| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTP160N10T | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 132nC Reverse recovery time: 60ns On-state resistance: 7mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 160A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 430W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 254 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP16N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Technology: PolarHT™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTP170N075T2 | IXYS |
IXTP170N075T2 THT N channel transistors |
на замовлення 299 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTP18P10T | IXYS |
IXTP18P10T THT P channel transistors |
на замовлення 42 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTP1R6N100D2 | IXYS |
IXTP1R6N100D2 THT N channel transistors |
на замовлення 294 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXTP220N04T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 220A Power dissipation: 360W Case: TO220AB On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 112nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 45ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 278 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTP230N075T2 | IXYS |
IXTP230N075T2 THT N channel transistors |
на замовлення 35 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXTP24N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns Technology: X2-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP24N65X2M | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns Technology: X2-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 87 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP260N055T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns Mounting: THT Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Case: TO220AB Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 0.14µC Reverse recovery time: 60ns On-state resistance: 3.3mΩ Drain current: 260A Drain-source voltage: 55V Power dissipation: 480W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 308 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTP26P10T | IXYS |
IXTP26P10T THT P channel transistors |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTP26P20P | IXYS |
IXTP26P20P THT P channel transistors |
на замовлення 235 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTP270N04T4 | IXYS |
IXTP270N04T4 THT N channel transistors |
на замовлення 59 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTP2R4N120P | IXYS |
IXTP2R4N120P THT N channel transistors |
на замовлення 307 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTP32P05T | IXYS |
IXTP32P05T THT P channel transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTP32P20T | IXYS |
IXTP32P20T THT P channel transistors |
на замовлення 250 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTP36P15P | IXYS |
IXTP36P15P THT P channel transistors |
на замовлення 203 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXTP3N100D2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB On-state resistance: 5.5Ω Mounting: THT Gate charge: 1.02µC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 17ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 179 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTP3N120 | IXYS |
IXTP3N120 THT N channel transistors |
на замовлення 265 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXTP3N50D2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 1.07µC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 24ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 275 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTP44N10T | IXYS |
IXTP44N10T THT N channel transistors |
на замовлення 157 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTP44P15T | IXYS |
IXTP44P15T THT P channel transistors |
на замовлення 289 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTP450P2 | IXYS |
IXTP450P2 THT N channel transistors |
на замовлення 145 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTP48P05T | IXYS |
IXTP48P05T THT P channel transistors |
на замовлення 295 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXTP4N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 160ns Technology: X2-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 499 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP4N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 14.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 560ns Features of semiconductor devices: standard power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 314 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTP50N20P | IXYS |
IXTP50N20P THT N channel transistors |
на замовлення 154 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTP50N25T | IXYS |
IXTP50N25T THT N channel transistors |
на замовлення 289 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXTP60N10T | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Case: TO220AB Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 49nC Reverse recovery time: 59ns On-state resistance: 18mΩ Drain current: 60A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 176W Kind of channel: enhancement Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP60N20T | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Case: TO220AB Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 73nC Reverse recovery time: 118ns On-state resistance: 40mΩ Drain current: 60A Drain-source voltage: 200V Power dissipation: 500W Kind of channel: enhancement Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 202 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTP62N15P | IXYS |
IXTP62N15P THT N channel transistors |
на замовлення 255 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXTP6N100D2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 41ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 350 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP6N50D2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 64ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 159 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTP76P10T | IXYS |
