Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFQ60N50P3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFQ60N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Power dissipation: 890W Case: TO3P On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFQ72N20X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFQ72N30X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 310 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFQ80N25X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFQ8N85X | IXYS |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFQ90N20X3 | IXYS | IXFQ90N20X3 THT N channel transistors |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFQ94N30P3 | IXYS | IXFQ94N30P3 THT N channel transistors |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFR102N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™ Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 224nC On-state resistance: 36mΩ Drain current: 60A Power dissipation: 250W Drain-source voltage: 300V Kind of package: tube Case: ISOPLUS247™ Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFR140N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 90A; 300W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Power dissipation: 300W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFR140N30P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFR15N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A Power dissipation: 400W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFR16N120P | IXYS |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFR180N15P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFR18N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 200W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.66Ω Mounting: THT Gate charge: 97nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFR200N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 300W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFR20N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 13A Power dissipation: 290W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFR20N80P | IXYS |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFR230N20T | IXYS |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFR24N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 18A Power dissipation: 500W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.49Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFR24N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFR24N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; 230W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 13A Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.46Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 130nC Power dissipation: 230W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFR26N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™ Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT On-state resistance: 0.43Ω Drain current: 15A Power dissipation: 290W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 197nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFR26N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 15A; 320W; ISOPLUS247™ Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT On-state resistance: 0.55Ω Drain current: 15A Power dissipation: 320W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 225nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFR30N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 166W Gate charge: 85nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFR32N100P | IXYS |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFR32N100Q3 | IXYS | IXFR32N100Q3 THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFR32N80P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR32N80Q3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR36N50P | IXYS | IXFR36N50P THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR36N60P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFR40N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 21A; 300W; ISOPLUS247™ Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 230nC On-state resistance: 0.25Ω Drain current: 21A Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 900V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFR44N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 208W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A Power dissipation: 208W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFR44N50Q | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 34A Power dissipation: 313W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 213 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFR44N50Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; 300W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 25A Power dissipation: 300W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 154mΩ Mounting: THT Gate charge: 93nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFR44N60 | IXYS | IXFR44N60 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFR44N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 26A Power dissipation: 360W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFR48N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 32A Power dissipation: 300W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFR48N60Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 500W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 32A Power dissipation: 500W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 154mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFR64N50P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR64N50Q3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR64N60P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR64N60Q3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFR80N50P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFR80N50Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 50A; 570W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 50A Power dissipation: 570W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 72mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFR80N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 540W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFR90N30 | IXYS | IXFR90N30 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFT100N30X3HV | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 480W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 100A Power dissipation: 480W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 130ns Technology: HiPerFET™; X3-Class кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFT120N15P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268 Drain-source voltage: 150V Drain current: 120A Case: TO268 On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 600W Technology: HiPerFET™; PolarHT™ Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Reverse recovery time: 200ns Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 150nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFT120N25X3HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 120A Case: TO268HV On-state resistance: 12mΩ Power dissipation: 480W Kind of package: tube Reverse recovery time: 140ns Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Polarisation: unipolar Gate charge: 122nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFT120N30X3HV | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268 Drain-source voltage: 300V Drain current: 120A Case: TO268 On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 735W Technology: HiPerFET™; X3-Class Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Reverse recovery time: 145ns Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 170nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFT140N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Gate charge: 155nC On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 600W Case: TO268 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFT140N20X3HV | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 140A Power dissipation: 520W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 127nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 90ns Technology: HiPerFET™; X3-Class кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFT14N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 14A Power dissipation: 400W Case: TO268 On-state resistance: 720mΩ Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFT150N17T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 175V; 150A; 880W; TO268 Case: TO268 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Gate charge: 233nC On-state resistance: 12mΩ Drain current: 150A Drain-source voltage: 175V Power dissipation: 880W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFT150N20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 150A Power dissipation: 890W Case: TO268 On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 177nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 100ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFT150N25X3HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A Case: TO268HV Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X3-Class Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 154nC Reverse recovery time: 140ns On-state resistance: 9mΩ Drain current: 150A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 250V Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 735W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFT150N30X3HV | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 150A Power dissipation: 890W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 254nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 167ns Technology: HiPerFET™; X3-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFT15N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 15A Power dissipation: 690W Case: TO268 On-state resistance: 1.05Ω Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFT16N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268 Mounting: SMD Case: TO268 Polarisation: unipolar Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 0.95Ω Drain current: 16A Power dissipation: 660W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXFQ60N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ60N50P3 THT N channel transistors
IXFQ60N50P3 THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 848.94 грн |
3+ | 554.10 грн |
6+ | 523.63 грн |
510+ | 523.01 грн |
