Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15696) > Сторінка 242 з 262

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH12N100L IXTH12N100L IXYS IXTH12N100L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3703CTR CPC3703CTR IXYS CPC3703.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.36A; 1.1W; SOT89
Kind of channel: depletion
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
On-state resistance: 4Ω
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±15V
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.70 грн
10+50.91 грн
100+33.71 грн
250+29.27 грн
500+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEK60-02A DSEK60-02A IXYS 238_L124.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 34Ax2; tube; Ifsm: 325A; TO247-3; 125W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 34A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 325A
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 125W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: FRED
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+372.10 грн
10+305.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEK60-02AR DSEK60-02AR IXYS 238_L124.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 34Ax2; tube; Ifsm: 325A; ISOPLUS247™
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 34A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 325A
Case: ISOPLUS247™
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 125W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: FRED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200PA DNA30E2200PA IXYS DNA30E2200PA.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; tube; Ifsm: 315A; TO220AC; 210W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 315A
Max. forward voltage: 1.24V
Power dissipation: 210W
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 30A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Type of diode: rectifying
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+302.56 грн
5+265.01 грн
10+249.08 грн
25+214.69 грн
50+196.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200FE DNA30E2200FE IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=b450a78f-15ed-4d9b-87fd-45be0f83674f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200FE-Datasheet Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; tube; Ifsm: 370A; Ufmax: 1.22V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 370A
Max. forward voltage: 1.22V
Power dissipation: 110W
Features of semiconductor devices: high voltage
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 30A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024e
Type of diode: rectifying
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+621.37 грн
3+528.35 грн
10+432.74 грн
25+425.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI614SITR IXYS littelfuse-integrated-circuits-ixd-614-datasheet?assetguid=e66ef830-2f72-45bc-86ab-607383f42514 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SOIC8; 14A; Ch: 1; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOIC8
Output current: 14A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 25ns
Pulse fall time: 18ns
Application: automotive industry
Maximum output current: 14A
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR26N100P IXFR26N100P IXYS IXFR26N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 0.43Ω
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Drain-source voltage: 1kV
Polarisation: unipolar
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3258.60 грн
3+2723.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2 IXTP1R6N100D2 IXYS IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Mounting: THT
Drain current: 1.6A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10Ω
Reverse recovery time: 11ns
Power dissipation: 100W
Gate charge: 645nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+278.17 грн
10+226.44 грн
50+165.21 грн
100+146.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 IXTY1R6N100D2 IXYS IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Mounting: SMD
Drain current: 1.6A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO252
On-state resistance: 10Ω
Reverse recovery time: 11ns
Power dissipation: 100W
Gate charge: 645nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+319.72 грн
5+265.85 грн
10+242.37 грн
25+205.47 грн
70+169.41 грн
140+166.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2 IXTA1R6N100D2 IXYS IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263; 11ns
Mounting: SMD
Drain current: 1.6A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO263
On-state resistance: 10Ω
Reverse recovery time: 11ns
Power dissipation: 100W
Gate charge: 645nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV IXYS IXTA1R6N100D2HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263
Mounting: SMD
Technology: Polar™
Drain current: 1.6A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO263
On-state resistance: 10Ω
Reverse recovery time: 970ns
Power dissipation: 100W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1117NTR CPC1117NTR IXYS CPC1117N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1014NTR CPC1014NTR IXYS CPC1014N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 400mA; max.60VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 0.4A
Turn-off time: 1ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 2Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T IXTY44N10T IXYS IXTP(Y)44N10T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
на замовлення 423 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+217.66 грн
10+161.86 грн
25+125.80 грн
50+101.48 грн
70+95.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCC72-08io1B IXYS PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 800V; 116A; TO240AA; Ufmax: 1.82V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 116A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.82V
Gate current: 150/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC72-08io8B IXYS PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 800V; 116A; TO240AA; Ufmax: 1.82V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 116A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.82V
