Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16378) > Сторінка 242 з 273

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTT16P60P IXTT16P60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Mounting: SMD
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Power dissipation: 460W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1141.20 грн
10+779.03 грн
30+743.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10P IXTT170N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9185A4CE98DE27&compId=IXTK170N10P-DTE.pdf?ci_sign=9136904f8419278af3f28381c2ff94e364518191 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO268
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Gate charge: 198nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 715W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1024.34 грн
3+905.44 грн
5+815.29 грн
10+727.53 грн
30+662.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT24P20 IXTT24P20 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA012B7501098BF&compId=IXT_24P20.pdf?ci_sign=7205947c30c99ec8834ade2f2c88d0a2a265662f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -24A; 300W; TO268; 250ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -24A
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+993.85 грн
2+729.06 грн
5+663.37 грн
30+637.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXTT50P10 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+765.20 грн
3+652.62 грн
10+564.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20T IXTT68P20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9ED61D4D9A98BF&compId=IXT_68P20T.pdf?ci_sign=907d68fa4d342ed847599892ceb3c0cff81a2dc3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; TO268
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -68A
Gate charge: 380nC
Reverse recovery time: 245ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 568W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1322.09 грн
3+1205.29 грн
10+1158.77 грн
30+1116.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10L2 IXTT75N10L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993960D1A4DD498BF&compId=IXT_75N10L2.pdf?ci_sign=14d46f1640fe8dff3fd9c2e86627011d0edde846 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1227.58 грн
2+1033.81 грн
4+940.79 грн
10+913.42 грн
30+905.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT82N25P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf IXTT82N25P SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+617.85 грн
5+596.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT8P50 IXYS 94534.pdf IXTT8P50 SMD P channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+806.87 грн
2+567.12 грн
6+535.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf IXTU4N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+189.01 грн
9+138.71 грн
23+131.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTU8N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+366.85 грн
7+167.96 грн
19+158.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T IXTX120P20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EA563468D18BF&compId=IXT_120P20T.pdf?ci_sign=b303308099e4550f537d8d87d7d46f104218dd25 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 740nC
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2300.69 грн
3+1959.83 грн
10+1794.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX210P10T IXTX210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03E7174C718BF&compId=IXTX210P10T.pdf?ci_sign=eb9be669937aaa10adc6b2be9042b5a5749257a3 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2270.21 грн
10+2002.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150L IXTX8N150L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D38D3CED8BB820&compId=IXTK(X)8N150L.pdf?ci_sign=90c93573bfcdd21862ce04ca99385de8a4c56b66 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 1.7µs
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 700W
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 1.5kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3157.35 грн
30+2802.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20P IXTX90P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9ECBA42874F8BF&compId=IXT_90P20P.pdf?ci_sign=51c0ccf646b8ee88bb3b4a442efcdd134c7b9d0f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1375.94 грн
5+1230.77 грн
10+1149.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+337.38 грн
5+251.84 грн
6+203.82 грн
15+192.50 грн
25+184.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10T IXTY18P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA09340E5AD58BF&compId=IXT_18P10T.pdf?ci_sign=af2eea40a1c7a689ec6646ea661f0ab19498cc5b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+331.28 грн
10+195.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P IXTY1N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28465095B933820&compId=IXTY(A%2CP)1N120P.pdf?ci_sign=8005f7217719a368d68d2e956d74381e1fc08bc0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+209.34 грн
5+181.28 грн
7+160.42 грн
19+151.92 грн
70+146.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf IXTY1R6N100D2 SMD N channel transistors
