Technology: FRED
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+209.67 грн
5+173.53 грн
10+159.99 грн
25+141.37 грн
50+129.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12AZ-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 12A; 50ns; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 2.6V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK; TO263AB
Max. forward voltage: 2.6V
Max. forward impulse current: 75A
Technology: FRED
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12AZ-TUB DSEI12-12AZ.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 11A; 50ns; TO263ABHV; Ufmax: 2.2V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 11A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO263ABHV
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 78W
Technology: FRED
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2 IXTA(P)100N04T2.pdf
IXTA100N04T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 34ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXA30RG1200DHGLB IXA30RG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf
IXA30RG1200DHGLB
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 147W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Pulsed collector current: 75A
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Topology: boost chopper
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+476.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf
IXA20PG1200DHGLB
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 23A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+773.06 грн
3+629.80 грн
10+595.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200HB CLA30E1200HB.pdf
CLA30E1200HB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 28mA; TO247AD; THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Case: TO247AD
Gate current: 28mA
Max. load current: 47A
Kind of package: tube
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+314.90 грн
10+255.65 грн
16+241.26 грн
30+224.33 грн
120+193.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCG10P1200HR DCG10P1200HR.pdf
DCG10P1200HR
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 12.5A; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12.5A
Semiconductor structure: double series
Case: ISO247™
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 750A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3048.48 грн
3+2539.53 грн
10+2370.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCG17P1200HR DCG17P1200HR.pdf
DCG17P1200HR
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 18A; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: double series
Case: ISO247™
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 1kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7508.17 грн
3+6382.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50P description 99497.pdf
IXFN100N50P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 75A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 240nC
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3145.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1973Y CPC1973.pdf
CPC1973Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 0.35mA; max.400VAC
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 5ms
Switched voltage: max. 400V AC
Case: SIP4
Max. operating current: 0.35mA
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 5Ω
Type of relay: solid state
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+695.57 грн
10+567.16 грн
25+515.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1302G CPC1302.pdf
CPC1302G
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: Darlington; Uinsul: 3.75kV; Uce: 350V
Kind of output: Darlington
Case: DIP8
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Number of channels: 2
Collector-emitter voltage: 350V
CTR@If: 1000-8000%@1mA
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+187.80 грн
50+123.59 грн
100+111.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100PD1200NA Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA100PD1200NA-Datasheet?assetguid=3c99ebf3-0787-4f96-8215-5f6801302969
CLA100PD1200NA
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 100A; SOT227B; Ufmax: 1.21V; screw
Max. forward impulse current: 1.5kA
Gate current: 40/80mA
Max. forward voltage: 1.21V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 100A
Max. load current: 150A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.83V
Case: SOT227B
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2586.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 ixgn200n60b3.pdf
IXGN200N60B3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; PT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X61-02A DSEI2x61-02A.pdf
DSEI2X61-02A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 71Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 71A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 0.95kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 142A
Kind of package: tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2053.90 грн
10+1747.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC120-12AK Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC120-12AK-Datasheet?assetguid=6d7c4a83-944f-41eb-8b81-8f646ced8d79
DSEC120-12AK
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60Ax2; Ifsm: 500A; TO264; tube; 330W
Reverse recovery time: 40ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 0.5kA
Max. forward voltage: 2.66V
Power dissipation: 330W
Technology: HiPerFRED™
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO264
Type of diode: rectifying
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1118.57 грн
3+974.33 грн
10+914.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3.pdf
IXFH26N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80MT1200NHB CLA80MT1200NHB.pdf
CLA80MT1200NHB
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 40A; Igt: 70/90mA; TO247-3; tube; Ifsm: 440A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Gate current: 70/90mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Typ of triac: standard
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NHB CLA60MT1200NHB.pdf
CLA60MT1200NHB
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 30A; Igt: 60/80mA; TO247-3; tube; Ifsm: 325A
Max. forward impulse current: 325A
Gate current: 60/80mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Typ of triac: standard
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NHR CLA60MT1200NHR.pdf
CLA60MT1200NHR
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 30A; Igt: 60/80mA; ISO247™; tube; Ifsm: 325A
Max. forward impulse current: 325A
Gate current: 60/80mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Case: ISO247™
Typ of triac: standard
Mounting: THT
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+886.10 грн
3+725.46 грн
10+651.81 грн
30+627.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T IXFH230N10T.pdf
IXFH230N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+670.05 грн
10+514.68 грн
30+419.02 грн
120+414.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH(T)320N10T2.pdf
IXFH320N10T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 98ns
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1096.69 грн
