Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16120) > Сторінка 243 з 269

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CPC1019NTR CPC1019NTR IXYS CPC1019N.pdf Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 750mA; max.60VDC; SMT; SOP4; OptoMOS; t(on): 3ms
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 750mA
Switched voltage: max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTQ200N10T IXYS IXTH(Q)200N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 76ns
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 550W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+616.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B IXGP20N120B IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4 IXXH80N65B4 IXYS IXXH80N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 625W
Gate charge: 0.12µC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 430A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 125ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+693.88 грн
10+437.54 грн
30+401.97 грн
60+378.81 грн
120+355.66 грн
150+348.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPF80C200HB DPF80C200HB IXYS DPF80C200HB.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 40Ax2; tube; Ifsm: 560A; TO247-3; 215W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 55ns
Max. forward voltage: 1.22V
Power dissipation: 215W
Load current: 40A x2
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 560A
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+462.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25T IXFH110N25T IXYS IXFH110N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+724.16 грн
10+554.16 грн
30+450.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 IXYS IXTA(P)110N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+232.48 грн
3+185.27 грн
5+164.59 грн
10+132.34 грн
15+115.79 грн
25+111.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2 IXFH110N15T2 IXYS IXFH110N15T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 85ns
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 480W
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+470.31 грн
3+392.05 грн
10+386.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25T IXTH110N25T IXYS IXTH110N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+893.40 грн
3+467.32 грн
6+441.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2 IXFA110N15T2 IXYS IXFA(P)110N15T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+464.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P IXYS IXFH110N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+563.83 грн
5+421.82 грн
10+344.08 грн
20+325.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30PB DSB60C30PB IXYS DSB60C30PB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.49V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.49V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 530A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.34 грн
5+92.64 грн
10+81.88 грн
50+73.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C60PB DSB60C60PB IXYS DSB60C60PB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.69V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.69V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward impulse current: 490A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30HB DSB60C30HB IXYS DSB60C30HB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 30Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.47V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.47V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 570A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C45HB DSB60C45HB IXYS DSB60C45HB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 30Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.58V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 0.58V
Max. forward impulse current: 570A
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C45PB DSB60C45PB IXYS DSB60C45PB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 490A
Power dissipation: 145W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYP8N90C3D1 IXYS IXYA(P)8N90C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 48A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 39ns
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+281.47 грн
3+234.90 грн
10+207.60 грн
50+186.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3 IXYP8N90C3 IXYS IXYP(y)8N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 48A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 39ns
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-56R IXBOD2-56R IXYS _Katalog LF_IXYS_WESTCODE_2021.pdf Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; 2nd Gen; 5.6kV; bulk
Mounting: THT
Type of thyristor: BOD x4
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
Breakover voltage: 5.6kV
Technology: 2nd Gen
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3 IXFH120N25X3 IXYS IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+896.97 грн
30+716.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P IXFH120N20P IXYS IXFH(K)120N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+886.28 грн
5+685.67 грн
10+607.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15P IXFH120N15P IXYS IXF_120N15P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+766.92 грн
5+604.62 грн
10+526.87 грн
20+452.43 грн
30+426.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI120-12A DSEI120-12A IXYS dsei120-12a.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 109A; Ifsm: 540A; TO247-2; tube; 357W
Mounting: THT
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 540A
Max. forward voltage: 1.55V
Power dissipation: 357W
Technology: FRED
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 109A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 40ns
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+985.15 грн
5+808.91 грн
30+723.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI120-12AZ-TUB DSEI120-12AZ-TUB IXYS DSEI120-12AZ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 109A; 40ns; TO268AA; Ufmax: 1.55V
Mounting: SMD
Case: TO268AA
Max. forward impulse current: 540A
Max. forward voltage: 1.55V
Power dissipation: 357W
Technology: FRED
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 109A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 40ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1198.92 грн
3+1009.07 грн
10+819.66 грн
30+727.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12A DSEI12-12A IXYS DSEI12-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 11A; tube; Ifsm: 75A; TO220AC; 78W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 11A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 78W
Technology: FRED
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+204.87 грн
5+169.56 грн
10+156.32 грн
25+138.13 грн
50+126.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12AZ-TRL IXYS Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 12A; 50ns; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 2.6V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK; TO263AB
Max. forward voltage: 2.6V
Max. forward impulse current: 75A
Technology: FRED
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12AZ-TUB IXYS DSEI12-12AZ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 11A; 50ns; TO263ABHV; Ufmax: 2.2V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 11A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO263ABHV