IXTP76P10T THT P channel transistors |
на замовлення 301 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXTP80N075L2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 357W Case: TO220AB On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 171 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP80N10T | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 230W Case: TO220AB On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 100ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 72 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTP8N70X2 | IXYS |
IXTP8N70X2 THT N channel transistors |
на замовлення 224 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTP8N70X2M | IXYS |
IXTP8N70X2M THT N channel transistors |
на замовлення 298 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXTP90N055T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns Case: TO220AB Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Drain-source voltage: 55V Drain current: 90A Reverse recovery time: 37ns Gate charge: 42nC On-state resistance: 8.4mΩ Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTP96P085T | IXYS |
IXTP96P085T THT P channel transistors |
на замовлення 134 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTQ10P50P | IXYS |
IXTQ10P50P THT P channel transistors |
на замовлення 420 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTQ120N20P | IXYS |
IXTQ120N20P THT N channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTQ130N20T | IXYS |
IXTQ130N20T THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXTQ150N15P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO3P Technology: PolarHT™ Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 0.19µC Reverse recovery time: 150ns On-state resistance: 13mΩ Power dissipation: 714W Drain current: 150A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTQ170N10P | IXYS |
IXTQ170N10P THT N channel transistors |
на замовлення 297 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTQ200N10T | IXYS |
IXTQ200N10T THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXTQ22N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 22A Power dissipation: 350W Case: TO3P On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Features of semiconductor devices: standard power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTQ26N50P | IXYS |
IXTQ26N50P THT N channel transistors |
на замовлення 211 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTQ26P20P | IXYS |
IXTQ26P20P THT P channel transistors |
на замовлення 294 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXTQ34N65X2M | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 40W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 96mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTQ36N50P | IXYS |
IXTQ36N50P THT N channel transistors |
на замовлення 270 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXTQ460P2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P Mounting: THT Case: TO3P Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 48nC Reverse recovery time: 400ns On-state resistance: 0.27Ω Gate-source voltage: ±30V Drain current: 24A Drain-source voltage: 500V Power dissipation: 480W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar2™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 123 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTQ48N65X2M | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 70W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTQ50N20P | IXYS |
IXTQ50N20P THT N channel transistors |
на замовлення 224 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTQ52P10P | IXYS |
IXTQ52P10P THT P channel transistors |
на замовлення 123 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXTQ60N20T | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Case: TO3P Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 73nC Reverse recovery time: 118ns On-state resistance: 40mΩ Drain current: 60A Drain-source voltage: 200V Power dissipation: 500W Kind of channel: enhancement Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 218 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTQ76N25T | IXYS |
IXTQ76N25T THT N channel transistors |
на замовлення 158 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTQ88N30P | IXYS |
IXTQ88N30P THT N channel transistors |
на замовлення 264 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTR20P50P | IXYS |
IXTR20P50P THT P channel transistors |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXTR210P10T | IXYS |
IXTR210P10T THT P channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| IXTP160N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 132nC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 430W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 132nC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 430W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 254 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 430.19 грн |
| 10+ | 339.87 грн |
| 50+ | 290.70 грн |
| 100+ | 273.89 грн |
| 500+ | 247.19 грн |
| IXTP16N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 380.14 грн |
| 10+ | 231.03 грн |
| 50+ | 214.56 грн |
| IXTP170N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP170N075T2 THT N channel transistors
IXTP170N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 299 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 412.09 грн |
| 6+ | 218.52 грн |
| 15+ | 206.65 грн |
| IXTP18P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP18P10T THT P channel transistors
IXTP18P10T THT P channel transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 304.54 грн |
| 10+ | 124.58 грн |
| 26+ | 117.66 грн |
| IXTP1R6N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP1R6N100D2 THT N channel transistors
IXTP1R6N100D2 THT N channel transistors
на замовлення 294 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 372.69 грн |
| 7+ | 189.84 грн |
| 17+ | 179.96 грн |
| IXTP220N04T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 278 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 341.81 грн |
| 10+ | 252.59 грн |
| 50+ | 199.73 грн |
