Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16029) > Сторінка 244 з 268

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 260 268  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+250.11 грн
10+136.94 грн
50+119.07 грн
100+112.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+154.73 грн
50+138.98 грн
250+124.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20P IXTP50N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+362.44 грн
10+287.16 грн
50+244.05 грн
100+230.27 грн
500+212.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=D7F19B2B-0219-4B0C-A29D-B093518EE586&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-50N25T-Datasheet.PDF IXTP50N25T THT N channel transistors
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+487.49 грн
4+296.20 грн
11+279.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 176W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.76 грн
10+158.40 грн
25+124.98 грн
50+112.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+473.72 грн
10+393.44 грн
25+311.95 грн
50+308.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP62N15P IXTP62N15P IXYS IXTA62N15P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 350W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+382.58 грн
10+239.13 грн
50+221.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2 IXTP6N100D2 IXYS IXTA(H,P)6N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+750.32 грн
5+590.67 грн
10+518.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 IXTP6N50D2 IXYS IXTA(H,P)6N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+660.24 грн
10+581.47 грн
50+448.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a IXTP76P10T THT P channel transistors
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+595.59 грн
4+344.42 грн
10+325.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 IXTP80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+595.59 грн
5+498.70 грн
10+432.99 грн
50+419.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS IXTA(P)80N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+268.12 грн
10+213.58 грн
50+182.05 грн
100+171.23 грн
500+167.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTP8N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+495.97 грн
7+191.89 грн
17+182.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2M IXTP8N70X2M IXYS IXTP8N70X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 12nC
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.85 грн
3+195.19 грн
10+168.28 грн
30+165.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 IXYS IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Reverse recovery time: 37ns
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 8.4mΩ
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+269.18 грн
10+182.92 грн
50+144.66 грн
100+131.87 грн
500+110.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085T IXTP96P085T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA09915A690F8BF&compId=IXT_96P085T.pdf?ci_sign=2aa751399db2183305198d4805b69b6937f7379e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+493.85 грн
10+323.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ10P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf IXTQ10P50P THT P channel transistors
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+737.60 грн
3+411.34 грн
8+388.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P IXTQ120N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9109183E093E27&compId=IXTK120N20P-DTE.pdf?ci_sign=8d92652847182241575b90496cedc624b85642c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+857.35 грн
30+689.80 грн
120+639.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P IXTQ150N15P IXYS IXTK150N15P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 714W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+603.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949 IXTQ170N10P THT N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1078.84 грн
2+678.02 грн
5+641.61 грн
1020+640.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTQ200N10T IXYS IXTH(Q)200N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 76ns
Gate charge: 152nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+733.36 грн
10+582.49 грн
30+419.21 грн
120+375.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50P IXTQ22N50P IXYS IXTH(Q,V)22N50P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+490.67 грн
10+392.42 грн
30+347.38 грн
120+309.98 грн
270+288.33 грн
510+285.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N50P IXTQ26N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC6476E5667820&compId=IXTQ(T%2CV)26N50P_S.pdf?ci_sign=05792dbff65769b8475857717b66702fd485dd9b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+540.48 грн
3+479.28 грн
10+400.52 грн
30+395.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P IXTQ26P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+615.72 грн
10+453.73 грн
30+373.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+793.77 грн
3+687.75 грн
10+585.52 грн
30+531.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf IXTQ36N50P THT N channel transistors
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+959.09 грн
2+755.77 грн
5+714.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2 IXTQ460P2 IXYS IXTQ460P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Mounting: THT
Technology: Polar2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 480W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+494.91 грн
10+345.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M IXTQ48N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+969.69 грн
3+843.08 грн
10+717.39 грн
30+644.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20P IXTQ50N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+431.33 грн
10+340.30 грн
30+293.25 грн
120+251.92 грн
270+247.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf IXTQ52N30P THT N channel transistors
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+618.90 грн
3+395.60 грн
9+373.95 грн
2010+373.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B IXTQ52P10P THT P channel transistors
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+575.45 грн
3+411.34 грн
8+388.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T IXTQ60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+472.66 грн
10+340.30 грн
30+290.30 грн
120+244.05 грн
510+237.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-76N25T-Datasheet.PDF?assetguid=3C2A340B-21A2-4C11-9ADB-97D2BDE80F94 IXTQ76N25T THT N channel transistors
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+572.27 грн
4+374.93 грн
9+354.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9217C088-31F7-40FF-AEF6-3D755C2C3250&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-88N30P-Datasheet.PDF IXTQ88N30P THT N channel transistors
