Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15207) > Сторінка 245 з 254

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 225 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 254  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGH2N250 IXGH2N250 IXYS IXGH2N250.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 10.5nC
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 278ns
Power dissipation: 32W
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13.5A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Kind of package: tube
Technology: NPT
Case: TO247-3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1788.61 грн
3+1462.77 грн
10+1325.64 грн
30+1181.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK60-02A DSSK60-02A IXYS DSSK60-02A_AR.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 30Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 0.6kA
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4 IXXH80N65B4 IXYS IXXH80N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 222ns
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 625W
Pulsed collector current: 430A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 125ns
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+619.00 грн
10+385.16 грн
30+347.07 грн
60+343.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP36N60A3 IXGP36N60A3 IXYS IXGA(P,H)36N60A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 220W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 220W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; PT
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 80nC
Turn-off time: 1µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK36N60P IXFK36N60P IXYS IXFH(K,T)36N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT36N60P IXFT36N60P IXYS IXFH(K,T)36N60P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N60X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfa36n60x3-datasheet?assetguid=9c561014-ffa0-419b-994f-22f5fa914d61 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh36n60x3-datasheet?assetguid=38271253-e2cd-4f1f-b434-c9ed8035371e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N60X3 IXFP36N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp36n60x3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR36N60P IXFR36N60P IXYS IXFR36N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA36N60A3-TRL IXYS Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 36A; 220W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 220W
Case: TO263
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1 IXGH28N60B3D1 IXYS IXGH28N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PolarHV™; 600V; 28A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: PolarHV™; PT
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ28N60P3 IXFQ28N60P3 IXYS IXFH(Q)28N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX220N17T2 IXFX220N17T2 IXYS IXFK(X)220N17T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 500nC
On-state resistance: 6.3mΩ
Drain-source voltage: 170V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1.25kW
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+946.27 грн
3+782.18 грн
10+725.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPF80C200HB DPF80C200HB IXYS DPF80C200HB.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 40Ax2; tube; Ifsm: 560A; TO247-3; 215W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 55ns
Max. forward voltage: 1.22V
Power dissipation: 215W
Load current: 40A x2
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 560A
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+473.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25T IXFH110N25T IXYS IXFH110N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+741.15 грн
10+567.16 грн
30+461.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 IXYS IXTA(P)110N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+237.93 грн
3+189.62 грн
5+168.46 грн
10+135.44 грн
15+118.51 грн
25+114.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2 IXFH110N15T2 IXYS IXFH110N15T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 85ns
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+481.34 грн
3+401.25 грн
10+395.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25T IXTH110N25T IXYS IXTH110N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+695.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2 IXFA110N15T2 IXYS IXFA(P)110N15T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns
Case: TO263
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 85ns
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+474.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P IXYS IXFH110N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+577.06 грн
5+431.72 грн
10+352.15 грн
20+332.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30PB DSB60C30PB IXYS DSB60C30PB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.49V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.49V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 530A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.95 грн
5+94.81 грн
10+83.80 грн
50+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C60PB DSB60C60PB IXYS DSB60C60PB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.69V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.69V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward impulse current: 490A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30HB DSB60C30HB IXYS DSB60C30HB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 30Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.47V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.47V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 570A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C45HB DSB60C45HB IXYS DSB60C45HB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 30Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.58V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.58V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward impulse current: 570A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C45PB DSB60C45PB IXYS DSB60C45PB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.6V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward impulse current: 490A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYP8N90C3D1 IXYS IXYA(P)8N90C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+288.07 грн
3+240.41 грн
10+212.47 грн
50+191.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3 IXYP8N90C3 IXYS IXYP(y)8N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-56R IXBOD2-56R IXYS _Katalog LF_IXYS_WESTCODE_2021.pdf Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; 2nd Gen; 5.6kV; bulk
Mounting: THT
Type of thyristor: BOD x4
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
Breakover voltage: 5.6kV
Technology: 2nd Gen