Gate current: 150/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X121-02A DSEI2X121-02A IXYS DSEI2x121-02A.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 123Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 1.3kA
Load current: 123A x2
Max. load current: 246A
Semiconductor structure: double independent
Type of semiconductor module: diode
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2452.99 грн
5+2125.14 грн
10+1946.51 грн
20+1898.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1130NTR CPC1130NTR IXYS CPC1130N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1114N CPC1114N IXYS CPC1114N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 400mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Max. operating current: 0.4A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 2ms
Case: SOP4
Turn-off time: 5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NC
Insulation voltage: 1.5kV
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+202.31 грн
10+166.89 грн
100+146.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1114NTR CPC1114NTR IXYS CPC1114N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 400mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.4A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS45-16IO1 CS45-16IO1 IXYS CS45-08IO1-DTE.pdf CS45-16IO1.pdf description Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1600V; Ifmax: 71A; 45A; Igt: 80mA; TO247AD; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 71A
Load current: 45A
Gate current: 80mA
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 520A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+377.52 грн
15+331.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS45-16IO1R CS45-16IO1R IXYS CS45-16io1R.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.6kV; Ifmax: 71A; 45A; Igt: 80mA; TO247AD; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 71A
Load current: 45A
Gate current: 80mA
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 520A
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+723.43 грн
5+522.48 грн
10+435.26 грн
30+392.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CS45-12IO1 CS45-12IO1 IXYS CS45-08IO1-DTE.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 71A; 45A; Igt: 80mA; TO247AD; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 45A
Case: TO247AD
Mounting: THT
Max. load current: 71A
Max. forward impulse current: 520A
Kind of package: tube
Gate current: 80mA
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+522.93 грн
5+413.45 грн
10+376.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 IXYS IXTA(P)100N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+190.57 грн
10+110.70 грн
50+97.28 грн
100+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05T IXTP48P05T IXYS IXT_48P05T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 150W
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+301.66 грн
10+215.53 грн
50+182.83 грн
100+176.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY48P05T IXTY48P05T IXYS IXT_48P05T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 150W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05T IXTA48P05T IXYS IXT_48P05T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 150W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05T-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-4n80p-datasheet?assetguid=595aff53-2a35-43a0-b191-4cbac9044a16 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 50V; 48A; 150W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 48A
Gate-source voltage: 15V
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 150W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY48P05T-TRL IXYS littelfusediscretemosfetspchannelixt48p05td.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 50V; 48A; 150W; DPAK,TO252AA
Case: DPAK; TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 48A
Gate-source voltage: 15V
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 150W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCD2400MTR IXYS NCD2400M.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: digital capacitor; 2-wire,I2C; EEPROM,non-volatile; DFN6
Type of integrated circuit: digital capacitor
Interface: 2-wire; I2C
Kind of memory: EEPROM; non-volatile
Case: DFN6
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 2.5...5.5V
Kind of package: reel; tape
Application: for OCXO application
Capacitance: 1.7...203pF
Number of positions: 512
Integrated circuit features: programmable
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDH20N120 IXDH20N120 IXYS IXDH20N120_IXDH20N120D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 50A
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+508.48 грн
3+425.20 грн
10+375.71 грн
30+337.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1966Y CPC1966Y IXYS CPC1966.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 3000mA; max.240VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: max. 240V AC
Case: SIP4
Max. operating current: 3A
Control current max.: 50mA
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1966YX6 CPC1966YX6 IXYS CPC1966YX6.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 3000mA; max.600VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 500µs
Switching method: instantaneous switching
Switched voltage: max. 600V AC
Case: SIP4
Max. operating current: 3A
Control current max.: 50mA
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 IXYS IXF_60N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+749.62 грн
5+613.89 грн
10+565.25 грн
30+493.96 грн
60+489.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1906Y CPC1906Y IXYS CPC1906.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 2000mA; max.60VAC
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 10ms
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Case: SIP4
Max. operating current: 2A
Turn-off time: 5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.3Ω
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXA10WB1200TEDMIXA10WB1200TED
MIXA10WB1200TEDMIXA10WB1200TED
 MIXA10WB1200TED IXYS MIXA10WB1200TED.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 12A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 60W
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 30A
Application: motors; photovoltaics
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+5836.23 грн
3+4792.88 грн
