| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFP12N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Power dissipation: 180W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 18.5nC Reverse recovery time: 155ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 227 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFP14N85XM | IXYS |
IXFP14N85XM THT N channel transistors |
на замовлення 43 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFP16N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 286 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFP16N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Technology: HiPerFET™; Polar3™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 202 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFP16N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO220AB On-state resistance: 470mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 261 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFP180N10T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 480W Case: TO220AB On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 66ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 218 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFP20N85X | IXYS |
IXFP20N85X THT N channel transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFP22N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 500W Case: TO220AB On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 143 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFP22N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 390W Case: TO220AB On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 145ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 239 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFP22N65X2M | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 37W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 145ns Technology: HiPerFET™; X2-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 258 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFP26N30X3 | IXYS |
IXFP26N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 212 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFP26N50P3 | IXYS |
IXFP26N50P3 THT N channel transistors |
на замовлення 260 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFP26N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 460W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFP30N25X3 | IXYS |
IXFP30N25X3 THT N channel transistors |
на замовлення 281 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFP34N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO220AB On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 164ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 225 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFP36N20X3 | IXYS |
IXFP36N20X3 THT N channel transistors |
на замовлення 187 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFP38N30X3 | IXYS |
IXFP38N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 110 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFP38N30X3M | IXYS |
IXFP38N30X3M THT N channel transistors |
на замовлення 295 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFP4N100P | IXYS |
IXFP4N100P THT N channel transistors |
на замовлення 416 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFP4N85X | IXYS |
IXFP4N85X THT N channel transistors |
на замовлення 268 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFP50N20X3 | IXYS |
IXFP50N20X3 THT N channel transistors |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFP56N30X3 | IXYS | IXFP56N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 256 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFP56N30X3M | IXYS |
IXFP56N30X3M THT N channel transistors |
на замовлення 311 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFP5N100P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 5A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Mounting: THT Gate charge: 33.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFP60N25X3 | IXYS |
IXFP60N25X3 THT N channel transistors |
на замовлення 300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFP60N25X3M | IXYS |
IXFP60N25X3M THT N channel transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFP6N120P | IXYS |
IXFP6N120P THT N channel transistors |
на замовлення 41 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFP72N30X3 | IXYS |
IXFP72N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFP76N15T2 | IXYS |
IXFP76N15T2 THT N channel transistors |
на замовлення 279 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFP7N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.44Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFP80N25X3 | IXYS |
IXFP80N25X3 THT N channel transistors |
на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFP8N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 276 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFP90N20X3 | IXYS |
IXFP90N20X3 THT N channel transistors |
на замовлення 297 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFQ140N20X3 | IXYS |
IXFQ140N20X3 THT N channel transistors |
на замовлення 45 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFQ20N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO3P On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 210 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFQ50N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO3P On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 193 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFQ60N25X3 | IXYS |
IXFQ60N25X3 THT N channel transistors |
на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFQ72N20X3 | IXYS |
IXFQ72N20X3 THT N channel transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFQ72N30X3 | IXYS |
IXFQ72N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 297 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFQ90N20X3 | IXYS | IXFQ90N20X3 THT N channel transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFQ94N30P3 | IXYS | IXFQ94N30P3 THT N channel transistors |
на замовлення 300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFR102N30P | IXYS |
IXFR102N30P THT N channel transistors |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFR15N100Q3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A Power dissipation: 400W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFR16N120P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9A Power dissipation: 230W Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFR18N90P | IXYS | IXFR18N90P THT N channel transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFR20N120P | IXYS |