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1144.55 грн
2+742.97 грн
5+702.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR20P50P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=DAA3BA6C-C1EF-4896-9BC4-9E7B14CF2FF6&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR20P50P-Datasheet.PDF IXTR20P50P THT P channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1250.53 грн
3+546.16 грн
6+515.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR210P10T IXTR210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA04275137A38BF&compId=IXTR210P10T.pdf?ci_sign=6be69c09b119a4bc5566676e52a110aa09280e61 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -195A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 390W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2910.12 грн
3+2482.24 грн
10+2169.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR36P15P IXTR36P15P IXYS IXTR36P15P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -22A; 150W; 150ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -22A
Gate charge: 55nC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+528.82 грн
3+450.67 грн
10+389.69 грн
30+364.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR40P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr40p50p_datasheet.pdf.pdf IXTR40P50P THT P channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2225.51 грн
2+962.42 грн
4+909.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20P IXTR48P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00147810378BF&compId=IXTR48P20P.pdf?ci_sign=6ecb22dd6fd6b0673f62f8c7c5cf3402e6ec1242 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -30A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 93mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+750.32 грн
3+643.81 грн
10+557.97 грн
30+520.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P20P IXTR90P20P IXYS IXTR90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+767.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n450hv-datasheet?assetguid=77e78b19-f9d4-4f1c-bb1f-3fed948a23e3 IXTT02N450HV SMD N channel transistors
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2058.67 грн
2+1946.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60P IXTT16P60P IXYS IXT_16P60P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Mounting: SMD
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Power dissipation: 460W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1190.12 грн
10+812.43 грн
30+775.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949 IXTT170N10P SMD N channel transistors
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1214.49 грн
2+759.70 грн
5+718.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT24P20 IXYS DS98769GIXTHIXTT24P20.pdf IXTT24P20 SMD P channel transistors
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1091.56 грн
2+732.15 грн
5+691.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXTT50P10 IXYS IXT_50P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+877.49 грн
3+748.04 грн
10+646.53 грн
30+603.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf IXTT68P20T SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1281.26 грн
3+1211.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_75n10_datasheet.pdf.pdf IXTT75N10L2 SMD N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1600.25 грн
2+1039.18 грн
4+982.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT82N25P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf IXTT82N25P SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+675.07 грн
2+658.34 грн
3+638.70 грн
5+621.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf IXTT88N30P SMD N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1222.97 грн
2+925.03 грн
4+873.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT8P50 IXTT8P50 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E9CDAEE7EB8BF&compId=IXT_8P50.pdf?ci_sign=d6b8da636dc8394c03e72a7f3dcbe95461b9557a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO268; 400ns
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO268
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -8A
Reverse recovery time: 400ns
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 1.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+740.78 грн
3+630.52 грн
10+545.17 грн
30+537.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf IXTU4N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+246.93 грн
9+144.66 грн
23+136.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTU8N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+477.96 грн
7+175.16 грн
19+166.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T IXTX120P20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EA563468D18BF&compId=IXT_120P20T.pdf?ci_sign=b303308099e4550f537d8d87d7d46f104218dd25 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2399.31 грн
3+2043.84 грн
10+1871.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX210P10T IXTX210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03E7174C718BF&compId=IXTX210P10T.pdf?ci_sign=eb9be669937aaa10adc6b2be9042b5a5749257a3 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2367.52 грн
10+2090.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150L IXTX8N150L IXYS IXTK(X)8N150L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 8A
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 1.7µs
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 700W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3292.70 грн
30+2922.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20P IXTX90P20P IXYS IXT_90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1434.93 грн
5+1283.53 грн
10+1198.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100 IXTY01N100 IXYS IXTU(Y)01N100.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.74 грн
5+147.16 грн
25+127.93 грн
70+124.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+345.48 грн
5+284.09 грн
10+247.00 грн
25+212.56 грн
50+192.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682 IXTY18P10T SMD P channel transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+393.17 грн
6+215.51 грн
15+203.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P IXTY1N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28465095B933820&compId=IXTY(A%2CP)1N120P.pdf?ci_sign=8005f7217719a368d68d2e956d74381e1fc08bc0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Kind of package: tube
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 20Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+218.31 грн
5+189.05 грн
25+160.40 грн
70+153.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.11 грн
10+136.94 грн
