Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16536) > Сторінка 242 з 276

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 270 276  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2893A5E251C9820&compId=IXTH(P)150N15X4.pdf?ci_sign=e12fd6602b056817d889d35f60740c06e4058b1c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+752.24 грн
3+655.82 грн
10+517.66 грн
25+442.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 IXTP15N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+788.31 грн
5+616.07 грн
10+517.66 грн
50+491.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15P15T IXTP15P15T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0315E91ECF8BF&compId=IXT_15P15T.pdf?ci_sign=89c9e7e0f50fcdf0bdf9b8cab3248220932eecac Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 116ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+347.27 грн
10+307.04 грн
50+238.26 грн
100+209.55 грн
250+186.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS IXT_160N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Gate charge: 132nC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+416.31 грн
10+328.90 грн
50+281.32 грн
100+265.05 грн
500+239.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP16N50P IXTP16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+367.88 грн
10+223.57 грн
50+207.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP170N075T2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-170N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=D747B10F-DF0D-4682-8263-928A35FB227A IXTP170N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+375.09 грн
6+212.42 грн
15+199.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T IXTP18P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA09340E5AD58BF&compId=IXT_18P10T.pdf?ci_sign=af2eea40a1c7a689ec6646ea661f0ab19498cc5b Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+261.74 грн
10+159.98 грн
25+136.83 грн
50+126.31 грн
100+115.78 грн
250+109.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2 IXTP1R6N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD988597E13820&compId=IXTA(P%2CY)1R6N100D2.pdf?ci_sign=ce59496fe47080cde7fbbe82a0045017cf12b9be Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.38 грн
10+268.29 грн
50+188.50 грн
100+167.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP220N04T2 IXTP220N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC709D95CCF820&compId=IXTA(P)220N04T2.pdf?ci_sign=1db27c209e7af5f3f0d648bd91c318079852def5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 45ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+330.78 грн
10+244.44 грн
50+193.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N075T2 IXTP230N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD06B56D7B7820&compId=IXTA(P)230N075T2.pdf?ci_sign=435f3b950c6a5ee63f1c4c17cf1a54b753421988 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO220AB; 66ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Gate charge: 178nC
Reverse recovery time: 66ns
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 230A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+487.41 грн
10+366.66 грн
50+332.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS IXT_24N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+585.30 грн
50+309.03 грн
100+281.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS IXTP24N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+366.85 грн
10+237.49 грн
50+220.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP260N055T2 IXTP260N055T2 IXYS IXTA(P)260N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+460.62 грн
3+416.34 грн
10+345.43 грн
50+332.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P10T IXTP26P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA08E4B31BC18BF&compId=IXT_26P10T.pdf?ci_sign=c33656444a550e5f0b85a72d96ed77f965b03124 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+192.70 грн
3+166.94 грн
10+141.62 грн
50+127.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP270N04T4 IXTP270N04T4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
On-state resistance: 2.4mΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 375W
Drain current: 270A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+289.56 грн
3+251.40 грн
10+214.34 грн
50+199.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993964EAD3952F8BF&compId=IXT_2R4N120P.pdf?ci_sign=eb8ee9bf4f44f4620c1e19588ea25a870e1c1b6d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: Polar™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
On-state resistance: 7.5Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+523.48 грн
10+471.99 грн
50+375.09 грн
100+332.03 грн
250+323.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf IXTP32P05T THT P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+297.80 грн
10+117.69 грн
27+111.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA IXTP32P20T THT P channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+780.06 грн
3+517.66 грн
6+488.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36P15P IXTP36P15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA025489909D8BF&compId=IXT_36P15P.pdf?ci_sign=43e84b0c7625b0bc77fce7d732308fb491cdfed2 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Reverse recovery time: 228ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+585.30 грн
10+341.82 грн
50+323.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBD9B42C73B820&compId=IXTA(P)3N100D2.pdf?ci_sign=c245ce0cffe79380fadde6d25a375768a49f0754 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
Gate charge: 1.02µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+343.14 грн
10+241.46 грн
25+219.12 грн
50+209.55 грн
100+199.98 грн
250+187.54 грн
500+178.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939639605145D8BF&compId=IXT_3N120.pdf?ci_sign=d609b50c6bcbcefe4c172ac69adac53131300bfe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Gate charge: 42nC
