| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTA52P10P | IXYS |
IXTA52P10P SMD P channel transistors |
на замовлення 300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXTA6N50D2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 64ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTA76P10T | IXYS |
IXTA76P10T SMD P channel transistors |
на замовлення 137 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXTA80N075L2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 357W Case: TO263 On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTA8N65X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTA96P085T | IXYS |
IXTA96P085T SMD P channel transistors |
на замовлення 163 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXTB62N50L | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 800W Case: PLUS264™ Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 0.5µs Gate charge: 550nC On-state resistance: 0.1Ω Drain current: 62A Drain-source voltage: 500V Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTH10P50P | IXYS |
IXTH10P50P THT P channel transistors |
на замовлення 270 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTH110N25T | IXYS |
IXTH110N25T THT N channel transistors |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTH11P50 | IXYS |
IXTH11P50 THT P channel transistors |
на замовлення 295 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTH120P065T | IXYS |
IXTH120P065T THT P channel transistors |
на замовлення 158 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTH140P05T | IXYS |
IXTH140P05T THT P channel transistors |
на замовлення 288 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTH140P10T | IXYS |
IXTH140P10T THT P channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXTH15N50L2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 15A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 570ns Features of semiconductor devices: linear power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTH1N450HV | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 4.5kV Drain current: 1A Power dissipation: 520W Case: TO247-3 On-state resistance: 80Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.75µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTH20N65X | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 320W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 35nC Reverse recovery time: 0.35µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTH20P50P | IXYS |
IXTH20P50P THT P channel transistors |
на замовлення 419 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTH240N15X4 | IXYS | IXTH240N15X4 THT N channel transistors |
на замовлення 123 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTH270N04T4 | IXYS |
IXTH270N04T4 THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXTH30N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 0.5µs Power dissipation: 540W Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 82nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 276 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTH32N65X | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 32A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 147 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTH3N100P | IXYS |
IXTH3N100P THT N channel transistors |
на замовлення 300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTH44P15T | IXYS |
IXTH44P15T THT P channel transistors |
на замовлення 304 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXTH48N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 253 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTH48P20P | IXYS |
IXTH48P20P THT P channel transistors |
на замовлення 295 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXTH50P10 | IXYS |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -50A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 306 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTH52P10P | IXYS |
IXTH52P10P THT P channel transistors |
на замовлення 139 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTH68P20T | IXYS |
IXTH68P20T THT P channel transistors |
на замовлення 32 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXTH6N50D2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 64ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 215 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTH76N25T | IXYS |
IXTH76N25T THT N channel transistors |
на замовлення 248 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTH76P10T | IXYS |
IXTH76P10T THT P channel transistors |
на замовлення 285 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXTH80N075L2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 252 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTH8P50 | IXYS |
IXTH8P50 THT P channel transistors |
на замовлення 300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXTH90P10P | IXYS |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -90A Reverse recovery time: 144ns Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 462W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 114 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTH96N25T | IXYS |
IXTH96N25T THT N channel transistors |
на замовлення 218 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTH96P085T | IXYS |
IXTH96P085T THT P channel transistors |
на замовлення 421 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTK120N25P | IXYS |
IXTK120N25P THT N channel transistors |
на замовлення 179 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTK170N10P | IXYS |
IXTK170N10P THT N channel transistors |
на замовлення 127 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTK180N15P | IXYS |
IXTK180N15P THT N channel transistors |
на замовлення 31 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTK200N10P | IXYS |
IXTK200N10P THT N channel transistors |