6+4302.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLB30I1200HB CLB30I1200HB IXYS CLB30I1200HB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 50mA; TO247AD; THT; tube
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate current: 50mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. load current: 47A
Max. forward impulse current: 325A
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+302.56 грн
3+248.24 грн
10+223.08 грн
30+214.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLB30I1200PZ-TUB CLB30I1200PZ-TUB IXYS CLB30I1200PZ.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30/50mA; TO263ABHV; SMD; tube
Case: TO263ABHV
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 255A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30/50mA
Max. load current: 47A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+236.63 грн
3+197.08 грн
10+173.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLB30I1200PZ-TRL CLB30I1200PZ-TRL IXYS Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30mA
Max. load current: 47A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LBA110 LBA110 IXYS littelfuse-integrated-circuits-lba110-datasheet?assetguid=5197d7d9-edb1-4128-af0b-ede0a7f87ed0 description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+586.15 грн
10+467.13 грн
50+449.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LBA110S LBA110S IXYS LBA110.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+969.09 грн
50+824.39 грн
100+704.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LBA110L LBA110L IXYS LBA110L.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+751.43 грн
10+617.25 грн
50+545.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1010N CPC1010N IXYS CPC1010N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 170mA; max.250VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 0.17A
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 11.5Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1010NTR CPC1010NTR IXYS CPC1010N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 170mA; max.250VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 0.17A
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 11.5Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1016NTR CPC1016NTR IXYS CPC1016N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.100VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 0.1A
Turn-off time: 1ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1019NTR CPC1019NTR IXYS CPC1019N.pdf Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 750mA; max.60VDC; SMT; SOP4; OptoMOS; t(on): 3ms
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Switched voltage: max. 60V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 750mA
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.6Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTQ200N10T IXYS IXTH(Q)200N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 76ns
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 550W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+624.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B IXGP20N120B IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4 IXXH80N65B4 IXYS IXXH80N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 625W
Gate charge: 0.12µC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 430A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 125ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+703.56 грн
10+443.65 грн
30+407.58 грн
60+384.10 грн
120+360.62 грн
150+353.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPF80C200HB DPF80C200HB IXYS DPF80C200HB.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 40Ax2; tube; Ifsm: 560A; TO247-3; 215W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 55ns
Max. forward voltage: 1.22V
Power dissipation: 215W
Load current: 40A x2
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 560A
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+468.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25T IXFH110N25T IXYS IXFH110N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+734.27 грн
10+561.90 грн
30+457.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 IXYS IXTA(P)110N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+235.72 грн
3+187.86 грн
5+166.89 грн
10+134.18 грн
15+117.41 грн
25+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2 IXFH110N15T2 IXYS IXFH110N15T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 85ns
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 480W
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+476.87 грн
3+397.52 грн
10+391.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25T IXTH110N25T IXYS IXTH110N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
Reverse recovery time: 170ns
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+797.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2 IXFA110N15T2 IXYS IXFA(P)110N15T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns
Case: TO263
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 85ns
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 480W
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+470.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P IXYS IXFH110N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+571.70 грн
5+427.71 грн
10+348.88 грн
20+329.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30PB DSB60C30PB IXYS DSB60C30PB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.49V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.49V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 530A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.90 грн
5+93.93 грн
10+83.03 грн
50+74.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C60PB DSB60C60PB IXYS DSB60C60PB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.69V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.69V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward impulse current: 490A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30HB DSB60C30HB IXYS DSB60C30HB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 30Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.47V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.47V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 570A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100L IXTH12N100L.pdf
