Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16357) > Сторінка 244 з 273

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTT82N25P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf IXTT82N25P SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+632.39 грн
5+610.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT8P50 IXTT8P50 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E9CDAEE7EB8BF&compId=IXT_8P50.pdf?ci_sign=d6b8da636dc8394c03e72a7f3dcbe95461b9557a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO268; 400ns
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO268
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -8A
Reverse recovery time: 400ns
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 1.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+727.04 грн
3+618.83 грн
10+535.07 грн
30+527.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf IXTU4N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+193.46 грн
9+141.98 грн
23+134.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTU8N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+375.48 грн
7+171.92 грн
19+162.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T IXTX120P20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EA563468D18BF&compId=IXT_120P20T.pdf?ci_sign=b303308099e4550f537d8d87d7d46f104218dd25 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2354.83 грн
3+2005.94 грн
10+1837.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX210P10T IXTX210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03E7174C718BF&compId=IXTX210P10T.pdf?ci_sign=eb9be669937aaa10adc6b2be9042b5a5749257a3 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2323.62 грн
10+2052.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150L IXTX8N150L IXYS IXTK(X)8N150L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 8A
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 1.7µs
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 700W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3231.65 грн
30+2868.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20P IXTX90P20P IXYS IXT_90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1408.32 грн
5+1259.73 грн
10+1176.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 60W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
On-state resistance: 21Ω
Drain current: 0.8A
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+339.08 грн
5+278.83 грн
10+242.42 грн
25+208.62 грн
50+189.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10T IXTY18P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA09340E5AD58BF&compId=IXT_18P10T.pdf?ci_sign=af2eea40a1c7a689ec6646ea661f0ab19498cc5b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+339.08 грн
10+199.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P IXTY1N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28465095B933820&compId=IXTY(A%2CP)1N120P.pdf?ci_sign=8005f7217719a368d68d2e956d74381e1fc08bc0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Kind of package: tube
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 20Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214.26 грн
5+185.55 грн
25+157.43 грн
70+150.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 IXTY1R6N100D2 IXYS IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
On-state resistance: 10Ω
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+339.08 грн
5+253.75 грн
10+211.52 грн
25+177.71 грн
70+175.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd IXTY1R6N50D2 SMD N channel transistors
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+335.96 грн
6+193.16 грн
17+182.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100P IXTY2N100P IXYS IXTA(P,Y)2N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Drain current: 2A
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+312.04 грн
10+157.47 грн
25+149.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY3N50P IXTY3N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90549A006FBE27&compId=IXTA3N50P-DTE.pdf?ci_sign=6bd0ab0b4408c3a770d9f2f03b9068091a9c03b4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.3nC
Reverse recovery time: 400ns
Technology: Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T IXTY44N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+206.98 грн
10+173.51 грн
25+135.22 грн
70+116.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.71 грн
10+136.40 грн
25+122.66 грн
70+113.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+193.46 грн
10+144.43 грн
20+117.83 грн
25+111.07 грн
70+88.86 грн
140+82.10 грн
560+80.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS IXXH110N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1056.76 грн
3+924.74 грн
5+829.64 грн
10+737.89 грн
30+681.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1226.30 грн
3+1074.18 грн
10+904.01 грн
30+813.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS IXXH30N60B3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+534.62 грн
3+464.38 грн
10+395.02 грн
30+354.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+534.62 грн
5+492.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4 IXYS IXXH40N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+501.34 грн
3+435.29 грн
10+369.91 грн
30+333.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 IXYS IXXH60N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+629.27 грн
3+545.62 грн
10+464.56 грн
30+417.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 IXYS IXXH60N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1132.69 грн
3+992.94 грн
10+842.20 грн
30+756.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4 IXXH80N65B4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9E035A3E93820&compId=IXXH80N65B4.pdf?ci_sign=87dde9e4c61408c192916628afc8e7dc723e51a1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+702.08 грн