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+377.01 грн
6+188.72 грн
17+178.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd IXTY1R6N50D2 SMD N channel transistors
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+328.23 грн
6+188.72 грн
17+178.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100P IXTY2N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA1618BD17820&compId=IXTA(P%2CY)2N100P.pdf?ci_sign=ed9b99ae18ad9cc7de5cc0535e18145ae9cd8895 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+304.86 грн
7+166.59 грн
10+159.47 грн
19+151.92 грн
25+150.98 грн
70+146.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY3N50P IXTY3N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90549A006FBE27&compId=IXTA3N50P-DTE.pdf?ci_sign=6bd0ab0b4408c3a770d9f2f03b9068091a9c03b4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.3nC
Reverse recovery time: 400ns
Technology: Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T IXTY44N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+202.23 грн
10+169.53 грн
25+132.11 грн
70+114.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+220.52 грн
10+133.27 грн
25+119.84 грн
70+111.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+189.01 грн
10+141.11 грн
20+115.12 грн
25+108.52 грн
70+86.81 грн
140+80.21 грн
560+78.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA0F0323D6D820&compId=IXXH110N65C4.pdf?ci_sign=8ec837af6c06b7dcd16b77603711edf90d67ba2e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1032.47 грн
3+903.48 грн
5+810.57 грн
10+720.93 грн
30+666.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1198.11 грн
3+1049.49 грн
10+883.23 грн
30+794.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF48F12B239E27&compId=IXXH30N60B3-DTE.pdf?ci_sign=fb346b9f3ffd7c0eb1f59c32431be20e1d64d489 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+522.33 грн
3+453.70 грн
10+385.94 грн
30+346.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+522.33 грн
5+480.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA96CA2990ED820&compId=IXXH40N65B4.pdf?ci_sign=770ad629ceb326de1e544cb3d65c8b03a36c72c3 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+489.81 грн
3+425.28 грн
10+361.41 грн
30+325.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9B02C1EEBB820&compId=IXXH60N65B4.pdf?ci_sign=a8031f26dadaab9cb288a0d9006d6deb1d61fc37 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+614.81 грн
3+533.07 грн
10+453.88 грн
30+407.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA41BE37C998BF&compId=IXXH60N65B4H1.pdf?ci_sign=3218f9ada32bbb51384480c616296b03ed0d41c5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1106.65 грн
3+970.11 грн
10+822.84 грн
30+738.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4 IXXH80N65B4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9E035A3E93820&compId=IXXH80N65B4.pdf?ci_sign=87dde9e4c61408c192916628afc8e7dc723e51a1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+685.94 грн
10+538.95 грн
30+401.04 грн
120+383.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992DF299313CAB8BF&compId=IXX_110N65B4H1.pdf?ci_sign=138ddc32a5ddfa541fc19fa01c5429737b49acfd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1826.12 грн
3+1661.93 грн
5+1518.29 грн
10+1360.70 грн
25+1212.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4 IXXK160N65B4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA5D65CB90B820&compId=IXXK(x)160N65B4.pdf?ci_sign=9f5367c32f30879b6456d2d25578b70ad46909cd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 425nC
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1829.17 грн
3+1649.19 грн
10+1528.67 грн
25+1445.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 19nC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Power dissipation: 200W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.61 грн
3+197.94 грн
10+167.02 грн
50+150.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1 IXYA20N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+288.60 грн
3+249.88 грн
10+213.26 грн
50+191.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 IXyH100N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9FE9B182D9820&compId=IXYH100N65C3.pdf?ci_sign=69e3af69d2cb14ebc6509d3947bbc7d28a48c48b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 420A
Mounting: THT
Gate charge: 172nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 200ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+875.97 грн
5+781.97 грн
10+718.10 грн
30+700.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9991A201638BF&compId=IXYH20N120C3D1.pdf?ci_sign=e120799112c6baf937977feba949005fd83421df Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+779.43 грн
3+700.64 грн
10+651.10 грн
30+643.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1 IXYH40N90C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAAB0C639A15820&compId=IXYH40N90C3D1.pdf?ci_sign=a9b420490784fb125d477b8ddf210fc5b67ef22e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+941.01 грн
3+822.15 грн
5+736.02 грн
10+653.93 грн
30+544.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf IXYH50N120C3D1 THT IGBT transistors
