Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18008) > Сторінка 244 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGN200N170 IXYS IXGN200N170 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 IXYS ixgn200n60b3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 830W
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3990.55 грн
3+3787.48 грн
10+3546.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN320N60A3 IXGN320N60A3 IXYS IXGN320N60A3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 170A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N60A3 IXGN400N60A3 IXYS IXGN400N60A3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 190A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 830W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Case: SOT227B
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N60B3 IXYS IXGN400N60B3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N120C3H1 IXGN50N120C3H1 IXYS IXGN50N120C3H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Power dissipation: 460W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Case: SOT227B
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN72N60C3H1 IXGN72N60C3H1 IXYS IXGN72N60C3H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 52A
Pulsed collector current: 360A
Power dissipation: 360W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Case: SOT227B
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N120A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_12n120a3_datasheet.pdf.pdf IXGP12N120A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS IXG_20N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+679.10 грн
4+316.71 грн
10+288.83 грн
500+278.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B3 IXGP20N120B3 IXYS IXGA(P)20N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+667.51 грн
4+316.71 грн
10+288.83 грн
500+277.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP24N120C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_24n120c3_datasheet.pdf.pdf IXGP24N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP30N120B3 IXGP30N120B3 IXYS IXGA(H,P)30N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+917.70 грн
3+421.97 грн
8+383.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP36N60A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_36n60a3_datasheet.pdf.pdf IXGP36N60A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP42N30C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh42n30c3_datasheet.pdf.pdf IXGP42N30C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 IXGP48N60A3 IXYS IXGA(P,H)48N60A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR24N120C3D1 IXGR24N120C3D1 IXYS IXGR24N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR32N90B2D1 IXGR32N90B2D1 IXYS IXGR32N90B2D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 22A; 160W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: HiPerFAST™; PT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 22A
Power dissipation: 160W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 42ns
Turn-off time: 690ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS IXGR48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1568.78 грн
2+1025.58 грн
3+933.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR55N120A3H1 IXGR55N120A3H1 IXYS IXGR55N120A3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 330A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR6N170A IXGR6N170A IXYS IXGR6N170A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 2.5A; 50W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 91ns
Turn-off time: 271ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60B3H1 IXGR72N60B3H1 IXYS IXGR72N60B3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-10n170-datasheet?assetguid=eaf33b10-8a19-43da-8aa2-8aba85c7a4eb IXGT10N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170A IXYS 98991.pdf IXGT10N170A SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170 IXGT16N170 IXYS IXGH16N170-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 78nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170A IXGT16N170A IXYS IXGH(t)16N170A_H1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170AH1 IXGT16N170AH1 IXYS IXGH(t)16N170A_H1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N170 IXYS DS98994A(IXGH-T24N170).pdf IXGT24N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N170A IXYS 98995.pdf IXGT24N170A SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N160 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_25n160_datasheet.pdf.pdf IXGT25N160 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N120B3D1 IXGT30N120B3D1 IXYS IXGH(t)30N120B3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT32N120A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_32n120a3_datasheet.pdf.pdf IXGT32N120A3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT32N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_32n170_datasheet.pdf.pdf IXGT32N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT32N170A IXYS 98942.pdf IXGT32N170A SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+543.86 грн
3+418.24 грн
8+381.22 грн
30+374.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT6N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_6n170_datasheet.pdf.pdf IXGT6N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT6N170A IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-6n170-datasheet?assetguid=d2aa0a4b-a2a5-4d3c-b4a9-b7da563ee3f8 IXGT6N170A SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT6N170AHV IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgt6n170ahv_datasheet.pdf.pdf IXGT6N170AHV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT72N60A3 IXGT72N60A3 IXYS IXG_72N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Technology: GenX3™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+999.81 грн
2+689.31 грн
3+662.88 грн
5+627.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX100N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgn100n170_datasheet.pdf.pdf IXGX100N170 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120A3 IXGX120N120A3 IXYS IXGK(x)120N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120B3 IXGX120N120B3 IXYS IXGK(x)120N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N60A3 IXGX120N60A3 IXYS IXGX120N60A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 830ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX320N60B3 IXGX320N60B3 IXYS IXGK(x)320N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1864.38 грн
2+1700.92 грн
3+1637.02 грн