10+551.63 грн
30+410.48 грн
120+392.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1869.09 грн
3+1701.04 грн
5+1554.01 грн
10+1392.72 грн
25+1241.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4 IXXK160N65B4 IXYS IXXK(x)160N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 425nC
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1684.99 грн
3+1561.63 грн
10+1479.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+231.95 грн
3+202.60 грн
10+170.95 грн
50+154.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1 IXYA20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+295.39 грн
3+255.76 грн
10+218.28 грн
50+196.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 IXyH100N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9FE9B182D9820&compId=IXYH100N65C3.pdf?ci_sign=69e3af69d2cb14ebc6509d3947bbc7d28a48c48b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 62ns
Gate charge: 172nC
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 830W
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 420A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+896.58 грн
5+800.37 грн
10+734.99 грн
30+716.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9991A201638BF&compId=IXYH20N120C3D1.pdf?ci_sign=e120799112c6baf937977feba949005fd83421df Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+797.77 грн
3+717.12 грн
10+666.42 грн
30+658.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1 IXYS DS100441AIXYH40N90C3D1.pdf IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1070.28 грн
2+613.30 грн
6+579.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf IXYH50N120C3D1 THT IGBT transistors
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1248.14 грн
2+874.07 грн
4+826.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS IXYH50N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+900.74 грн
3+781.31 грн
10+665.45 грн
30+596.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh60n90c3_datasheet.pdf.pdf IXYH60N90C3 THT IGBT transistors
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1064.04 грн
2+584.32 грн
6+552.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n250chv-datasheet?assetguid=78ea8f5b-1880-4f0f-b0fa-520bc5357c4b IXYH8N250CHV THT IGBT transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1705.64 грн
2+1612.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3 IXYK120N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADF8429ADAB820&compId=IXYK(x)120N120C3.pdf?ci_sign=2816af6dfd2bdc776f9cb1060346c96b4d57c1e0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3220.20 грн
3+2798.29 грн
10+2364.34 грн
25+2138.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1 IXYS littelfusediscreteigbtsxptixyn100n120c3h1data.pdf IXYN100N120C3H1 IGBT modules
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3786.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE8CFB93BF71820&compId=IXYP10N65C3D1M.pdf?ci_sign=4468f80a6cfc5ee015a6ea07a55ce618be77d365 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+369.24 грн
10+240.71 грн
50+181.57 грн
100+166.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYP8N90C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA81152D6A3820&compId=IXYA(P)8N90C3D1.pdf?ci_sign=c7b8202f446f82c0bef2c4432c38a5e99932308d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+328.68 грн
3+284.84 грн
10+242.42 грн
50+218.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3 IXYX120N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADFBCCF8BE3820&compId=IXYX120N120B3.pdf?ci_sign=29d193d35ac59a9ca5d54f9ed1b3d837837fd1b1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2928.97 грн
3+2543.53 грн
10+2163.44 грн
30+2020.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3 IXYX120N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADF8429ADAB820&compId=IXYK(x)120N120C3.pdf?ci_sign=2816af6dfd2bdc776f9cb1060346c96b4d57c1e0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3398.06 грн
3+2951.74 грн
10+2512.11 грн
30+2260.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA8BDD5D271820&compId=IXYP(y)8N90C3.pdf?ci_sign=87d38d8134be933eddf2b12248973e933ae93bed Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+324.52 грн
25+239.71 грн
70+172.88 грн
140+149.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100 LAA100 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339891EA0C7&compId=LAA100.pdf?ci_sign=0aec29399b4e4aefd547e478bdb260a5ca7e1c58 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 25Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+446.21 грн
10+376.11 грн
250+292.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100L LAA100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339892080C7&compId=LAA100L.pdf?ci_sign=133833099cee8dee4dfa302627eb4b749f2b8824 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 25Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+364.04 грн
50+301.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100P LAA100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339891EA0C7&compId=LAA100.pdf?ci_sign=0aec29399b4e4aefd547e478bdb260a5ca7e1c58 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 25Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+376.52 грн
50+298.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100S LAA100S IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339891EA0C7&compId=LAA100.pdf?ci_sign=0aec29399b4e4aefd547e478bdb260a5ca7e1c58 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 25Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+598.07 грн
50+378.12 грн