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1219.45 грн
2+853.98 грн
4+807.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+880.04 грн
3+763.35 грн
10+650.15 грн
30+583.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh60n90c3_datasheet.pdf.pdf IXYH60N90C3 THT IGBT transistors
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1039.58 грн
2+570.89 грн
6+539.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n250chv-datasheet?assetguid=78ea8f5b-1880-4f0f-b0fa-520bc5357c4b IXYH8N250CHV THT IGBT transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1666.43 грн
2+1575.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3 IXYK120N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADF8429ADAB820&compId=IXYK(x)120N120C3.pdf?ci_sign=2816af6dfd2bdc776f9cb1060346c96b4d57c1e0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3146.18 грн
3+2733.96 грн
10+2309.98 грн
25+2089.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1 IXYS littelfusediscreteigbtsxptixyn100n120c3h1data.pdf IXYN100N120C3H1 IGBT modules
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3699.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE8CFB93BF71820&compId=IXYP10N65C3D1M.pdf?ci_sign=4468f80a6cfc5ee015a6ea07a55ce618be77d365 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+360.75 грн
10+235.18 грн
50+177.40 грн
100+162.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYP8N90C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA81152D6A3820&compId=IXYA(P)8N90C3D1.pdf?ci_sign=c7b8202f446f82c0bef2c4432c38a5e99932308d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+321.12 грн
3+278.30 грн
10+236.85 грн
50+213.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3 IXYX120N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADFBCCF8BE3820&compId=IXYX120N120B3.pdf?ci_sign=29d193d35ac59a9ca5d54f9ed1b3d837837fd1b1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2861.64 грн
3+2485.06 грн
10+2113.71 грн
30+1980.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3 IXYX120N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADF8429ADAB820&compId=IXYK(x)120N120C3.pdf?ci_sign=2816af6dfd2bdc776f9cb1060346c96b4d57c1e0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3319.95 грн
3+2883.89 грн
10+2454.36 грн
30+2208.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA8BDD5D271820&compId=IXYP(y)8N90C3.pdf?ci_sign=87d38d8134be933eddf2b12248973e933ae93bed Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.06 грн
25+234.20 грн
70+168.91 грн
140+146.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100 LAA100 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339891EA0C7&compId=LAA100.pdf?ci_sign=0aec29399b4e4aefd547e478bdb260a5ca7e1c58 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 25Ω
Manufacturer series: OptoMOS
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+435.95 грн
10+367.47 грн
250+285.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100L LAA100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339892080C7&compId=LAA100L.pdf?ci_sign=133833099cee8dee4dfa302627eb4b749f2b8824 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 25Ω
Manufacturer series: OptoMOS
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+355.67 грн
50+294.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100P LAA100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339891EA0C7&compId=LAA100.pdf?ci_sign=0aec29399b4e4aefd547e478bdb260a5ca7e1c58 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Manufacturer series: OptoMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+367.87 грн
50+292.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100S LAA100S IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339891EA0C7&compId=LAA100.pdf?ci_sign=0aec29399b4e4aefd547e478bdb260a5ca7e1c58 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 25Ω
Manufacturer series: OptoMOS
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+584.32 грн
50+369.43 грн
250+284.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108 IXYS LAA108.pdf LAA108 One Phase Solid State Relays
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.60 грн
7+161.36 грн
19+152.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108P IXYS littelfuse-integrated-circuits-laa108-datasheet?assetguid=4906822e-3627-413e-8e1c-8626e5cad4de LAA108P One Phase Solid State Relays
на замовлення 527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+223.57 грн
7+161.36 грн
19+152.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110 LAA110 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A47459C0E698BF&compId=LAA110.pdf?ci_sign=ccd17f31175d39f76946339f4bf405c57c47714b Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Turn-off time: 3ms
Turn-on time: 3ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+361.77 грн
5+315.53 грн
10+281.20 грн
30+267.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110PL LAA110PL IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923AEC0C7&compId=LAA110L.pdf?ci_sign=c5d9dc6bd2f731b493e5c3213f701f4abd8a57f7 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Turn-off time: 3ms