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 78W
Technology: FRED
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2 IXTA100N04T2 IXYS IXTA(P)100N04T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 34ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXA30RG1200DHGLB IXA30RG1200DHGLB IXYS IXA30RG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Power dissipation: 147W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Pulsed collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Topology: boost chopper
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+465.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB IXYS IXA20PG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 130W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Pulsed collector current: 45A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: SMT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Topology: IGBT half-bridge
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+755.34 грн
3+615.37 грн
10+577.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200HB CLA30E1200HB IXYS CLA30E1200HB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 28mA; TO247AD; THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Case: TO247AD
Gate current: 28mA
Max. load current: 47A
Kind of package: tube
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+307.68 грн
10+249.79 грн
16+235.73 грн
30+219.18 грн
120+188.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCG10P1200HR DCG10P1200HR IXYS DCG10P1200HR.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 12.5A; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12.5A
Semiconductor structure: double series
Case: ISO247™
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 750A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2978.60 грн
3+2481.32 грн
10+2315.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCG17P1200HR DCG17P1200HR IXYS DCG17P1200HR.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 18A; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: double series
Case: ISO247™
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 1kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+7336.06 грн
3+6236.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50P IXFN100N50P IXYS 99497.pdf description Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 75A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3195.94 грн
10+2853.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1973Y CPC1973Y IXYS CPC1973.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 0.35mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 0.35mA
Switched voltage: max. 400V AC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Case: SIP4
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1302G CPC1302G IXYS CPC1302.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: Darlington; Uinsul: 3.75kV; Uce: 350V
Kind of output: Darlington
Case: DIP8
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Number of channels: 2
Collector-emitter voltage: 350V
CTR@If: 1000-8000%@1mA
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.49 грн
50+120.76 грн
100+109.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100PD1200NA CLA100PD1200NA IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA100PD1200NA-Datasheet?assetguid=3c99ebf3-0787-4f96-8215-5f6801302969 Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 100A; SOT227B; Ufmax: 1.21V; screw
Max. forward impulse current: 1.5kA
Gate current: 40/80mA
Max. forward voltage: 1.21V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 100A
Max. load current: 150A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.83V
Case: SOT227B
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2304.32 грн
2+2023.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 IXYS ixgn200n60b3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; PT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X61-02A DSEI2X61-02A IXYS DSEI2x61-02A.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 71Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 71A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 0.95kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 142A
Kind of package: tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2006.82 грн
10+1707.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC120-12AK DSEC120-12AK IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC120-12AK-Datasheet?assetguid=6d7c4a83-944f-41eb-8b81-8f646ced8d79 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60Ax2; Ifsm: 500A; TO264; tube; 330W
Reverse recovery time: 40ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 0.5kA
Max. forward voltage: 2.66V
Power dissipation: 330W
Technology: HiPerFRED™
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO264
Type of diode: rectifying
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1092.93 грн
3+952.00 грн
10+893.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3 IXYS IXFH26N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80MT1200NHB CLA80MT1200NHB IXYS CLA80MT1200NHB.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 40A; Igt: 70/90mA; TO247-3; tube; Ifsm: 440A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Gate current: 70/90mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Typ of triac: standard
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NHB CLA60MT1200NHB IXYS CLA60MT1200NHB.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 30A; Igt: 60/80mA; TO247-3; tube; Ifsm: 325A
Max. forward impulse current: 325A
Gate current: 60/80mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Typ of triac: standard
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NHR CLA60MT1200NHR IXYS CLA60MT1200NHR.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 30A; Igt: 60/80mA; ISO247™; tube; Ifsm: 325A
Max. forward impulse current: 325A
Gate current: 60/80mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Case: ISO247™
Typ of triac: standard
Mounting: THT
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+865.79 грн
3+708.83 грн
10+636.87 грн
30+612.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T IXFH230N10T IXYS IXFH230N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+654.69 грн
10+502.88 грн
30+409.42 грн
120+405.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 IXYS IXFH(T)320N10T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 98ns
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1071.55 грн
5+831.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCB40P1200LB-TRR IXYS MCB40P1200LB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 55A
Case: SMPD-B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCB40P1200LB-TUB IXYS MCB40P1200LB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 55A
Case: SMPD-B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP8-12A DSEP8-12A IXYS DSEP8-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 40A; TO220AC; 60W; 40ns
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
Max. forward voltage: 1.96V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 40A
Power dissipation: 60W
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+194.18 грн
10+158.80 грн
50+108.35 грн
