Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15207) > Сторінка 246 з 254

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 225 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 254  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DCG20C1200HR DCG20C1200HR IXYS DCG20C1200HR.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 12.5Ax2; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12.5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 750A
Kind of package: tube
Technology: SiC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1309.10 грн
3+1206.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCG35C1200HR DCG35C1200HR IXYS DCG35C1200HR.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 18Ax2; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 1kA
Kind of package: tube
Technology: SiC
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1859.72 грн
3+1664.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DHG30I1200HA DHG30I1200HA IXYS DHG30I1200HA.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO247-2; 180W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
Technology: Sonic FRD™
Reverse recovery time: 200ns
Power dissipation: 180W
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+320.83 грн
10+278.50 грн
20+241.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DPF60C200HJ DPF60C200HJ IXYS DPF60C200HB.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 30Ax2; tube; Ifsm: 560A; ISOPLUS247™
Type of diode: rectifying
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 560A
Kind of package: tube
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Reverse recovery time: 35ns
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+275.31 грн
3+230.25 грн
10+204.01 грн
30+193.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C200HB DPG30C200HB IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG30C200HB-Datasheet?assetguid=C7522524-F8A5-4F62-BC19-FCC564D51D7C Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15Ax2; tube; Ifsm: 240A; TO247-3; 90W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.24kA
Kind of package: tube
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Reverse recovery time: 35ns
Power dissipation: 90W
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+271.67 грн
10+192.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXA12IF1200HB IXA12IF1200HB IXYS IXA12IF1200HB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 27nC
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Power dissipation: 85W
Collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+366.47 грн
10+280.20 грн
30+240.41 грн
120+211.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T IXTP18P10T IXYS IXT_18P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Gate charge: 39nC
Reverse recovery time: 62ns
On-state resistance: 0.12Ω
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+228.82 грн
10+182.85 грн
25+148.99 грн
50+118.51 грн
100+94.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MCO600-22io1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MCO600-22io1-Datasheet?assetguid=513E57AB-C4CD-4D86-994B-0EA2FF79457F Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 2.2kV; 600A; Y1; Ufmax: 1.34V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 600A
Case: Y1
Max. forward voltage: 1.34V
Gate current: 300/400mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCO600-20io1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MCO600-20io1-Datasheet?assetguid=053B5CC5-F625-4018-BAE3-C7C231E84F22 Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 2kV; 600A; Y1; Ufmax: 1.34V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 2kV
Load current: 600A
Case: Y1
Max. forward voltage: 1.34V
Gate current: 300/400mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50P IXFN100N50P IXYS 99497.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 75A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LF21844NTR LF21844NTR IXYS LF21844NTR.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -2.3÷1.9A
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Case: SO14
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1973Y CPC1973Y IXYS CPC1973.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 0.35mA; max.400VAC
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Max. operating current: 0.35mA
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 5Ω
Switched voltage: max. 400V AC
Relay variant: 1-phase
Insulation voltage: 2.5kV
Case: SIP4
Kind of output: MOSFET
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+695.57 грн
10+567.16 грн
25+515.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1302G CPC1302G IXYS CPC1302.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: Darlington; Uinsul: 3.75kV; Uce: 350V
Kind of output: Darlington
Case: DIP8
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Number of channels: 2
Collector-emitter voltage: 350V
CTR@If: 1000-8000%@1mA
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.80 грн
50+123.59 грн
100+111.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1302GSTR CPC1302GSTR IXYS CPC1302.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: Darlington; Uinsul: 3.75kV; Uce: 350V
Collector-emitter voltage: 350V
CTR@If: 1000-8000%@1mA
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: Darlington
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Turn-off time: 80µs
Turn-on time: 1µs
Trigger current: 50mA
Slew rate: 0.25V/μs
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 5V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+216.97 грн
10+147.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60PD1200NA CLA60PD1200NA IXYS CLA60PD1200NA.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 60A; SOT227B; Ufmax: 1.09V; screw
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.09V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 94A
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 935A
Kind of package: bulk
Gate current: 40/80mA
Threshold on-voltage: 0.79V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1974.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100PD1200NA CLA100PD1200NA IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA100PD1200NA-Datasheet?assetguid=3c99ebf3-0787-4f96-8215-5f6801302969 Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 100A; SOT227B; Ufmax: 1.21V; screw
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 100A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.21V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 150A
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 1.5kA
Kind of package: bulk
Gate current: 40/80mA
Threshold on-voltage: 0.83V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2586.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA110MB1200NA CLA110MB1200NA IXYS CLA110MB1200NA.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 50A; SOT227B; Ufmax: 1.04V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.04V
Max. forward impulse current: 935A
Gate current: 40/80mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1675.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMO62-12IO6 MMO62-12IO6 IXYS MMo62-12io6-DTE.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.29V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Gate current: 100mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1974.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 IXYS ixgn200n60b3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 830W
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X61-02A DSEI2X61-02A IXYS DSEI2x61-02A.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 71Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 71A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 0.88V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 142A
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.95kA
Kind of package: tube
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2053.90 грн
10+1752.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X91-03A DSEP2X91-03A IXYS DSEP2X91-03A-DTE.pdf description Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 300V; If: 90Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 90A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.54V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 180A
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFRED™
Max. forward impulse current: 1kA
Kind of package: tube
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2648.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X61-03A DSEP2X61-03A IXYS DSEP2x61-03A.pdf description Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 300V; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 60A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.11V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 120A
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFRED™
Max. forward impulse current: 0.6kA
Kind of package: tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2154.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N20P IXFB210N20P IXYS IXFB210N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.5kW