IXFQ60N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFQ72N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ72N20X3 THT N channel transistors
IXFQ72N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 718.73 грн |
3+ | 504.59 грн |
7+ | 476.98 грн |
IXFQ72N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ72N30X3 THT N channel transistors
IXFQ72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1001.71 грн |
2+ | 632.17 грн |
5+ | 597.89 грн |
IXFQ80N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ80N25X3 THT N channel transistors
IXFQ80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1209.85 грн |
2+ | 768.31 грн |
4+ | 726.42 грн |
IXFQ8N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ8N85X THT N channel transistors
IXFQ8N85X THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 487.01 грн |
4+ | 307.52 грн |
10+ | 290.38 грн |
IXFQ90N20X3 |
Виробник: IXYS
IXFQ90N20X3 THT N channel transistors
IXFQ90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 915.59 грн |
2+ | 577.90 грн |
6+ | 546.48 грн |
IXFQ94N30P3 |
Виробник: IXYS
IXFQ94N30P3 THT N channel transistors
IXFQ94N30P3 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 998.64 грн |
2+ | 731.18 грн |
5+ | 691.19 грн |
1020+ | 690.10 грн |
IXFR102N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1218.05 грн |
3+ | 1111.27 грн |
30+ | 1049.17 грн |
IXFR140N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 90A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 90A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR140N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR140N30P THT N channel transistors
IXFR140N30P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR15N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1488.73 грн |
3+ | 1356.46 грн |
10+ | 1285.28 грн |
30+ | 1256.72 грн |
IXFR16N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR16N120P THT N channel transistors
IXFR16N120P THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1549.95 грн |
2+ | 1465.22 грн |
IXFR180N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR180N15P THT N channel transistors
IXFR180N15P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR18N90P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 200W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 200W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1131.92 грн |
2+ | 855.21 грн |
4+ | 778.78 грн |
30+ | 748.32 грн |
IXFR200N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR20N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2046.49 грн |
2+ | 1865.63 грн |
30+ | 1736.56 грн |
IXFR20N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR20N80P THT N channel transistors
IXFR20N80P THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1076.56 грн |
2+ | 678.82 грн |
5+ | 641.69 грн |
IXFR230N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR230N20T THT N channel transistors
IXFR230N20T THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1691.81 грн |
2+ | 1599.46 грн |
IXFR24N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2277.18 грн |
2+ | 2076.22 грн |
IXFR24N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1033.50 грн |
2+ | 781.05 грн |
3+ | 751.17 грн |
5+ | 710.24 грн |
30+ | 683.58 грн |
IXFR24N90P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Power dissipation: 230W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Power dissipation: 230W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR26N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 0.43Ω
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 0.43Ω
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2859.55 грн |
2+ | 2607.14 грн |
3+ | 2509.63 грн |
IXFR26N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 15A; 320W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 0.55Ω
Drain current: 15A
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 15A; 320W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 0.55Ω
Drain current: 15A
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3067.68 грн |
IXFR30N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 967.88 грн |
2+ | 738.54 грн |
5+ | 672.15 грн |
30+ | 646.45 грн |
IXFR32N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR32N100P THT N channel transistors
IXFR32N100P THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1651.82 грн |
2+ | 1562.33 грн |
IXFR32N100Q3 |
Виробник: IXYS
IXFR32N100Q3 THT N channel transistors
IXFR32N100Q3 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2957.09 грн |
IXFR32N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR32N80P THT N channel transistors
IXFR32N80P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR32N80Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR32N80Q3 THT N channel transistors
IXFR32N80Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR36N50P |
Виробник: IXYS
IXFR36N50P THT N channel transistors
IXFR36N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR36N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR36N60P THT N channel transistors
IXFR36N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR40N90P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 21A; 300W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 21A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 21A; 300W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 21A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR44N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR44N50Q |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 313W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 313W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1673.28 грн |
2+ | 1525.53 грн |
30+ | 1456.65 грн |
120+ | 1412.86 грн |
IXFR44N50Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 154mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 154mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR44N60 |
Виробник: IXYS
IXFR44N60 THT N channel transistors
IXFR44N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR44N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 360W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 360W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR48N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR48N60Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 154mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 154mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR64N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR64N50P THT N channel transistors
IXFR64N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR64N50Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR64N50Q3 THT N channel transistors
IXFR64N50Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR64N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR64N60P THT N channel transistors
IXFR64N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR64N60Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR64N60Q3 THT N channel transistors
IXFR64N60Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR80N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR80N50P THT N channel transistors
IXFR80N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR80N50Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 50A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 50A
Power dissipation: 570W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 50A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 50A
Power dissipation: 570W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2730.36 грн |
2+ | 2489.49 грн |
10+ | 2304.93 грн |
IXFR80N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 540W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 540W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFR90N30 |
Виробник: IXYS
IXFR90N30 THT N channel transistors
IXFR90N30 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT100N30X3HV |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT120N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Case: TO268
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 600W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Case: TO268
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 600W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 970.95 грн |
2+ | 614.96 грн |
6+ | 559.81 грн |
270+ | 538.87 грн |
IXFT120N25X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Case: TO268HV
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 140ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Case: TO268HV
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 140ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1062.20 грн |
2+ | 848.28 грн |
4+ | 772.12 грн |
30+ | 742.61 грн |
IXFT120N30X3HV |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 735W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 145ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 735W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 145ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1432.34 грн |
2+ | 1144.89 грн |
3+ | 1042.50 грн |
120+ | 1019.66 грн |
IXFT140N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 293.23 грн |
IXFT140N20X3HV |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT14N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 300 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT150N17T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 175V; 150A; 880W; TO268
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 233nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 175V
Power dissipation: 880W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 175V; 150A; 880W; TO268
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 233nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 175V
Power dissipation: 880W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT150N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT150N25X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Case: TO268HV
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Case: TO268HV
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT150N30X3HV |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 167ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 167ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1642.52 грн |
3+ | 1496.86 грн |
10+ | 1386.20 грн |
IXFT15N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT16N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 16A
Power dissipation: 660W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 16A
Power dissipation: 660W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.