Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15207) > Сторінка 242 з 254

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 225 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 250 254  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYX100N65B3D1 IXYX100N65B3D1 IXYS IXYK(X)100N65B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 358ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 460A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65A3 IXYH100N65A3 IXYS IXYH100N65A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 87ns
Turn-off time: 459ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 480A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX100N65X2 IXFX100N65X2 IXYS IXFK(X)100N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; PLUS247™; 200ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 183nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 100A
Power dissipation: 1.04kW
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65C5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYH100N65C5Datasheet.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 560A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3 IXYN100N65A3 IXYS IXYN100N65A3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Pulsed collector current: 460A
Max. off-state voltage: 650V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N65A3V1 IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20T IXTP32P20T IXYS IXT_32P20T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 300W
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+629.93 грн
5+477.43 грн
10+424.10 грн
50+415.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P05T IXTP32P05T IXYS IXT_32P05T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -32A
Reverse recovery time: 26ns
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 39mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+228.82 грн
10+182.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXKK85N60C IXKK85N60C IXYS IXKK85N60C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1130N CPC1130N IXYS CPC1130N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+318.16 грн
10+264.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3730CTR CPC3730CTR IXYS CPC3730.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.14A; 1.4W; SOT89
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.55 грн
11+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N30P IXFH88N30P IXYS IXFH(K,T)88N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 600W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+867.87 грн
6+741.54 грн
10+716.15 грн
30+694.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N30Q3 IXFH70N30Q3 IXYS IXFH(T)70N30Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1088.48 грн
3+904.07 грн
10+792.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ94N30P3 IXFQ94N30P3 IXYS IXFH(Q,T)94N30P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 102nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+848.73 грн
5+661.13 грн
10+590.87 грн
30+568.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3 IXFK150N30P3 IXYS IXFK(X)150N30P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1502.36 грн
3+1263.00 грн
10+1158.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30P IXFK88N30P IXYS IXFH(K,T)88N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 600W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1076.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL210N30P3 IXFL210N30P3 IXYS IXFL210N30P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 108A; 520W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 268nC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+975.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N30P IXTT88N30P IXYS IXTH88N30P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+962.68 грн
5+766.94 грн
10+716.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P IXTA36N30P IXYS IXTA36N30P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+347.33 грн
10+215.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3 IXYS IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 50A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 65nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+841.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30P IXTQ88N30P IXYS IXTH88N30P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+874.25 грн
5+699.22 грн
10+620.49 грн
30+580.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH56N30X3 IXFH56N30X3 IXYS IXF_56N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 56A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+736.60 грн
10+488.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV IXYS IXF_150N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 254nC
Reverse recovery time: 167ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1476.84 грн
3+1290.08 грн
5+1232.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3 IXFP56N30X3 IXYS IXF_56N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 56A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+567.94 грн
10+386.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30P IXFK140N30P IXYS IXFK140N30P_IXFX140N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1500.54 грн
2+1331.56 грн
5+1188.50 грн
10+1123.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3 IXFP38N30X3 IXYS IXF_38N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 240W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+326.36 грн
3+272.58 грн
10+241.26 грн
50+216.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3M IXFP56N30X3M IXYS IXFP56N30X3M.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 56A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+598.03 грн
10+407.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH72N30X3 IXFH72N30X3 IXYS IXF_72N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+812.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXFH52N30P IXYS IXF(V,H)52N30P(S).pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 52A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 110nC
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+567.94 грн
5+431.72 грн
10+384.32 грн
30+332.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3M IXFP38N30X3M IXYS IXFP38N30X3M.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+360.09 грн
10+286.97 грн
50+259.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA38N30X3 IXFA38N30X3 IXYS IXF_38N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 240W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+326.36 грн
3+272.58 грн
10+268.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3 IXFP26N30X3 IXYS IXF_26N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 26A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+242.49 грн
25+176.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX210N30X3 IXFX210N30X3 IXYS IXF_210N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 375nC
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2114.07 грн
5+1898.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N30X3 IXFP72N30X3 IXYS IXF_72N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+691.93 грн
10+481.67 грн
25+468.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ72N30X3 IXFQ72N30X3 IXYS IXF_72N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
Power dissipation: 390W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+738.42 грн
3+634.88 грн
10+525.68 грн
30+512.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV IXYS IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 145ns
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1196.97 грн
10+948.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F210N30P3MMIX1F210N30P3
