Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXGA24N120C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXGA30N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 331 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXGA42N30C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXGA48N60A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: tube Collector current: 48A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 54ns Turn-off time: 925ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXGF20N300 | IXYS |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXGF32N170 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGH10N170 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXGH10N170A | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3 Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 5A Pulsed collector current: 20A Turn-on time: 107ns Turn-off time: 240ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 140W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 29nC Technology: NPT Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXGH120N30B3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGH120N30C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGH12N120A3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGH16N170 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGH16N170A | IXYS | IXGH16N170A THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXGH20N120A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 180W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Collector current: 20A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 66ns Turn-off time: 1.53µs Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 102 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXGH24N120C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGH24N120C3H1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXGH24N170 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3 Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 24A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 105ns Turn-off time: 560ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 106nC Technology: NPT Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXGH24N170A | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGH25N160 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGH25N250 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGH28N60B3D1 | IXYS | IXGH28N60B3D1 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGH2N250 | IXYS |
![]() |
на замовлення 279 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXGH30N120B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXGH30N120C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 24A Pulsed collector current: 115A Turn-on time: 60ns Turn-off time: 415ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXGH32N120A3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXGH32N170 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3 Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 32A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 90ns Turn-off time: 920ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 350W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 155nC Technology: NPT Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXGH32N170A | IXYS | IXGH32N170A THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXGH36N60B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Turn-off time: 350ns Turn-on time: 45ns Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 36A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXGH36N60B3C1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Turn-off time: 350ns Turn-on time: 47ns Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 36A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXGH40N120A2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 360W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Turn-on time: 55ns Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Technology: PT Turn-off time: 2.3µs Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXGH40N120B2D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 138nC Kind of package: tube Turn-on time: 79ns Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Technology: GenX3™; PT Turn-off time: 770ns Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXGH40N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Turn-on time: 52ns Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Technology: GenX3™; PT Turn-off time: 475ns Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXGH40N120C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Turn-on time: 52ns Pulsed collector current: 180A Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Technology: GenX3™; PT Turn-off time: 475ns Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXGH48N60A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 48A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 925ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXGH48N60A3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 48A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 925ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXGH48N60B3C1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 48A Pulsed collector current: 280A Turn-on time: 48ns Turn-off time: 347ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXGH48N60B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 48A Pulsed collector current: 280A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 347ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 309 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXGH48N60C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Collector current: 48A Pulsed collector current: 250A Turn-on time: 45ns Turn-off time: 187ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 238 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXGH4N250C | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage Mounting: THT Power dissipation: 150W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 57nC Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 2.5kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 13A Pulsed collector current: 8A Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGH50N120C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGH50N90B2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 179 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXGH50N90B2D1 | IXYS |
![]() |
на замовлення 283 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXGH60N60C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 60A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXGH6N170 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGH6N170A | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXGH72N60A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-off time: 885ns Technology: GenX3™; XPT™ Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 72A Pulsed collector current: 400A Turn-on time: 61ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 252 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXGH72N60C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 72A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 360A Mounting: THT Gate charge: 174nC Kind of package: tube Turn-on time: 62ns Turn-off time: 244ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXGH90N60B3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGK100N170 | IXYS | IXGK100N170 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXGK120N120A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 830W Case: TO264 Mounting: THT Gate charge: 420nC Kind of package: tube Collector current: 120A Pulsed collector current: 600A Turn-on time: 105ns Turn-off time: 1365ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXGK120N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 830W Case: TO264 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Collector current: 120A Pulsed collector current: 370A Turn-on time: 122ns Turn-off time: 885ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXGK320N60B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 1.7kW Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 585nC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 320A Pulsed collector current: 1.2kA Turn-on time: 107ns Turn-off time: 595ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXGK400N30A3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGK50N120C3H1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXGK55N120A3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; TO264 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 460W Kind of package: tube Gate charge: 185nC Technology: GenX3™; PT Case: TO264 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 55A Pulsed collector current: 400A Turn-on time: 70ns Turn-off time: 1253ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXGK72N60B3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 72A Power dissipation: 540W Case: TO264 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 450A Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Turn-on time: 63ns Turn-off time: 370ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXGK75N250 | IXYS | IXGK75N250 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGK82N120A3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGK82N120B3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXGN100N170 | IXYS | IXGN100N170 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXGA24N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGA24N120C3 SMD IGBT transistors