IXFR20N120P THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFR20N80P | IXYS |
IXFR20N80P THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFR230N20T | IXYS |
IXFR230N20T THT N channel transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFR24N100Q3 | IXYS | IXFR24N100Q3 THT N channel transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFR24N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFR26N100P | IXYS |
IXFR26N100P THT N channel transistors |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFR26N120P | IXYS |
IXFR26N120P THT N channel transistors |
на замовлення 16 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFR30N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 166W Gate charge: 85nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFR32N100Q3 | IXYS | IXFR32N100Q3 THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFR44N50Q | IXYS |
IXFR44N50Q THT N channel transistors |
на замовлення 175 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFR80N50Q3 | IXYS |
IXFR80N50Q3 THT N channel transistors |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFT120N15P | IXYS | IXFT120N15P SMD N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFT120N25X3HV | IXYS |
IXFT120N25X3HV SMD N channel transistors |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFT120N30X3HV | IXYS |
IXFT120N30X3HV SMD N channel transistors |
на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFT140N10P | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 600W Case: TO268 On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| IXFP12N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Reverse recovery time: 155ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Reverse recovery time: 155ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 325.84 грн |
| 10+ | 242.32 грн |
| 30+ | 187.87 грн |
| IXFP14N85XM |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP14N85XM THT N channel transistors
IXFP14N85XM THT N channel transistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 447.23 грн |
| 4+ | 325.30 грн |
| 10+ | 307.51 грн |
| IXFP16N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 456.81 грн |
| 10+ | 297.77 грн |
| 50+ | 226.43 грн |
| 100+ | 225.44 грн |
| IXFP16N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 202 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 420.61 грн |
| 10+ | 345.00 грн |
| 50+ | 293.66 грн |
| 100+ | 277.84 грн |
| 250+ | 256.09 грн |
| 500+ | 239.28 грн |
| IXFP16N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 546.25 грн |
| 50+ | 285.45 грн |
| 100+ | 254.11 грн |
| IXFP180N10T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 559.03 грн |
| 3+ | 483.62 грн |
| 10+ | 379.69 грн |
| 50+ | 341.12 грн |
| IXFP20N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP20N85X THT N channel transistors
IXFP20N85X THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 235.33 грн |
| 14+ | 227.42 грн |
| IXFP22N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 415.28 грн |
| 10+ | 342.95 грн |
| 50+ | 287.73 грн |
| 100+ | 268.94 грн |
| 250+ | 243.24 грн |
| 500+ | 232.36 грн |
| IXFP22N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 433.38 грн |
| 10+ | 348.08 грн |
| 50+ | 274.88 грн |
| IXFP22N65X2M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 403.57 грн |
| 10+ | 275.18 грн |
| 50+ | 227.42 грн |
| IXFP26N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP26N30X3 THT N channel transistors
IXFP26N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 212 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 283.24 грн |
| 6+ | 227.42 грн |
| 15+ | 214.56 грн |
| IXFP26N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP26N50P3 THT N channel transistors
IXFP26N50P3 THT N channel transistors
на замовлення 260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 798.62 грн |
| 3+ | 501.30 грн |
| 7+ | 473.62 грн |
| IXFP26N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 719.82 грн |
| 5+ | 646.88 грн |
| 10+ | 576.45 грн |
| 50+ | 497.35 грн |
| IXFP30N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP30N25X3 THT N channel transistors
IXFP30N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 281 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 637.83 грн |
| 4+ | 366.83 грн |
| 9+ | 347.06 грн |
| IXFP34N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 566.49 грн |
| 10+ | 400.45 грн |
| IXFP36N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP36N20X3 THT N channel transistors
IXFP36N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 187 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 330.10 грн |
| 6+ | 214.56 грн |
| 15+ | 202.70 грн |
| IXFP38N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP38N30X3 THT N channel transistors
IXFP38N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 381.21 грн |
| 5+ | 277.84 грн |
| 12+ | 263.01 грн |
| 50+ | 262.86 грн |
| IXFP38N30X3M |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP38N30X3M THT N channel transistors
IXFP38N30X3M THT N channel transistors
на замовлення 295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 478.11 грн |
| 4+ | 333.21 грн |
| 10+ | 315.42 грн |
| IXFP4N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP4N100P THT N channel transistors
IXFP4N100P THT N channel transistors
на замовлення 416 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 353.52 грн |
| 6+ | 222.47 грн |
| 15+ | 210.61 грн |
| IXFP4N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP4N85X THT N channel transistors
IXFP4N85X THT N channel transistors
на замовлення 268 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 487.69 грн |
| 6+ | 204.67 грн |
| 16+ | 193.80 грн |
| IXFP50N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP50N20X3 THT N channel transistors
IXFP50N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 565.42 грн |
| 4+ | 356.94 грн |
| 10+ | 337.17 грн |
| IXFP56N30X3 |
Виробник: IXYS
IXFP56N30X3 THT N channel transistors
IXFP56N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 256 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 753.90 грн |
| 3+ | 499.33 грн |
| 7+ | 471.64 грн |
| IXFP56N30X3M |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP56N30X3M THT N channel transistors
IXFP56N30X3M THT N channel transistors
на замовлення 311 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 793.29 грн |
| 3+ | 522.07 грн |
| 7+ | 493.39 грн |
| IXFP5N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 464.26 грн |
| 10+ | 337.82 грн |
| 50+ | 251.15 грн |
| IXFP60N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP60N25X3 THT N channel transistors
IXFP60N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 794.36 грн |