Turn-on time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+359.74 грн
10+305.73 грн
100+270.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110S LAA110S IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A47459C0E698BF&compId=LAA110.pdf?ci_sign=ccd17f31175d39f76946339f4bf405c57c47714b Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Turn-off time: 3ms
Turn-on time: 3ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+449.16 грн
50+365.51 грн
100+334.04 грн
250+311.39 грн
500+305.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957
IXTT16P60P
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Mounting: SMD
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Power dissipation: 460W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1141.20 грн
10+779.03 грн
30+743.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9185A4CE98DE27&compId=IXTK170N10P-DTE.pdf?ci_sign=9136904f8419278af3f28381c2ff94e364518191
IXTT170N10P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO268
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Gate charge: 198nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 715W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1024.34 грн
3+905.44 грн
5+815.29 грн
10+727.53 грн
30+662.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT24P20 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA012B7501098BF&compId=IXT_24P20.pdf?ci_sign=7205947c30c99ec8834ade2f2c88d0a2a265662f
IXTT24P20
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -24A; 300W; TO268; 250ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -24A
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+993.85 грн
2+729.06 грн
5+663.37 грн
30+637.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b
IXTT50P10
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+765.20 грн
3+652.62 грн
10+564.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9ED61D4D9A98BF&compId=IXT_68P20T.pdf?ci_sign=907d68fa4d342ed847599892ceb3c0cff81a2dc3
IXTT68P20T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; TO268
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -68A
Gate charge: 380nC
Reverse recovery time: 245ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 568W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1322.09 грн
3+1205.29 грн
10+1158.77 грн
30+1116.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993960D1A4DD498BF&compId=IXT_75N10L2.pdf?ci_sign=14d46f1640fe8dff3fd9c2e86627011d0edde846
IXTT75N10L2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1227.58 грн
2+1033.81 грн
4+940.79 грн
10+913.42 грн
30+905.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT82N25P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT82N25P SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+617.85 грн
5+596.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT8P50 94534.pdf
Виробник: IXYS
IXTT8P50 SMD P channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+806.87 грн
2+567.12 грн
6+535.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTU4N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.01 грн
9+138.71 грн
23+131.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Виробник: IXYS
IXTU8N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.85 грн
7+167.96 грн
19+158.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EA563468D18BF&compId=IXT_120P20T.pdf?ci_sign=b303308099e4550f537d8d87d7d46f104218dd25
IXTX120P20T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 740nC
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2300.69 грн
3+1959.83 грн
10+1794.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03E7174C718BF&compId=IXTX210P10T.pdf?ci_sign=eb9be669937aaa10adc6b2be9042b5a5749257a3
IXTX210P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2270.21 грн
10+2002.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D38D3CED8BB820&compId=IXTK(X)8N150L.pdf?ci_sign=90c93573bfcdd21862ce04ca99385de8a4c56b66
IXTX8N150L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 1.7µs
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 700W
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 1.5kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3157.35 грн
30+2802.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9ECBA42874F8BF&compId=IXT_90P20P.pdf?ci_sign=51c0ccf646b8ee88bb3b4a442efcdd134c7b9d0f
IXTX90P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1375.94 грн
5+1230.77 грн
10+1149.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47
IXTY08N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+337.38 грн
5+251.84 грн
6+203.82 грн
15+192.50 грн
25+184.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA09340E5AD58BF&compId=IXT_18P10T.pdf?ci_sign=af2eea40a1c7a689ec6646ea661f0ab19498cc5b
IXTY18P10T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+331.28 грн
10+195.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28465095B933820&compId=IXTY(A%2CP)1N120P.pdf?ci_sign=8005f7217719a368d68d2e956d74381e1fc08bc0
IXTY1N120P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.34 грн
5+181.28 грн
7+160.42 грн
19+151.92 грн
70+146.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTY1R6N100D2 SMD N channel transistors