| IXTP230N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP230N075T2 THT N channel transistors
IXTP230N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 571.81 грн |
| 4+ | 378.70 грн |
| 9+ | 357.93 грн |
| IXTP24N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 604.82 грн |
| 50+ | 319.33 грн |
| 100+ | 291.69 грн |
| IXTP24N65X2M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 379.08 грн |
| 10+ | 245.40 грн |
| 50+ | 228.40 грн |
| IXTP260N055T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Drain current: 260A
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Drain current: 260A
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 475.98 грн |
| 3+ | 430.23 грн |
| 10+ | 356.94 грн |
| 50+ | 344.09 грн |
| IXTP26P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP26P10T THT P channel transistors
IXTP26P10T THT P channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 199.12 грн |
| 10+ | 128.54 грн |
| 26+ | 121.62 грн |
| IXTP26P20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP26P20P THT P channel transistors
IXTP26P20P THT P channel transistors
на замовлення 235 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 710.24 грн |
| 4+ | 385.62 грн |
| 9+ | 364.85 грн |
| IXTP270N04T4 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP270N04T4 THT N channel transistors
IXTP270N04T4 THT N channel transistors
на замовлення 59 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 339.68 грн |
| 6+ | 227.42 грн |
| 15+ | 214.56 грн |
| IXTP2R4N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP2R4N120P THT N channel transistors
IXTP2R4N120P THT N channel transistors
на замовлення 307 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 614.40 грн |
| 4+ | 366.83 грн |
| 9+ | 347.06 грн |
| IXTP32P05T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP32P05T THT P channel transistors
IXTP32P05T THT P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 304.54 грн |
| 10+ | 121.62 грн |
| 27+ | 114.70 грн |
| IXTP32P20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP32P20T THT P channel transistors
IXTP32P20T THT P channel transistors
на замовлення 250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 829.50 грн |
| 3+ | 533.93 грн |
| 7+ | 504.27 грн |
| IXTP36P15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP36P15P THT P channel transistors
IXTP36P15P THT P channel transistors
на замовлення 203 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 675.10 грн |
| 4+ | 366.83 грн |
| 9+ | 347.06 грн |
| IXTP3N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 354.59 грн |
| 10+ | 249.51 грн |
| 25+ | 226.43 грн |
| 50+ | 216.54 грн |
| 100+ | 206.65 грн |
| 250+ | 193.80 грн |
| 500+ | 184.90 грн |
| IXTP3N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP3N120 THT N channel transistors
IXTP3N120 THT N channel transistors
на замовлення 265 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 723.02 грн |
| 3+ | 505.26 грн |
| 7+ | 477.57 грн |
| IXTP3N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 24ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 24ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 332.22 грн |
| 10+ | 237.19 грн |
| IXTP44N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP44N10T THT N channel transistors
IXTP44N10T THT N channel transistors
на замовлення 157 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 201.25 грн |
| 14+ | 87.01 грн |
| 37+ | 83.06 грн |
| IXTP44P15T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP44P15T THT P channel transistors
IXTP44P15T THT P channel transistors
на замовлення 289 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 597.37 грн |
| 4+ | 346.07 грн |
| 10+ | 327.28 грн |
| IXTP450P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP450P2 THT N channel transistors
IXTP450P2 THT N channel transistors
на замовлення 145 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 436.58 грн |
| 6+ | 222.47 грн |
| 15+ | 209.62 грн |
| 500+ | 209.47 грн |
| IXTP48P05T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP48P05T THT P channel transistors
IXTP48P05T THT P channel transistors
на замовлення 295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 403.57 грн |
| 6+ | 228.40 грн |
| 15+ | 216.54 грн |
| IXTP4N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 499 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.30 грн |
| 10+ | 137.59 грн |
| 50+ | 119.64 грн |
| 100+ | 112.72 грн |
| IXTP4N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.46 грн |
| 50+ | 139.64 грн |
| 250+ | 125.57 грн |
| IXTP50N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP50N20P THT N channel transistors
IXTP50N20P THT N channel transistors
на замовлення 154 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 364.17 грн |
| 5+ | 234.34 грн |
| 14+ | 221.48 грн |
| IXTP50N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP50N25T THT N channel transistors
IXTP50N25T THT N channel transistors
на замовлення 289 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 518.57 грн |
| 4+ | 296.63 грн |
| 11+ | 280.81 грн |
| 25+ | 280.31 грн |
| IXTP60N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 176W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 176W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 214.03 грн |
| 10+ | 177.64 грн |
| 25+ | 141.39 грн |
| 50+ | 114.70 грн |
| 100+ | 112.72 грн |
| IXTP60N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 202 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 497.27 грн |
| 10+ | 380.94 грн |
| IXTP62N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP62N15P THT N channel transistors
IXTP62N15P THT N channel transistors
на замовлення 255 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 458.94 грн |
| 5+ | 244.22 грн |
| 14+ | 231.37 грн |
| IXTP6N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 753.90 грн |
| 5+ | 593.49 грн |
| 10+ | 521.08 грн |
| IXTP6N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 159 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 663.39 грн |
| 10+ | 584.25 грн |
| 50+ | 450.88 грн |
| IXTP76P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP76P10T THT P channel transistors
IXTP76P10T THT P channel transistors