30+1611.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX50N120C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n120c3h1_datasheet.pdf.pdf IXGX50N120C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX55N120A3H1 IXGX55N120A3H1 IXYS IXGK(X)55N120A3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX72N60A3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_72n60a3h1_datasheet.pdf.pdf IXGX72N60A3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX72N60C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgx72n60c3h1_datasheet.pdf.pdf IXGX72N60C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX82N120A3 IXYS IXGX82N120A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX82N120B3 IXYS IXGX82N120B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXHH40N150HV IXHH40N150HV IXYS IXHH40N150HV.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.5kV; TO247HV; THT; tube; 7.6kA
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.5kV
Case: TO247HV
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 7.6kA
Features of semiconductor devices: MOS-gated thyristor (MGT)
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXHX40N150V1HV IXHX40N150V1HV IXYS IXHX40N150V1HV.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.5kV; TO247PLUS-HV; THT; tube; 7.6kA
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.5kV
Case: TO247PLUS-HV
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 7.6kA
Features of semiconductor devices: freewheelling diode; MOS-gated thyristor (MGT)
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC15N60C5 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; ISOPLUS220™; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC19N60C5 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC23N60C5 IXKC23N60C5 IXYS IXKC23N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 147W; ISOPLUS220™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Case: ISOPLUS220™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Power dissipation: 147W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC25N80C IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkc25n80c_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; ISOPLUS220™; 550ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 550ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC40N60C IXYS description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKF40N60SCD1 IXKF40N60SCD1 IXYS IXKF40N60SCD1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 41A; ISOPLUS i4-pac™ x024a
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 41A
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 IXYS IXK(H)20N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+579.60 грн
3+401.48 грн
8+365.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH24N60C5 IXKH24N60C5 IXYS IXKH(P)24N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH30N60C5 IXKH30N60C5 IXYS IXKH30N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 310W
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 53nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N170
Виробник: IXYS
IXGN200N170 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 ixgn200n60b3.pdf
IXGN200N60B3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 830W
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3990.55 грн
3+3787.48 грн
10+3546.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN320N60A3 IXGN320N60A3.pdf
IXGN320N60A3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 170A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N60A3 IXGN400N60A3.pdf
IXGN400N60A3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 190A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 830W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Case: SOT227B
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N60B3
Виробник: IXYS
IXGN400N60B3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N120C3H1 IXGN50N120C3H1.pdf
IXGN50N120C3H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Power dissipation: 460W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Case: SOT227B
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN72N60C3H1 IXGN72N60C3H1.pdf
IXGN72N60C3H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 52A
Pulsed collector current: 360A
Power dissipation: 360W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Case: SOT227B
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N120A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_12n120a3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGP12N120A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3 IXG_20N120A3.pdf
IXGP20N120A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+679.10 грн
4+316.71 грн
10+288.83 грн
500+278.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B3 IXGA(P)20N120B3.pdf
IXGP20N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+667.51 грн
4+316.71 грн
10+288.83 грн
500+277.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP24N120C3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_24n120c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGP24N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP30N120B3 IXGA(H,P)30N120B3.pdf
IXGP30N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+917.70 грн
3+421.97 грн
8+383.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP36N60A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_36n60a3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGP36N60A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP42N30C3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh42n30c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGP42N30C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 IXGA(P,H)48N60A3.pdf
IXGP48N60A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR24N120C3D1 IXGR24N120C3D1.pdf
IXGR24N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR32N90B2D1 IXGR32N90B2D1.pdf
IXGR32N90B2D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 22A; 160W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: HiPerFAST™; PT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 22A
Power dissipation: 160W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 42ns
Turn-off time: 690ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1.pdf
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1568.78 грн
2+1025.58 грн
3+933.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR55N120A3H1 IXGR55N120A3H1.pdf
IXGR55N120A3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 330A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR6N170A IXGR6N170A.pdf
IXGR6N170A
