Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15414) > Сторінка 244 з 257

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 225 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 257  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXA30RG1200DHGLB IXA30RG1200DHGLB IXYS IXA30RG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 147W
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+475.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB IXYS IXA20PG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+757.18 грн
3+616.86 грн
10+598.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DHG10I1800PA DHG10I1800PA IXYS DHG10I1800PA.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.8kV; 10A; tube; Ifsm: 60A; TO220AC; 85W
Technology: Sonic FRD™
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 2.33V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 60A
Power dissipation: 85W
Max. off-state voltage: 1.8kV
Reverse recovery time: 300ns
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO220AC
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: THT
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+240.19 грн
10+180.75 грн
50+148.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DAA10EM1800PZ-TUB DAA10EM1800PZ-TUB IXYS DAA10EM1800PZ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.14V; 100W
Max. forward voltage: 1.14V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 130A
Power dissipation: 100W
Max. off-state voltage: 1.8kV
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: TO263ABHV
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DAA10EM1800PZ-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=8b1378fb-444d-4854-bf2e-b3d297066d3b&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DAA10EM1800PZ-Datasheet Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.21V
Max. forward voltage: 1.21V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Case: D2PAK; TO263AB
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DAA10P1800PZ-TRL IXYS Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.26V
Max. forward voltage: 1.26V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Case: D2PAK; TO263AB
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DAA10P1800PZ-TUB DAA10P1800PZ-TUB IXYS DAA10P1800PZ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.53V; 100W
Max. forward voltage: 1.53V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 150A
Power dissipation: 100W
Max. off-state voltage: 1.8kV
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: TO263ABHV
Semiconductor structure: double series
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMA10P1800PZ-TRL IXYS Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.26V
Max. forward voltage: 1.26V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 130A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Case: D2PAK; TO263AB
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMA10P1800PZ-TUB IXYS DMA10P1800PZ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.21V; 100W
Max. forward voltage: 1.21V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 100W
Max. off-state voltage: 1.8kV
Case: TO263ABHV
Semiconductor structure: double series
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH70N60C5 IXKH70N60C5 IXYS IXKH70N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 70A; 625W; TO247-3
Gate charge: 150nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT70N20Q3 IXFT70N20Q3 IXYS IXFH(T)70N20Q3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 70A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 690W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT70N30Q3 IXFT70N30Q3 IXYS IXFH(T)70N30Q3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 830W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 98nC
On-state resistance: 54mΩ
Drain current: 70A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 830W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200HB CLA30E1200HB IXYS CLA30E1200HB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 28mA; TO247AD; THT; tube
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate current: 28mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. load current: 47A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+308.43 грн
10+250.39 грн
16+236.30 грн
30+219.72 грн
120+189.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DLA60I1200HA DLA60I1200HA IXYS DLA60I1200HA.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; tube; Ifsm: 850A; TO247-2; 500W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 850A
Kind of package: tube
Power dissipation: 500W
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+450.91 грн
3+379.74 грн
5+355.69 грн
10+327.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40E1200HR CLA40E1200HR IXYS CLA40E1200HR.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 63A; 40A; Igt: 50/80mA; ISO247™; THT; tube
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Max. load current: 63A
Max. forward impulse current: 555A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 50/80mA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+770.57 грн
3+662.47 грн
10+551.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCG10P1200HR DCG10P1200HR IXYS DCG10P1200HR.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 12.5A; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12.5A
Semiconductor structure: double series
Case: ISO247™
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 750A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2985.85 грн
3+2487.36 грн
10+2321.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCG17P1200HR DCG17P1200HR IXYS DCG17P1200HR.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 18A; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: double series
Case: ISO247™
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 1kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+7353.91 грн
3+6251.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPG60C200HB DPG60C200HB IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG60C200HB-Datasheet?assetguid=87B6D095-C8C9-4D2A-9030-B3214D70FAF8 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 30Ax2; tube; Ifsm: 360A; TO247-3; 160W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1.34V
Max. forward impulse current: 360A
Kind of package: tube
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Reverse recovery time: 35ns
Power dissipation: 160W
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+407.16 грн
3+339.94 грн
10+300.14 грн
30+275.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DHG40C1200HB DHG40C1200HB IXYS DHG40C1200HB.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20Ax2; tube; Ifsm: 150A; TO247-3; 140W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 2.24V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Technology: Sonic FRD™
Reverse recovery time: 200ns
Power dissipation: 140W
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+383.95 грн
3+326.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMA50I1200HA DMA50I1200HA IXYS Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 50A; tube; Ifsm: 500A; TO247-2