100+88.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426MTR IX4426MTR IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: DFN8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: inverting
Supply voltage: 4.5...30V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.40 грн
10+57.40 грн
19+50.87 грн
50+48.88 грн
52+48.05 грн
100+46.48 грн
250+46.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426NTR IX4426NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-ix4426-27-28-datasheet?assetguid=56368590-6fa3-453c-9630-e9feee6f9250 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: inverting
Supply voltage: 4.5...35V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170A IXBN42N170A IXYS IXBN42N170A.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Power dissipation: 313W
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3014.23 грн
3+2516.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1G320N60B3 IXYS MMIX1G320N60B3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 180A; 1kW; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 180A
Power dissipation: 1kW
Case: SMPD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mounting: SMD
Gate charge: 585nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
OMA160 OMA160 IXYS OMA160.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 50mA; max.250VAC
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP6
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Turn-on time: 125µs
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Max. operating current: 50mA
Turn-off time: 125µs
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 100Ω
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+593.23 грн
10+451.60 грн
25+392.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1560G CPC1560G IXYS CPC1560.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 300mA; max.60VAC
Mounting: THT
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 0.1ms
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Max. operating current: 300mA
Turn-off time: 400µs
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 5.6Ω
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+594.12 грн
10+483.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06B DSEP30-06B IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9922dd98-2752-4f64-b2f8-12debebce6e5&filename=littelfuse-power-semiconductors-dsep30-06b-datasheet Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; Ifsm: 250A; TO247-2; tube; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 250A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.51V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 25ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+327.79 грн
3+277.91 грн
10+247.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06A DSEP30-06A IXYS DSEP30-06A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; Ifsm: 250A; TO247-2; tube; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 250A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+474.76 грн
10+276.25 грн
30+262.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06BR DSEP30-06BR IXYS DSEP30-06BR.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; ISOPLUS247™
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 250A
Case: ISOPLUS247™
Max. forward voltage: 1.61V
Power dissipation: 135W
Reverse recovery time: 25ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+434.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1 IXYH40N90C3D1 IXYS IXYH40N90C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+821.25 грн
3+708.83 грн
5+672.44 грн
10+614.54 грн
30+526.04 грн
60+508.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3 IXYH40N90C3 IXYS IXYH40N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1019NTR CPC1019N.pdf
CPC1019NTR
Виробник: IXYS
Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 750mA; max.60VDC; SMT; SOP4; OptoMOS; t(on): 3ms
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 750mA
Switched voltage: max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTH(Q)200N10T.pdf
IXTQ200N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 76ns
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 550W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+616.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B
IXGP20N120B
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4 IXXH80N65B4.pdf
IXXH80N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 625W
Gate charge: 0.12µC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 430A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 125ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+693.88 грн
10+437.54 грн
30+401.97 грн
60+378.81 грн
120+355.66 грн
150+348.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPF80C200HB DPF80C200HB.pdf
DPF80C200HB
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 40Ax2; tube; Ifsm: 560A; TO247-3; 215W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 55ns
Max. forward voltage: 1.22V
Power dissipation: 215W
Load current: 40A x2
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 560A
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+462.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25T IXFH110N25T.pdf
IXFH110N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+724.16 грн
10+554.16 грн
30+450.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 IXTA(P)110N055T2.pdf
IXTP110N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.48 грн
3+185.27 грн
5+164.59 грн
10+132.34 грн
15+115.79 грн
25+111.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2 IXFH110N15T2.pdf
IXFH110N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 85ns
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 480W
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+470.31 грн
3+392.05 грн
10+386.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25T IXTH110N25T.pdf
IXTH110N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+893.40 грн
3+467.32 грн
6+441.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2 IXFA(P)110N15T2.pdf
IXFA110N15T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+464.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P.pdf
IXFH110N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+563.83 грн
5+421.82 грн
10+344.08 грн
20+325.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30PB DSB60C30PB.pdf
DSB60C30PB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.49V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.49V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 530A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+111.34 грн
5+92.64 грн
10+81.88 грн
50+73.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C60PB DSB60C60PB.pdf
DSB60C60PB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.69V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.69V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward impulse current: 490A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30HB DSB60C30HB.pdf
DSB60C30HB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 30Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.47V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.47V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 570A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C45HB DSB60C45HB.pdf
DSB60C45HB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 30Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.58V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 0.58V