IXTH12N100L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3703CTR CPC3703.pdf
CPC3703CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.36A; 1.1W; SOT89
Kind of channel: depletion
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
On-state resistance: 4Ω
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±15V
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.70 грн
10+50.91 грн
100+33.71 грн
250+29.27 грн
500+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEK60-02A 238_L124.pdf
DSEK60-02A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 34Ax2; tube; Ifsm: 325A; TO247-3; 125W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 34A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 325A
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 125W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: FRED
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+372.10 грн
10+305.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEK60-02AR 238_L124.pdf
DSEK60-02AR
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 34Ax2; tube; Ifsm: 325A; ISOPLUS247™
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 34A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 325A
Case: ISOPLUS247™
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 125W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: FRED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200PA DNA30E2200PA.pdf
DNA30E2200PA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; tube; Ifsm: 315A; TO220AC; 210W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 315A
Max. forward voltage: 1.24V
Power dissipation: 210W
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 30A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Type of diode: rectifying
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+302.56 грн
5+265.01 грн
10+249.08 грн
25+214.69 грн
50+196.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200FE media?resourcetype=datasheets&itemid=b450a78f-15ed-4d9b-87fd-45be0f83674f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200FE-Datasheet
DNA30E2200FE
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; tube; Ifsm: 370A; Ufmax: 1.22V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 370A
Max. forward voltage: 1.22V
Power dissipation: 110W
Features of semiconductor devices: high voltage
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 30A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024e
Type of diode: rectifying
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+621.37 грн
3+528.35 грн
10+432.74 грн
25+425.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI614SITR littelfuse-integrated-circuits-ixd-614-datasheet?assetguid=e66ef830-2f72-45bc-86ab-607383f42514
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SOIC8; 14A; Ch: 1; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOIC8
Output current: 14A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 25ns
Pulse fall time: 18ns
Application: automotive industry
Maximum output current: 14A
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR26N100P IXFR26N100P.pdf
IXFR26N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 0.43Ω
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Drain-source voltage: 1kV
Polarisation: unipolar
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3258.60 грн
3+2723.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2 IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf
IXTP1R6N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Mounting: THT
Drain current: 1.6A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10Ω
Reverse recovery time: 11ns
Power dissipation: 100W
Gate charge: 645nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.17 грн
10+226.44 грн
50+165.21 грн
100+146.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf
IXTY1R6N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Mounting: SMD
Drain current: 1.6A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO252
On-state resistance: 10Ω
Reverse recovery time: 11ns
Power dissipation: 100W
Gate charge: 645nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+319.72 грн
5+265.85 грн
10+242.37 грн
25+205.47 грн
70+169.41 грн
140+166.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2 IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf
IXTA1R6N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263; 11ns
Mounting: SMD
Drain current: 1.6A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO263
On-state resistance: 10Ω
Reverse recovery time: 11ns
Power dissipation: 100W
Gate charge: 645nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV.pdf
IXTA1R6N100D2HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263
Mounting: SMD
Technology: Polar™
Drain current: 1.6A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO263
On-state resistance: 10Ω
Reverse recovery time: 970ns
Power dissipation: 100W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1117NTR CPC1117N.pdf
CPC1117NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1014NTR CPC1014N.pdf
CPC1014NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 400mA; max.60VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 0.4A
Turn-off time: 1ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 2Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T IXTP(Y)44N10T.pdf
IXTY44N10T
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
на замовлення 423 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+217.66 грн
10+161.86 грн
25+125.80 грн
50+101.48 грн
70+95.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCC72-08io1B PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 800V; 116A; TO240AA; Ufmax: 1.82V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 116A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.82V
Gate current: 150/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC72-08io8B PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 800V; 116A; TO240AA; Ufmax: 1.82V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 116A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.82V
Gate current: 150/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X121-02A DSEI2x121-02A.pdf
DSEI2X121-02A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 123Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 1.3kA