50+119.07 грн
100+112.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d
IXTP4N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.73 грн
50+138.98 грн
250+124.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34
IXTP50N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.44 грн
10+287.16 грн
50+244.05 грн
100+230.27 грн
500+212.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25T media?resourcetype=datasheets&itemid=D7F19B2B-0219-4B0C-A29D-B093518EE586&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-50N25T-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXTP50N25T THT N channel transistors
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.49 грн
4+296.20 грн
11+279.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 176W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.76 грн
10+158.40 грн
25+124.98 грн
50+112.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+473.72 грн
10+393.44 грн
25+311.95 грн
50+308.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP62N15P IXTA62N15P-DTE.pdf
IXTP62N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 350W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.58 грн
10+239.13 грн
50+221.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2 IXTA(H,P)6N100D2.pdf
IXTP6N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+750.32 грн
5+590.67 грн
10+518.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 IXTA(H,P)6N50D2.pdf
IXTP6N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+660.24 грн
10+581.47 грн
50+448.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a
Виробник: IXYS
IXTP76P10T THT P channel transistors
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+595.59 грн
4+344.42 грн
10+325.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTP80N075L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+595.59 грн
5+498.70 грн
10+432.99 грн
50+419.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTA(P)80N10T.pdf
IXTP80N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.12 грн
10+213.58 грн
50+182.05 грн
100+171.23 грн
500+167.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Виробник: IXYS
IXTP8N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.97 грн
7+191.89 грн
17+182.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2M IXTP8N70X2M.pdf
IXTP8N70X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 12nC
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.85 грн
3+195.19 грн
10+168.28 грн
30+165.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N055T2 IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf
IXTP90N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Reverse recovery time: 37ns
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 8.4mΩ
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.18 грн
10+182.92 грн
50+144.66 грн
100+131.87 грн
500+110.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA09915A690F8BF&compId=IXT_96P085T.pdf?ci_sign=2aa751399db2183305198d4805b69b6937f7379e
IXTP96P085T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+493.85 грн
10+323.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ10P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ10P50P THT P channel transistors
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+737.60 грн
3+411.34 грн
8+388.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9109183E093E27&compId=IXTK120N20P-DTE.pdf?ci_sign=8d92652847182241575b90496cedc624b85642c3
IXTQ120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+857.35 грн
30+689.80 грн
120+639.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P IXTK150N15P-DTE.pdf
IXTQ150N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 714W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+603.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949
Виробник: IXYS
IXTQ170N10P THT N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1078.84 грн
2+678.02 грн
5+641.61 грн
1020+640.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTH(Q)200N10T.pdf
IXTQ200N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 76ns
Gate charge: 152nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+733.36 грн
10+582.49 грн
30+419.21 грн
120+375.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50P IXTH(Q,V)22N50P_S.pdf
IXTQ22N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.67 грн
10+392.42 грн
30+347.38 грн
120+309.98 грн
270+288.33 грн
510+285.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC6476E5667820&compId=IXTQ(T%2CV)26N50P_S.pdf?ci_sign=05792dbff65769b8475857717b66702fd485dd9b
IXTQ26N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+540.48 грн
3+479.28 грн
10+400.52 грн
30+395.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87
IXTQ26P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+615.72 грн
10+453.73 грн
30+373.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ34N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec
IXTQ34N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+793.77 грн
3+687.75 грн
10+585.52 грн
30+531.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ36N50P THT N channel transistors
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+959.09 грн
2+755.77 грн
5+714.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2 IXTQ460P2.pdf
IXTQ460P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Mounting: THT
Technology: Polar2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 480W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.91 грн
10+345.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M
IXTQ48N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+969.69 грн
3+843.08 грн
10+717.39 грн
30+644.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34
IXTQ50N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.33 грн
10+340.30 грн
30+293.25 грн
120+251.92 грн
270+247.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ52N30P THT N channel transistors
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+618.90 грн
3+395.60 грн
9+373.95 грн
2010+373.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B
Виробник: IXYS
IXTQ52P10P THT P channel transistors
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+575.45 грн
3+411.34 грн
8+388.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTQ60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.66 грн
10+340.30 грн
30+290.30 грн
120+244.05 грн
510+237.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-76N25T-Datasheet.PDF?assetguid=3C2A340B-21A2-4C11-9ADB-97D2BDE80F94
Виробник: IXYS
IXTQ76N25T THT N channel transistors
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+572.27 грн
4+374.93 грн
9+354.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30P media?resourcetype=datasheets&itemid=9217C088-31F7-40FF-AEF6-3D755C2C3250&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-88N30P-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXTQ88N30P THT N channel transistors