5+850.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCB40P1200LB-TRR MCB40P1200LB.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 55A
Case: SMPD-B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCB40P1200LB-TUB MCB40P1200LB.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 55A
Case: SMPD-B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP8-12A DSEP8-12A.pdf
DSEP8-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 40A; TO220AC; 60W; 40ns
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
Max. forward voltage: 1.96V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 40A
Power dissipation: 60W
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+198.73 грн
10+162.53 грн
50+110.89 грн
100+90.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426MTR IX4426-27-28.pdf
IX4426MTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...30V
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: inverting
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Number of channels: 2
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+85.69 грн
10+58.58 грн
25+52.74 грн
50+49.86 грн
100+48.08 грн
250+47.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426NTR littelfuse-integrated-circuits-ix4426-27-28-datasheet?assetguid=56368590-6fa3-453c-9630-e9feee6f9250
IX4426NTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...35V
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: inverting
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Number of channels: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426NE
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 4.5÷30V
Impulse rise time: 10ns
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...30V
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: MOSFET
Pulse fall time: 8ns
Case: SOIC8
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426NETR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 4.5÷30V
Impulse rise time: 10ns
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...30V
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: MOSFET
Pulse fall time: 8ns
Case: SOIC8
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170A IXBN42N170A.pdf
IXBN42N170A
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Power dissipation: 313W
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3084.95 грн
3+2575.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1G320N60B3 MMIX1G320N60B3.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 180A; 1kW; SMPD
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Mounting: SMD
Case: SMPD
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Gate charge: 585nC
Turn-off time: 595ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 1kA
Power dissipation: 1kW
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
OMA160 OMA160.pdf
OMA160
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 50mA; max.250VAC
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP6
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Turn-on time: 125µs
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Max. operating current: 50mA
Turn-off time: 125µs
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 100Ω
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+607.14 грн
10+462.20 грн
25+402.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1560G CPC1560.pdf
CPC1560G
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 300mA; max.60VAC
Mounting: THT
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 0.1ms
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Max. operating current: 300mA
Turn-off time: 400µs
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 5.6Ω
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+608.06 грн
10+495.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06B media?resourcetype=datasheets&itemid=9922dd98-2752-4f64-b2f8-12debebce6e5&filename=littelfuse-power-semiconductors-dsep30-06b-datasheet
DSEP30-06B
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; Ifsm: 250A; TO247-2; tube; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 250A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.51V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 25ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+335.48 грн
3+284.43 грн
10+253.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06A DSEP30-06A.pdf
DSEP30-06A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; Ifsm: 250A; TO247-2; tube; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 250A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+485.90 грн
10+282.73 грн
30+268.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06BR DSEP30-06BR.pdf
DSEP30-06BR
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; ISOPLUS247™
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 250A
Case: ISOPLUS247™
Max. forward voltage: 1.61V
Power dissipation: 135W
Reverse recovery time: 25ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+444.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1 IXYH40N90C3D1.pdf
IXYH40N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+840.52 грн
3+725.46 грн
5+688.21 грн
10+628.96 грн
30+538.38 грн
60+520.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3 IXYH40N90C3.pdf
IXYH40N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N90C3 IXYK(X)140N90C3.pdf
IXYX140N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1.63kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.63kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LCC110 LCC110.pdf
LCC110
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPDT
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 4ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: DIP8
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 4ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+565.21 грн
50+427.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCC110S lcc110.pdf
LCC110S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPDT
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 4ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: DIP8
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 4ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+925.30 грн
50+787.26 грн
100+672.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCC110P LCC110.pdf
LCC110P
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 9.65x6.35x2.16mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPDT
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 4ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: DIP8
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 4ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LCC110PTR LCC110.pdf
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 9.65x6.35x2.16mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPDT
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 4ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: DIP8
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 4ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LCC110STR LCC110.pdf
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPDT
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 4ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: DIP8
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 4ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 260 267  [ Наступна Сторінка >> ]