Reverse recovery time: 700ns
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 200W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+616.22 грн
5+542.54 грн
10+497.57 грн
50+444.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n50-datasheet?assetguid=7d9bbc87-6f24-48dc-8dcf-2bc5554e3a93 IXTP3N50D2 THT N channel transistors
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+364.78 грн
5+244.00 грн
13+230.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N10T IXTP44N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.06 грн
10+128.18 грн
50+93.77 грн
100+84.20 грн
250+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTP44P15T THT P channel transistors
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+531.72 грн
4+335.86 грн
10+316.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2 IXTP450P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55001B8D0D820&compId=IXTH(P%2CQ)450P2.pdf?ci_sign=bd2a070be623e6483ee1ebfc57c7e655c7dd0ea6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Reverse recovery time: 400ns
Power dissipation: 300W
On-state resistance: 0.33Ω
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 500V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+422.49 грн
50+218.61 грн
100+195.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48n20t-datasheet?assetguid=9a6a99bb-4eea-403f-a331-1f20aca73a17 IXTP48N20T THT N channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+369.94 грн
6+207.64 грн
15+196.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05T IXTP48P05T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0C43F950B18BF&compId=IXT_48P05T.pdf?ci_sign=f2ae0764a4420e9e69779cd81a0b142c17b0cc14 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+344.18 грн
10+255.37 грн
50+208.60 грн
100+201.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+220.52 грн
10+121.23 грн
50+108.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+150.45 грн
50+135.14 грн
250+121.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20P IXTP50N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+352.42 грн
10+279.22 грн
50+237.30 грн
100+223.91 грн
500+206.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25T IXTP50N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+450.31 грн
4+298.10 грн
11+271.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 176W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+185.48 грн
10+154.02 грн
25+121.52 грн
50+109.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+460.62 грн
10+382.56 грн
25+303.32 грн
50+299.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP62N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf IXTP62N15P THT N channel transistors
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+422.49 грн
5+236.34 грн
14+223.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2 IXTP6N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D45948322AD820&compId=IXTA(H%2CP)6N100D2.pdf?ci_sign=ae2f4eab8381be464d1f510c96b6fa260d11e708 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+729.57 грн
5+574.34 грн
10+504.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37 IXTP6N50D2 THT N channel transistors
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+729.57 грн
3+421.98 грн
8+399.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a IXTP76P10T THT P channel transistors
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+579.12 грн
4+335.86 грн
10+316.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 IXTP80N075L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D40C33743EF820&compId=IXTA(H%2CP)80N075L2.pdf?ci_sign=29f6107f9c0994d3b18d0f8e4dd316853db34889 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+579.12 грн
5+484.91 грн
10+421.02 грн
50+407.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D406B88E9F9820&compId=IXTA(P)80N10T.pdf?ci_sign=bc8f5f5b020fd346b1d379e0314e69667636f1ab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+260.71 грн
10+207.68 грн
50+177.02 грн
100+166.49 грн
500+162.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTP8N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+385.39 грн
7+186.59 грн
17+176.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2M IXTP8N70X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13BD820&compId=IXTP8N70X2M.pdf?ci_sign=f02a8f3645fd7c3555e8531950070371617f6959 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 12nC
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 IXYS IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Reverse recovery time: 37ns
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 8.4mΩ
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+261.74 грн
10+177.87 грн
50+140.66 грн
100+128.22 грн
500+107.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085T IXTP96P085T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA09915A690F8BF&compId=IXT_96P085T.pdf?ci_sign=2aa751399db2183305198d4805b69b6937f7379e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+480.20 грн
10+314.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ10P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf IXTQ10P50P THT P channel transistors
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+717.20 грн
3+403.80 грн
8+381.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P IXTQ120N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9109183E093E27&compId=IXTK120N20P-DTE.pdf?ci_sign=8d92652847182241575b90496cedc624b85642c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+833.65 грн
30+670.72 грн
120+621.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N20T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=cb7b2f23-2d75-435a-b920-9da65561e48c&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf IXTQ130N20T THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+865.59 грн
3+547.32 грн