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3 IXFH120N25X3 IXYS IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+918.01 грн
30+733.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P IXFH120N20P IXYS IXFH(K)120N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+907.07 грн
5+701.76 грн
10+622.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15P IXFH120N15P IXYS IXF_120N15P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+592.56 грн
5+474.89 грн
10+446.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI120-12A DSEI120-12A IXYS dsei120-12a.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 109A; tube; Ifsm: 540A; TO247-2; 357W
Power dissipation: 357W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 40ns
Max. forward voltage: 1.55V
Max. forward impulse current: 540A
Load current: 109A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: FRED
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+878.81 грн
2+780.48 грн
5+740.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI120-12AZ-TUB DSEI120-12AZ-TUB IXYS DSEI120-12AZ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 109A; 40ns; TO268AA; Ufmax: 1.55V
Power dissipation: 357W
Case: TO268AA
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 40ns
Max. forward voltage: 1.55V
Max. forward impulse current: 540A
Load current: 109A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: FRED
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+984.56 грн
3+839.74 грн
10+744.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12A DSEI12-12A IXYS DSEI12-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 11A; tube; Ifsm: 75A; TO220AC; 78W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 11A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 78W
Technology: FRED
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+201.47 грн
5+143.91 грн
10+116.82 грн
25+115.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12AZ-TRL IXYS Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 12A; 50ns; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 2.6V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK; TO263AB
Max. forward voltage: 2.6V
Max. forward impulse current: 75A
Technology: FRED
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12AZ-TUB IXYS DSEI12-12AZ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 11A; 50ns; TO263ABHV; Ufmax: 2.2V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 11A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO263ABHV
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 78W
Technology: FRED
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2 IXTA100N04T2 IXYS IXTA(P)100N04T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG06400D-BN4MM IXYS MG06400D-BN4MM.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Case: Y3-DCB
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Pulsed collector current: 800A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXA30RG1200DHGLB IXA30RG1200DHGLB IXYS IXA30RG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 147W
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+484.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB IXYS IXA20PG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+773.06 грн
3+629.80 грн
10+611.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DHG10I1800PA DHG10I1800PA IXYS DHG10I1800PA.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.8kV; 10A; tube; Ifsm: 60A; TO220AC; 85W
Technology: Sonic FRD™
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 2.33V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 60A
Power dissipation: 85W
Max. off-state voltage: 1.8kV
Reverse recovery time: 300ns
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO220AC
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: THT
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+245.23 грн
10+184.54 грн
50+151.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DAA10EM1800PZ-TUB DAA10EM1800PZ-TUB IXYS DAA10EM1800PZ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.14V; 100W
Max. forward voltage: 1.14V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 130A
Power dissipation: 100W
Max. off-state voltage: 1.8kV
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: TO263ABHV
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DAA10EM1800PZ-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=8b1378fb-444d-4854-bf2e-b3d297066d3b&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DAA10EM1800PZ-Datasheet Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.21V
Max. forward voltage: 1.21V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Case: D2PAK; TO263AB
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DAA10P1800PZ-TRL IXYS Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.26V
Max. forward voltage: 1.26V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Case: D2PAK; TO263AB
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DAA10P1800PZ-TUB DAA10P1800PZ-TUB IXYS DAA10P1800PZ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.53V; 100W
Max. forward voltage: 1.53V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 150A
Power dissipation: 100W
Max. off-state voltage: 1.8kV
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: TO263ABHV
Semiconductor structure: double series
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMA10P1800PZ-TRL IXYS Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.26V
Max. forward voltage: 1.26V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 130A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Case: D2PAK; TO263AB
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMA10P1800PZ-TUB IXYS DMA10P1800PZ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.21V; 100W
Max. forward voltage: 1.21V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 100W
Max. off-state voltage: 1.8kV
Case: TO263ABHV
Semiconductor structure: double series
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH70N60C5 IXKH70N60C5 IXYS IXKH70N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 70A; 625W; TO247-3
Gate charge: 150nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT70N20Q3 IXFT70N20Q3 IXYS IXFH(T)70N20Q3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 70A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 690W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT70N30Q3 IXFT70N30Q3 IXYS IXFH(T)70N30Q3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 830W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 98nC
On-state resistance: 54mΩ
Drain current: 70A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 830W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200HB CLA30E1200HB IXYS CLA30E1200HB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 28mA; TO247AD; THT; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 28mA
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247AD