Load current: 123A x2
Max. load current: 246A
Semiconductor structure: double independent
Type of semiconductor module: diode
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2452.99 грн
5+2125.14 грн
10+1946.51 грн
20+1898.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1130NTR CPC1130N.pdf
CPC1130NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1114N CPC1114N.pdf
CPC1114N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 400mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Max. operating current: 0.4A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 2ms
Case: SOP4
Turn-off time: 5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NC
Insulation voltage: 1.5kV
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+202.31 грн
10+166.89 грн
100+146.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1114NTR CPC1114N.pdf
CPC1114NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 400mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.4A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS45-16IO1 description CS45-08IO1-DTE.pdf CS45-16IO1.pdf
CS45-16IO1
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1600V; Ifmax: 71A; 45A; Igt: 80mA; TO247AD; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 71A
Load current: 45A
Gate current: 80mA
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 520A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+377.52 грн
15+331.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS45-16IO1R CS45-16io1R.pdf
CS45-16IO1R
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.6kV; Ifmax: 71A; 45A; Igt: 80mA; TO247AD; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 71A
Load current: 45A
Gate current: 80mA
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 520A
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+723.43 грн
5+522.48 грн
10+435.26 грн
30+392.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CS45-12IO1 CS45-08IO1-DTE.pdf
CS45-12IO1
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 71A; 45A; Igt: 80mA; TO247AD; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 45A
Case: TO247AD
Mounting: THT
Max. load current: 71A
Max. forward impulse current: 520A
Kind of package: tube
Gate current: 80mA
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+522.93 грн
5+413.45 грн
10+376.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP100N04T2 IXTA(P)100N04T2.pdf
IXTP100N04T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+190.57 грн
10+110.70 грн
50+97.28 грн
100+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05T IXT_48P05T.pdf
IXTP48P05T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 150W
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.66 грн
10+215.53 грн
50+182.83 грн
100+176.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY48P05T IXT_48P05T.pdf
IXTY48P05T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 150W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05T IXT_48P05T.pdf
IXTA48P05T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 150W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05T-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-4n80p-datasheet?assetguid=595aff53-2a35-43a0-b191-4cbac9044a16
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 50V; 48A; 150W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 48A
Gate-source voltage: 15V
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 150W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY48P05T-TRL littelfusediscretemosfetspchannelixt48p05td.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 50V; 48A; 150W; DPAK,TO252AA
Case: DPAK; TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 48A
Gate-source voltage: 15V
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 150W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCD2400MTR NCD2400M.pdf
Виробник: IXYS
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: digital capacitor; 2-wire,I2C; EEPROM,non-volatile; DFN6
Type of integrated circuit: digital capacitor
Interface: 2-wire; I2C
Kind of memory: EEPROM; non-volatile
Case: DFN6
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 2.5...5.5V
Kind of package: reel; tape
Application: for OCXO application
Capacitance: 1.7...203pF
Number of positions: 512
Integrated circuit features: programmable
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDH20N120 IXDH20N120_IXDH20N120D1.pdf
IXDH20N120
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 50A
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+508.48 грн
3+425.20 грн
10+375.71 грн
30+337.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1966Y CPC1966.pdf
CPC1966Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 3000mA; max.240VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: max. 240V AC
Case: SIP4
Max. operating current: 3A
Control current max.: 50mA
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1966YX6 CPC1966YX6.pdf
CPC1966YX6
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 3000mA; max.600VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 500µs
Switching method: instantaneous switching
Switched voltage: max. 600V AC
Case: SIP4
Max. operating current: 3A
Control current max.: 50mA
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 IXF_60N50P3.pdf
IXFH60N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+749.62 грн
5+613.89 грн
10+565.25 грн
30+493.96 грн
60+489.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1906Y CPC1906.pdf
CPC1906Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 2000mA; max.60VAC
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 10ms
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Case: SIP4
Max. operating current: 2A
Turn-off time: 5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.3Ω
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXA10WB1200TED MIXA10WB1200TED.pdf
MIXA10WB1200TEDMIXA10WB1200TED
MIXA10WB1200TEDMIXA10WB1200TED
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 12A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 60W
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 30A
Application: motors; photovoltaics
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5836.23 грн
3+4792.88 грн
6+4302.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLB30I1200HB CLB30I1200HB.pdf