6+517.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P IXTQ150N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917F39DF4CDE27&compId=IXTK150N15P-DTE.pdf?ci_sign=c9c97c1328cecc3554885e3cfd29e98d52e29bb2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 714W
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+583.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949 IXTQ170N10P THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1049.01 грн
2+659.28 грн
5+623.87 грн
1020+623.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTQ200N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD8557B5AE1820&compId=IXTH(Q)200N10T.pdf?ci_sign=fabd2ae31ac34d7d3d3b92bb0d92dc142a6b5f45 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Case: TO3P
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 76ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+713.08 грн
10+566.39 грн
30+407.62 грн
120+365.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50P IXTQ22N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDA40D50235820&compId=IXTH(Q%2CV)22N50P_S.pdf?ci_sign=ce2412085be3e0bce70371fe953f27e347b1e073 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+477.11 грн
10+381.57 грн
30+337.77 грн
120+301.41 грн
270+280.36 грн
510+276.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N50P IXTQ26N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC6476E5667820&compId=IXTQ(T%2CV)26N50P_S.pdf?ci_sign=05792dbff65769b8475857717b66702fd485dd9b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+525.54 грн
3+466.03 грн
10+389.44 грн
30+384.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P IXTQ26P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+598.70 грн
10+441.19 грн
30+363.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+771.82 грн
3+668.74 грн
10+569.33 грн
30+514.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf IXTQ36N50P THT N channel transistors
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+932.57 грн
2+734.87 грн
5+694.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2 IXTQ460P2 IXYS IXTQ460P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 480W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar2™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+481.23 грн
10+335.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M IXTQ48N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+942.88 грн
3+819.77 грн
10+697.55 грн
30+626.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20P IXTQ50N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+419.40 грн
10+330.89 грн
30+285.14 грн
120+244.96 грн
270+240.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf IXTQ52N30P THT N channel transistors
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+601.79 грн
3+381.79 грн
9+361.69 грн
2010+360.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10P IXTQ52P10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO3P
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+625.49 грн
3+415.35 грн
8+377.96 грн
120+373.18 грн
270+363.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T IXTQ60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO3P
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+459.59 грн
10+330.89 грн
30+282.27 грн
120+237.30 грн
510+230.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2893A5E251C9820&compId=IXTH(P)150N15X4.pdf?ci_sign=e12fd6602b056817d889d35f60740c06e4058b1c
IXTP150N15X4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+752.24 грн
3+655.82 грн
10+517.66 грн
25+442.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203
IXTP15N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+788.31 грн
5+616.07 грн
10+517.66 грн
50+491.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15P15T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0315E91ECF8BF&compId=IXT_15P15T.pdf?ci_sign=89c9e7e0f50fcdf0bdf9b8cab3248220932eecac
IXTP15P15T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 116ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.27 грн
10+307.04 грн
50+238.26 грн
100+209.55 грн
250+186.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXT_160N10T.pdf
IXTP160N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Gate charge: 132nC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+416.31 грн
10+328.90 грн
50+281.32 грн
100+265.05 грн
500+239.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1
IXTP16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.88 грн
10+223.57 грн
50+207.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP170N075T2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-170N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=D747B10F-DF0D-4682-8263-928A35FB227A
Виробник: IXYS
IXTP170N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.09 грн
6+212.42 грн
15+199.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA09340E5AD58BF&compId=IXT_18P10T.pdf?ci_sign=af2eea40a1c7a689ec6646ea661f0ab19498cc5b
IXTP18P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.74 грн
10+159.98 грн
25+136.83 грн
50+126.31 грн
100+115.78 грн
250+109.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD988597E13820&compId=IXTA(P%2CY)1R6N100D2.pdf?ci_sign=ce59496fe47080cde7fbbe82a0045017cf12b9be
IXTP1R6N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.38 грн
10+268.29 грн
50+188.50 грн
100+167.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP220N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC709D95CCF820&compId=IXTA(P)220N04T2.pdf?ci_sign=1db27c209e7af5f3f0d648bd91c318079852def5
IXTP220N04T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 45ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.78 грн
10+244.44 грн
50+193.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD06B56D7B7820&compId=IXTA(P)230N075T2.pdf?ci_sign=435f3b950c6a5ee63f1c4c17cf1a54b753421988
IXTP230N075T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO220AB; 66ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Gate charge: 178nC