 MMIX1F210N30P3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=670ef26e-24b2-4f5e-8ee0-56c3d653d777&filename=littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f210n30p3_datasheet.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W
Mounting: SMD
Case: SMPD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 108A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 520W
Pulsed drain current: 550A
Drain-source voltage: 300V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3682.98 грн
3+3020.35 грн
10+2715.61 грн
20+2712.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30P IXFB170N30P IXYS IXFB170N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 170A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 258nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1553.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N30P IXTK140N30P IXYS IXTK140N30P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 0.24Ω
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.04kW
Technology: Polar™
Reverse recovery time: 250ns
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N25T IXFK140N25T IXYS IXFK(X)140N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 960W
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 IXYS IXYK140N120A4_DS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 1.2kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N90C3 IXYK140N90C3 IXYS IXYK(X)140N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1.63kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.63kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA20C100PN DSA20C100PN IXYS DSA20C100PN.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220FP; Ufmax: 0.71V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.71V
Power dissipation: 35W
Load current: 10A x2
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward impulse current: 0.24kA
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.20 грн
8+58.41 грн
10+51.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DSA20C45PB DSA20C45PB IXYS DSA20C45PB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.61V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.61V
Power dissipation: 45W
Load current: 10A x2
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward impulse current: 260A
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25P IXTK100N25P IXYS IXTK100N25P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Technology: PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P IXFH12N100P IXYS IXFH12N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+665.49 грн
3+555.31 грн
5+515.53 грн
10+457.12 грн
30+446.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100L IXTH12N100L IXYS IXTH12N100L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3703CTR CPC3703CTR IXYS CPC3703.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.36A; 1.1W; SOT89
Kind of channel: depletion
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
On-state resistance: 4Ω
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±15V
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.52 грн
10+51.38 грн
100+34.03 грн
250+29.54 грн
500+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DSEK60-02A DSEK60-02A IXYS 238_L124.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 34Ax2; tube; Ifsm: 325A; TO247-3; 125W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 34A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 325A
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 125W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: FRED
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+375.59 грн
10+308.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEK60-02AR DSEK60-02AR IXYS 238_L124.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 34Ax2; tube; Ifsm: 325A; ISOPLUS247™
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 34A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 325A
Case: ISOPLUS247™
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 125W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: FRED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200PA DNA30E2200PA IXYS DNA30E2200PA.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; tube; Ifsm: 315A; TO220AC; 210W
Mounting: THT
Case: TO220AC
Type of diode: rectifying
Max. forward impulse current: 315A
Max. forward voltage: 1.24V
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Power dissipation: 210W
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+292.63 грн
5+225.17 грн
10+201.47 грн
25+198.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200FE DNA30E2200FE IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=b450a78f-15ed-4d9b-87fd-45be0f83674f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200FE-Datasheet Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; tube; Ifsm: 370A; Ufmax: 1.22V
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024e
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.22V
Load current: 30A
Power dissipation: 110W
Max. forward impulse current: 370A
Max. off-state voltage: 2.2kV
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+627.20 грн
3+533.30 грн
10+436.80 грн
25+429.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CNA30E2200FB IXYS CNA30E2200FB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 2.2kV; 30A; Igt: 250mA; ISOPLUS i4-pac™ x024c; THT
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 250mA
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 2.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CNE60E2200TZ-TUB IXYS Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 2.2kV; Ifmax: 94A; 60A; Igt: 80mA; D3PAK,TO268AA; SMD
Mounting: SMD
Case: D3PAK; TO268AA
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 80mA
Load current: 60A
Max. load current: 94A
Max. off-state voltage: 2.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200PZ-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=15a76a8f-64ce-441e-839f-231a223f6827&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200PZ-Datasheet Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 2.2kV; 30A; D2PAK; Ufmax: 1.26V; Ifsm: 370A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.26V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 370A
Max. off-state voltage: 2.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200PZ-TUB IXYS DNA30E2200PZ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 2.2kV; 30A; TO263ABHV; Ufmax: 1.24V; 210W
Mounting: SMD
Case: TO263ABHV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.24V
Load current: 30A
Power dissipation: 210W
Max. forward impulse current: 315A
Max. off-state voltage: 2.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNA120E2200KO IXYS Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 120A; tube; Ifsm: 2kA; ISOPLUS264™
Mounting: THT
Case: ISOPLUS264™
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Load current: 120A
Max. forward impulse current: 2kA
Max. off-state voltage: 2.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LBB126P LBB126P IXYS LBB126.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.17A
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+649.08 грн
50+394.47 грн
100+316.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LBB126 LBB126 IXYS LBB126.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.17A
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 15Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+722.01 грн
50+439.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LBB126S LBB126S IXYS LBB126.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.17A
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+649.08 грн
50+394.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N65B3D1 IXYK(X)100N65B3D1.pdf
IXYX100N65B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 358ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 460A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65A3 IXYH100N65A3.pdf