250+291.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108 LAA108 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339892260C7&compId=LAA108.pdf?ci_sign=b422f07330ccafc6349ee64d10cd1d1a446af717 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 300mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 8Ω
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.94 грн
50+166.49 грн
250+150.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108P LAA108P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339892260C7&compId=LAA108.pdf?ci_sign=b422f07330ccafc6349ee64d10cd1d1a446af717 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 300mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 8Ω
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+203.86 грн
10+180.53 грн
25+151.63 грн
30+150.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110 LAA110 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A47459C0E698BF&compId=LAA110.pdf?ci_sign=ccd17f31175d39f76946339f4bf405c57c47714b Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+370.28 грн
5+322.96 грн
10+287.82 грн
30+274.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110PL LAA110PL IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923AEC0C7&compId=LAA110L.pdf?ci_sign=c5d9dc6bd2f731b493e5c3213f701f4abd8a57f7 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+368.20 грн
10+312.93 грн
100+277.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110S LAA110S IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A47459C0E698BF&compId=LAA110.pdf?ci_sign=ccd17f31175d39f76946339f4bf405c57c47714b Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+459.73 грн
50+374.11 грн
100+341.90 грн
250+318.72 грн
500+312.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA120 LAA120 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923B060C7&compId=LAA120.pdf?ci_sign=efa295b71167d3ed35ff46d4a98ae6a421a3c50a Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+379.64 грн
10+281.83 грн
200+264.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA120L LAA120L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923B220C7&compId=LAA120L.pdf?ci_sign=ca579abff6b2671cd4676e87f4614c88004b41a2 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+598.07 грн
50+378.12 грн
100+291.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA120LS LAA120LS IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923B220C7&compId=LAA120L.pdf?ci_sign=ca579abff6b2671cd4676e87f4614c88004b41a2 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+598.07 грн
50+378.12 грн
100+291.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA120PL LAA120PL IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923B220C7&compId=LAA120L.pdf?ci_sign=ca579abff6b2671cd4676e87f4614c88004b41a2 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+598.07 грн
50+378.12 грн
100+291.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA120S LAA120S IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923B060C7&compId=LAA120.pdf?ci_sign=efa295b71167d3ed35ff46d4a98ae6a421a3c50a Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+407.73 грн
10+312.93 грн
50+280.09 грн
500+264.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA125L LAA125L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923B5A0C7&compId=LAA125L.pdf?ci_sign=8ce76c522e028f88ab94d53b2bb700a91cb7f50a Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+418.13 грн
10+322.96 грн
100+287.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT82N25P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT82N25P SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+632.39 грн
5+610.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT8P50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E9CDAEE7EB8BF&compId=IXT_8P50.pdf?ci_sign=d6b8da636dc8394c03e72a7f3dcbe95461b9557a
IXTT8P50
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO268; 400ns
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO268
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -8A
Reverse recovery time: 400ns
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 1.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+727.04 грн
3+618.83 грн
10+535.07 грн
30+527.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTU4N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.46 грн
9+141.98 грн
23+134.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Виробник: IXYS
IXTU8N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.48 грн
7+171.92 грн
19+162.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EA563468D18BF&compId=IXT_120P20T.pdf?ci_sign=b303308099e4550f537d8d87d7d46f104218dd25
IXTX120P20T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2354.83 грн
3+2005.94 грн
10+1837.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03E7174C718BF&compId=IXTX210P10T.pdf?ci_sign=eb9be669937aaa10adc6b2be9042b5a5749257a3
IXTX210P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2323.62 грн
10+2052.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150L IXTK(X)8N150L.pdf
IXTX8N150L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 8A
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 1.7µs
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 700W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3231.65 грн
30+2868.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20P IXT_90P20P.pdf
IXTX90P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1408.32 грн
5+1259.73 грн
10+1176.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTY08N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 60W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
On-state resistance: 21Ω
Drain current: 0.8A
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.08 грн
5+278.83 грн
10+242.42 грн
25+208.62 грн
50+189.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA09340E5AD58BF&compId=IXT_18P10T.pdf?ci_sign=af2eea40a1c7a689ec6646ea661f0ab19498cc5b
