| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTY1R6N100D2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 100W Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 11ns Gate charge: 645nC On-state resistance: 10Ω Drain current: 1.6A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 1kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 372 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTY1R6N50D2 | IXYS |
IXTY1R6N50D2 SMD N channel transistors |
на замовлення 348 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXTY2N100P | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 86W Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 800ns Drain current: 2A Drain-source voltage: 1kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTY3N50P | IXYS |
IXTY3N50P SMD N channel transistors |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTY44N10T | IXYS |
IXTY44N10T SMD N channel transistors |
на замовлення 285 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXTY4N65X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 160ns Technology: X2-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTY8N65X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXXH110N65C4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 110A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Collector-emitter voltage: 650V Turn-off time: 160ns Gate charge: 167nC Turn-on time: 71ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 226 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXXH150N60C3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 1.36kW Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Turn-on time: 0.1µs Turn-off time: 230ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 700A Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 301 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXXH30N60B3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD Type of transistor: IGBT Case: TO247AD Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 270W Pulsed collector current: 115A Collector-emitter voltage: 600V Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 23ns Gate charge: 39nC Turn-off time: 125ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 247 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXXH30N60B3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD Type of transistor: IGBT Case: TO247AD Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 270W Pulsed collector current: 115A Collector-emitter voltage: 600V Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 23ns Gate charge: 39nC Turn-off time: 125ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXXH40N65B4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 455W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Turn-on time: 67ns Turn-off time: 252ns Technology: GenX4™; Trench; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXXH60N65B4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 536W Collector current: 60A Pulsed collector current: 265A Collector-emitter voltage: 650V Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Gate charge: 86nC Turn-on time: 94ns Turn-off time: 208ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 187 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXXH60N65B4H1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 536W Collector current: 60A Pulsed collector current: 265A Collector-emitter voltage: 650V Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Gate charge: 86nC Turn-on time: 94ns Turn-off time: 208ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 293 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXXH80N65B4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 125ns Turn-off time: 222ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 80A Pulsed collector current: 430A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 263 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXXK110N65B4H1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 880W Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 110A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 570A Collector-emitter voltage: 650V Turn-off time: 250ns Gate charge: 183nC Turn-on time: 65ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXXK160N65B4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264 Type of transistor: IGBT Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 940W Collector current: 160A Pulsed collector current: 860A Collector-emitter voltage: 650V Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Gate charge: 425nC Turn-on time: 93ns Turn-off time: 380ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 293 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXYA15N65C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Turn-off time: 102ns Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 36ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 207 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXYA20N65C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 51ns Gate charge: 30nC Turn-off time: 132ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 141 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXyH100N65C3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3 Case: TO247-3 Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Mounting: THT Turn-on time: 62ns Gate charge: 172nC Turn-off time: 200ns Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 830W Collector current: 100A Pulsed collector current: 420A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 282 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXYH20N120C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 60ns Turn-off time: 0.22µs Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 88A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 247 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXYH40N90C3D1 | IXYS |
IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXYH50N120C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 210A Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 96ns Turn-off time: 0.22µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXYH50N65C3H1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Turn-on time: 56ns Turn-off time: 142ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 136 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXYH60N90C3 | IXYS |
IXYH60N90C3 THT IGBT transistors |
на замовлення 297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXYH8N250CHV | IXYS |
IXYH8N250CHV THT IGBT transistors |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXYK120N120C3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 1.5kW Case: TO264 Mounting: THT Gate charge: 412nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 105ns Turn-off time: 346ns Collector current: 120A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 700A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXYN100N120C3H1 | IXYS |