IXYH100N65A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 87ns
Turn-off time: 459ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 480A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX100N65X2 IXFK(X)100N65X2.pdf
IXFX100N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; PLUS247™; 200ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 183nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 100A
Power dissipation: 1.04kW
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65C5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYH100N65C5Datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 560A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3 IXYN100N65A3.pdf
IXYN100N65A3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Pulsed collector current: 460A
Max. off-state voltage: 650V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N65A3V1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20T IXT_32P20T.pdf
IXTP32P20T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 300W
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+629.93 грн
5+477.43 грн
10+424.10 грн
50+415.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P05T IXT_32P05T.pdf
IXTP32P05T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -32A
Reverse recovery time: 26ns
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 39mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.82 грн
10+182.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXKK85N60C IXKK85N60C.pdf
IXKK85N60C
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1130N CPC1130N.pdf
CPC1130N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+318.16 грн
10+264.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3730CTR CPC3730.pdf
CPC3730CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.14A; 1.4W; SOT89
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.55 грн
11+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N30P IXFH(K,T)88N30P.pdf
IXFH88N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 600W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+867.87 грн
6+741.54 грн
10+716.15 грн
30+694.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N30Q3 IXFH(T)70N30Q3.pdf
IXFH70N30Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1088.48 грн
3+904.07 грн
10+792.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ94N30P3 IXFH(Q,T)94N30P3.pdf
IXFQ94N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 102nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+848.73 грн
5+661.13 грн
10+590.87 грн
30+568.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3 IXFK(X)150N30P3.pdf
IXFK150N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1502.36 грн
3+1263.00 грн
10+1158.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30P IXFH(K,T)88N30P.pdf
IXFK88N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 600W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1076.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL210N30P3 IXFL210N30P3.pdf
IXFL210N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 108A; 520W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 268nC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+975.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N30P IXTH88N30P-DTE.pdf
IXTT88N30P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+962.68 грн
5+766.94 грн
10+716.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P IXTA36N30P-DTE.pdf
IXTA36N30P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+347.33 грн
10+215.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf
IXFH50N30Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 50A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 65nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+841.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30P IXTH88N30P-DTE.pdf
IXTQ88N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+874.25 грн
5+699.22 грн
10+620.49 грн
30+580.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH56N30X3 IXF_56N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFH56N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 56A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+736.60 грн
10+488.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV IXF_150N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFT150N30X3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 254nC
Reverse recovery time: 167ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1476.84 грн
3+1290.08 грн
5+1232.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3 IXF_56N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFP56N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 56A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+567.94 грн
10+386.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30P IXFK140N30P_IXFX140N30P.pdf
IXFK140N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1500.54 грн
2+1331.56 грн
5+1188.50 грн
10+1123.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3 IXF_38N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFP38N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 240W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+326.36 грн
3+272.58 грн
10+241.26 грн
50+216.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3M IXFP56N30X3M.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFP56N30X3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 56A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+598.03 грн
10+407.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH72N30X3 IXF_72N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFH72N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+812.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXF(V,H)52N30P(S).pdf
IXFH52N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 52A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 110nC
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+567.94 грн
5+431.72 грн
10+384.32 грн
30+332.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3M IXFP38N30X3M.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFP38N30X3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+360.09 грн
10+286.97 грн
50+259.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA38N30X3 IXF_38N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFA38N30X3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 240W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+326.36 грн
3+272.58 грн
10+268.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3 IXF_26N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFP26N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 26A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.49 грн
25+176.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX210N30X3 IXF_210N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFX210N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 375nC
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2114.07 грн
5+1898.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N30X3 IXF_72N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFP72N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+691.93 грн
10+481.67 грн
25+468.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ72N30X3 IXF_72N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFQ72N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
Power dissipation: 390W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+738.42 грн
3+634.88 грн
10+525.68 грн
30+512.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HV IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFT120N30X3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 145ns
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1196.97 грн
