Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15705) > Сторінка 243 з 262

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFT150N30X3HV IXYS IXFT150N30X3HV SMD N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1581.03 грн
3+1495.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT24N90P IXFT24N90P IXYS IXF_24N90P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1218.16 грн
3+1110.99 грн
10+1000.63 грн
30+931.42 грн
120+908.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+941.30 грн
10+759.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1134.04 грн
3+984.70 грн
10+835.51 грн
30+750.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV IXYS IXFT60N65X2HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate charge: 108nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+877.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX20N120P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-20n120p-datasheet?assetguid=e6809744-4588-43ea-a419-5e983248ea7f IXFX20N120P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1850.97 грн
2+1750.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX210N30X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-210n30x3-datasheet?assetguid=99fbb122-dbc7-44b2-8327-31e7978761a8 IXFX210N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2434.34 грн
2+2301.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX220N17T2 IXYS IXFX220N17T2 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1256.49 грн
2+934.38 грн
4+882.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX230N20T IXYS DS100133BIXFKFX230N20T.pdf IXFX230N20T THT N channel transistors
на замовлення 118 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1551.37 грн
3+1467.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80Q IXFX27N80Q IXYS IXFK(X)27N80Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2042.33 грн
3+1771.22 грн
10+1591.91 грн
30+1571.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX300N20X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-300n20x3-datasheet?assetguid=53bbefbe-ccd6-4511-b54f-ab0660bbdb90 IXFX300N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2393.80 грн
2+2263.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=3302272A-7358-4244-BB39-82582CDD4564 IXFX360N10T THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1204.32 грн
2+856.27 грн
4+809.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY30N25X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-30n25x3-datasheet?assetguid=f98c5907-f43b-4415-a418-45a0a7855e6d IXFY30N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+418.48 грн
4+354.97 грн
10+336.18 грн
70+335.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY36N20X3 IXYS IXFY36N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 336 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+448.29 грн
5+251.15 грн
13+237.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N85X IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-4n85x-datasheet?assetguid=37800473-7654-42bc-92bc-235668b1794c IXFY4N85X SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+431.25 грн
6+198.74 грн
17+187.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+81.99 грн
25+75.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-20n120a3-datasheet?assetguid=06a9f4bd-9bf8-42b7-93fd-ad79977369ac IXGA20N120A3 SMD IGBT transistors
на замовлення 590 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+724.08 грн
3+416.27 грн
8+393.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64 IXGA30N120B3 SMD IGBT transistors
на замовлення 294 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+979.64 грн
2+617.98 грн
6+584.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS IXGA(P,H)48N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+475.98 грн
3+410.72 грн
10+323.33 грн
50+289.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N170A IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-10n170a-datasheet?assetguid=4d943ef5-2422-4ba3-a4a1-4c8f476b60a5 IXGH10N170A THT IGBT transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+839.08 грн
3+531.96 грн
7+503.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-16n170-datasheet?assetguid=521904d3-bd7b-4fb7-962a-763ceeddcbd3 IXGH16N170 THT IGBT transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+892.32 грн
2+777.17 грн
5+734.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-20n120a3-datasheet?assetguid=06a9f4bd-9bf8-42b7-93fd-ad79977369ac IXGH20N120A3 THT IGBT transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+808.20 грн
3+433.08 грн
8+409.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_24n170_datasheet.pdf.pdf IXGH24N170 THT IGBT transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1250.79 грн
3+1182.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXYS IXGH36N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 223 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+464.26 грн
30+322.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3C1 IXGH36N60B3C1 IXYS IXGx36N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2905.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS IXGH48N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1619.60 грн
3+1487.82 грн
10+1296.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS IXGH48N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 253 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+588.85 грн
10+520.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS IXGH48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+773.06 грн
5+619.16 грн
10+532.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2 IXGH50N90B2 IXYS IXGH(T)50N90B2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+766.67 грн
3+665.36 грн
10+565.57 грн
30+509.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 IXYS IXG_50N90B2D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1123.39 грн
3+1001.12 грн
5+915.60 грн
10+837.48 грн
30+724.76 грн
120+663.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60A3 IXGH72N60A3 IXYS IXG_72N60A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; XPT™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 214 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+819.91 грн