CLB30I1200HB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 50mA; TO247AD; THT; tube
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate current: 50mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. load current: 47A
Max. forward impulse current: 325A
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+302.56 грн
3+248.24 грн
10+223.08 грн
30+214.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLB30I1200PZ-TUB CLB30I1200PZ.pdf
CLB30I1200PZ-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30/50mA; TO263ABHV; SMD; tube
Case: TO263ABHV
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 255A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30/50mA
Max. load current: 47A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.63 грн
3+197.08 грн
10+173.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLB30I1200PZ-TRL
CLB30I1200PZ-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30mA
Max. load current: 47A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LBA110 description littelfuse-integrated-circuits-lba110-datasheet?assetguid=5197d7d9-edb1-4128-af0b-ede0a7f87ed0
LBA110
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+586.15 грн
10+467.13 грн
50+449.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LBA110S LBA110.pdf
LBA110S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+969.09 грн
50+824.39 грн
100+704.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LBA110L LBA110L.pdf
LBA110L
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+751.43 грн
10+617.25 грн
50+545.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1010N CPC1010N.pdf
CPC1010N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 170mA; max.250VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 0.17A
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 11.5Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1010NTR CPC1010N.pdf
CPC1010NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 170mA; max.250VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 0.17A
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 11.5Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1016NTR CPC1016N.pdf
CPC1016NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.100VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 0.1A
Turn-off time: 1ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1019NTR CPC1019N.pdf
CPC1019NTR
Виробник: IXYS
Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 750mA; max.60VDC; SMT; SOP4; OptoMOS; t(on): 3ms
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Switched voltage: max. 60V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 750mA
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.6Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTH(Q)200N10T.pdf
IXTQ200N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 76ns
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 550W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+624.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B
IXGP20N120B
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 100A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4 IXXH80N65B4.pdf
IXXH80N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 625W
Gate charge: 0.12µC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 430A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 125ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+703.56 грн
10+443.65 грн
30+407.58 грн
60+384.10 грн
120+360.62 грн
150+353.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPF80C200HB DPF80C200HB.pdf
DPF80C200HB
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 40Ax2; tube; Ifsm: 560A; TO247-3; 215W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 55ns
Max. forward voltage: 1.22V
Power dissipation: 215W
Load current: 40A x2
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 560A
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+468.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25T IXFH110N25T.pdf
IXFH110N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+734.27 грн
10+561.90 грн
30+457.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 IXTA(P)110N055T2.pdf
IXTP110N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.72 грн
3+187.86 грн
5+166.89 грн
10+134.18 грн
15+117.41 грн
25+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2 IXFH110N15T2.pdf
IXFH110N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 85ns
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 480W
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+476.87 грн
3+397.52 грн
10+391.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25T IXTH110N25T.pdf
IXTH110N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
Reverse recovery time: 170ns
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+797.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2 IXFA(P)110N15T2.pdf
IXFA110N15T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns
Case: TO263
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 85ns
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 480W
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+470.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P.pdf
IXFH110N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+571.70 грн
5+427.71 грн
10+348.88 грн
20+329.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30PB DSB60C30PB.pdf
DSB60C30PB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.49V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.49V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 530A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+112.90 грн
5+93.93 грн
10+83.03 грн
50+74.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C60PB DSB60C60PB.pdf
DSB60C60PB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.69V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.69V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward impulse current: 490A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB60C30HB DSB60C30HB.pdf
DSB60C30HB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 30Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.47V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.47V
Load current: 30A x2
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 570A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]