на замовлення 301 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 648.48 грн |
| 4+ | 346.07 грн |
| 10+ | 327.28 грн |
| IXTP80N075L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 598.43 грн |
| 5+ | 501.08 грн |
| 10+ | 435.06 грн |
| 50+ | 421.21 грн |
| IXTP80N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 283.24 грн |
| 10+ | 214.60 грн |
| 50+ | 177.98 грн |
| IXTP8N70X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP8N70X2 THT N channel transistors
IXTP8N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 224 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 398.24 грн |
| 7+ | 192.81 грн |
| 17+ | 182.92 грн |
| 500+ | 182.77 грн |
| IXTP8N70X2M |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP8N70X2M THT N channel transistors
IXTP8N70X2M THT N channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 259.82 грн |
| 7+ | 181.93 грн |
| 18+ | 172.05 грн |
| IXTP90N055T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Reverse recovery time: 37ns
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 8.4mΩ
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Reverse recovery time: 37ns
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 8.4mΩ
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 261.95 грн |
| 10+ | 155.05 грн |
| 50+ | 125.57 грн |
| 100+ | 114.70 грн |
| 200+ | 110.74 грн |
| IXTP96P085T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP96P085T THT P channel transistors
IXTP96P085T THT P channel transistors
на замовлення 134 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 419.54 грн |
| 4+ | 344.09 грн |
| 10+ | 325.30 грн |
| IXTQ10P50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ10P50P THT P channel transistors
IXTQ10P50P THT P channel transistors
на замовлення 420 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 737.92 грн |
| 3+ | 412.31 грн |
| 8+ | 389.57 грн |
| IXTQ120N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ120N20P THT N channel transistors
IXTQ120N20P THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 861.44 грн |
| 2+ | 710.92 грн |
| 5+ | 672.36 грн |
| 1020+ | 670.50 грн |
| IXTQ130N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ130N20T THT N channel transistors
IXTQ130N20T THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 977.51 грн |
| 2+ | 616.99 грн |
| 6+ | 583.37 грн |
| IXTQ150N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 714W
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 714W
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 606.95 грн |
| IXTQ170N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ170N10P THT N channel transistors
IXTQ170N10P THT N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1099.96 грн |
| 2+ | 680.27 грн |
| 5+ | 643.69 грн |
| IXTQ200N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ200N10T THT N channel transistors
IXTQ200N10T THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 836.95 грн |
| 3+ | 417.26 грн |
| 8+ | 394.52 грн |
| IXTQ22N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 522.83 грн |
| 5+ | 413.80 грн |
| 10+ | 354.97 грн |
| 30+ | 308.49 грн |
| IXTQ26N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ26N50P THT N channel transistors
IXTQ26N50P THT N channel transistors
на замовлення 211 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 616.53 грн |
| 3+ | 436.05 грн |
| 8+ | 412.31 грн |
| IXTQ26P20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ26P20P THT P channel transistors
IXTQ26P20P THT P channel transistors
на замовлення 294 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 702.78 грн |
| 3+ | 412.31 грн |
| 8+ | 389.57 грн |
| IXTQ34N65X2M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 797.55 грн |
| 3+ | 691.03 грн |
| 10+ | 588.32 грн |
| 30+ | 534.92 грн |
| IXTQ36N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ36N50P THT N channel transistors
IXTQ36N50P THT N channel transistors
на замовлення 270 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 989.22 грн |
| 2+ | 757.39 грн |
| 5+ | 716.85 грн |
| IXTQ460P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 24A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar2™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 24A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar2™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 497.27 грн |
| 10+ | 347.06 грн |
| IXTQ48N65X2M |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 974.31 грн |
| 3+ | 847.11 грн |
| 10+ | 720.81 грн |
| 30+ | 647.64 грн |
| IXTQ50N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ50N20P THT N channel transistors
IXTQ50N20P THT N channel transistors
на замовлення 224 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 516.44 грн |
| 5+ | 271.91 грн |
| 12+ | 257.08 грн |
| IXTQ52P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ52P10P THT P channel transistors
IXTQ52P10P THT P channel transistors
на замовлення 123 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 713.43 грн |
| 3+ | 412.31 грн |
| 8+ | 389.57 грн |
| IXTQ60N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 474.91 грн |
| 10+ | 341.92 грн |
| 30+ | 291.69 грн |
| 120+ | 245.21 грн |
| 510+ | 238.29 грн |
| IXTQ76N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ76N25T THT N channel transistors
IXTQ76N25T THT N channel transistors
на замовлення 158 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 575.00 грн |
| 4+ | 375.73 грн |
| 9+ | 354.97 грн |
| IXTQ88N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ88N30P THT N channel transistors
IXTQ88N30P THT N channel transistors
на замовлення 264 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1171.31 грн |
| 2+ | 745.53 грн |
| 5+ | 704.00 грн |
| IXTR20P50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR20P50P THT P channel transistors
IXTR20P50P THT P channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 753.90 грн |
| 3+ | 546.79 грн |
| 6+ | 517.12 грн |
| IXTR210P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR210P10T THT P channel transistors
IXTR210P10T THT P channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2412.59 грн |
| 2+ | 2281.08 грн |




