Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16357) > Сторінка 242 з 273

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH140P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf IXTH140P10T THT P channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1148.36 грн
3+1085.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+858.10 грн
30+553.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HV IXTH1N450HV IXYS IXTH(T)1N450HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.75µs
Gate charge: 46nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3210.84 грн
5+3058.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X IXTH20N65X IXYS IXTA(H,P)20N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+756.17 грн
10+647.92 грн
30+576.60 грн
120+514.78 грн
270+477.12 грн
510+469.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-20p50p-datasheet?assetguid=6ff80a54-b856-4dfe-ba92-32aae5a30f89 IXTH20P50P THT P channel transistors
на замовлення 421 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+910.10 грн
2+677.04 грн
5+640.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH240N15X4 IXYS IXTH240N15X4 THT N channel transistors
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1139.97 грн
2+857.65 грн
4+811.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH270N04T4 IXTH270N04T4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
On-state resistance: 2.4mΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 375W
Drain current: 270A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+361.96 грн
3+313.93 грн
10+267.53 грн
30+240.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 540W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+865.38 грн
3+775.30 грн
10+621.02 грн
30+576.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH32N65X IXTH32N65X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC14A9F2EB3820&compId=IXTH(P%2CQ)32N65X.pdf?ci_sign=6a88174097b72279f3942c45d4c91b42e2da5718 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+614.71 грн
3+533.58 грн
10+453.94 грн
30+407.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N100P IXTH3N100P IXYS IXTA(H,P)3N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO247-3; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
Gate charge: 36nC
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+545.02 грн
10+416.23 грн
30+312.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH44P15T IXTH44P15T IXYS IXT_44P15T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; 140ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -44A
Gate charge: 175nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 298W
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+661.51 грн
3+562.67 грн
10+436.55 грн
30+431.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS IXTH48N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+771.77 грн
10+586.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48P20P IXTH48P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+897.62 грн
5+733.17 грн
10+640.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+961.07 грн
10+790.34 грн
30+713.74 грн
120+654.83 грн
270+623.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52P10P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B IXTH52P10P THT P channel transistors
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+801.93 грн
3+455.87 грн
7+430.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH68P20T IXYS DS100370AIXTHT68P20T.pdf IXTH68P20T THT P channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1316.79 грн
2+1051.78 грн
3+994.80 грн
510+992.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N50D2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37 IXTH6N50D2 THT N channel transistors
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+780.09 грн
3+461.66 грн
7+436.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76N25T IXYS DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf IXTH76N25T THT N channel transistors
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+582.47 грн
4+347.70 грн
10+329.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf IXTH76P10T THT P channel transistors
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+608.47 грн
3+475.19 грн
7+449.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n075-datasheet?assetguid=09b664e9-c301-4232-b44a-1bb876c4d880 IXTH80N075L2 THT N channel transistors
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+817.53 грн
3+539.90 грн
6+510.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P IXTH90P10P IXYS IXT_90P10P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 144ns
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+952.75 грн
5+747.21 грн
10+634.55 грн
30+591.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96N25T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n25t-datasheet?assetguid=ad453b78-16de-424a-85cc-97fac6d8e2a9 IXTH96N25T THT N channel transistors
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+663.60 грн
3+420.13 грн
8+396.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7 IXTH96P085T THT P channel transistors
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+561.66 грн
3+475.19 грн
7+449.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF910BFD6664FE27&compId=IXTK120N25P-DTE.pdf?ci_sign=9477a8a3509209b374b486a84ef243ec93f2a551 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1243.98 грн
5+1087.22 грн
10+976.45 грн
25+928.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949 IXTK170N10P THT N channel transistors
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+938.19 грн
2+741.75 грн
5+701.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15P IXTK180N15P IXYS IXTK180N15P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1246.06 грн