IXYN100N120C3H1 IGBT modules |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXYP20N65C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 51ns Gate charge: 30nC Turn-off time: 132ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 252 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXYP8N90C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3 Collector-emitter voltage: 900V Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Type of transistor: IGBT Mounting: THT Case: TO220-3 Kind of package: tube Gate charge: 13.3nC Turn-on time: 39ns Turn-off time: 238ns Collector current: 8A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 48A Power dissipation: 125W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 126 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXYX120N120B3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 1.5kW Case: PLUS247™ Mounting: THT Gate charge: 400nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 84ns Turn-off time: 826ns Collector current: 120A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXYX120N120C3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 1.5kW Case: PLUS247™ Mounting: THT Gate charge: 412nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 105ns Turn-off time: 346ns Collector current: 120A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 700A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXYY8N90C3 | IXYS |
IXYY8N90C3 SMD IGBT transistors |
на замовлення 306 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
LAA100 | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Manufacturer series: OptoMOS Mounting: THT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Max. operating current: 120mA Control current max.: 50mA On-state resistance: 25Ω Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA100L | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Manufacturer series: OptoMOS Mounting: THT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Max. operating current: 120mA Control current max.: 50mA On-state resistance: 25Ω Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA100P | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Manufacturer series: OptoMOS Mounting: SMT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm Max. operating current: 120mA Control current max.: 50mA On-state resistance: 25Ω Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA100S | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Manufacturer series: OptoMOS Mounting: SMT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Max. operating current: 120mA Control current max.: 50mA On-state resistance: 25Ω Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA108 | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS Kind of output: MOSFET Manufacturer series: OptoMOS Mounting: THT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Max. operating current: 300mA Control current max.: 50mA On-state resistance: 8Ω Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA108P | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS Kind of output: MOSFET Manufacturer series: OptoMOS Mounting: SMT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm Max. operating current: 300mA Control current max.: 50mA On-state resistance: 8Ω Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 527 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA110 | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Kind of output: MOSFET Manufacturer series: OptoMOS Mounting: THT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm Max. operating current: 120mA Control current max.: 50mA On-state resistance: 35Ω Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 186 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA110PL | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Kind of output: MOSFET Manufacturer series: OptoMOS Mounting: SMT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm Max. operating current: 120mA Control current max.: 50mA On-state resistance: 35Ω Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 295 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA110S | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Kind of output: MOSFET Manufacturer series: OptoMOS Mounting: SMT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm Max. operating current: 120mA Control current max.: 50mA On-state resistance: 35Ω Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 218 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA120 | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS Kind of output: MOSFET Manufacturer series: OptoMOS Mounting: THT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Max. operating current: 0.17A Control current max.: 50mA On-state resistance: 20Ω Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA120L | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS Kind of output: MOSFET Manufacturer series: OptoMOS Mounting: THT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Max. operating current: 0.17A Control current max.: 50mA On-state resistance: 20Ω Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA120LS | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS Kind of output: MOSFET Manufacturer series: OptoMOS Mounting: SMT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Max. operating current: 0.17A Control current max.: 50mA On-state resistance: 20Ω Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA120PL | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS Kind of output: MOSFET Manufacturer series: OptoMOS Mounting: SMT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm Max. operating current: 0.17A Control current max.: 50mA On-state resistance: 20Ω Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA120S | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS Kind of output: MOSFET Manufacturer series: OptoMOS Mounting: SMT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Max. operating current: 0.17A Control current max.: 50mA On-state resistance: 20Ω Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 97 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA125L | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS Kind of output: MOSFET Manufacturer series: OptoMOS Mounting: THT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Max. operating current: 0.17A Control current max.: 50mA On-state resistance: 16Ω Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA125LS | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS Kind of output: MOSFET Manufacturer series: OptoMOS Mounting: SMT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Max. operating current: 0.17A Control current max.: 50mA On-state resistance: 16Ω Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA125P | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS Kind of output: MOSFET Manufacturer series: OptoMOS Mounting: SMT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm Max. operating current: 0.17A Control current max.: 50mA On-state resistance: 16Ω Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA125PL | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS Kind of output: MOSFET Manufacturer series: OptoMOS Mounting: SMT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm Max. operating current: 0.17A Control current max.: 50mA On-state resistance: 16Ω Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA125S | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS Kind of output: MOSFET Manufacturer series: OptoMOS Mounting: SMT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Max. operating current: 0.17A Control current max.: 50mA On-state resistance: 16Ω Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Insulation voltage: 3.75kV Relay variant: 1-phase; current source Case: DIP8 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LAA710 | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 1000mA; OptoMOS Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...85°C Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Turn-off time: 0.25ms Turn-on time: 2.5ms Control current max.: 50mA On-state resistance: 0.5Ω Max. operating current: 1A Relay variant: 1-phase; current source Insulation voltage: 3.75kV Manufacturer series: OptoMOS Case: DIP8 Kind of output: MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| LBA110 | IXYS |
LBA110 One Phase Solid State Relays |
на замовлення 395 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LBA110L | IXYS |
LBA110L One Phase Solid State Relays |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LBA110S | IXYS |
LBA110S One Phase Solid State Relays |
на замовлення 258 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LBA120LS | IXYS |
LBA120LS One Phase Solid State Relays |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LBA120P | IXYS |
LBA120P One Phase Solid State Relays |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LBA127 | IXYS |
LBA127 One Phase Solid State Relays |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LBA127L | IXYS |
LBA127L One Phase Solid State Relays |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| IXTY1R6N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
On-state resistance: 10Ω
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
On-state resistance: 10Ω
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 345.48 грн |
| 5+ | 258.55 грн |
| 10+ | 215.51 грн |
| 25+ | 181.07 грн |
| 70+ | 179.10 грн |
| IXTY1R6N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTY1R6N50D2 SMD N channel transistors
IXTY1R6N50D2 SMD N channel transistors
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 342.30 грн |
| 6+ | 196.81 грн |
| 17+ | 185.99 грн |
| IXTY2N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Drain current: 2A
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Drain current: 2A
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 317.93 грн |
| 10+ | 160.44 грн |
| 25+ | 152.53 грн |
| IXTY3N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTY3N50P SMD N channel transistors
IXTY3N50P SMD N channel transistors
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.97 грн |
| 30+ | 33.11 грн |
| 95+ | 32.08 грн |
| IXTY44N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTY44N10T SMD N channel transistors
IXTY44N10T SMD N channel transistors
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.51 грн |
| 10+ | 123.99 грн |
| 26+ | 117.10 грн |
| IXTY4N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 229.97 грн |
| 10+ | 138.98 грн |
| 25+ | 124.98 грн |
| 70+ | 116.12 грн |
| IXTY8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 289.32 грн |
| 10+ | 215.62 грн |
| 20+ | 176.15 грн |
| 25+ | 166.31 грн |
| 70+ | 132.85 грн |
| 140+ | 123.01 грн |
| 560+ | 119.07 грн |
| IXXH110N65C4 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1076.72 грн |
| 3+ | 942.21 грн |
| 5+ | 845.32 грн |
| 10+ | 751.83 грн |
| 30+ | 694.75 грн |
| IXXH150N60C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1249.47 грн |
| 3+ | 1094.47 грн |
| 10+ | 921.09 грн |
| 30+ | 828.59 грн |
| IXXH30N60B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 544.72 грн |
| 3+ | 473.15 грн |
| 10+ | 402.48 грн |
| 30+ | 361.15 грн |
| IXXH30N60B3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 544.72 грн |
| 5+ | 501.76 грн |
| IXXH40N65B4 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 510.81 грн |
| 3+ | 443.51 грн |
| 10+ | 376.90 грн |
| 30+ | 339.50 грн |
| IXXH60N65B4 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 641.16 грн |
| 3+ | 555.92 грн |
| 10+ | 473.34 грн |
| 30+ | 425.12 грн |
| IXXH60N65B4H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1154.09 грн |
| 3+ | 1011.70 грн |
| 10+ | 858.11 грн |
| 30+ | 770.53 грн |
| IXXH80N65B4 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 715.34 грн |
| 10+ | 562.06 грн |
| 30+ | 418.23 грн |
| 120+ | 399.53 грн |
| IXXK110N65B4H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1904.40 грн |
| 3+ | 1733.17 грн |
| 5+ | 1583.37 грн |
| 10+ | 1419.03 грн |
| 25+ | 1264.53 грн |
| IXXK160N65B4 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 425nC
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 425nC
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1716.82 грн |
| 3+ | 1591.13 грн |
| 10+ | 1507.59 грн |
| IXYA15N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 102ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 102ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.33 грн |
| 3+ | 206.43 грн |
| 10+ | 174.18 грн |
| 50+ | 157.45 грн |
| IXYA20N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 300.97 грн |
| 3+ | 260.59 грн |
| 10+ | 222.40 грн |
| 50+ | 199.77 грн |
| IXyH100N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 62ns
Gate charge: 172nC
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 830W
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 420A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 62ns
Gate charge: 172nC
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 830W
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 420A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 913.52 грн |
| 5+ | 815.49 грн |
| 10+ | 748.88 грн |
| 30+ | 730.18 грн |
| IXYH20N120C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 812.84 грн |
| 3+ | 730.67 грн |
| 10+ | 679.01 грн |
| 30+ | 671.14 грн |
| IXYH40N90C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors
IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1090.50 грн |
| 2+ | 628.82 грн |
| 6+ | 594.38 грн |
| IXYH50N120C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 210A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 210A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1144.55 грн |