на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTK210P10T | IXYS |
IXTK210P10T THT P channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXTK32P60P | IXYS |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264 Mounting: THT Case: TO264 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -600V Drain current: -32A Gate charge: 196nC Reverse recovery time: 480ns On-state resistance: 0.35Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 890W Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 273 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTK82N25P | IXYS |
IXTK82N25P THT N channel transistors |
на замовлення 287 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXTK90P20P | IXYS |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Kind of package: tube Drain-source voltage: -200V Drain current: -90A Reverse recovery time: 315ns Gate charge: 205nC On-state resistance: 44mΩ Power dissipation: 890W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTP01N100D | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.1A Power dissipation: 25W Case: TO220AB On-state resistance: 80Ω Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 2ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 319 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTP08N100D2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO220AB On-state resistance: 21Ω Mounting: THT Gate charge: 325nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 275 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTP08N100P | IXYS |
IXTP08N100P THT N channel transistors |
на замовлення 290 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXTP08N50D2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO220AB On-state resistance: 4.6Ω Mounting: THT Gate charge: 312nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 11ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 263 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTP10P15T | IXYS |
IXTP10P15T THT P channel transistors |
на замовлення 22 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTP10P50P | IXYS |
IXTP10P50P THT P channel transistors |
на замовлення 57 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTP110N055T2 | IXYS |
IXTP110N055T2 THT N channel transistors |
на замовлення 301 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTP120P065T | IXYS |
IXTP120P065T THT P channel transistors |
на замовлення 259 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXTP12N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 300ns Gate charge: 29nC On-state resistance: 0.5Ω Drain current: 12A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V Kind of channel: enhancement Technology: Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 282 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTP12N70X2 | IXYS |
IXTP12N70X2 THT N channel transistors |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTP130N15X4 | IXYS |
IXTP130N15X4 THT N channel transistors |
на замовлення 283 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTP140P05T | IXYS |
IXTP140P05T THT P channel transistors |
на замовлення 216 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXTP14N60X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 180W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 18A Gate charge: 16.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTP150N15X4 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 105nC Reverse recovery time: 100ns On-state resistance: 7.2mΩ Power dissipation: 480W Drain current: 150A Drain-source voltage: 150V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTP15N50L2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 15A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 570ns Features of semiconductor devices: linear power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 269 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTP15P15T | IXYS |
IXTP15P15T THT P channel transistors |
на замовлення 130 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| IXTA52P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA52P10P SMD P channel transistors
IXTA52P10P SMD P channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 678.29 грн |
| 3+ | 412.31 грн |
| 8+ | 389.57 грн |
| IXTA6N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 784.77 грн |
| 10+ | 621.21 грн |
| IXTA76P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA76P10T SMD P channel transistors
IXTA76P10T SMD P channel transistors
на замовлення 137 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 679.36 грн |
| 4+ | 355.96 грн |
| 10+ | 336.18 грн |
| IXTA80N075L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1274.59 грн |
| 5+ | 1065.81 грн |
| 10+ | 904.72 грн |
| 25+ | 792.99 грн |
| IXTA8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.71 грн |
| 10+ | 155.05 грн |
| 50+ | 115.69 грн |
| 250+ | 95.91 грн |
| 300+ | 93.93 грн |
| 500+ | 90.97 грн |
| IXTA96P085T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA96P085T SMD P channel transistors
IXTA96P085T SMD P channel transistors
на замовлення 163 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 538.80 грн |
| 4+ | 355.96 грн |
| 10+ | 336.18 грн |
| IXTB62N50L |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 550nC
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 62A
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 550nC
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 62A
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3986.70 грн |
| 3+ | 3400.74 грн |
| 10+ | 2942.56 грн |
| 25+ | 2740.86 грн |
| IXTH10P50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH10P50P THT P channel transistors
IXTH10P50P THT P channel transistors
на замовлення 270 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 829.50 грн |