IXGA24N120C3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGA30N120B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 896.45 грн |
2+ | 619.45 грн |
5+ | 564.21 грн |
IXGA42N30C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGA42N30C3 SMD IGBT transistors
IXGA42N30C3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGA48N60A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 414.41 грн |
3+ | 359.56 грн |
4+ | 287.04 грн |
11+ | 270.89 грн |
IXGF20N300 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGF20N300 THT IGBT transistors
IXGF20N300 THT IGBT transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3260.60 грн |
IXGF32N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGF32N170 THT IGBT transistors
IXGF32N170 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH10N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH10N170 THT IGBT transistors
IXGH10N170 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH10N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 29nC
Technology: NPT
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 29nC
Technology: NPT
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 743.82 грн |
3+ | 503.01 грн |
6+ | 457.47 грн |
30+ | 440.43 грн |
IXGH120N30B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH120N30B3 THT IGBT transistors
IXGH120N30B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH120N30C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH120N30C3 THT IGBT transistors
IXGH120N30C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH12N120A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH12N120A3 THT IGBT transistors
IXGH12N120A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH16N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH16N170 THT IGBT transistors
IXGH16N170 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH16N170A |
Виробник: IXYS
IXGH16N170A THT IGBT transistors
IXGH16N170A THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH20N120A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 761.21 грн |
3+ | 408.93 грн |
8+ | 372.26 грн |
120+ | 365.98 грн |
300+ | 357.90 грн |
IXGH24N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH24N120C3 THT IGBT transistors
IXGH24N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH24N120C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH24N120C3H1 THT IGBT transistors
IXGH24N120C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH24N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 560ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 106nC
Technology: NPT
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 560ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 106nC
Technology: NPT
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1326.32 грн |
3+ | 1209.09 грн |
30+ | 1141.88 грн |
IXGH24N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH24N170A THT IGBT transistors
IXGH24N170A THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH25N160 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH25N160 THT IGBT transistors
IXGH25N160 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH25N250 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH25N250 THT IGBT transistors
IXGH25N250 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH28N60B3D1 |
Виробник: IXYS
IXGH28N60B3D1 THT IGBT transistors
IXGH28N60B3D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH2N250 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH2N250 THT IGBT transistors
IXGH2N250 THT IGBT transistors
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1371.72 грн |
2+ | 960.69 грн |
4+ | 908.66 грн |
IXGH30N120B3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH30N120C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 415ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 415ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH32N120A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH32N120A3 THT IGBT transistors
IXGH32N120A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH32N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 32A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 920ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 350W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 155nC
Technology: NPT
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 32A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 920ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 350W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 155nC
Technology: NPT
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1589.07 грн |
2+ | 1448.48 грн |
IXGH32N170A |
Виробник: IXYS
IXGH32N170A THT IGBT transistors
IXGH32N170A THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH36N60B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 45ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 45ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 496.52 грн |
4+ | 315.78 грн |
10+ | 287.04 грн |
30+ | 277.17 грн |
120+ | 276.28 грн |
IXGH36N60B3C1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 47ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 47ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2636.21 грн |
IXGH40N120A2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: PT
Turn-off time: 2.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: PT
Turn-off time: 2.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH40N120B2D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; PT
Turn-off time: 770ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; PT
Turn-off time: 770ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH40N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; PT
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; PT
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH40N120C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; PT
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; PT
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH48N60A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH48N60A3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH48N60B3C1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1306.03 грн |
3+ | 1212.81 грн |
IXGH48N60B3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 625.00 грн |
3+ | 519.78 грн |
6+ | 472.72 грн |
25+ | 467.34 грн |
30+ | 460.16 грн |
90+ | 454.78 грн |
IXGH48N60C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 910.94 грн |
3+ | 542.13 грн |
6+ | 493.35 грн |
120+ | 490.66 грн |
IXGH4N250C |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 57nC
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 13A
Pulsed collector current: 8A
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 57nC
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 13A
Pulsed collector current: 8A
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH50N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH50N120C3 THT IGBT transistors
IXGH50N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH50N90B2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH50N90B2 THT IGBT transistors
IXGH50N90B2 THT IGBT transistors
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 772.80 грн |
3+ | 487.97 грн |
6+ | 461.06 грн |
IXGH50N90B2D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH50N90B2D1 THT IGBT transistors
IXGH50N90B2D1 THT IGBT transistors
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 959.24 грн |
2+ | 606.37 грн |
5+ | 573.18 грн |
IXGH60N60C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH6N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH6N170 THT IGBT transistors
IXGH6N170 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH6N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH6N170A THT IGBT transistors
IXGH6N170A THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH72N60A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 894.52 грн |
3+ | 532.82 грн |
6+ | 485.28 грн |
120+ | 481.69 грн |
IXGH72N60C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGH90N60B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGH90N60B3 THT IGBT transistors
IXGH90N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGK100N170 |
Виробник: IXYS
IXGK100N170 THT IGBT transistors
IXGK100N170 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGK120N120A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGK120N120B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 370A
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 370A
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGK320N60B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGK400N30A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGK400N30A3 THT IGBT transistors
IXGK400N30A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGK50N120C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGK50N120C3H1 THT IGBT transistors
IXGK50N120C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGK55N120A3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGK72N60B3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGK75N250 |
Виробник: IXYS
IXGK75N250 THT IGBT transistors
IXGK75N250 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGK82N120A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGK82N120A3 THT IGBT transistors
IXGK82N120A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGK82N120B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXGK82N120B3 THT IGBT transistors
IXGK82N120B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXGN100N170 |
Виробник: IXYS
IXGN100N170 IGBT modules
IXGN100N170 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.