10+948.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F210N30P3 media?resourcetype=datasheets&itemid=670ef26e-24b2-4f5e-8ee0-56c3d653d777&filename=littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f210n30p3_datasheet.pdf
MMIX1F210N30P3MMIX1F210N30P3
MMIX1F210N30P3MMIX1F210N30P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W
Mounting: SMD
Case: SMPD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 108A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 520W
Pulsed drain current: 550A
Drain-source voltage: 300V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3682.98 грн
3+3020.35 грн
10+2715.61 грн
20+2712.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30P IXFB170N30P.pdf
IXFB170N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 170A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 258nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1553.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N30P IXTK140N30P-DTE.pdf
IXTK140N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 0.24Ω
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.04kW
Technology: Polar™
Reverse recovery time: 250ns
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N25T IXFK(X)140N25T.pdf
IXFK140N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 960W
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4_DS.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 1.2kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N90C3 IXYK(X)140N90C3.pdf
IXYK140N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1.63kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.63kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA20C100PN DSA20C100PN.pdf
DSA20C100PN
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220FP; Ufmax: 0.71V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.71V
Power dissipation: 35W
Load current: 10A x2
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward impulse current: 0.24kA
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.20 грн
8+58.41 грн
10+51.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DSA20C45PB DSA20C45PB.pdf
DSA20C45PB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.61V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 0.61V
Power dissipation: 45W
Load current: 10A x2
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward impulse current: 260A
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25P IXTK100N25P-DTE.pdf
IXTK100N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Technology: PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P IXFH12N100P.pdf
IXFH12N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+665.49 грн
3+555.31 грн
5+515.53 грн
10+457.12 грн
30+446.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100L IXTH12N100L.pdf
IXTH12N100L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3703CTR CPC3703.pdf
CPC3703CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.36A; 1.1W; SOT89
Kind of channel: depletion
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
On-state resistance: 4Ω
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±15V
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+87.52 грн
10+51.38 грн
100+34.03 грн
250+29.54 грн
500+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DSEK60-02A 238_L124.pdf
DSEK60-02A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 34Ax2; tube; Ifsm: 325A; TO247-3; 125W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 34A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 325A
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 125W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: FRED
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+375.59 грн
10+308.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEK60-02AR 238_L124.pdf
DSEK60-02AR
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 34Ax2; tube; Ifsm: 325A; ISOPLUS247™
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 34A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 325A
Case: ISOPLUS247™
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 125W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: FRED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200PA DNA30E2200PA.pdf
DNA30E2200PA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; tube; Ifsm: 315A; TO220AC; 210W
Mounting: THT
Case: TO220AC
Type of diode: rectifying
Max. forward impulse current: 315A
Max. forward voltage: 1.24V
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Power dissipation: 210W
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.63 грн
5+225.17 грн
10+201.47 грн
25+198.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200FE media?resourcetype=datasheets&itemid=b450a78f-15ed-4d9b-87fd-45be0f83674f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200FE-Datasheet
DNA30E2200FE
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; tube; Ifsm: 370A; Ufmax: 1.22V
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024e
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.22V
Load current: 30A
Power dissipation: 110W
Max. forward impulse current: 370A
Max. off-state voltage: 2.2kV
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+627.20 грн
3+533.30 грн
10+436.80 грн
25+429.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CNA30E2200FB CNA30E2200FB.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 2.2kV; 30A; Igt: 250mA; ISOPLUS i4-pac™ x024c; THT
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 250mA
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 2.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CNE60E2200TZ-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 2.2kV; Ifmax: 94A; 60A; Igt: 80mA; D3PAK,TO268AA; SMD
Mounting: SMD
Case: D3PAK; TO268AA
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 80mA
Load current: 60A
Max. load current: 94A
Max. off-state voltage: 2.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200PZ-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=15a76a8f-64ce-441e-839f-231a223f6827&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200PZ-Datasheet
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 2.2kV; 30A; D2PAK; Ufmax: 1.26V; Ifsm: 370A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.26V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 370A
Max. off-state voltage: 2.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200PZ-TUB DNA30E2200PZ.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 2.2kV; 30A; TO263ABHV; Ufmax: 1.24V; 210W
Mounting: SMD
Case: TO263ABHV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.24V
Load current: 30A
Power dissipation: 210W
Max. forward impulse current: 315A
Max. off-state voltage: 2.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNA120E2200KO
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 120A; tube; Ifsm: 2kA; ISOPLUS264™
Mounting: THT
Case: ISOPLUS264™
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Load current: 120A
Max. forward impulse current: 2kA
Max. off-state voltage: 2.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LBB126P LBB126.pdf
LBB126P
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.17A
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+649.08 грн
50+394.47 грн
100+316.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LBB126 LBB126.pdf
LBB126
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.17A
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 15Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+722.01 грн
50+439.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LBB126S LBB126.pdf
LBB126S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 170mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.17A
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+649.08 грн
50+394.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 225 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 250 254  [ Наступна Сторінка >> ]