| 3+ | 507.24 грн |
| 7+ | 479.55 грн |
| IXTH110N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH110N25T THT N channel transistors
IXTH110N25T THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 928.53 грн |
| 3+ | 557.66 грн |
| 6+ | 527.01 грн |
| IXTH11P50 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH11P50 THT P channel transistors
IXTH11P50 THT P channel transistors
на замовлення 295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1106.35 грн |
| 2+ | 763.33 грн |
| 5+ | 721.80 грн |
| IXTH120P065T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH120P065T THT P channel transistors
IXTH120P065T THT P channel transistors
на замовлення 158 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 796.49 грн |
| 3+ | 486.47 грн |
| 7+ | 460.76 грн |
| IXTH140P05T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH140P05T THT P channel transistors
IXTH140P05T THT P channel transistors
на замовлення 288 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 911.49 грн |
| 2+ | 607.10 грн |
| 6+ | 573.48 грн |
| IXTH140P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH140P10T THT P channel transistors
IXTH140P10T THT P channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1180.59 грн |
| 3+ | 1115.33 грн |
| IXTH15N50L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 570ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 570ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 878.48 грн |
| 30+ | 566.79 грн |
| IXTH1N450HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.75µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.75µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3287.11 грн |
| 5+ | 3130.70 грн |
| IXTH20N65X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 774.13 грн |
| 10+ | 663.31 грн |
| 30+ | 590.29 грн |
| 120+ | 527.01 грн |
| 270+ | 488.45 грн |
| 510+ | 480.54 грн |
| IXTH20P50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH20P50P THT P channel transistors
IXTH20P50P THT P channel transistors
на замовлення 419 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1118.06 грн |
| 2+ | 692.14 грн |
| 5+ | 654.56 грн |
| IXTH240N15X4 |
Виробник: IXYS
IXTH240N15X4 THT N channel transistors
IXTH240N15X4 THT N channel transistors
на замовлення 123 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1186.21 грн |
| 2+ | 881.98 грн |
| 4+ | 833.53 грн |
| IXTH270N04T4 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH270N04T4 THT N channel transistors
IXTH270N04T4 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 370.56 грн |
| 5+ | 269.93 грн |
| 12+ | 255.10 грн |
| IXTH30N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 885.93 грн |
| 3+ | 793.71 грн |
| 10+ | 635.78 грн |
| 30+ | 590.29 грн |
| IXTH32N65X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 629.31 грн |
| 3+ | 546.25 грн |
| 10+ | 464.72 грн |
| 30+ | 417.26 грн |
| IXTH3N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH3N100P THT N channel transistors
IXTH3N100P THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 633.57 грн |
| 4+ | 351.01 грн |
| 10+ | 332.22 грн |
| IXTH44P15T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH44P15T THT P channel transistors
IXTH44P15T THT P channel transistors
на замовлення 304 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 782.65 грн |
| 3+ | 485.48 грн |
| 7+ | 458.79 грн |
| IXTH48N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 253 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 790.10 грн |
| 10+ | 600.67 грн |
| IXTH48P20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH48P20P THT P channel transistors
IXTH48P20P THT P channel transistors
на замовлення 295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1101.03 грн |
| 2+ | 719.82 грн |
| 5+ | 681.26 грн |
| IXTH50P10 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 306 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 983.90 грн |
| 10+ | 809.11 грн |
| 30+ | 730.70 грн |
| 120+ | 670.38 грн |
| 270+ | 638.74 грн |
| IXTH52P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH52P10P THT P channel transistors
IXTH52P10P THT P channel transistors
на замовлення 139 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 809.27 грн |
| 3+ | 465.71 грн |
| 7+ | 440.99 грн |
| IXTH68P20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH68P20T THT P channel transistors
IXTH68P20T THT P channel transistors
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1348.07 грн |
| 2+ | 1075.78 грн |
| 3+ | 1016.45 грн |
| IXTH6N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 878.48 грн |
| 10+ | 701.30 грн |
| 30+ | 631.82 грн |
| 120+ | 577.44 грн |
| 510+ | 523.06 грн |
| 1020+ | 496.36 грн |
| IXTH76N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH76N25T THT N channel transistors
IXTH76N25T THT N channel transistors
на замовлення 248 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 608.01 грн |
| 4+ | 355.96 грн |
| 10+ | 336.18 грн |
| IXTH76P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH76P10T THT P channel transistors
IXTH76P10T THT P channel transistors
на замовлення 285 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 562.23 грн |
| 3+ | 485.48 грн |
| 7+ | 458.79 грн |
| IXTH80N075L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 252 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 736.86 грн |
| 5+ | 596.57 грн |
| 10+ | 521.08 грн |
| 30+ | 502.29 грн |
| IXTH8P50 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH8P50 THT P channel transistors
IXTH8P50 THT P channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 795.42 грн |
| 3+ | 571.51 грн |
| 6+ | 540.85 грн |
| IXTH90P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 144ns
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 144ns
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1008.39 грн |
| 5+ | 756.75 грн |
