Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFP20N85X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 20A Power dissipation: 540W Case: TO220AB On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 63nC Reverse recovery time: 190ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFP220N06T3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFP22N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 500W Case: TO220AB On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 143 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP22N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 390W Case: TO220AB On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 145ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 252 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP22N65X2M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 37W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 145ns Technology: HiPerFET™; X2-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 263 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFP230N075T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFP24N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO220AB; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO220AB On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 140ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFP26N30X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 222 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFP26N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A Power dissipation: 500W Case: TO220AB On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 260 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP26N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 460W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP270N06T3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO220AB; 47ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 480W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 47ns Technology: HiPerFET™; TrenchT3™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFP30N25X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFP30N25X3M | IXYS | IXFP30N25X3M THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFP30N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Case: TO220AB On-state resistance: 155mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 145ns Power dissipation: 500W Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 56nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFP34N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO220AB On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 164ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP34N65X2M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 40W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 164ns Technology: HiPerFET™; X2-Class кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFP34N65X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 446W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 150ns Technology: HiPerFET™; X3-Class кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFP36N20X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFP36N20X3M | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFP36N30P3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFP36N60X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFP38N30X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFP38N30X3M | IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFP3N120 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFP44N25X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W Mounting: THT Power dissipation: 240W Pulsed drain current: 66A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 250V Technology: HiPerFET™; X3-Class Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 33nC Reverse recovery time: 87ns On-state resistance: 40mΩ Drain current: 44A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFP4N100P | IXYS |
![]() |
на замовлення 193 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFP4N100PM | IXYS | IXFP4N100PM THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFP4N85X | IXYS |
![]() |
на замовлення 276 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFP4N85XM | IXYS |
![]() |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFP50N20X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 240W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 70ns Technology: HiPerFET™; X3-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFP56N30X3 | IXYS | IXFP56N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFP56N30X3M | IXYS |
![]() |
на замовлення 361 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFP5N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 5A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Mounting: THT Gate charge: 33.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP60N25X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: TO220AB On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 50nC Reverse recovery time: 95ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP60N25X3M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 36W Case: TO220FP On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 50nC Reverse recovery time: 95ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP6N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFP72N20X3 | IXYS | IXFP72N20X3 THT N channel transistors |
на замовлення 84 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFP72N20X3M | IXYS |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFP72N30X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFP72N30X3M | IXYS | IXFP72N30X3M THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFP76N15T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 350W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Drain-source voltage: 150V Drain current: 76A Reverse recovery time: 69ns Gate charge: 97nC On-state resistance: 22mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 281 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP7N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 7A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 208 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP7N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.44Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFP80N25X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFP8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 281 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFP8N85X | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFP8N85XM | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFP90N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 85ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP90N20X3M | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 85ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFQ120N25X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFQ140N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 140A Power dissipation: 520W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 127nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 90ns Technology: HiPerFET™; X3-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFQ170N15X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 170A; Idm: 340A Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 170A Pulsed drain current: 340A Power dissipation: 520W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 122nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 90ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFQ20N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO3P On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 226 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFQ22N60P3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFQ26N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A Power dissipation: 500W Case: TO3P On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFQ28N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A Power dissipation: 695W Case: TO3P On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFQ34N50P3 | IXYS | IXFQ34N50P3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFQ50N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO3P On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 239 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFQ50N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 660W Case: TO3P On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 195ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFQ60N25X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
IXFP20N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 224.54 грн |
IXFP220N06T3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP220N06T3 THT N channel transistors
IXFP220N06T3 THT N channel transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 323.99 грн |
5+ | 227.54 грн |
14+ | 215.17 грн |
IXFP22N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 399.86 грн |
5+ | 256.07 грн |
13+ | 233.25 грн |
500+ | 223.73 грн |
IXFP22N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 451.13 грн |
4+ | 302.54 грн |
11+ | 275.14 грн |
50+ | 271.34 грн |
100+ | 264.67 грн |