IXTY18P10T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.08 грн
10+199.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28465095B933820&compId=IXTY(A%2CP)1N120P.pdf?ci_sign=8005f7217719a368d68d2e956d74381e1fc08bc0
IXTY1N120P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Kind of package: tube
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 20Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.26 грн
5+185.55 грн
25+157.43 грн
70+150.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf
IXTY1R6N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
On-state resistance: 10Ω
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.08 грн
5+253.75 грн
10+211.52 грн
25+177.71 грн
70+175.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
Виробник: IXYS
IXTY1R6N50D2 SMD N channel transistors
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.96 грн
6+193.16 грн
17+182.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100P IXTA(P,Y)2N100P.pdf
IXTY2N100P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Drain current: 2A
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+312.04 грн
10+157.47 грн
25+149.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY3N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90549A006FBE27&compId=IXTA3N50P-DTE.pdf?ci_sign=6bd0ab0b4408c3a770d9f2f03b9068091a9c03b4
IXTY3N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.3nC
Reverse recovery time: 400ns
Technology: Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a
IXTY44N10T
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.98 грн
10+173.51 грн
25+135.22 грн
70+116.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.71 грн
10+136.40 грн
25+122.66 грн
70+113.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.46 грн
10+144.43 грн
20+117.83 грн
25+111.07 грн
70+88.86 грн
140+82.10 грн
560+80.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4.pdf
IXXH110N65C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1056.76 грн
3+924.74 грн
5+829.64 грн
10+737.89 грн
30+681.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1226.30 грн
3+1074.18 грн
10+904.01 грн
30+813.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3-DTE.pdf
IXXH30N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.62 грн
3+464.38 грн
10+395.02 грн
30+354.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.62 грн
5+492.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4.pdf
IXXH40N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+501.34 грн
3+435.29 грн
10+369.91 грн
30+333.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4.pdf
IXXH60N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+629.27 грн
3+545.62 грн
10+464.56 грн
30+417.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1.pdf
IXXH60N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1132.69 грн
3+992.94 грн
10+842.20 грн
30+756.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9E035A3E93820&compId=IXXH80N65B4.pdf?ci_sign=87dde9e4c61408c192916628afc8e7dc723e51a1
IXXH80N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+702.08 грн
10+551.63 грн
30+410.48 грн
120+392.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXK110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1869.09 грн
3+1701.04 грн
5+1554.01 грн
10+1392.72 грн
25+1241.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4 IXXK(x)160N65B4.pdf
IXXK160N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 425nC
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1684.99 грн
3+1561.63 грн
10+1479.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.95 грн
3+202.60 грн
10+170.95 грн
50+154.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYA20N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.39 грн
3+255.76 грн
10+218.28 грн
50+196.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9FE9B182D9820&compId=IXYH100N65C3.pdf?ci_sign=69e3af69d2cb14ebc6509d3947bbc7d28a48c48b
IXyH100N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 62ns
Gate charge: 172nC
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 830W
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 420A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+896.58 грн
5+800.37 грн
10+734.99 грн
30+716.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9991A201638BF&compId=IXYH20N120C3D1.pdf?ci_sign=e120799112c6baf937977feba949005fd83421df
IXYH20N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+797.77 грн
3+717.12 грн
10+666.42 грн
30+658.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1 DS100441AIXYH40N90C3D1.pdf
Виробник: IXYS
IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1070.28 грн
2+613.30 грн
6+579.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYH50N120C3D1 THT IGBT transistors
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1248.14 грн
2+874.07 грн
4+826.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+900.74 грн
3+781.31 грн
10+665.45 грн
30+596.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh60n90c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYH60N90C3 THT IGBT transistors
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1064.04 грн
2+584.32 грн
6+552.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHV littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n250chv-datasheet?assetguid=78ea8f5b-1880-4f0f-b0fa-520bc5357c4b
Виробник: IXYS
IXYH8N250CHV THT IGBT transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1705.64 грн
2+1612.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADF8429ADAB820&compId=IXYK(x)120N120C3.pdf?ci_sign=2816af6dfd2bdc776f9cb1060346c96b4d57c1e0
IXYK120N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3220.20 грн
3+2798.29 грн
10+2364.34 грн
25+2138.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1 littelfusediscreteigbtsxptixyn100n120c3h1data.pdf