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5kA
Kind of package: tube
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+320.55 грн
10+257.86 грн
30+228.84 грн
120+194.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DHG20I1200HA DHG20I1200HA IXYS DHG20I1200HA.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20A; tube; Ifsm: 150A; TO247-2; 140W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 2.25V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Technology: Sonic FRD™
Reverse recovery time: 200ns
Power dissipation: 140W
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+295.55 грн
10+210.60 грн
30+199.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCG20C1200HR DCG20C1200HR IXYS DCG20C1200HR.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 12.5Ax2; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12.5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 750A
Kind of package: tube
Technology: SiC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1282.20 грн
3+1181.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCG35C1200HR DCG35C1200HR IXYS DCG35C1200HR.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 18Ax2; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 1kA
Kind of package: tube
Technology: SiC
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1821.51 грн
3+1630.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DHG30I1200HA DHG30I1200HA IXYS DHG30I1200HA.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO247-2; 180W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
Technology: Sonic FRD™
Reverse recovery time: 200ns
Power dissipation: 180W
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+314.24 грн
10+272.78 грн
20+236.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DPF60C200HJ DPF60C200HJ IXYS DPF60C200HB.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 30Ax2; tube; Ifsm: 560A; ISOPLUS247™
Type of diode: rectifying
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 560A
Kind of package: tube
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Reverse recovery time: 35ns
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+269.66 грн
3+225.52 грн
10+199.82 грн
30+189.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C200HB DPG30C200HB IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG30C200HB-Datasheet?assetguid=C7522524-F8A5-4F62-BC19-FCC564D51D7C Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15Ax2; tube; Ifsm: 240A; TO247-3; 90W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.24kA
Kind of package: tube
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Reverse recovery time: 35ns
Power dissipation: 90W
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+266.08 грн
10+188.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXA12IF1200HB IXA12IF1200HB IXYS IXA12IF1200HB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 27nC
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Power dissipation: 85W
Collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+358.94 грн
10+274.44 грн
30+235.47 грн
120+207.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T IXTP18P10T IXYS IXT_18P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Gate charge: 39nC
Reverse recovery time: 62ns
On-state resistance: 0.12Ω
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+224.12 грн
10+179.09 грн
25+145.92 грн
50+116.08 грн
100+92.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCO600-22io1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MCO600-22io1-Datasheet?assetguid=513E57AB-C4CD-4D86-994B-0EA2FF79457F Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 2.2kV; 600A; Y1; Ufmax: 1.34V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 600A
Case: Y1
Max. forward voltage: 1.34V
Gate current: 300/400mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCO600-20io1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MCO600-20io1-Datasheet?assetguid=053B5CC5-F625-4018-BAE3-C7C231E84F22 Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 2kV; 600A; Y1; Ufmax: 1.34V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 2kV
Load current: 600A
Case: Y1
Max. forward voltage: 1.34V
Gate current: 300/400mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50P IXFN100N50P IXYS 99497.pdf description Category: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 240nC
On-state resistance: 49mΩ
Technology: HiPerFET™
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 1.04kW
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LF21844NTR LF21844NTR IXYS LF21844NTR.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -2.3÷1.9A
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Case: SO14
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1973Y CPC1973Y IXYS CPC1973.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 0.35mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 5ms
Switched voltage: max. 400V AC
Case: SIP4
Max. operating current: 0.35mA
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 5Ω
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+681.28 грн
10+555.51 грн
25+504.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1302G CPC1302G IXYS CPC1302.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: Darlington; Uinsul: 3.75kV; Uce: 350V
Kind of output: Darlington
Case: DIP8
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Number of channels: 2
Collector-emitter voltage: 350V
CTR@If: 1000-8000%@1mA
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.94 грн
50+121.05 грн
100+109.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1302GSTR CPC1302GSTR IXYS CPC1302.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: Darlington; Uinsul: 3.75kV; Uce: 350V
Collector-emitter voltage: 350V
CTR@If: 1000-8000%@1mA
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: Darlington
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Turn-off time: 80µs
Turn-on time: 1µs
Trigger current: 50mA
Slew rate: 0.25V/μs
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 5V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+212.51 грн
10+144.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60PD1200NA CLA60PD1200NA IXYS CLA60PD1200NA.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 60A; SOT227B; Ufmax: 1.09V; screw
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.09V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 94A
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 935A
Kind of package: bulk
Gate current: 40/80mA
Threshold on-voltage: 0.79V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1934.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100PD1200NA CLA100PD1200NA IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA100PD1200NA-Datasheet?assetguid=3c99ebf3-0787-4f96-8215-5f6801302969 Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 100A; SOT227B; Ufmax: 1.21V; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
Gate current: 40/80mA
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.83V
Max. forward voltage: 1.21V
Load current: 100A