5+1040.08 грн
10+910.77 грн
25+904.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF918B7B48D05E27&compId=IXTK200N10P-DTE.pdf?ci_sign=0721e0c52bca576f300d138b8a4cdb5a5b21794d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1005.79 грн
3+922.73 грн
5+885.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B99F61BE8748&compId=IXTK210P10T.pdf?ci_sign=770cd11c3591d5f99ee9f471b3427981351a0ec8 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2169.69 грн
5+1955.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60P IXTK32P60P IXYS IXTK32P60P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Gate charge: 196nC
Reverse recovery time: 480ns
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1521.69 грн
10+1346.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90P20P IXTK90P20P IXYS IXTK90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1667.31 грн
5+1376.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D IXTP01N100D IXYS IXTP(Y)01N100D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
Gate charge: 0.1µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+623.03 грн
10+494.46 грн
25+380.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
On-state resistance: 21Ω
Drain current: 0.8A
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+278.75 грн
10+170.50 грн
50+133.28 грн
100+128.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100P IXTP08N100P IXYS IXTA(P,Y)08N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
On-state resistance: 20Ω
Drain current: 0.8A
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.58 грн
3+162.48 грн
10+125.56 грн
50+113.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 IXYS IXTA(P,Y)08N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 312nC
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 4.6Ω
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.27 грн
10+187.56 грн
25+141.01 грн
50+128.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 IXYS IXTA(P)100N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
On-state resistance: 7mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+219.46 грн
10+132.39 грн
50+112.04 грн
100+108.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P15T IXTP10P15T IXYS IXT_10P15T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Gate charge: 36nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 83W
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214.26 грн
10+166.49 грн
50+121.69 грн
100+109.14 грн
500+103.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P IXTP10P50P IXYS IXT_10P50P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarP™
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 414ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+515.90 грн
5+416.23 грн
10+363.15 грн
50+326.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A327B8DD935820&compId=IXTA(P)110N055T2.pdf?ci_sign=95ba3ca6ece76e436480df8f9f361f529bc19588 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.59 грн
3+215.64 грн
10+163.22 грн
50+139.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXTP120P065T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+533.58 грн
50+398.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50P IXTP12N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+260.03 грн
3+224.67 грн
10+191.23 грн
50+172.88 грн
250+169.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2 IXTP12N70X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 19nC
Power dissipation: 180W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+346.36 грн
3+299.89 грн
10+255.94 грн
50+229.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N15X4 IXTP130N15X4 IXYS IXTH(P)130N15X4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Gate charge: 87nC
Reverse recovery time: 93ns
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 400W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+519.02 грн
3+450.33 грн
10+383.43 грн
50+343.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21 IXTP140P05T THT P channel transistors
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+632.39 грн
3+439.45 грн
8+415.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+481.57 грн
10+337.00 грн
50+245.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 IXYS IXTH(P)150N15X4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 480W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+759.29 грн
3+661.96 грн
10+522.51 грн
25+446.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 IXTP15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+795.69 грн
5+621.84 грн
10+522.51 грн
50+496.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15P15T IXTP15P15T IXYS IXT_15P15T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 116ns
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+350.52 грн
10+309.92 грн
50+240.49 грн
100+211.52 грн
250+188.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS IXT_160N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Gate charge: 132nC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+420.21 грн
10+331.98 грн
50+283.95 грн
100+267.53 грн
500+241.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP16N50P IXTP16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+371.32 грн
10+225.67 грн
50+209.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP170N075T2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-170N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=D747B10F-DF0D-4682-8263-928A35FB227A IXTP170N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+378.60 грн
6+214.41 грн
15+201.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T IXTP18P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA09340E5AD58BF&compId=IXT_18P10T.pdf?ci_sign=af2eea40a1c7a689ec6646ea661f0ab19498cc5b Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+264.19 грн