10+582.19 грн
30+514.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgn200n60b3-datasheet?assetguid=afbc1b0a-9329-4956-9583-cb1d3432b70c IXGN200N60B3 IGBT modules
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4058.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS IXG_20N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+709.17 грн
50+379.91 грн
100+336.18 грн
500+305.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B3 IXGP20N120B3 IXYS IXGA(P)20N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+696.39 грн
50+372.73 грн
100+329.26 грн
500+305.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP30N120B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64 IXGP30N120B3 THT IGBT transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+961.54 грн
3+452.85 грн
8+428.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS IXGR48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector current: 26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1589.78 грн
5+1323.54 грн
10+1137.08 грн
30+989.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+568.62 грн
3+484.65 грн
10+419.24 грн
30+403.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT72N60A3 IXGT72N60A3 IXYS IXG_72N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1173.44 грн
3+1048.36 грн
30+785.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX320N60B3 IXGX320N60B3 IXYS IXGK(x)320N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 585nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Collector current: 320A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2434.19 грн
3+2088.50 грн
10+1815.37 грн
30+1735.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 IXYS IXK(H)20N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 32nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+592.04 грн
3+514.42 грн
10+438.02 грн
30+393.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS IXKR47N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2189.28 грн
3+1913.94 грн
10+1621.57 грн
30+1455.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta02n250hv-datasheet?assetguid=b2d760d9-23ea-4e96-ad8f-e78cf49fd62e IXTA02N250HV SMD N channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1017.97 грн
2+710.92 грн
5+672.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV IXTA05N100HV IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+382.27 грн
3+348.08 грн
10+284.76 грн
50+222.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2 IXTA08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+308.80 грн
10+252.59 грн
25+192.81 грн
50+146.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf IXTA10P50P SMD P channel transistors
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+452.55 грн
4+388.58 грн
9+366.83 грн
10+366.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p065t_datasheet.pdf.pdf IXTA120P065T SMD P channel transistors
на замовлення 277 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+580.33 грн
4+355.96 грн
10+336.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N12T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n12t2_datasheet.pdf.pdf IXTA140N12T2 SMD N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+429.12 грн
4+312.45 грн
11+295.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA170N075T2 IXYS 99970A.pdf IXTA170N075T2 SMD N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+329.03 грн
6+207.64 грн
16+195.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T IXTA180N10T IXYS IXTA(P)180N10T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+532.41 грн
10+399.42 грн
25+299.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X2 IXTA20N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+445.10 грн
3+386.07 грн
10+328.27 грн
50+294.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXYS IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf IXTA26P20P SMD P channel transistors
на замовлення 348 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+686.81 грн
3+412.31 грн
8+389.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA28P065T IXYS DS99968B(IXTA-TP28P065T).pdf IXTA28P065T SMD P channel transistors
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+333.29 грн
8+151.28 грн
22+142.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100P IXYS DS99817C(IXTY-TA-TP2N100P).pdf IXTA2N100P SMD N channel transistors
на замовлення 293 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+259.82 грн
7+181.93 грн
18+172.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf IXTA32P05T SMD P channel transistors
на замовлення 312 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+325.84 грн
9+145.35 грн
23+137.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0 IXTA36N30P SMD N channel transistors
на замовлення 239 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+461.07 грн
5+276.85 грн
12+262.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV IXTA3N150HV IXYS IXTA3N150HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1.5kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+935.98 грн
3+831.70 грн
5+750.47 грн
10+671.37 грн
15+628.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50P IXYS DS99200F(IXTY-TA-TP3N50P).pdf IXTA3N50P SMD N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+91.57 грн
35+88.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTA44P15T SMD P channel transistors
на замовлення 62 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+455.74 грн
4+364.85 грн
9+344.09 грн
100+343.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+259.82 грн
10+210.49 грн
50+167.10 грн
100+150.29 грн
250+129.53 грн
500+112.72 грн
1000+110.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf IXTA4N70X2 SMD N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+215.09 грн
8+156.22 грн
21+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV
Виробник: IXYS
IXFT150N30X3HV SMD N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1581.03 грн