| 3+ | 1020.90 грн |
| 10+ | 938.80 грн |
| 30+ | 841.38 грн |
| IXYH50N65C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 917.76 грн |
| 3+ | 796.07 грн |
| 10+ | 678.02 грн |
| 30+ | 608.16 грн |
| IXYH60N90C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH60N90C3 THT IGBT transistors
IXYH60N90C3 THT IGBT transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1084.14 грн |
| 2+ | 595.36 грн |
| 6+ | 562.89 грн |
| IXYH8N250CHV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH8N250CHV THT IGBT transistors
IXYH8N250CHV THT IGBT transistors
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1748.69 грн |
| 2+ | 1653.24 грн |
| IXYK120N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3281.04 грн |
| 3+ | 2851.15 грн |
| 10+ | 2409.00 грн |
| 25+ | 2178.73 грн |
| IXYN100N120C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYN100N120C3H1 IGBT modules
IXYN100N120C3H1 IGBT modules
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3858.54 грн |
| IXYP20N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 376.22 грн |
| 10+ | 245.26 грн |
| 50+ | 185.01 грн |
| 100+ | 169.26 грн |
| IXYP8N90C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 334.89 грн |
| 3+ | 290.22 грн |
| 10+ | 247.00 грн |
| 50+ | 222.40 грн |
| IXYX120N120B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2984.31 грн |
| 3+ | 2591.59 грн |
| 10+ | 2204.32 грн |
| 30+ | 2058.67 грн |
| IXYX120N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3462.26 грн |
| 3+ | 3007.51 грн |
| 10+ | 2559.57 грн |
| 30+ | 2302.72 грн |
| IXYY8N90C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYY8N90C3 SMD IGBT transistors
IXYY8N90C3 SMD IGBT transistors
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 367.74 грн |
| 7+ | 167.29 грн |
| 20+ | 158.44 грн |
| LAA100 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 25Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 25Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 454.64 грн |
| 10+ | 383.22 грн |
| 250+ | 298.17 грн |
| LAA100L |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 25Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 25Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 370.92 грн |
| 50+ | 307.60 грн |
| LAA100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 25Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 25Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 383.64 грн |
| 50+ | 304.53 грн |
| LAA100S |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 25Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 25Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 609.37 грн |
| 50+ | 385.26 грн |
| 250+ | 297.19 грн |
| LAA108 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 300mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 8Ω
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 300mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 8Ω
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 209.83 грн |
| 50+ | 169.64 грн |
| 250+ | 153.51 грн |
| LAA108P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 300mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 8Ω
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 300mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 8Ω
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 207.71 грн |
| 10+ | 183.95 грн |
| 25+ | 154.50 грн |
| 30+ | 153.51 грн |
| LAA110 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 377.28 грн |
| 5+ | 329.06 грн |
| 10+ | 293.25 грн |
| 30+ | 279.48 грн |
| LAA110PL |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 375.16 грн |
| 10+ | 318.84 грн |
| 100+ | 282.43 грн |
| LAA110S |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 468.42 грн |
| 50+ | 381.18 грн |
| 100+ | 348.36 грн |
| 250+ | 324.74 грн |
| 500+ | 318.84 грн |
| LAA120 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 386.82 грн |
| 10+ | 287.16 грн |
| 200+ | 269.64 грн |
| LAA120L |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 609.37 грн |
| 50+ | 385.26 грн |
| 100+ | 297.19 грн |
| LAA120LS |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 609.37 грн |
| 50+ | 385.26 грн |
| 100+ | 297.19 грн |
| LAA120PL |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 609.37 грн |
| 50+ | 385.26 грн |
| 100+ | 297.19 грн |
| LAA120S |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 415.43 грн |
| 10+ | 318.84 грн |
| 50+ | 285.38 грн |
| 500+ | 269.64 грн |
| LAA125L |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 426.03 грн |
| 10+ | 329.06 грн |
| 100+ | 293.25 грн |
| LAA125LS |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 442.98 грн |
| 10+ | 342.34 грн |
| 1000+ | 324.74 грн |
| LAA125P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 351.84 грн |
| 100+ | 280.01 грн |
| LAA125PL |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 609.37 грн |
| 50+ | 385.26 грн |
| 100+ | 297.19 грн |
| LAA125S |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 369.86 грн |
| 50+ | 299.42 грн |
| 100+ | 260.78 грн |
| LAA710 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 1000mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Turn-off time: 0.25ms
Turn-on time: 2.5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.5Ω
Max. operating current: 1A
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
Case: DIP8
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 1000mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Turn-off time: 0.25ms
Turn-on time: 2.5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.5Ω
Max. operating current: 1A
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
Case: DIP8
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 978.17 грн |
| 10+ | 901.33 грн |
| 50+ | 728.21 грн |
| 100+ | 681.96 грн |
| LBA110 | ![]() |
![]() |
Виробник: IXYS
LBA110 One Phase Solid State Relays
LBA110 One Phase Solid State Relays
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 423.91 грн |
| 4+ | 315.89 грн |
| 11+ | 298.17 грн |
| LBA110L |
![]() |
Виробник: IXYS
LBA110L One Phase Solid State Relays
LBA110L One Phase Solid State Relays
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 600.89 грн |
| 4+ | 325.73 грн |
| 10+ | 308.01 грн |
| LBA110S |
![]() |
Виробник: IXYS
LBA110S One Phase Solid State Relays
LBA110S One Phase Solid State Relays
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 772.57 грн |
| 4+ | 315.89 грн |
| 11+ | 298.17 грн |
| LBA120LS |
![]() |
Виробник: IXYS
LBA120LS One Phase Solid State Relays
LBA120LS One Phase Solid State Relays
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 931.54 грн |
| 3+ | 393.63 грн |
| 9+ | 371.98 грн |
| LBA120P |
![]() |
Виробник: IXYS
LBA120P One Phase Solid State Relays
LBA120P One Phase Solid State Relays
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 912.46 грн |
| 4+ | 385.76 грн |
| 9+ | 365.09 грн |




