10+161.48 грн
25+138.11 грн
50+127.49 грн
100+116.86 грн
250+110.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2 IXTP1R6N100D2 IXYS IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
On-state resistance: 10Ω
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+320.36 грн
10+270.80 грн
50+190.27 грн
100+169.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP220N04T2 IXTP220N04T2 IXYS IXTA(P)220N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 45ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.88 грн
10+246.73 грн
50+195.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N075T2 IXTP230N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD06B56D7B7820&compId=IXTA(P)230N075T2.pdf?ci_sign=435f3b950c6a5ee63f1c4c17cf1a54b753421988 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO220AB; 66ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Gate charge: 178nC
Reverse recovery time: 66ns
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 230A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+491.98 грн
10+370.10 грн
50+336.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS IXT_24N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+590.79 грн
50+311.92 грн
100+283.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS IXTP24N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+370.28 грн
10+239.71 грн
50+222.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP260N055T2 IXTP260N055T2 IXYS IXTA(P)260N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+464.93 грн
3+420.24 грн
10+348.66 грн
50+336.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P10T IXTP26P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA08E4B31BC18BF&compId=IXT_26P10T.pdf?ci_sign=c33656444a550e5f0b85a72d96ed77f965b03124 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+194.50 грн
3+168.50 грн
10+142.94 грн
50+128.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP270N04T4 IXTP270N04T4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
On-state resistance: 2.4mΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 375W
Drain current: 270A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+292.27 грн
3+253.75 грн
10+216.34 грн
50+200.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993964EAD3952F8BF&compId=IXT_2R4N120P.pdf?ci_sign=eb8ee9bf4f44f4620c1e19588ea25a870e1c1b6d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: Polar™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
On-state resistance: 7.5Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+528.38 грн
10+476.41 грн
50+378.60 грн
100+335.14 грн
250+326.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTH140P10T THT P channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1148.36 грн
3+1085.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTH15N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+858.10 грн
30+553.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HV IXTH(T)1N450HV.pdf
IXTH1N450HV
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.75µs
Gate charge: 46nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3210.84 грн
5+3058.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X IXTA(H,P)20N65X.pdf
IXTH20N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+756.17 грн
10+647.92 грн
30+576.60 грн
120+514.78 грн
270+477.12 грн
510+469.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-20p50p-datasheet?assetguid=6ff80a54-b856-4dfe-ba92-32aae5a30f89
Виробник: IXYS
IXTH20P50P THT P channel transistors
на замовлення 421 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+910.10 грн
2+677.04 грн
5+640.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH240N15X4
Виробник: IXYS
IXTH240N15X4 THT N channel transistors
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1139.97 грн
2+857.65 грн
4+811.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH270N04T4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81
IXTH270N04T4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
On-state resistance: 2.4mΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 375W
Drain current: 270A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.96 грн
3+313.93 грн
10+267.53 грн
30+240.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 540W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+865.38 грн
3+775.30 грн
10+621.02 грн
30+576.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH32N65X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC14A9F2EB3820&compId=IXTH(P%2CQ)32N65X.pdf?ci_sign=6a88174097b72279f3942c45d4c91b42e2da5718
IXTH32N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+614.71 грн
3+533.58 грн
10+453.94 грн
30+407.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N100P IXTA(H,P)3N100P.pdf
IXTH3N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO247-3; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
Gate charge: 36nC
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+545.02 грн
10+416.23 грн
30+312.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH44P15T IXT_44P15T.pdf
IXTH44P15T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; 140ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -44A
Gate charge: 175nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 298W
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+661.51 грн
3+562.67 грн
10+436.55 грн
30+431.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2.pdf
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+771.77 грн
10+586.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e
IXTH48P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+897.62 грн
5+733.17 грн