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Max. load current: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SOT227B
Max. forward impulse current: 1.5kA
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2533.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA110MB1200NA CLA110MB1200NA IXYS CLA110MB1200NA.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 50A; SOT227B; Ufmax: 1.04V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.04V
Max. forward impulse current: 935A
Gate current: 40/80mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1641.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMO62-12IO6 MMO62-12IO6 IXYS MMo62-12io6-DTE.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.29V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Gate current: 100mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1934.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 IXYS ixgn200n60b3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; PT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X61-02A DSEI2X61-02A IXYS DSEI2x61-02A.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 71Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 71A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 0.95kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 142A
Kind of package: tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2011.70 грн
10+1711.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X91-03A DSEP2X91-03A IXYS DSEP2X91-03A-DTE.pdf description Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 300V; If: 90Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 90A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.54V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 180A
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFRED™
Max. forward impulse current: 1kA
Kind of package: tube
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2593.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X61-03A DSEP2X61-03A IXYS DSEP2x61-03A.pdf description Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 300V; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 60A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.11V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 120A
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFRED™
Max. forward impulse current: 0.6kA
Kind of package: tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2109.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N20P IXFB210N20P IXYS IXFB210N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.5kW
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3 IXFB210N30P3 IXYS IXFB210N30P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 210A; 1890W; 250ns
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 14.5mΩ
Drain current: 210A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1890W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC120-12AK DSEC120-12AK IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC120-12AK-Datasheet?assetguid=6d7c4a83-944f-41eb-8b81-8f646ced8d79 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60Ax2; tube; Ifsm: 500A; TO264; 330W
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
Max. forward voltage: 2.66V
Max. forward impulse current: 0.5kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A x2
Power dissipation: 330W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1095.59 грн
3+954.32 грн
10+895.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3 IXYS IXFH26N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PS2601 PS2601 IXYS PS2601.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.600VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 600V AC
Relay variant: 1-phase
Mounting: THT
Case: SIP4
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Insulation voltage: 3.75kV
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 IXTP80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+506.27 грн
5+398.81 грн
10+359.01 грн
50+353.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2 IXTA80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1068.80 грн
5+860.63 грн
10+758.64 грн
25+664.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 IXTH80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80MT1200NHB CLA80MT1200NHB IXYS CLA80MT1200NHB.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 40A; TO247-3; Igt: 70/90mA; Ifsm: 440A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
Gate current: 70/90mA
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+586.63 грн
10+477.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NHB CLA60MT1200NHB IXYS CLA60MT1200NHB.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 30A; TO247-3; Igt: 60/80mA; Ifsm: 325A
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
Gate current: 60/80mA
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 325A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+685.75 грн
10+454.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NHR CLA60MT1200NHR IXYS CLA60MT1200NHR.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 30A; ISO247™; Igt: 60/80mA; Ifsm: 325A
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
Gate current: 60/80mA
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 325A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Case: ISO247™
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+867.90 грн
3+710.56 грн
10+638.42 грн
30+614.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T IXFH230N10T IXYS IXFH230N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+656.28 грн
10+504.10 грн
30+410.41 грн
120+406.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 IXYS IXFH(T)320N10T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 98ns
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1074.16 грн
5+833.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA50C100HB DSA50C100HB IXYS DSA50C100HB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.72V
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward impulse current: 0.44kA
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.72V
Load current: 25A x2
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+282.16 грн
3+236.30 грн
10+208.94 грн
30+190.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK50-01A DSSK50-01A IXYS DSSK50-01A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.65V
Power dissipation: 135W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward impulse current: 0.45kA
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.65V
Load current: 25A x2
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+350.02 грн
3+286.88 грн
10+262.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C100HB DSA30C100HB IXYS DSA30C100HB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 15Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.72V
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward impulse current: 340A
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.72V
Load current: 15A x2
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+178.26 грн
10+157.53 грн
30+143.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCB40P1200LB-TRR IXYS MCB40P1200LB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 55A