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1144.55 грн
2+742.97 грн
5+702.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR20P50P media?resourcetype=datasheets&itemid=DAA3BA6C-C1EF-4896-9BC4-9E7B14CF2FF6&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR20P50P-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXTR20P50P THT P channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1250.53 грн
3+546.16 грн
6+515.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA04275137A38BF&compId=IXTR210P10T.pdf?ci_sign=6be69c09b119a4bc5566676e52a110aa09280e61
IXTR210P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -195A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 390W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2910.12 грн
3+2482.24 грн
10+2169.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR36P15P IXTR36P15P.pdf
IXTR36P15P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -22A; 150W; 150ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -22A
Gate charge: 55nC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.82 грн
3+450.67 грн
10+389.69 грн
30+364.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR40P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr40p50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTR40P50P THT P channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2225.51 грн
2+962.42 грн
4+909.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00147810378BF&compId=IXTR48P20P.pdf?ci_sign=6ecb22dd6fd6b0673f62f8c7c5cf3402e6ec1242
IXTR48P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -30A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 93mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+750.32 грн
3+643.81 грн
10+557.97 грн
30+520.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P20P IXTR90P20P.pdf
IXTR90P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+767.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HV littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n450hv-datasheet?assetguid=77e78b19-f9d4-4f1c-bb1f-3fed948a23e3
Виробник: IXYS
IXTT02N450HV SMD N channel transistors
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2058.67 грн
2+1946.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60P IXT_16P60P.pdf
IXTT16P60P
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Mounting: SMD
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Power dissipation: 460W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1190.12 грн
10+812.43 грн
30+775.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949
Виробник: IXYS
IXTT170N10P SMD N channel transistors
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1214.49 грн
2+759.70 грн
5+718.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT24P20 DS98769GIXTHIXTT24P20.pdf
Виробник: IXYS
IXTT24P20 SMD P channel transistors
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1091.56 грн
2+732.15 грн
5+691.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXT_50P10.pdf
IXTT50P10
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+877.49 грн
3+748.04 грн
10+646.53 грн
30+603.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT68P20T SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1281.26 грн
3+1211.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_75n10_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT75N10L2 SMD N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1600.25 грн
2+1039.18 грн
4+982.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT82N25P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT82N25P SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+675.07 грн
2+658.34 грн
3+638.70 грн
5+621.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT88N30P SMD N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1222.97 грн
2+925.03 грн
4+873.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT8P50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E9CDAEE7EB8BF&compId=IXT_8P50.pdf?ci_sign=d6b8da636dc8394c03e72a7f3dcbe95461b9557a
IXTT8P50
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO268; 400ns
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO268
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -8A
Reverse recovery time: 400ns
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 1.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+740.78 грн
3+630.52 грн
10+545.17 грн
30+537.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTU4N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.93 грн
9+144.66 грн
23+136.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Виробник: IXYS
IXTU8N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.96 грн
7+175.16 грн
19+166.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EA563468D18BF&compId=IXT_120P20T.pdf?ci_sign=b303308099e4550f537d8d87d7d46f104218dd25
IXTX120P20T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2399.31 грн
3+2043.84 грн
10+1871.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03E7174C718BF&compId=IXTX210P10T.pdf?ci_sign=eb9be669937aaa10adc6b2be9042b5a5749257a3
IXTX210P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2367.52 грн
10+2090.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150L IXTK(X)8N150L.pdf
IXTX8N150L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 8A
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 1.7µs
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 700W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3292.70 грн
30+2922.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20P IXT_90P20P.pdf
IXTX90P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1434.93 грн
5+1283.53 грн
10+1198.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100 IXTU(Y)01N100.pdf
IXTY01N100
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.74 грн
5+147.16 грн
25+127.93 грн
70+124.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTY08N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+345.48 грн
5+284.09 грн
10+247.00 грн
25+212.56 грн
50+192.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682
Виробник: IXYS
IXTY18P10T SMD P channel transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.17 грн
6+215.51 грн
15+203.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28465095B933820&compId=IXTY(A%2CP)1N120P.pdf?ci_sign=8005f7217719a368d68d2e956d74381e1fc08bc0
IXTY1N120P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Kind of package: tube
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 20Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.31 грн
5+189.05 грн
25+160.40 грн
70+153.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 260 268  [ Наступна Сторінка >> ]