10+640.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b
IXTH50P10
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+961.07 грн
10+790.34 грн
30+713.74 грн
120+654.83 грн
270+623.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52P10P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B
Виробник: IXYS
IXTH52P10P THT P channel transistors
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+801.93 грн
3+455.87 грн
7+430.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH68P20T DS100370AIXTHT68P20T.pdf
Виробник: IXYS
IXTH68P20T THT P channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1316.79 грн
2+1051.78 грн
3+994.80 грн
510+992.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N50D2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37
Виробник: IXYS
IXTH6N50D2 THT N channel transistors
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+780.09 грн
3+461.66 грн
7+436.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76N25T DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf
Виробник: IXYS
IXTH76N25T THT N channel transistors
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+582.47 грн
4+347.70 грн
10+329.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTH76P10T THT P channel transistors
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+608.47 грн
3+475.19 грн
7+449.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n075-datasheet?assetguid=09b664e9-c301-4232-b44a-1bb876c4d880
Виробник: IXYS
IXTH80N075L2 THT N channel transistors
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+817.53 грн
3+539.90 грн
6+510.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P IXT_90P10P.pdf
IXTH90P10P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 144ns
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+952.75 грн
5+747.21 грн
10+634.55 грн
30+591.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96N25T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n25t-datasheet?assetguid=ad453b78-16de-424a-85cc-97fac6d8e2a9
Виробник: IXYS
IXTH96N25T THT N channel transistors
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+663.60 грн
3+420.13 грн
8+396.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7
Виробник: IXYS
IXTH96P085T THT P channel transistors
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+561.66 грн
3+475.19 грн
7+449.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF910BFD6664FE27&compId=IXTK120N25P-DTE.pdf?ci_sign=9477a8a3509209b374b486a84ef243ec93f2a551
IXTK120N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1243.98 грн
5+1087.22 грн
10+976.45 грн
25+928.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949
Виробник: IXYS
IXTK170N10P THT N channel transistors
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+938.19 грн
2+741.75 грн
5+701.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15P IXTK180N15P-DTE.pdf
IXTK180N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1246.06 грн
5+1040.08 грн
10+910.77 грн
25+904.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF918B7B48D05E27&compId=IXTK200N10P-DTE.pdf?ci_sign=0721e0c52bca576f300d138b8a4cdb5a5b21794d
IXTK200N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1005.79 грн
3+922.73 грн
5+885.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B99F61BE8748&compId=IXTK210P10T.pdf?ci_sign=770cd11c3591d5f99ee9f471b3427981351a0ec8
IXTK210P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2169.69 грн
5+1955.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60P IXTK32P60P.pdf
IXTK32P60P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Gate charge: 196nC
Reverse recovery time: 480ns
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1521.69 грн
10+1346.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90P20P IXTK90P20P.pdf
IXTK90P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1667.31 грн
5+1376.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D IXTP(Y)01N100D.pdf
IXTP01N100D
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
Gate charge: 0.1µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+623.03 грн
10+494.46 грн
25+380.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTP08N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
On-state resistance: 21Ω
Drain current: 0.8A
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.75 грн
10+170.50 грн
50+133.28 грн
100+128.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100P IXTA(P,Y)08N100P.pdf
IXTP08N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
On-state resistance: 20Ω
Drain current: 0.8A
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.58 грн
3+162.48 грн
10+125.56 грн
50+113.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2 IXTA(P,Y)08N50D2.pdf
IXTP08N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 312nC
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 4.6Ω
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.27 грн
10+187.56 грн
25+141.01 грн
50+128.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP100N04T2 IXTA(P)100N04T2.pdf
IXTP100N04T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
On-state resistance: 7mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.46 грн
10+132.39 грн
50+112.04 грн
100+108.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P15T IXT_10P15T.pdf
IXTP10P15T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Gate charge: 36nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 83W
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.26 грн
10+166.49 грн
50+121.69 грн
100+109.14 грн
500+103.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P IXT_10P50P.pdf
IXTP10P50P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarP™
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 414ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+515.90 грн