Case: SMPD-B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXA30RG1200DHGLB IXA30RG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf
IXA30RG1200DHGLB
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 147W
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+475.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf
IXA20PG1200DHGLB
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+757.18 грн
3+616.86 грн
10+598.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DHG10I1800PA DHG10I1800PA.pdf
DHG10I1800PA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.8kV; 10A; tube; Ifsm: 60A; TO220AC; 85W
Technology: Sonic FRD™
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 2.33V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 60A
Power dissipation: 85W
Max. off-state voltage: 1.8kV
Reverse recovery time: 300ns
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO220AC
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: THT
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.19 грн
10+180.75 грн
50+148.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DAA10EM1800PZ-TUB DAA10EM1800PZ.pdf
DAA10EM1800PZ-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.14V; 100W
Max. forward voltage: 1.14V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 130A
Power dissipation: 100W
Max. off-state voltage: 1.8kV
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: TO263ABHV
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DAA10EM1800PZ-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=8b1378fb-444d-4854-bf2e-b3d297066d3b&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DAA10EM1800PZ-Datasheet
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.21V
Max. forward voltage: 1.21V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Case: D2PAK; TO263AB
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DAA10P1800PZ-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.26V
Max. forward voltage: 1.26V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Case: D2PAK; TO263AB
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DAA10P1800PZ-TUB DAA10P1800PZ.pdf
DAA10P1800PZ-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.53V; 100W
Max. forward voltage: 1.53V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 150A
Power dissipation: 100W
Max. off-state voltage: 1.8kV
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: TO263ABHV
Semiconductor structure: double series
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMA10P1800PZ-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.26V
Max. forward voltage: 1.26V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 130A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Case: D2PAK; TO263AB
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMA10P1800PZ-TUB DMA10P1800PZ.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.21V; 100W
Max. forward voltage: 1.21V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 100W
Max. off-state voltage: 1.8kV
Case: TO263ABHV
Semiconductor structure: double series
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH70N60C5 IXKH70N60C5.pdf
IXKH70N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 70A; 625W; TO247-3
Gate charge: 150nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT70N20Q3 IXFH(T)70N20Q3.pdf
IXFT70N20Q3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 70A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 690W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT70N30Q3 IXFH(T)70N30Q3.pdf
IXFT70N30Q3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 830W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 98nC
On-state resistance: 54mΩ
Drain current: 70A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 830W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200HB CLA30E1200HB.pdf
CLA30E1200HB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 28mA; TO247AD; THT; tube
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate current: 28mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. load current: 47A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+308.43 грн
10+250.39 грн
16+236.30 грн
30+219.72 грн
120+189.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DLA60I1200HA DLA60I1200HA.pdf
DLA60I1200HA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; tube; Ifsm: 850A; TO247-2; 500W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 850A
Kind of package: tube
Power dissipation: 500W
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+450.91 грн
3+379.74 грн
5+355.69 грн
10+327.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40E1200HR CLA40E1200HR.pdf
CLA40E1200HR
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 63A; 40A; Igt: 50/80mA; ISO247™; THT; tube
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Max. load current: 63A
Max. forward impulse current: 555A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 50/80mA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+770.57 грн
3+662.47 грн
10+551.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCG10P1200HR DCG10P1200HR.pdf
DCG10P1200HR
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 12.5A; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12.5A
Semiconductor structure: double series
Case: ISO247™
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 750A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2985.85 грн
3+2487.36 грн
10+2321.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCG17P1200HR DCG17P1200HR.pdf
DCG17P1200HR
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 18A; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: double series
Case: ISO247™
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 1kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7353.91 грн
3+6251.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPG60C200HB Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG60C200HB-Datasheet?assetguid=87B6D095-C8C9-4D2A-9030-B3214D70FAF8
DPG60C200HB
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 30Ax2; tube; Ifsm: 360A; TO247-3; 160W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1.34V
Max. forward impulse current: 360A
Kind of package: tube
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Reverse recovery time: 35ns
Power dissipation: 160W
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+407.16 грн
3+339.94 грн
10+300.14 грн
30+275.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DHG40C1200HB DHG40C1200HB.pdf
DHG40C1200HB
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20Ax2; tube; Ifsm: 150A; TO247-3; 140W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 2.24V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Technology: Sonic FRD™
Reverse recovery time: 200ns
Power dissipation: 140W
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+383.95 грн
3+326.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMA50I1200HA
DMA50I1200HA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 50A; tube; Ifsm: 500A; TO247-2
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5kA
Kind of package: tube