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.01 грн
6+188.72 грн
17+178.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
Виробник: IXYS
IXTY1R6N50D2 SMD N channel transistors
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+328.23 грн
6+188.72 грн
17+178.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA1618BD17820&compId=IXTA(P%2CY)2N100P.pdf?ci_sign=ed9b99ae18ad9cc7de5cc0535e18145ae9cd8895
IXTY2N100P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+304.86 грн
7+166.59 грн
10+159.47 грн
19+151.92 грн
25+150.98 грн
70+146.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY3N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90549A006FBE27&compId=IXTA3N50P-DTE.pdf?ci_sign=6bd0ab0b4408c3a770d9f2f03b9068091a9c03b4
IXTY3N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.3nC
Reverse recovery time: 400ns
Technology: Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a
IXTY44N10T
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.23 грн
10+169.53 грн
25+132.11 грн
70+114.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.52 грн
10+133.27 грн
25+119.84 грн
70+111.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.01 грн
10+141.11 грн
20+115.12 грн
25+108.52 грн
70+86.81 грн
140+80.21 грн
560+78.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA0F0323D6D820&compId=IXXH110N65C4.pdf?ci_sign=8ec837af6c06b7dcd16b77603711edf90d67ba2e
IXXH110N65C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1032.47 грн
3+903.48 грн
5+810.57 грн
10+720.93 грн
30+666.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1198.11 грн
3+1049.49 грн
10+883.23 грн
30+794.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF48F12B239E27&compId=IXXH30N60B3-DTE.pdf?ci_sign=fb346b9f3ffd7c0eb1f59c32431be20e1d64d489
IXXH30N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+522.33 грн
3+453.70 грн
10+385.94 грн
30+346.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+522.33 грн
5+480.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA96CA2990ED820&compId=IXXH40N65B4.pdf?ci_sign=770ad629ceb326de1e544cb3d65c8b03a36c72c3
IXXH40N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+489.81 грн
3+425.28 грн
10+361.41 грн
30+325.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9B02C1EEBB820&compId=IXXH60N65B4.pdf?ci_sign=a8031f26dadaab9cb288a0d9006d6deb1d61fc37
IXXH60N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+614.81 грн
3+533.07 грн
10+453.88 грн
30+407.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA41BE37C998BF&compId=IXXH60N65B4H1.pdf?ci_sign=3218f9ada32bbb51384480c616296b03ed0d41c5
IXXH60N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1106.65 грн
3+970.11 грн
10+822.84 грн
30+738.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9E035A3E93820&compId=IXXH80N65B4.pdf?ci_sign=87dde9e4c61408c192916628afc8e7dc723e51a1
IXXH80N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+685.94 грн
10+538.95 грн
30+401.04 грн
120+383.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992DF299313CAB8BF&compId=IXX_110N65B4H1.pdf?ci_sign=138ddc32a5ddfa541fc19fa01c5429737b49acfd
IXXK110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1826.12 грн
3+1661.93 грн
5+1518.29 грн
10+1360.70 грн
25+1212.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA5D65CB90B820&compId=IXXK(x)160N65B4.pdf?ci_sign=9f5367c32f30879b6456d2d25578b70ad46909cd
IXXK160N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 425nC
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1829.17 грн
3+1649.19 грн
10+1528.67 грн
25+1445.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 19nC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Power dissipation: 200W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.61 грн
3+197.94 грн
10+167.02 грн
50+150.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f
IXYA20N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.60 грн
3+249.88 грн
10+213.26 грн
50+191.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9FE9B182D9820&compId=IXYH100N65C3.pdf?ci_sign=69e3af69d2cb14ebc6509d3947bbc7d28a48c48b
IXyH100N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 420A
Mounting: THT
Gate charge: 172nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 200ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+875.97 грн
5+781.97 грн
10+718.10 грн
30+700.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9991A201638BF&compId=IXYH20N120C3D1.pdf?ci_sign=e120799112c6baf937977feba949005fd83421df
IXYH20N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+779.43 грн
3+700.64 грн
10+651.10 грн
30+643.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAAB0C639A15820&compId=IXYH40N90C3D1.pdf?ci_sign=a9b420490784fb125d477b8ddf210fc5b67ef22e
IXYH40N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+941.01 грн
3+822.15 грн
5+736.02 грн
10+653.93 грн
30+544.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYH50N120C3D1 THT IGBT transistors
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1219.45 грн
2+853.98 грн
4+807.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+880.04 грн
3+763.35 грн
10+650.15 грн