Виробник: IXYS
IXYN100N120C3H1 IGBT modules
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3786.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE8CFB93BF71820&compId=IXYP10N65C3D1M.pdf?ci_sign=4468f80a6cfc5ee015a6ea07a55ce618be77d365
IXYP10N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYP20N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.24 грн
10+240.71 грн
50+181.57 грн
100+166.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA81152D6A3820&compId=IXYA(P)8N90C3D1.pdf?ci_sign=c7b8202f446f82c0bef2c4432c38a5e99932308d
IXYP8N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+328.68 грн
3+284.84 грн
10+242.42 грн
50+218.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADFBCCF8BE3820&compId=IXYX120N120B3.pdf?ci_sign=29d193d35ac59a9ca5d54f9ed1b3d837837fd1b1
IXYX120N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2928.97 грн
3+2543.53 грн
10+2163.44 грн
30+2020.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADF8429ADAB820&compId=IXYK(x)120N120C3.pdf?ci_sign=2816af6dfd2bdc776f9cb1060346c96b4d57c1e0
IXYX120N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3398.06 грн
3+2951.74 грн
10+2512.11 грн
30+2260.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA8BDD5D271820&compId=IXYP(y)8N90C3.pdf?ci_sign=87d38d8134be933eddf2b12248973e933ae93bed
IXYY8N90C3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+324.52 грн
25+239.71 грн
70+172.88 грн
140+149.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339891EA0C7&compId=LAA100.pdf?ci_sign=0aec29399b4e4aefd547e478bdb260a5ca7e1c58
LAA100
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 25Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+446.21 грн
10+376.11 грн
250+292.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339892080C7&compId=LAA100L.pdf?ci_sign=133833099cee8dee4dfa302627eb4b749f2b8824
LAA100L
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 25Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+364.04 грн
50+301.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339891EA0C7&compId=LAA100.pdf?ci_sign=0aec29399b4e4aefd547e478bdb260a5ca7e1c58
LAA100P
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 25Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+376.52 грн
50+298.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339891EA0C7&compId=LAA100.pdf?ci_sign=0aec29399b4e4aefd547e478bdb260a5ca7e1c58
LAA100S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 25Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+598.07 грн
50+378.12 грн
250+291.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339892260C7&compId=LAA108.pdf?ci_sign=b422f07330ccafc6349ee64d10cd1d1a446af717
LAA108
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 300mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 8Ω
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.94 грн
50+166.49 грн
250+150.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339892260C7&compId=LAA108.pdf?ci_sign=b422f07330ccafc6349ee64d10cd1d1a446af717
LAA108P
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 300mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 8Ω
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.86 грн
10+180.53 грн
25+151.63 грн
30+150.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A47459C0E698BF&compId=LAA110.pdf?ci_sign=ccd17f31175d39f76946339f4bf405c57c47714b
LAA110
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+370.28 грн
5+322.96 грн
10+287.82 грн
30+274.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110PL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923AEC0C7&compId=LAA110L.pdf?ci_sign=c5d9dc6bd2f731b493e5c3213f701f4abd8a57f7
LAA110PL
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.20 грн
10+312.93 грн
100+277.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A47459C0E698BF&compId=LAA110.pdf?ci_sign=ccd17f31175d39f76946339f4bf405c57c47714b
LAA110S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.73 грн
50+374.11 грн
100+341.90 грн
250+318.72 грн
500+312.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923B060C7&compId=LAA120.pdf?ci_sign=efa295b71167d3ed35ff46d4a98ae6a421a3c50a
LAA120
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.64 грн
10+281.83 грн
200+264.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA120L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923B220C7&compId=LAA120L.pdf?ci_sign=ca579abff6b2671cd4676e87f4614c88004b41a2
LAA120L
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+598.07 грн
50+378.12 грн
100+291.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA120LS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923B220C7&compId=LAA120L.pdf?ci_sign=ca579abff6b2671cd4676e87f4614c88004b41a2
LAA120LS
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+598.07 грн
50+378.12 грн
100+291.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA120PL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923B220C7&compId=LAA120L.pdf?ci_sign=ca579abff6b2671cd4676e87f4614c88004b41a2
LAA120PL
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+598.07 грн
50+378.12 грн
100+291.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA120S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923B060C7&compId=LAA120.pdf?ci_sign=efa295b71167d3ed35ff46d4a98ae6a421a3c50a
LAA120S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+407.73 грн
10+312.93 грн
50+280.09 грн
500+264.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA125L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923B5A0C7&compId=LAA125L.pdf?ci_sign=8ce76c522e028f88ab94d53b2bb700a91cb7f50a
LAA125L
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.17A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+418.13 грн
10+322.96 грн
100+287.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]