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+289.51 грн
10+232.79 грн
16+215.86 грн
30+194.70 грн
120+193.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DLA60I1200HA DLA60I1200HA IXYS DLA60I1200HA.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; tube; Ifsm: 850A; TO247-2; 500W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 850A
Kind of package: tube
Power dissipation: 500W
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+460.37 грн
3+387.70 грн
5+363.15 грн
10+334.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40E1200HR CLA40E1200HR IXYS CLA40E1200HR.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 63A; 40A; Igt: 50/80mA; ISO247™; THT; tube
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Max. load current: 63A
Max. forward impulse current: 555A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 50/80mA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+786.73 грн
3+676.36 грн
10+562.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCG10P1200HR DCG10P1200HR IXYS DCG10P1200HR.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 12.5A; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12.5A
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 750A
Kind of package: tube
Technology: SiC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3048.48 грн
3+2539.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCG17P1200HR DCG17P1200HR IXYS DCG17P1200HR.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 18A; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 1kA
Kind of package: tube
Technology: SiC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+7508.17 грн
3+6382.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPG60C200HB DPG60C200HB IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG60C200HB-Datasheet?assetguid=87B6D095-C8C9-4D2A-9030-B3214D70FAF8 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 30Ax2; tube; Ifsm: 360A; TO247-3; 160W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1.34V
Max. forward impulse current: 360A
Kind of package: tube
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Reverse recovery time: 35ns
Power dissipation: 160W
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+415.70 грн
3+347.07 грн
10+306.44 грн
30+281.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DHG40C1200HB DHG40C1200HB IXYS DHG40C1200HB.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20Ax2; tube; Ifsm: 150A; TO247-3; 140W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 2.24V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Technology: Sonic FRD™
Reverse recovery time: 200ns
Power dissipation: 140W
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+392.00 грн
3+333.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMA50I1200HA DMA50I1200HA IXYS Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 50A; tube; Ifsm: 500A; TO247-2
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5kA
Kind of package: tube
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+327.27 грн
10+263.27 грн
30+233.64 грн
120+198.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DHG20I1200HA DHG20I1200HA IXYS DHG20I1200HA.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20A; tube; Ifsm: 150A; TO247-2; 140W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 2.25V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Technology: Sonic FRD™
Reverse recovery time: 200ns
Power dissipation: 140W
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+301.75 грн
10+215.01 грн
30+204.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH2N250 IXGH2N250.pdf
IXGH2N250
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 10.5nC
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 278ns
Power dissipation: 32W
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13.5A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Kind of package: tube
Technology: NPT
Case: TO247-3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1788.61 грн
3+1462.77 грн
10+1325.64 грн
30+1181.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK60-02A DSSK60-02A_AR.pdf
DSSK60-02A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 30Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 0.6kA
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4 IXXH80N65B4.pdf
IXXH80N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 222ns
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 625W
Pulsed collector current: 430A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 125ns
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+619.00 грн
10+385.16 грн
30+347.07 грн
60+343.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP36N60A3 IXGA(P,H)36N60A3.pdf
IXGP36N60A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 220W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 220W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; PT
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 80nC
Turn-off time: 1µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK36N60P IXFH(K,T)36N60P.pdf
IXFK36N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT36N60P IXFH(K,T)36N60P.pdf
IXFT36N60P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N60X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfa36n60x3-datasheet?assetguid=9c561014-ffa0-419b-994f-22f5fa914d61
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh36n60x3-datasheet?assetguid=38271253-e2cd-4f1f-b434-c9ed8035371e
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp36n60x3_datasheet.pdf.pdf
IXFP36N60X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR36N60P IXFR36N60P.pdf
IXFR36N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA36N60A3-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 36A; 220W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 220W
Case: TO263
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1 IXGH28N60B3D1.pdf
IXGH28N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PolarHV™; 600V; 28A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: PolarHV™; PT
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ28N60P3 IXFH(Q)28N60P3.pdf
IXFQ28N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX220N17T2 IXFK(X)220N17T2.pdf
IXFX220N17T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 500nC
On-state resistance: 6.3mΩ
Drain-source voltage: 170V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1.25kW
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+946.27 грн
3+782.18 грн
10+725.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPF80C200HB DPF80C200HB.pdf
DPF80C200HB
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 40Ax2; tube; Ifsm: 560A; TO247-3; 215W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 55ns
Max. forward voltage: 1.22V
Power dissipation: 215W
Load current: 40A x2
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 560A