5+416.23 грн
10+363.15 грн
50+326.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A327B8DD935820&compId=IXTA(P)110N055T2.pdf?ci_sign=95ba3ca6ece76e436480df8f9f361f529bc19588
IXTP110N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.59 грн
3+215.64 грн
10+163.22 грн
50+139.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7
IXTP120P065T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.58 грн
50+398.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8
IXTP12N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.03 грн
3+224.67 грн
10+191.23 грн
50+172.88 грн
250+169.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2 ixty2n65x2.pdf
IXTP12N70X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 19nC
Power dissipation: 180W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+346.36 грн
3+299.89 грн
10+255.94 грн
50+229.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N15X4 IXTH(P)130N15X4.pdf
IXTP130N15X4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Gate charge: 87nC
Reverse recovery time: 93ns
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 400W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+519.02 грн
3+450.33 грн
10+383.43 грн
50+343.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21
Виробник: IXYS
IXTP140P05T THT P channel transistors
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+632.39 грн
3+439.45 грн
8+415.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 ixty2n65x2.pdf
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.57 грн
10+337.00 грн
50+245.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4 IXTH(P)150N15X4.pdf
IXTP150N15X4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 480W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+759.29 грн
3+661.96 грн
10+522.51 грн
25+446.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTP15N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+795.69 грн
5+621.84 грн
10+522.51 грн
50+496.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15P15T IXT_15P15T.pdf
IXTP15P15T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 116ns
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.52 грн
10+309.92 грн
50+240.49 грн
100+211.52 грн
250+188.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXT_160N10T.pdf
IXTP160N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Gate charge: 132nC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+420.21 грн
10+331.98 грн
50+283.95 грн
100+267.53 грн
500+241.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1
IXTP16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+371.32 грн
10+225.67 грн
50+209.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP170N075T2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-170N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=D747B10F-DF0D-4682-8263-928A35FB227A
Виробник: IXYS
IXTP170N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.60 грн
6+214.41 грн
15+201.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA09340E5AD58BF&compId=IXT_18P10T.pdf?ci_sign=af2eea40a1c7a689ec6646ea661f0ab19498cc5b
IXTP18P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.19 грн
10+161.48 грн
25+138.11 грн
50+127.49 грн
100+116.86 грн
250+110.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2 IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf
IXTP1R6N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
On-state resistance: 10Ω
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+320.36 грн
10+270.80 грн
50+190.27 грн
100+169.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP220N04T2 IXTA(P)220N04T2.pdf
IXTP220N04T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 45ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.88 грн
10+246.73 грн
50+195.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD06B56D7B7820&compId=IXTA(P)230N075T2.pdf?ci_sign=435f3b950c6a5ee63f1c4c17cf1a54b753421988
IXTP230N075T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO220AB; 66ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Gate charge: 178nC
Reverse recovery time: 66ns
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 230A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.98 грн
10+370.10 грн
50+336.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2 IXT_24N65X2.pdf
IXTP24N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+590.79 грн
50+311.92 грн
100+283.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+370.28 грн
10+239.71 грн
50+222.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP260N055T2 IXTA(P)260N055T2.pdf
IXTP260N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.93 грн
3+420.24 грн
10+348.66 грн
50+336.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA08E4B31BC18BF&compId=IXT_26P10T.pdf?ci_sign=c33656444a550e5f0b85a72d96ed77f965b03124
IXTP26P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.50 грн
3+168.50 грн
10+142.94 грн
50+128.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP270N04T4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81
IXTP270N04T4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
On-state resistance: 2.4mΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 375W
Drain current: 270A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.27 грн
3+253.75 грн
10+216.34 грн
50+200.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993964EAD3952F8BF&compId=IXT_2R4N120P.pdf?ci_sign=eb8ee9bf4f44f4620c1e19588ea25a870e1c1b6d
IXTP2R4N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: Polar™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
On-state resistance: 7.5Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.38 грн
10+476.41 грн
50+378.60 грн
100+335.14 грн
250+326.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]