Reverse recovery time: 66ns
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 230A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.41 грн
10+366.66 грн
50+332.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2 IXT_24N65X2.pdf
IXTP24N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+585.30 грн
50+309.03 грн
100+281.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.85 грн
10+237.49 грн
50+220.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP260N055T2 IXTA(P)260N055T2.pdf
IXTP260N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.62 грн
3+416.34 грн
10+345.43 грн
50+332.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA08E4B31BC18BF&compId=IXT_26P10T.pdf?ci_sign=c33656444a550e5f0b85a72d96ed77f965b03124
IXTP26P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.70 грн
3+166.94 грн
10+141.62 грн
50+127.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP270N04T4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81
IXTP270N04T4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
On-state resistance: 2.4mΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 375W
Drain current: 270A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.56 грн
3+251.40 грн
10+214.34 грн
50+199.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993964EAD3952F8BF&compId=IXT_2R4N120P.pdf?ci_sign=eb8ee9bf4f44f4620c1e19588ea25a870e1c1b6d
IXTP2R4N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: Polar™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
On-state resistance: 7.5Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.48 грн
10+471.99 грн
50+375.09 грн
100+332.03 грн
250+323.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP32P05T THT P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.80 грн
10+117.69 грн
27+111.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA
Виробник: IXYS
IXTP32P20T THT P channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+780.06 грн
3+517.66 грн
6+488.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36P15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA025489909D8BF&compId=IXT_36P15P.pdf?ci_sign=43e84b0c7625b0bc77fce7d732308fb491cdfed2
IXTP36P15P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Reverse recovery time: 228ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+585.30 грн
10+341.82 грн
50+323.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBD9B42C73B820&compId=IXTA(P)3N100D2.pdf?ci_sign=c245ce0cffe79380fadde6d25a375768a49f0754
IXTP3N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
Gate charge: 1.02µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.14 грн
10+241.46 грн
25+219.12 грн
50+209.55 грн
100+199.98 грн
250+187.54 грн
500+178.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939639605145D8BF&compId=IXT_3N120.pdf?ci_sign=d609b50c6bcbcefe4c172ac69adac53131300bfe
IXTP3N120
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Gate charge: 42nC
Reverse recovery time: 700ns
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 200W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+616.22 грн
5+542.54 грн
10+497.57 грн
50+444.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n50-datasheet?assetguid=7d9bbc87-6f24-48dc-8dcf-2bc5554e3a93
Виробник: IXYS
IXTP3N50D2 THT N channel transistors
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+364.78 грн
5+244.00 грн
13+230.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a
IXTP44N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.06 грн
10+128.18 грн
50+93.77 грн
100+84.20 грн
250+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Виробник: IXYS
IXTP44P15T THT P channel transistors
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+531.72 грн
4+335.86 грн
10+316.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55001B8D0D820&compId=IXTH(P%2CQ)450P2.pdf?ci_sign=bd2a070be623e6483ee1ebfc57c7e655c7dd0ea6
IXTP450P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Reverse recovery time: 400ns
Power dissipation: 300W
On-state resistance: 0.33Ω
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 500V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.49 грн
50+218.61 грн
100+195.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48n20t-datasheet?assetguid=9a6a99bb-4eea-403f-a331-1f20aca73a17
Виробник: IXYS
IXTP48N20T THT N channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.94 грн
6+207.64 грн
15+196.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0C43F950B18BF&compId=IXT_48P05T.pdf?ci_sign=f2ae0764a4420e9e69779cd81a0b142c17b0cc14
IXTP48P05T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+344.18 грн
10+255.37 грн
50+208.60 грн
100+201.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.52 грн
10+121.23 грн
50+108.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d
IXTP4N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.45 грн
50+135.14 грн
250+121.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34
IXTP50N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.42 грн
10+279.22 грн
50+237.30 грн
100+223.91 грн
500+206.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0
IXTP50N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+450.31 грн
4+298.10 грн
11+271.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 176W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.48 грн
10+154.02 грн
25+121.52 грн
50+109.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.62 грн
10+382.56 грн
25+303.32 грн
50+299.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP62N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP62N15P THT N channel transistors
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.49 грн
5+236.34 грн
14+223.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D45948322AD820&compId=IXTA(H%2CP)6N100D2.pdf?ci_sign=ae2f4eab8381be464d1f510c96b6fa260d11e708
IXTP6N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+729.57 грн