IXFP22N65X2M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 419.35 грн |
5+ | 250.14 грн |
13+ | 227.54 грн |
50+ | 220.88 грн |
100+ | 218.97 грн |
IXFP230N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP230N075T2 THT N channel transistors
IXFP230N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP24N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO220AB; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO220AB; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP26N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP26N30X3 THT N channel transistors
IXFP26N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 313.74 грн |
5+ | 234.21 грн |
14+ | 221.83 грн |
IXFP26N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 749.49 грн |
3+ | 502.25 грн |
7+ | 456.99 грн |
500+ | 439.85 грн |
IXFP26N65X2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 748.46 грн |
3+ | 523.01 грн |
7+ | 476.03 грн |
IXFP270N06T3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO220AB; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 47ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO220AB; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 47ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP30N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP30N25X3 THT N channel transistors
IXFP30N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 503.42 грн |
4+ | 353.21 грн |
9+ | 334.17 грн |
IXFP30N25X3M |
Виробник: IXYS
IXFP30N25X3M THT N channel transistors
IXFP30N25X3M THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP30N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO220AB
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO220AB
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP34N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 589.54 грн |
3+ | 424.14 грн |
8+ | 386.54 грн |
10+ | 371.30 грн |
IXFP34N65X2M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP34N65X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP36N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP36N20X3 THT N channel transistors
IXFP36N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 396.79 грн |
5+ | 224.69 грн |
14+ | 212.31 грн |
IXFP36N20X3M |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP36N20X3M THT N channel transistors
IXFP36N20X3M THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP36N30P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP36N30P3 THT N channel transistors
IXFP36N30P3 THT N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 350.65 грн |
5+ | 245.63 грн |
13+ | 232.30 грн |
IXFP36N60X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP36N60X3 THT N channel transistors
IXFP36N60X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP38N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP38N30X3 THT N channel transistors
IXFP38N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 458.31 грн |
4+ | 289.43 грн |
11+ | 274.19 грн |
IXFP38N30X3M |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP38N30X3M THT N channel transistors
IXFP38N30X3M THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 508.55 грн |
4+ | 320.84 грн |
10+ | 303.71 грн |
IXFP3N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP44N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: THT
Power dissipation: 240W
Pulsed drain current: 66A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
Reverse recovery time: 87ns
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: THT
Power dissipation: 240W
Pulsed drain current: 66A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
Reverse recovery time: 87ns
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP4N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP4N100P THT N channel transistors
IXFP4N100P THT N channel transistors
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 340.40 грн |
6+ | 215.17 грн |
15+ | 202.79 грн |
IXFP4N100PM |
Виробник: IXYS
IXFP4N100PM THT N channel transistors
IXFP4N100PM THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP4N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP4N85X THT N channel transistors
IXFP4N85X THT N channel transistors
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 280.93 грн |
6+ | 197.08 грн |
16+ | 186.60 грн |
IXFP4N85XM |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP4N85XM THT N channel transistors
IXFP4N85XM THT N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 222.49 грн |
8+ | 156.14 грн |
20+ | 147.57 грн |
IXFP50N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 516.75 грн |
3+ | 448.86 грн |
4+ | 344.65 грн |
9+ | 325.60 грн |
50+ | 319.89 грн |
IXFP56N30X3 |
Виробник: IXYS
IXFP56N30X3 THT N channel transistors
IXFP56N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 721.81 грн |
3+ | 475.08 грн |
7+ | 448.42 грн |
IXFP56N30X3M |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP56N30X3M THT N channel transistors
IXFP56N30X3M THT N channel transistors
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 796.65 грн |
3+ | 503.64 грн |
7+ | 476.03 грн |
IXFP5N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 454.21 грн |
5+ | 275.84 грн |
12+ | 251.34 грн |
100+ | 241.82 грн |
IXFP60N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 730.01 грн |
3+ | 497.30 грн |
7+ | 453.18 грн |
100+ | 436.04 грн |
IXFP60N25X3M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 662.34 грн |
3+ | 463.69 грн |
7+ | 421.76 грн |
50+ | 412.24 грн |
IXFP6N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 780.25 грн |
3+ | 558.60 грн |
6+ | 508.40 грн |
25+ | 489.36 грн |
IXFP72N20X3 |
Виробник: IXYS
IXFP72N20X3 THT N channel transistors
IXFP72N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 649.01 грн |
3+ | 455.08 грн |
7+ | 430.33 грн |
IXFP72N20X3M |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP72N20X3M THT N channel transistors
IXFP72N20X3M THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 649.01 грн |
3+ | 455.08 грн |
7+ | 430.33 грн |
IXFP72N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP72N30X3 THT N channel transistors
IXFP72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 805.88 грн |
2+ | 579.80 грн |
6+ | 547.43 грн |
IXFP72N30X3M |
Виробник: IXYS
IXFP72N30X3M THT N channel transistors
IXFP72N30X3M THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP76N15T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 350W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
Reverse recovery time: 69ns
Gate charge: 97nC
On-state resistance: 22mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 350W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
Reverse recovery time: 69ns
Gate charge: 97nC
On-state resistance: 22mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 413.19 грн |
5+ | 273.86 грн |
12+ | 249.44 грн |
250+ | 240.87 грн |
IXFP7N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 359.88 грн |
10+ | 327.25 грн |
IXFP7N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 234.79 грн |
8+ | 160.17 грн |
20+ | 145.66 грн |
IXFP80N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP80N25X3 THT N channel transistors
IXFP80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 829.46 грн |
3+ | 504.59 грн |
7+ | 476.98 грн |
IXFP8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 242.99 грн |
3+ | 206.63 грн |
7+ | 179.94 грн |
18+ | 170.42 грн |
50+ | 165.66 грн |
IXFP8N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP8N85X THT N channel transistors
IXFP8N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP8N85XM |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP8N85XM THT N channel transistors
IXFP8N85XM THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP90N20X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 491.12 грн |
3+ | 459.73 грн |
7+ | 417.95 грн |
IXFP90N20X3M |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFQ120N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ120N25X3 THT N channel transistors
IXFQ120N25X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFQ140N20X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1002.74 грн |
2+ | 774.13 грн |
3+ | 744.51 грн |
5+ | 704.52 грн |
30+ | 691.19 грн |
IXFQ170N15X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 170A; Idm: 340A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 170A; Idm: 340A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFQ20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 512.65 грн |
4+ | 302.54 грн |
11+ | 275.14 грн |
120+ | 266.58 грн |
300+ | 264.67 грн |
IXFQ22N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ22N60P3 THT N channel transistors
IXFQ22N60P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFQ26N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFQ28N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFQ34N50P3 |
Виробник: IXYS
IXFQ34N50P3 THT N channel transistors
IXFQ34N50P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFQ50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 985.31 грн |
2+ | 623.85 грн |
6+ | 567.43 грн |
120+ | 546.48 грн |
IXFQ50N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFQ60N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ60N25X3 THT N channel transistors
IXFQ60N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 692.07 грн |
3+ | 496.97 грн |
7+ | 469.36 грн |