Max. forward impulse current: 570A
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C45PB DSB60C45PB.pdf
DSB60C45PB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 490A
Power dissipation: 145W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYA(P)8N90C3D1.pdf
IXYP8N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 48A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 39ns
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+281.47 грн
3+234.90 грн
10+207.60 грн
50+186.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3 IXYP(y)8N90C3.pdf
IXYP8N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 48A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 39ns
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-56R _Katalog LF_IXYS_WESTCODE_2021.pdf
IXBOD2-56R
Виробник: IXYS
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; 2nd Gen; 5.6kV; bulk
Mounting: THT
Type of thyristor: BOD x4
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
Breakover voltage: 5.6kV
Technology: 2nd Gen
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3 IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf
IXFH120N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+896.97 грн
30+716.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P IXFH(K)120N20P.pdf
IXFH120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+886.28 грн
5+685.67 грн
10+607.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15P IXF_120N15P.pdf
IXFH120N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+766.92 грн
5+604.62 грн
10+526.87 грн
20+452.43 грн
30+426.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI120-12A description dsei120-12a.pdf
DSEI120-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 109A; Ifsm: 540A; TO247-2; tube; 357W
Mounting: THT
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 540A
Max. forward voltage: 1.55V
Power dissipation: 357W
Technology: FRED
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 109A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 40ns
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+985.15 грн
5+808.91 грн
30+723.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI120-12AZ-TUB DSEI120-12AZ.pdf
DSEI120-12AZ-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 109A; 40ns; TO268AA; Ufmax: 1.55V
Mounting: SMD
Case: TO268AA
Max. forward impulse current: 540A
Max. forward voltage: 1.55V
Power dissipation: 357W
Technology: FRED
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 109A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 40ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1198.92 грн
3+1009.07 грн
10+819.66 грн
30+727.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12A DSEI12-12A.pdf
DSEI12-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 11A; tube; Ifsm: 75A; TO220AC; 78W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 11A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 78W
Technology: FRED
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+204.87 грн
5+169.56 грн
10+156.32 грн
25+138.13 грн
50+126.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12AZ-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 12A; 50ns; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 2.6V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK; TO263AB
Max. forward voltage: 2.6V
Max. forward impulse current: 75A
Technology: FRED
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12AZ-TUB DSEI12-12AZ.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 11A; 50ns; TO263ABHV; Ufmax: 2.2V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 11A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO263ABHV
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 78W
Technology: FRED
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2 IXTA(P)100N04T2.pdf
IXTA100N04T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 34ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXA30RG1200DHGLB IXA30RG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf
IXA30RG1200DHGLB
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Power dissipation: 147W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Pulsed collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Topology: boost chopper
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+465.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf
IXA20PG1200DHGLB
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 130W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Pulsed collector current: 45A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: SMT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Topology: IGBT half-bridge
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+755.34 грн
3+615.37 грн
10+577.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200HB CLA30E1200HB.pdf
CLA30E1200HB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 28mA; TO247AD; THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Case: TO247AD
Gate current: 28mA
Max. load current: 47A
Kind of package: tube
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+307.68 грн
10+249.79 грн
16+235.73 грн
30+219.18 грн
120+188.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCG10P1200HR DCG10P1200HR.pdf
DCG10P1200HR
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 12.5A; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12.5A
Semiconductor structure: double series
Case: ISO247™
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 750A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2978.60 грн
3+2481.32 грн
10+2315.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCG17P1200HR DCG17P1200HR.pdf
DCG17P1200HR
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 18A; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: double series
Case: ISO247™
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 1kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7336.06 грн
3+6236.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50P description 99497.pdf
IXFN100N50P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 75A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3195.94 грн
10+2853.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1973Y CPC1973.pdf
CPC1973Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 0.35mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 0.35mA
Switched voltage: max. 400V AC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Case: SIP4
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1302G CPC1302.pdf
CPC1302G
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: Darlington; Uinsul: 3.75kV; Uce: 350V
Kind of output: Darlington
Case: DIP8
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Number of channels: 2
Collector-emitter voltage: 350V
CTR@If: 1000-8000%@1mA
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+183.49 грн
50+120.76 грн
100+109.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100PD1200NA Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA100PD1200NA-Datasheet?assetguid=3c99ebf3-0787-4f96-8215-5f6801302969
CLA100PD1200NA
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 100A; SOT227B; Ufmax: 1.21V; screw
Max. forward impulse current: 1.5kA
Gate current: 40/80mA
Max. forward voltage: 1.21V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 100A