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+473.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25T IXFH110N25T.pdf
IXFH110N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+741.15 грн
10+567.16 грн
30+461.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 IXTA(P)110N055T2.pdf
IXTP110N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.93 грн
3+189.62 грн
5+168.46 грн
10+135.44 грн
15+118.51 грн
25+114.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2 IXFH110N15T2.pdf
IXFH110N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 85ns
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.34 грн
3+401.25 грн
10+395.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25T IXTH110N25T.pdf
IXTH110N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+695.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2 IXFA(P)110N15T2.pdf
IXFA110N15T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns
Case: TO263
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 85ns
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P.pdf
IXFH110N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.06 грн
5+431.72 грн
10+352.15 грн
20+332.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30PB DSB60C30PB.pdf
DSB60C30PB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.49V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.49V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 530A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.95 грн
5+94.81 грн
10+83.80 грн
50+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C60PB DSB60C60PB.pdf
DSB60C60PB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.69V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.69V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward impulse current: 490A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30HB DSB60C30HB.pdf
DSB60C30HB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 30Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.47V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.47V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 570A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C45HB DSB60C45HB.pdf
DSB60C45HB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 30Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.58V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.58V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward impulse current: 570A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C45PB DSB60C45PB.pdf
DSB60C45PB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.6V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward impulse current: 490A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYA(P)8N90C3D1.pdf
IXYP8N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.07 грн
3+240.41 грн
10+212.47 грн
50+191.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3 IXYP(y)8N90C3.pdf
IXYP8N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-56R _Katalog LF_IXYS_WESTCODE_2021.pdf
IXBOD2-56R
Виробник: IXYS
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; 2nd Gen; 5.6kV; bulk
Mounting: THT
Type of thyristor: BOD x4
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
Breakover voltage: 5.6kV
Technology: 2nd Gen
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3 IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf
IXFH120N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+918.01 грн
30+733.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P IXFH(K)120N20P.pdf
IXFH120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+907.07 грн
5+701.76 грн
10+622.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15P IXF_120N15P.pdf
IXFH120N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+592.56 грн
5+474.89 грн
10+446.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI120-12A description dsei120-12a.pdf
DSEI120-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 109A; tube; Ifsm: 540A; TO247-2; 357W
Power dissipation: 357W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 40ns
Max. forward voltage: 1.55V
Max. forward impulse current: 540A
Load current: 109A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: FRED
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+878.81 грн
2+780.48 грн
5+740.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI120-12AZ-TUB DSEI120-12AZ.pdf
DSEI120-12AZ-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 109A; 40ns; TO268AA; Ufmax: 1.55V
Power dissipation: 357W
Case: TO268AA
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 40ns
Max. forward voltage: 1.55V
Max. forward impulse current: 540A
Load current: 109A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: FRED
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+984.56 грн
3+839.74 грн
10+744.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12A DSEI12-12A.pdf
DSEI12-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 11A; tube; Ifsm: 75A; TO220AC; 78W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 11A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 78W
Technology: FRED
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+201.47 грн
5+143.91 грн
10+116.82 грн
25+115.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12AZ-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 12A; 50ns; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 2.6V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK; TO263AB
Max. forward voltage: 2.6V
Max. forward impulse current: 75A
Technology: FRED
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-12AZ-TUB DSEI12-12AZ.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 11A; 50ns; TO263ABHV; Ufmax: 2.2V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 11A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO263ABHV
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 78W
Technology: FRED
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2 IXTA(P)100N04T2.pdf
IXTA100N04T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG06400D-BN4MM MG06400D-BN4MM.pdf
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Case: Y3-DCB
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Pulsed collector current: 800A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXA30RG1200DHGLB IXA30RG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf
IXA30RG1200DHGLB
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 147W
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+484.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf
IXA20PG1200DHGLB
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+773.06 грн
3+629.80 грн
10+611.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DHG10I1800PA DHG10I1800PA.pdf
DHG10I1800PA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.8kV; 10A; tube; Ifsm: 60A; TO220AC; 85W
Technology: Sonic FRD™
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 2.33V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 60A