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+320.55 грн
10+257.86 грн
30+228.84 грн
120+194.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DHG20I1200HA DHG20I1200HA.pdf
DHG20I1200HA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20A; tube; Ifsm: 150A; TO247-2; 140W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 2.25V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Technology: Sonic FRD™
Reverse recovery time: 200ns
Power dissipation: 140W
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+295.55 грн
10+210.60 грн
30+199.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCG20C1200HR DCG20C1200HR.pdf
DCG20C1200HR
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 12.5Ax2; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12.5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 750A
Kind of package: tube
Technology: SiC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1282.20 грн
3+1181.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCG35C1200HR DCG35C1200HR.pdf
DCG35C1200HR
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 18Ax2; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 1kA
Kind of package: tube
Technology: SiC
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1821.51 грн
3+1630.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DHG30I1200HA DHG30I1200HA.pdf
DHG30I1200HA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO247-2; 180W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
Technology: Sonic FRD™
Reverse recovery time: 200ns
Power dissipation: 180W
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+314.24 грн
10+272.78 грн
20+236.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DPF60C200HJ DPF60C200HB.pdf
DPF60C200HJ
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 30Ax2; tube; Ifsm: 560A; ISOPLUS247™
Type of diode: rectifying
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 560A
Kind of package: tube
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Reverse recovery time: 35ns
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.66 грн
3+225.52 грн
10+199.82 грн
30+189.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C200HB Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG30C200HB-Datasheet?assetguid=C7522524-F8A5-4F62-BC19-FCC564D51D7C
DPG30C200HB
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15Ax2; tube; Ifsm: 240A; TO247-3; 90W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.24kA
Kind of package: tube
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Reverse recovery time: 35ns
Power dissipation: 90W
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+266.08 грн
10+188.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXA12IF1200HB IXA12IF1200HB.pdf
IXA12IF1200HB
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 27nC
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Power dissipation: 85W
Collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+358.94 грн
10+274.44 грн
30+235.47 грн
120+207.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T IXT_18P10T.pdf
IXTP18P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Gate charge: 39nC
Reverse recovery time: 62ns
On-state resistance: 0.12Ω
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.12 грн
10+179.09 грн
25+145.92 грн
50+116.08 грн
100+92.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCO600-22io1 Littelfuse-Power-Semiconductors-MCO600-22io1-Datasheet?assetguid=513E57AB-C4CD-4D86-994B-0EA2FF79457F
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 2.2kV; 600A; Y1; Ufmax: 1.34V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 600A
Case: Y1
Max. forward voltage: 1.34V
Gate current: 300/400mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCO600-20io1 Littelfuse-Power-Semiconductors-MCO600-20io1-Datasheet?assetguid=053B5CC5-F625-4018-BAE3-C7C231E84F22
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 2kV; 600A; Y1; Ufmax: 1.34V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 2kV
Load current: 600A
Case: Y1
Max. forward voltage: 1.34V
Gate current: 300/400mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50P description 99497.pdf
IXFN100N50P
Виробник: IXYS
Category: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 240nC
On-state resistance: 49mΩ
Technology: HiPerFET™
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 1.04kW
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LF21844NTR LF21844NTR.pdf
LF21844NTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -2.3÷1.9A
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Case: SO14
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1973Y CPC1973.pdf
CPC1973Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 0.35mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 5ms
Switched voltage: max. 400V AC
Case: SIP4
Max. operating current: 0.35mA
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 5Ω
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+681.28 грн
10+555.51 грн
25+504.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1302G CPC1302.pdf
CPC1302G
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: Darlington; Uinsul: 3.75kV; Uce: 350V
Kind of output: Darlington
Case: DIP8
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Number of channels: 2
Collector-emitter voltage: 350V
CTR@If: 1000-8000%@1mA
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+183.94 грн
50+121.05 грн
100+109.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1302GSTR CPC1302.pdf
CPC1302GSTR
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: Darlington; Uinsul: 3.75kV; Uce: 350V
Collector-emitter voltage: 350V
CTR@If: 1000-8000%@1mA
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: Darlington
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Turn-off time: 80µs
Turn-on time: 1µs
Trigger current: 50mA
Slew rate: 0.25V/μs
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 5V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+212.51 грн
10+144.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60PD1200NA CLA60PD1200NA.pdf
CLA60PD1200NA
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 60A; SOT227B; Ufmax: 1.09V; screw
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.09V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 94A
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 935A
Kind of package: bulk
Gate current: 40/80mA
Threshold on-voltage: 0.79V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1934.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100PD1200NA Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA100PD1200NA-Datasheet?assetguid=3c99ebf3-0787-4f96-8215-5f6801302969
CLA100PD1200NA
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 100A; SOT227B; Ufmax: 1.21V; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
Gate current: 40/80mA
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.83V
Max. forward voltage: 1.21V
Load current: 100A
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Max. load current: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SOT227B
Max. forward impulse current: 1.5kA
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2533.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA110MB1200NA CLA110MB1200NA.pdf