| 3+ | 497.35 грн |
| 7+ | 469.66 грн |
| IXFP60N25X3M |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP60N25X3M THT N channel transistors
IXFP60N25X3M THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 799.68 грн |
| 3+ | 467.69 грн |
| 7+ | 441.98 грн |
| IXFP6N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP6N120P THT N channel transistors
IXFP6N120P THT N channel transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 877.41 грн |
| 3+ | 557.66 грн |
| 6+ | 527.01 грн |
| IXFP72N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP72N30X3 THT N channel transistors
IXFP72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 917.88 грн |
| 2+ | 601.17 грн |
| 6+ | 568.54 грн |
| IXFP76N15T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP76N15T2 THT N channel transistors
IXFP76N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 279 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 451.49 грн |
| 5+ | 273.89 грн |
| 12+ | 259.06 грн |
| IXFP7N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 357.78 грн |
| 50+ | 274.15 грн |
| 100+ | 235.33 грн |
| 500+ | 221.48 грн |
| IXFP80N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP80N25X3 THT N channel transistors
IXFP80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 910.42 грн |
| 3+ | 524.05 грн |
| 7+ | 495.37 грн |
| IXFP8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 233.20 грн |
| 3+ | 199.20 грн |
| 10+ | 173.03 грн |
| 50+ | 170.07 грн |
| IXFP90N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP90N20X3 THT N channel transistors
IXFP90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 557.97 грн |
| 3+ | 458.79 грн |
| 8+ | 434.07 грн |
| IXFQ140N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ140N20X3 THT N channel transistors
IXFQ140N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1096.77 грн |
| 2+ | 780.14 грн |
| 5+ | 737.62 грн |
| IXFQ20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 493.01 грн |
| 10+ | 329.60 грн |
| 30+ | 289.71 грн |
| 120+ | 274.88 грн |
| IXFQ50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 948.76 грн |
| 10+ | 756.75 грн |
| 30+ | 566.56 грн |
| IXFQ60N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ60N25X3 THT N channel transistors
IXFQ60N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 912.55 грн |
| 3+ | 522.07 грн |
| 7+ | 493.39 грн |
| IXFQ72N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ72N20X3 THT N channel transistors
IXFQ72N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 569.68 грн |
| 4+ | 322.34 грн |
| 10+ | 304.54 грн |
| IXFQ72N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ72N30X3 THT N channel transistors
IXFQ72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 980.70 грн |
| 2+ | 656.54 грн |
| 5+ | 620.94 грн |
| IXFQ90N20X3 |
Виробник: IXYS
IXFQ90N20X3 THT N channel transistors
IXFQ90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 950.89 грн |
| 2+ | 600.18 грн |
| 6+ | 566.56 грн |
| IXFQ94N30P3 |
Виробник: IXYS
IXFQ94N30P3 THT N channel transistors
IXFQ94N30P3 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1131.91 грн |
| 2+ | 729.71 грн |
| 5+ | 690.16 грн |
| IXFR102N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR102N30P THT N channel transistors
IXFR102N30P THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1172.67 грн |
| 3+ | 1109.39 грн |
| IXFR15N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1696.26 грн |
| 10+ | 1412.87 грн |
| IXFR16N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 230W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 230W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 750.70 грн |
| IXFR18N90P |
Виробник: IXYS
IXFR18N90P THT N channel transistors
IXFR18N90P THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1175.57 грн |
| 2+ | 853.30 грн |
| 4+ | 806.83 грн |
| IXFR20N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR20N120P THT N channel transistors
IXFR20N120P THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1969.62 грн |
| 2+ | 1862.83 грн |
| IXFR20N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR20N80P THT N channel transistors
IXFR20N80P THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 894.45 грн |
| 2+ | 650.61 грн |
| 5+ | 615.01 грн |
| IXFR230N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR230N20T THT N channel transistors
IXFR230N20T THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1756.05 грн |
| 2+ | 1660.14 грн |
| IXFR24N100Q3 |
Виробник: IXYS
IXFR24N100Q3 THT N channel transistors
IXFR24N100Q3 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2192.09 грн |
| 2+ | 2072.45 грн |
| IXFR24N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1180.89 грн |
| 3+ | 1020.63 грн |
| 10+ | 869.12 грн |
| 30+ | 780.14 грн |
| IXFR26N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR26N100P THT N channel transistors
IXFR26N100P THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2752.72 грн |
| 2+ | 2602.43 грн |
| IXFR26N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR26N120P THT N channel transistors
IXFR26N120P THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2953.44 грн |
| IXFR30N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1105.29 грн |
| 3+ | 967.24 грн |
| 10+ | 822.65 грн |
| 30+ | 738.61 грн |
| IXFR32N100Q3 |
Виробник: IXYS
IXFR32N100Q3 THT N channel transistors
IXFR32N100Q3 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2996.95 грн |
| 2+ | 2832.81 грн |
| IXFR44N50Q |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR44N50Q THT N channel transistors
IXFR44N50Q THT N channel transistors
на замовлення 175 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1610.70 грн |
| 2+ | 1522.70 грн |
| IXFR80N50Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR80N50Q3 THT N channel transistors
IXFR80N50Q3 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2651.87 грн |
| 2+ | 2507.51 грн |
| IXFT120N15P |
Виробник: IXYS
IXFT120N15P SMD N channel transistors
IXFT120N15P SMD N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1061.63 грн |
| 2+ | 614.02 грн |
| 6+ | 580.40 грн |
| IXFT120N25X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFT120N25X3HV SMD N channel transistors
IXFT120N25X3HV SMD N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1103.16 грн |
| 2+ | 847.37 грн |
| 4+ | 800.90 грн |
| IXFT120N30X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFT120N30X3HV SMD N channel transistors
IXFT120N30X3HV SMD N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1588.72 грн |
| 2+ | 1143.01 грн |
| 3+ | 1080.72 грн |
| IXFT140N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 308.80 грн |