Max. load current: 150A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.83V
Case: SOT227B
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2304.32 грн
2+2023.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 ixgn200n60b3.pdf
IXGN200N60B3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; PT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X61-02A DSEI2x61-02A.pdf
DSEI2X61-02A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 71Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 71A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 0.95kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 142A
Kind of package: tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2006.82 грн
10+1707.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC120-12AK Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC120-12AK-Datasheet?assetguid=6d7c4a83-944f-41eb-8b81-8f646ced8d79
DSEC120-12AK
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60Ax2; Ifsm: 500A; TO264; tube; 330W
Reverse recovery time: 40ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 0.5kA
Max. forward voltage: 2.66V
Power dissipation: 330W
Technology: HiPerFRED™
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO264
Type of diode: rectifying
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1092.93 грн
3+952.00 грн
10+893.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3.pdf
IXFH26N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80MT1200NHB CLA80MT1200NHB.pdf
CLA80MT1200NHB
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 40A; Igt: 70/90mA; TO247-3; tube; Ifsm: 440A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Gate current: 70/90mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Typ of triac: standard
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NHB CLA60MT1200NHB.pdf
CLA60MT1200NHB
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 30A; Igt: 60/80mA; TO247-3; tube; Ifsm: 325A
Max. forward impulse current: 325A
Gate current: 60/80mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Typ of triac: standard
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NHR CLA60MT1200NHR.pdf
CLA60MT1200NHR
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 30A; Igt: 60/80mA; ISO247™; tube; Ifsm: 325A
Max. forward impulse current: 325A
Gate current: 60/80mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Case: ISO247™
Typ of triac: standard
Mounting: THT
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+865.79 грн
3+708.83 грн
10+636.87 грн
30+612.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T IXFH230N10T.pdf
IXFH230N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+654.69 грн
10+502.88 грн
30+409.42 грн
120+405.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH(T)320N10T2.pdf
IXFH320N10T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 98ns
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1071.55 грн
5+831.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCB40P1200LB-TRR MCB40P1200LB.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 55A
Case: SMPD-B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCB40P1200LB-TUB MCB40P1200LB.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 55A
Case: SMPD-B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP8-12A DSEP8-12A.pdf
DSEP8-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 40A; TO220AC; 60W; 40ns
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
Max. forward voltage: 1.96V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 40A
Power dissipation: 60W
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+194.18 грн
10+158.80 грн
50+108.35 грн
100+88.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426MTR IX4426-27-28.pdf
IX4426MTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: DFN8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: inverting
Supply voltage: 4.5...30V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.40 грн
10+57.40 грн
19+50.87 грн
50+48.88 грн
52+48.05 грн
100+46.48 грн
250+46.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426NTR littelfuse-integrated-circuits-ix4426-27-28-datasheet?assetguid=56368590-6fa3-453c-9630-e9feee6f9250
IX4426NTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: inverting
Supply voltage: 4.5...35V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170A IXBN42N170A.pdf
IXBN42N170A
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Power dissipation: 313W
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3014.23 грн
3+2516.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1G320N60B3 MMIX1G320N60B3.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 180A; 1kW; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 180A
Power dissipation: 1kW
Case: SMPD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mounting: SMD
Gate charge: 585nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
OMA160 OMA160.pdf
OMA160
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 50mA; max.250VAC
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP6
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Turn-on time: 125µs
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Max. operating current: 50mA
Turn-off time: 125µs
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 100Ω
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+593.23 грн
10+451.60 грн
25+392.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1560G CPC1560.pdf
CPC1560G
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 300mA; max.60VAC
Mounting: THT
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 0.1ms
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Max. operating current: 300mA
Turn-off time: 400µs
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 5.6Ω
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+594.12 грн
10+483.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06B media?resourcetype=datasheets&itemid=9922dd98-2752-4f64-b2f8-12debebce6e5&filename=littelfuse-power-semiconductors-dsep30-06b-datasheet
DSEP30-06B
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; Ifsm: 250A; TO247-2; tube; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 250A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.51V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 25ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+327.79 грн
3+277.91 грн
10+247.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06A DSEP30-06A.pdf
DSEP30-06A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; Ifsm: 250A; TO247-2; tube; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 250A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+474.76 грн
10+276.25 грн
30+262.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06BR DSEP30-06BR.pdf
DSEP30-06BR
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; ISOPLUS247™
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 250A
Case: ISOPLUS247™
Max. forward voltage: 1.61V
Power dissipation: 135W
Reverse recovery time: 25ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+434.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1 IXYH40N90C3D1.pdf
IXYH40N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+821.25 грн
3+708.83 грн
5+672.44 грн
10+614.54 грн
30+526.04 грн
60+508.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3 IXYH40N90C3.pdf
IXYH40N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.