Power dissipation: 85W
Max. off-state voltage: 1.8kV
Reverse recovery time: 300ns
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO220AC
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: THT
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.23 грн
10+184.54 грн
50+151.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DAA10EM1800PZ-TUB DAA10EM1800PZ.pdf
DAA10EM1800PZ-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.14V; 100W
Max. forward voltage: 1.14V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 130A
Power dissipation: 100W
Max. off-state voltage: 1.8kV
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: TO263ABHV
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DAA10EM1800PZ-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=8b1378fb-444d-4854-bf2e-b3d297066d3b&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DAA10EM1800PZ-Datasheet
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.21V
Max. forward voltage: 1.21V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Case: D2PAK; TO263AB
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DAA10P1800PZ-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.26V
Max. forward voltage: 1.26V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Case: D2PAK; TO263AB
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DAA10P1800PZ-TUB DAA10P1800PZ.pdf
DAA10P1800PZ-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.53V; 100W
Max. forward voltage: 1.53V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 150A
Power dissipation: 100W
Max. off-state voltage: 1.8kV
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: TO263ABHV
Semiconductor structure: double series
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMA10P1800PZ-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.26V
Max. forward voltage: 1.26V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 130A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Case: D2PAK; TO263AB
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMA10P1800PZ-TUB DMA10P1800PZ.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.21V; 100W
Max. forward voltage: 1.21V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 100W
Max. off-state voltage: 1.8kV
Case: TO263ABHV
Semiconductor structure: double series
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH70N60C5 IXKH70N60C5.pdf
IXKH70N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 70A; 625W; TO247-3
Gate charge: 150nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT70N20Q3 IXFH(T)70N20Q3.pdf
IXFT70N20Q3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 70A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 690W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT70N30Q3 IXFH(T)70N30Q3.pdf
IXFT70N30Q3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 830W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 98nC
On-state resistance: 54mΩ
Drain current: 70A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 830W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200HB CLA30E1200HB.pdf
CLA30E1200HB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 28mA; TO247AD; THT; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 28mA
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247AD
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.51 грн
10+232.79 грн
16+215.86 грн
30+194.70 грн
120+193.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DLA60I1200HA DLA60I1200HA.pdf
DLA60I1200HA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; tube; Ifsm: 850A; TO247-2; 500W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 850A
Kind of package: tube
Power dissipation: 500W
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.37 грн
3+387.70 грн
5+363.15 грн
10+334.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40E1200HR CLA40E1200HR.pdf
CLA40E1200HR
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 63A; 40A; Igt: 50/80mA; ISO247™; THT; tube
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Max. load current: 63A
Max. forward impulse current: 555A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 50/80mA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+786.73 грн
3+676.36 грн
10+562.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCG10P1200HR DCG10P1200HR.pdf
DCG10P1200HR
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 12.5A; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12.5A
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 750A
Kind of package: tube
Technology: SiC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3048.48 грн
3+2539.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCG17P1200HR DCG17P1200HR.pdf
DCG17P1200HR
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 18A; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 1kA
Kind of package: tube
Technology: SiC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7508.17 грн
3+6382.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPG60C200HB Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG60C200HB-Datasheet?assetguid=87B6D095-C8C9-4D2A-9030-B3214D70FAF8
DPG60C200HB
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 30Ax2; tube; Ifsm: 360A; TO247-3; 160W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1.34V
Max. forward impulse current: 360A
Kind of package: tube
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Reverse recovery time: 35ns
Power dissipation: 160W
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+415.70 грн
3+347.07 грн
10+306.44 грн
30+281.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DHG40C1200HB DHG40C1200HB.pdf
DHG40C1200HB
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20Ax2; tube; Ifsm: 150A; TO247-3; 140W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 2.24V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Technology: Sonic FRD™
Reverse recovery time: 200ns
Power dissipation: 140W
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+392.00 грн
3+333.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMA50I1200HA
DMA50I1200HA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 50A; tube; Ifsm: 500A; TO247-2
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5kA
Kind of package: tube
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+327.27 грн
10+263.27 грн
30+233.64 грн
120+198.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DHG20I1200HA DHG20I1200HA.pdf
DHG20I1200HA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20A; tube; Ifsm: 150A; TO247-2; 140W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 2.25V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Technology: Sonic FRD™
Reverse recovery time: 200ns
Power dissipation: 140W
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.75 грн
10+215.01 грн
30+204.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 225 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 254  [ Наступна Сторінка >> ]