CLA110MB1200NA
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 50A; SOT227B; Ufmax: 1.04V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.04V
Max. forward impulse current: 935A
Gate current: 40/80mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1641.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMO62-12IO6 MMo62-12io6-DTE.pdf
MMO62-12IO6
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.29V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Gate current: 100mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1934.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 ixgn200n60b3.pdf
IXGN200N60B3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; PT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X61-02A DSEI2x61-02A.pdf
DSEI2X61-02A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 71Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 71A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 0.95kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 142A
Kind of package: tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2011.70 грн
10+1711.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X91-03A description DSEP2X91-03A-DTE.pdf
DSEP2X91-03A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 300V; If: 90Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 90A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.54V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 180A
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFRED™
Max. forward impulse current: 1kA
Kind of package: tube
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2593.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X61-03A description DSEP2x61-03A.pdf
DSEP2X61-03A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 300V; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 60A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.11V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 120A
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFRED™
Max. forward impulse current: 0.6kA
Kind of package: tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2109.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N20P IXFB210N20P.pdf
IXFB210N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.5kW
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3 IXFB210N30P3.pdf
IXFB210N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 210A; 1890W; 250ns
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 14.5mΩ
Drain current: 210A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1890W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC120-12AK Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC120-12AK-Datasheet?assetguid=6d7c4a83-944f-41eb-8b81-8f646ced8d79
DSEC120-12AK
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60Ax2; tube; Ifsm: 500A; TO264; 330W
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
Max. forward voltage: 2.66V
Max. forward impulse current: 0.5kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A x2
Power dissipation: 330W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1095.59 грн
3+954.32 грн
10+895.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3.pdf
IXFH26N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PS2601 PS2601.pdf
PS2601
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.600VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 600V AC
Relay variant: 1-phase
Mounting: THT
Case: SIP4
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Insulation voltage: 3.75kV
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTP80N075L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+506.27 грн
5+398.81 грн
10+359.01 грн
50+353.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTA80N075L2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1068.80 грн
5+860.63 грн
10+758.64 грн
25+664.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTH80N075L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80MT1200NHB CLA80MT1200NHB.pdf
CLA80MT1200NHB
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 40A; TO247-3; Igt: 70/90mA; Ifsm: 440A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
Gate current: 70/90mA
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+586.63 грн
10+477.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NHB CLA60MT1200NHB.pdf
CLA60MT1200NHB
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 30A; TO247-3; Igt: 60/80mA; Ifsm: 325A
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
Gate current: 60/80mA
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 325A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+685.75 грн
10+454.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NHR CLA60MT1200NHR.pdf
CLA60MT1200NHR
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 30A; ISO247™; Igt: 60/80mA; Ifsm: 325A
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
Gate current: 60/80mA
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 325A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Case: ISO247™
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+867.90 грн
3+710.56 грн
10+638.42 грн
30+614.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T IXFH230N10T.pdf
IXFH230N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+656.28 грн
10+504.10 грн
30+410.41 грн
120+406.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH(T)320N10T2.pdf
IXFH320N10T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 98ns
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1074.16 грн
5+833.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA50C100HB DSA50C100HB.pdf
DSA50C100HB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.72V
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward impulse current: 0.44kA
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.72V
Load current: 25A x2
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.16 грн
3+236.30 грн
10+208.94 грн
30+190.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK50-01A DSSK50-01A.pdf
DSSK50-01A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.65V
Power dissipation: 135W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward impulse current: 0.45kA
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.65V
Load current: 25A x2
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+350.02 грн
3+286.88 грн
10+262.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C100HB DSA30C100HB.pdf
DSA30C100HB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 15Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.72V
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward impulse current: 340A
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.72V
Load current: 15A x2
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+178.26 грн
10+157.53 грн
30+143.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCB40P1200LB-TRR MCB40P1200LB.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 55A
Case: SMPD-B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 225 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 257  [ Наступна Сторінка >> ]