| 10+ | 605.12 грн |
| IXTH96N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH96N25T THT N channel transistors
IXTH96N25T THT N channel transistors
на замовлення 218 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 679.36 грн |
| 3+ | 429.12 грн |
| 8+ | 405.39 грн |
| IXTH96P085T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH96P085T THT P channel transistors
IXTH96P085T THT P channel transistors
на замовлення 421 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 572.88 грн |
| 3+ | 485.48 грн |
| 7+ | 458.79 грн |
| IXTK120N25P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTK120N25P THT N channel transistors
IXTK120N25P THT N channel transistors
на замовлення 179 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1449.22 грн |
| 2+ | 1043.15 грн |
| 4+ | 986.79 грн |
| IXTK170N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTK170N10P THT N channel transistors
IXTK170N10P THT N channel transistors
на замовлення 127 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 960.47 грн |
| 2+ | 758.38 грн |
| 5+ | 716.85 грн |
| IXTK180N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTK180N15P THT N channel transistors
IXTK180N15P THT N channel transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1485.43 грн |
| 2+ | 1016.45 грн |
| 4+ | 961.08 грн |
| IXTK200N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTK200N10P THT N channel transistors
IXTK200N10P THT N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1170.24 грн |
| 2+ | 994.70 грн |
| 4+ | 940.32 грн |
| IXTK210P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTK210P10T THT P channel transistors
IXTK210P10T THT P channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2116.95 грн |
| 2+ | 2001.26 грн |
| IXTK32P60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Gate charge: 196nC
Reverse recovery time: 480ns
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Gate charge: 196nC
Reverse recovery time: 480ns
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1557.84 грн |
| 10+ | 1378.98 грн |
| IXTK82N25P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTK82N25P THT N channel transistors
IXTK82N25P THT N channel transistors
на замовлення 287 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1030.75 грн |
| 2+ | 660.49 грн |
| 5+ | 624.90 грн |
| IXTK90P20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1719.69 грн |
| 5+ | 1410.82 грн |
| IXTP01N100D |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 319 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 637.83 грн |
| 10+ | 506.21 грн |
| 25+ | 389.57 грн |
| IXTP08N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 285.37 грн |
| 10+ | 174.56 грн |
| 50+ | 136.45 грн |
| 100+ | 131.51 грн |
| IXTP08N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP08N100P THT N channel transistors
IXTP08N100P THT N channel transistors
на замовлення 290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 228.94 грн |
| 10+ | 128.54 грн |
| 26+ | 121.62 грн |
| IXTP08N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 269.40 грн |
| 10+ | 218.71 грн |
| 25+ | 168.09 грн |
| 50+ | 131.51 грн |
| IXTP10P15T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP10P15T THT P channel transistors
IXTP10P15T THT P channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 219.35 грн |
| 11+ | 111.73 грн |
| 29+ | 105.80 грн |
| IXTP10P50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP10P50P THT P channel transistors
IXTP10P50P THT P channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 663.39 грн |
| 4+ | 366.83 грн |
| 9+ | 347.06 грн |
| IXTP110N055T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP110N055T2 THT N channel transistors
IXTP110N055T2 THT N channel transistors
на замовлення 301 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 316.25 грн |
| 8+ | 146.34 грн |
| 22+ | 138.43 грн |
| IXTP120P065T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP120P065T THT P channel transistors
IXTP120P065T THT P channel transistors
на замовлення 259 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 642.09 грн |
| 4+ | 346.07 грн |
| 10+ | 327.28 грн |
| IXTP12N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 266.21 грн |
| 3+ | 230.00 грн |
| 10+ | 195.78 грн |
| 50+ | 176.99 грн |
| 250+ | 174.02 грн |
| IXTP12N70X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP12N70X2 THT N channel transistors
IXTP12N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 402.50 грн |
| 5+ | 254.11 грн |
| 13+ | 240.27 грн |
| IXTP130N15X4 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP130N15X4 THT N channel transistors
IXTP130N15X4 THT N channel transistors
на замовлення 283 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 603.75 грн |
| 4+ | 380.67 грн |
| 9+ | 360.90 грн |
| IXTP140P05T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP140P05T THT P channel transistors
IXTP140P05T THT P channel transistors
на замовлення 216 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 659.13 грн |
| 3+ | 448.90 грн |
| 8+ | 425.17 грн |
| IXTP14N60X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 493.01 грн |
| 10+ | 345.00 грн |
| 50+ | 251.15 грн |
| IXTP150N15X4 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 777.32 грн |
| 3+ | 677.68 грн |
| 10+ | 534.92 грн |
| 25+ | 456.81 грн |
| IXTP15N50L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 570ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 570ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 814.59 грн |
| 5+ | 636.61 грн |
| 10+ | 534.92 грн |
| 50+ | 508.23 грн |
| IXTP15P15T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP15P15T THT P channel transistors
IXTP15P15T THT P channel transistors
на замовлення 130 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 320.51 грн |
| 6+ | 211.60 грн |
| 16+ | 199.73 грн |