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 2.5A; 50W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 91ns
Turn-off time: 271ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60B3H1 IXGR72N60B3H1.pdf
IXGR72N60B3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170 littelfuse-discrete-igbts-ixg-10n170-datasheet?assetguid=eaf33b10-8a19-43da-8aa2-8aba85c7a4eb
Виробник: IXYS
IXGT10N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170A 98991.pdf
Виробник: IXYS
IXGT10N170A SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170 IXGH16N170-DTE.pdf
IXGT16N170
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 78nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170A IXGH(t)16N170A_H1.pdf
IXGT16N170A
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170AH1 IXGH(t)16N170A_H1.pdf
IXGT16N170AH1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N170 DS98994A(IXGH-T24N170).pdf
Виробник: IXYS
IXGT24N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N170A 98995.pdf
Виробник: IXYS
IXGT24N170A SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N160 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_25n160_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGT25N160 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N120B3D1 IXGH(t)30N120B3D1.pdf
IXGT30N120B3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT32N120A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_32n120a3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGT32N120A3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT32N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_32n170_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGT32N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT32N170A 98942.pdf
Виробник: IXYS
IXGT32N170A SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+543.86 грн
3+418.24 грн
8+381.22 грн
30+374.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT6N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_6n170_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGT6N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT6N170A littelfuse-discrete-igbts-ixg-6n170-datasheet?assetguid=d2aa0a4b-a2a5-4d3c-b4a9-b7da563ee3f8
Виробник: IXYS
IXGT6N170A SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT6N170AHV littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgt6n170ahv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGT6N170AHV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT72N60A3 IXG_72N60A3.pdf
IXGT72N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Technology: GenX3™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+999.81 грн
2+689.31 грн
3+662.88 грн
5+627.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX100N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgn100n170_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGX100N170 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120A3 IXGK(x)120N120A3.pdf
IXGX120N120A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120B3 IXGK(x)120N120B3.pdf
IXGX120N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N60A3 IXGX120N60A3.pdf
IXGX120N60A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 830ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX320N60B3 IXGK(x)320N60B3.pdf
IXGX320N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1864.38 грн
2+1700.92 грн
3+1637.02 грн
30+1611.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX50N120C3H1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n120c3h1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGX50N120C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX55N120A3H1 IXGK(X)55N120A3H1.pdf
IXGX55N120A3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX72N60A3H1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_72n60a3h1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGX72N60A3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX72N60C3H1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgx72n60c3h1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGX72N60C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX82N120A3
Виробник: IXYS
IXGX82N120A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX82N120B3
Виробник: IXYS
IXGX82N120B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXHH40N150HV IXHH40N150HV.pdf
IXHH40N150HV
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.5kV; TO247HV; THT; tube; 7.6kA
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.5kV
Case: TO247HV
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 7.6kA
Features of semiconductor devices: MOS-gated thyristor (MGT)
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXHX40N150V1HV IXHX40N150V1HV.pdf
IXHX40N150V1HV
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.5kV; TO247PLUS-HV; THT; tube; 7.6kA
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.5kV
Case: TO247PLUS-HV
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 7.6kA
Features of semiconductor devices: freewheelling diode; MOS-gated thyristor (MGT)
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC15N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; ISOPLUS220™; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC19N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC23N60C5 IXKC23N60C5.pdf
IXKC23N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 147W; ISOPLUS220™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Case: ISOPLUS220™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Power dissipation: 147W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC25N80C littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkc25n80c_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; ISOPLUS220™; 550ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 550ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC40N60C description
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKF40N60SCD1 IXKF40N60SCD1.pdf
IXKF40N60SCD1
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 41A; ISOPLUS i4-pac™ x024a
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 41A
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH20N60C5 IXK(H)20N60C5.pdf
IXKH20N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+579.60 грн
3+401.48 грн
8+365.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH24N60C5 IXKH(P)24N60C5.pdf
IXKH24N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH30N60C5 IXKH30N60C5.pdf
IXKH30N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 310W
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 53nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]