5+574.34 грн
10+504.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37
Виробник: IXYS
IXTP6N50D2 THT N channel transistors
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+729.57 грн
3+421.98 грн
8+399.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a
Виробник: IXYS
IXTP76P10T THT P channel transistors
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+579.12 грн
4+335.86 грн
10+316.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D40C33743EF820&compId=IXTA(H%2CP)80N075L2.pdf?ci_sign=29f6107f9c0994d3b18d0f8e4dd316853db34889
IXTP80N075L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+579.12 грн
5+484.91 грн
10+421.02 грн
50+407.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D406B88E9F9820&compId=IXTA(P)80N10T.pdf?ci_sign=bc8f5f5b020fd346b1d379e0314e69667636f1ab
IXTP80N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.71 грн
10+207.68 грн
50+177.02 грн
100+166.49 грн
500+162.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Виробник: IXYS
IXTP8N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.39 грн
7+186.59 грн
17+176.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13BD820&compId=IXTP8N70X2M.pdf?ci_sign=f02a8f3645fd7c3555e8531950070371617f6959
IXTP8N70X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 12nC
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N055T2 IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf
IXTP90N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Reverse recovery time: 37ns
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 8.4mΩ
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.74 грн
10+177.87 грн
50+140.66 грн
100+128.22 грн
500+107.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA09915A690F8BF&compId=IXT_96P085T.pdf?ci_sign=2aa751399db2183305198d4805b69b6937f7379e
IXTP96P085T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.20 грн
10+314.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ10P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ10P50P THT P channel transistors
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+717.20 грн
3+403.80 грн
8+381.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9109183E093E27&compId=IXTK120N20P-DTE.pdf?ci_sign=8d92652847182241575b90496cedc624b85642c3
IXTQ120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+833.65 грн
30+670.72 грн
120+621.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N20T media?resourcetype=datasheets&itemid=cb7b2f23-2d75-435a-b920-9da65561e48c&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ130N20T THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+865.59 грн
3+547.32 грн
6+517.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917F39DF4CDE27&compId=IXTK150N15P-DTE.pdf?ci_sign=c9c97c1328cecc3554885e3cfd29e98d52e29bb2
IXTQ150N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 714W
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+583.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949
Виробник: IXYS
IXTQ170N10P THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1049.01 грн
2+659.28 грн
5+623.87 грн
1020+623.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD8557B5AE1820&compId=IXTH(Q)200N10T.pdf?ci_sign=fabd2ae31ac34d7d3d3b92bb0d92dc142a6b5f45
IXTQ200N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Case: TO3P
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 76ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+713.08 грн
10+566.39 грн
30+407.62 грн
120+365.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDA40D50235820&compId=IXTH(Q%2CV)22N50P_S.pdf?ci_sign=ce2412085be3e0bce70371fe953f27e347b1e073
IXTQ22N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.11 грн
10+381.57 грн
30+337.77 грн
120+301.41 грн
270+280.36 грн
510+276.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC6476E5667820&compId=IXTQ(T%2CV)26N50P_S.pdf?ci_sign=05792dbff65769b8475857717b66702fd485dd9b
IXTQ26N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+525.54 грн
3+466.03 грн
10+389.44 грн
30+384.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87
IXTQ26P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+598.70 грн
10+441.19 грн
30+363.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ34N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec
IXTQ34N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+771.82 грн
3+668.74 грн
10+569.33 грн
30+514.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ36N50P THT N channel transistors
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+932.57 грн
2+734.87 грн
5+694.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2 IXTQ460P2.pdf
IXTQ460P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 480W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar2™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.23 грн
10+335.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M
IXTQ48N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+942.88 грн
3+819.77 грн
10+697.55 грн
30+626.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34
IXTQ50N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+419.40 грн
10+330.89 грн
30+285.14 грн
120+244.96 грн
270+240.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ52N30P THT N channel transistors
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+601.79 грн
3+381.79 грн
9+361.69 грн
2010+360.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97
IXTQ52P10P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO3P
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+625.49 грн
3+415.35 грн
8+377.96 грн
120+373.18 грн
270+363.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTQ60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO3P
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.59 грн
10+330.89 грн
30+282.27 грн
120+237.30 грн
510+230.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 270 276  [ Наступна Сторінка >> ]