30+583.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh60n90c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYH60N90C3 THT IGBT transistors
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1039.58 грн
2+570.89 грн
6+539.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHV littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n250chv-datasheet?assetguid=78ea8f5b-1880-4f0f-b0fa-520bc5357c4b
Виробник: IXYS
IXYH8N250CHV THT IGBT transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1666.43 грн
2+1575.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADF8429ADAB820&compId=IXYK(x)120N120C3.pdf?ci_sign=2816af6dfd2bdc776f9cb1060346c96b4d57c1e0
IXYK120N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3146.18 грн
3+2733.96 грн
10+2309.98 грн
25+2089.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1 littelfusediscreteigbtsxptixyn100n120c3h1data.pdf
Виробник: IXYS
IXYN100N120C3H1 IGBT modules
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3699.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE8CFB93BF71820&compId=IXYP10N65C3D1M.pdf?ci_sign=4468f80a6cfc5ee015a6ea07a55ce618be77d365
IXYP10N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f
IXYP20N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.75 грн
10+235.18 грн
50+177.40 грн
100+162.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA81152D6A3820&compId=IXYA(P)8N90C3D1.pdf?ci_sign=c7b8202f446f82c0bef2c4432c38a5e99932308d
IXYP8N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+321.12 грн
3+278.30 грн
10+236.85 грн
50+213.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADFBCCF8BE3820&compId=IXYX120N120B3.pdf?ci_sign=29d193d35ac59a9ca5d54f9ed1b3d837837fd1b1
IXYX120N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2861.64 грн
3+2485.06 грн
10+2113.71 грн
30+1980.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADF8429ADAB820&compId=IXYK(x)120N120C3.pdf?ci_sign=2816af6dfd2bdc776f9cb1060346c96b4d57c1e0
IXYX120N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3319.95 грн
3+2883.89 грн
10+2454.36 грн
30+2208.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA8BDD5D271820&compId=IXYP(y)8N90C3.pdf?ci_sign=87d38d8134be933eddf2b12248973e933ae93bed
IXYY8N90C3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.06 грн
25+234.20 грн
70+168.91 грн
140+146.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339891EA0C7&compId=LAA100.pdf?ci_sign=0aec29399b4e4aefd547e478bdb260a5ca7e1c58
LAA100
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 25Ω
Manufacturer series: OptoMOS
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.95 грн
10+367.47 грн
250+285.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339892080C7&compId=LAA100L.pdf?ci_sign=133833099cee8dee4dfa302627eb4b749f2b8824
LAA100L
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 25Ω
Manufacturer series: OptoMOS
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.67 грн
50+294.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339891EA0C7&compId=LAA100.pdf?ci_sign=0aec29399b4e4aefd547e478bdb260a5ca7e1c58
LAA100P
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Manufacturer series: OptoMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.87 грн
50+292.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339891EA0C7&compId=LAA100.pdf?ci_sign=0aec29399b4e4aefd547e478bdb260a5ca7e1c58
LAA100S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Case: DIP8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 25Ω
Manufacturer series: OptoMOS
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+584.32 грн
50+369.43 грн
250+284.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108 LAA108.pdf
Виробник: IXYS
LAA108 One Phase Solid State Relays
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.60 грн
7+161.36 грн
19+152.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108P littelfuse-integrated-circuits-laa108-datasheet?assetguid=4906822e-3627-413e-8e1c-8626e5cad4de
Виробник: IXYS
LAA108P One Phase Solid State Relays
на замовлення 527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.57 грн
7+161.36 грн
19+152.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A47459C0E698BF&compId=LAA110.pdf?ci_sign=ccd17f31175d39f76946339f4bf405c57c47714b
LAA110
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Turn-off time: 3ms
Turn-on time: 3ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.77 грн
5+315.53 грн
10+281.20 грн
30+267.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110PL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923AEC0C7&compId=LAA110L.pdf?ci_sign=c5d9dc6bd2f731b493e5c3213f701f4abd8a57f7
LAA110PL
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Turn-off time: 3ms
Turn-on time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.74 грн
10+305.73 грн
100+270.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A47459C0E698BF&compId=LAA110.pdf?ci_sign=ccd17f31175d39f76946339f4bf405c57c47714b
LAA110S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Turn-off time: 3ms
Turn-on time: 3ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+449.16 грн
50+365.51 грн
100+334.04 грн
250+311.39 грн
500+305.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]