3+1495.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT24N90P IXF_24N90P.pdf
IXFT24N90P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1218.16 грн
3+1110.99 грн
10+1000.63 грн
30+931.42 грн
120+908.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+941.30 грн
10+759.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1134.04 грн
3+984.70 грн
10+835.51 грн
30+750.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV.pdf
IXFT60N65X2HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate charge: 108nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+877.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX20N120P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-20n120p-datasheet?assetguid=e6809744-4588-43ea-a419-5e983248ea7f
Виробник: IXYS
IXFX20N120P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1850.97 грн
2+1750.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX210N30X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-210n30x3-datasheet?assetguid=99fbb122-dbc7-44b2-8327-31e7978761a8
Виробник: IXYS
IXFX210N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2434.34 грн
2+2301.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX220N17T2
Виробник: IXYS
IXFX220N17T2 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1256.49 грн
2+934.38 грн
4+882.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX230N20T DS100133BIXFKFX230N20T.pdf
Виробник: IXYS
IXFX230N20T THT N channel transistors
на замовлення 118 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1551.37 грн
3+1467.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80Q IXFK(X)27N80Q.pdf
IXFX27N80Q
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2042.33 грн
3+1771.22 грн
10+1591.91 грн
30+1571.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX300N20X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-300n20x3-datasheet?assetguid=53bbefbe-ccd6-4511-b54f-ab0660bbdb90
Виробник: IXYS
IXFX300N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2393.80 грн
2+2263.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=3302272A-7358-4244-BB39-82582CDD4564
Виробник: IXYS
IXFX360N10T THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1204.32 грн
2+856.27 грн
4+809.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY30N25X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-30n25x3-datasheet?assetguid=f98c5907-f43b-4415-a418-45a0a7855e6d
Виробник: IXYS
IXFY30N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+418.48 грн
4+354.97 грн
10+336.18 грн
70+335.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY36N20X3
Виробник: IXYS
IXFY36N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 336 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.29 грн
5+251.15 грн
13+237.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N85X littelfuse-discrete-mosfets-ixf-4n85x-datasheet?assetguid=37800473-7654-42bc-92bc-235668b1794c
Виробник: IXYS
IXFY4N85X SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.25 грн
6+198.74 грн
17+187.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.99 грн
25+75.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-20n120a3-datasheet?assetguid=06a9f4bd-9bf8-42b7-93fd-ad79977369ac
Виробник: IXYS
IXGA20N120A3 SMD IGBT transistors
на замовлення 590 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+724.08 грн
3+416.27 грн
8+393.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64
Виробник: IXYS
IXGA30N120B3 SMD IGBT transistors
на замовлення 294 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+979.64 грн
2+617.98 грн
6+584.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA(P,H)48N60A3.pdf
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+475.98 грн
3+410.72 грн
10+323.33 грн
50+289.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N170A littelfuse-discrete-igbts-ixg-10n170a-datasheet?assetguid=4d943ef5-2422-4ba3-a4a1-4c8f476b60a5
Виробник: IXYS
IXGH10N170A THT IGBT transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+839.08 грн
3+531.96 грн
7+503.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 littelfuse-discrete-igbts-ixg-16n170-datasheet?assetguid=521904d3-bd7b-4fb7-962a-763ceeddcbd3
Виробник: IXYS
IXGH16N170 THT IGBT transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+892.32 грн
2+777.17 грн
5+734.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-20n120a3-datasheet?assetguid=06a9f4bd-9bf8-42b7-93fd-ad79977369ac
Виробник: IXYS
IXGH20N120A3 THT IGBT transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+808.20 грн
3+433.08 грн
8+409.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_24n170_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGH24N170 THT IGBT transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1250.79 грн
3+1182.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3 IXGH36N60B3.pdf
IXGH36N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 223 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.26 грн
30+322.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3C1 IXGx36N60B3C1-DTE.pdf
IXGH36N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2905.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1-DTE.pdf
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1619.60 грн
3+1487.82 грн
10+1296.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1.pdf
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 253 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+588.85 грн
10+520.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1.pdf
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+773.06 грн
5+619.16 грн
10+532.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2 IXGH(T)50N90B2.pdf
IXGH50N90B2
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+766.67 грн
3+665.36 грн
10+565.57 грн
30+509.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1 IXG_50N90B2D1.pdf
IXGH50N90B2D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1123.39 грн
3+1001.12 грн
5+915.60 грн
10+837.48 грн
30+724.76 грн
120+663.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60A3 IXG_72N60A3.pdf
IXGH72N60A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; XPT™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 214 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+819.91 грн
10+582.19 грн
30+514.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 littelfuse-discrete-igbts-ixgn200n60b3-datasheet?assetguid=afbc1b0a-9329-4956-9583-cb1d3432b70c
Виробник: IXYS
IXGN200N60B3 IGBT modules
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4058.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3 IXG_20N120A3.pdf
IXGP20N120A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+709.17 грн
50+379.91 грн
100+336.18 грн
500+305.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B3 IXGA(P)20N120B3.pdf
IXGP20N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+696.39 грн
50+372.73 грн
100+329.26 грн
500+305.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP30N120B3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64
Виробник: IXYS
IXGP30N120B3 THT IGBT transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+961.54 грн
3+452.85 грн
8+428.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1.pdf
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector current: 26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1589.78 грн
5+1323.54 грн
10+1137.08 грн
30+989.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+568.62 грн
3+484.65 грн
10+419.24 грн
30+403.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT72N60A3 IXG_72N60A3.pdf
IXGT72N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1173.44 грн
3+1048.36 грн
30+785.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX320N60B3 IXGK(x)320N60B3.pdf
IXGX320N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 585nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Collector current: 320A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2434.19 грн
3+2088.50 грн
10+1815.37 грн
30+1735.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH20N60C5 IXK(H)20N60C5.pdf
IXKH20N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 32nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+592.04 грн
3+514.42 грн
10+438.02 грн
30+393.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5.pdf
IXKR47N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2189.28 грн
3+1913.94 грн
10+1621.57 грн
30+1455.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HV littelfuse-discrete-mosfets-ixta02n250hv-datasheet?assetguid=b2d760d9-23ea-4e96-ad8f-e78cf49fd62e
Виробник: IXYS
IXTA02N250HV SMD N channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1017.97 грн
2+710.92 грн
5+672.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV IXTA(P)05N100_HV.pdf
IXTA05N100HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.27 грн
3+348.08 грн
10+284.76 грн
50+222.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTA08N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.80 грн
10+252.59 грн
25+192.81 грн
50+146.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTA10P50P SMD P channel transistors
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.55 грн
4+388.58 грн
9+366.83 грн
10+366.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p065t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTA120P065T SMD P channel transistors
на замовлення 277 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+580.33 грн
4+355.96 грн
10+336.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N12T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n12t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTA140N12T2 SMD N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+429.12 грн
4+312.45 грн
11+295.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA170N075T2 99970A.pdf
Виробник: IXYS
IXTA170N075T2 SMD N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.03 грн
6+207.64 грн
16+195.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T IXTA(P)180N10T.pdf
IXTA180N10T
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+532.41 грн
10+399.42 грн
25+299.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTA20N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.10 грн
3+386.07 грн
10+328.27 грн
50+294.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf
Виробник: IXYS
IXTA26P20P SMD P channel transistors
на замовлення 348 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+686.81 грн
3+412.31 грн
8+389.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA28P065T DS99968B(IXTA-TP28P065T).pdf
Виробник: IXYS
IXTA28P065T SMD P channel transistors
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.29 грн
8+151.28 грн
22+142.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100P DS99817C(IXTY-TA-TP2N100P).pdf
Виробник: IXYS
IXTA2N100P SMD N channel transistors
на замовлення 293 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.82 грн
7+181.93 грн
18+172.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTA32P05T SMD P channel transistors
на замовлення 312 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.84 грн
9+145.35 грн
23+137.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0
Виробник: IXYS
IXTA36N30P SMD N channel transistors
на замовлення 239 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+461.07 грн
5+276.85 грн
12+262.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV IXTA3N150HV.pdf
IXTA3N150HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1.5kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+935.98 грн
3+831.70 грн
5+750.47 грн
10+671.37 грн
15+628.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50P DS99200F(IXTY-TA-TP3N50P).pdf
Виробник: IXYS
IXTA3N50P SMD N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.57 грн
35+88.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Виробник: IXYS
IXTA44P15T SMD P channel transistors
на замовлення 62 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.74 грн
4+364.85 грн
9+344.09 грн
100+343.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.82 грн
10+210.49 грн
50+167.10 грн
100+150.29 грн
250+129.53 грн
500+112.72 грн
1000+110.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTA4N70X2 SMD N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.09 грн
8+156.22 грн
21+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]