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3 IXFB210N30P3 IXYS IXFB210N30P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 210A; 1890W; 250ns
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 14.5mΩ
Drain current: 210A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1890W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC120-12AK DSEC120-12AK IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC120-12AK-Datasheet?assetguid=6d7c4a83-944f-41eb-8b81-8f646ced8d79 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60Ax2; tube; Ifsm: 500A; TO264; 330W
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
Max. forward voltage: 2.66V
Max. forward impulse current: 0.5kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A x2
Power dissipation: 330W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1118.57 грн
3+974.33 грн
10+914.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3 IXYS IXFH26N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+578.88 грн
5+444.42 грн
10+395.32 грн
30+373.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PS2601 PS2601 IXYS PS2601.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.600VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 600V AC
Relay variant: 1-phase
Mounting: THT
Case: SIP4
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Insulation voltage: 3.75kV
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 IXTP80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+516.89 грн
5+407.17 грн
10+366.54 грн
50+360.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2 IXTA80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1091.22 грн
5+878.68 грн
10+774.56 грн
25+678.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 IXTH80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80MT1200NHB CLA80MT1200NHB IXYS CLA80MT1200NHB.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 40A; TO247-3; Igt: 70/90mA; Ifsm: 440A
Type of thyristor: triac
Kind of package: tube
Gate current: 70/90mA
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Mounting: THT
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+598.94 грн
10+487.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NHB CLA60MT1200NHB IXYS CLA60MT1200NHB.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 30A; TO247-3; Igt: 60/80mA; Ifsm: 325A
Type of thyristor: triac
Kind of package: tube
Gate current: 60/80mA
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 325A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Mounting: THT
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+602.59 грн
10+462.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NHR CLA60MT1200NHR IXYS CLA60MT1200NHR.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 30A; ISO247™; Igt: 60/80mA; Ifsm: 325A
Type of thyristor: triac
Kind of package: tube
Gate current: 60/80mA
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 325A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: ISO247™
Mounting: THT
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+886.10 грн
3+725.46 грн
10+651.81 грн
30+627.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T IXFH230N10T IXYS IXFH230N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+670.05 грн
10+514.68 грн
30+419.02 грн
120+414.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 IXYS IXFH(T)320N10T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 98ns
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1096.69 грн
5+850.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA50C100HB DSA50C100HB IXYS DSA50C100HB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.72V
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward impulse current: 0.44kA
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.72V
Load current: 25A x2
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+288.07 грн
3+241.26 грн
10+213.32 грн
30+194.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK50-01A DSSK50-01A IXYS DSSK50-01A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.65V
Power dissipation: 135W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward impulse current: 0.45kA
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.65V
Load current: 25A x2
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+357.36 грн
3+292.89 грн
10+268.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C100HB DSA30C100HB IXYS DSA30C100HB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 15Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.72V
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward impulse current: 340A
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.72V
Load current: 15A x2
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.00 грн
10+160.84 грн
30+146.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MCB40P1200LB-TRR IXYS MCB40P1200LB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 55A
Case: SMPD-B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCB40P1200LB-TUB IXYS MCB40P1200LB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 55A
Case: SMPD-B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP8-12A DSEP8-12A IXYS DSEP8-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 40A; TO220AC; 60W; 40ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 40ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.96V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+195.09 грн
10+132.06 грн
50+93.12 грн
100+90.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426MTR IX4426MTR IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: DFN8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: inverting
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...30V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.75 грн
10+50.37 грн
25+47.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426NTR IX4426NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-ix4426-27-28-datasheet?assetguid=56368590-6fa3-453c-9630-e9feee6f9250 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: inverting
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426NE IXYS Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 4.5÷30V
Case: SOIC8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: non-inverting
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 1.5A
Pulse fall time: 8ns
Impulse rise time: 10ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426NETR IXYS Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 4.5÷30V
Case: SOIC8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: non-inverting
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 1.5A
Pulse fall time: 8ns
Impulse rise time: 10ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X60-12A DSEP2X60-12A IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=c205d7ca-54ab-4175-bdd7-497f43ba7754&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEP2x60-12A-Datasheet Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A x2
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.52V
Max. forward impulse current: 0.8kA
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 120A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3389.43 грн
3+2984.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170A IXBN42N170A IXYS IXBN42N170A.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Power dissipation: 313W
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3084.95 грн
3+2575.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X30-10B DSEI2X30-10B IXYS DSEI2x30-10B_DSEI2x31-10B.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1kV; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 2V
Load current: 30A x2
Max. load current: 60A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1689.25 грн
3+1540.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHV IXTA1N170DHV IXYS IXTA(H)1N170DHV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 30ns
Drain current: 1A
On-state resistance: 16Ω
Power dissipation: 290W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N170DHV IXTH1N170DHV IXYS IXTA(H)1N170DHV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO247HV; 30ns
Case: TO247HV
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 30ns
Drain current: 1A
On-state resistance: 16Ω
Power dissipation: 290W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1G320N60B3 IXYS MMIX1G320N60B3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 180A; 1kW; SMPD
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Mounting: SMD
Case: SMPD
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Gate charge: 585nC
Turn-off time: 595ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 1kA
Power dissipation: 1kW
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
OMA160 OMA160 IXYS OMA160.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 50mA; max.250VAC
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP6
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 125µs
Turn-on time: 125µs
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 50mA
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
On-state resistance: 100Ω
Relay variant: 1-phase; current source
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+607.14 грн
10+462.20 грн
25+402.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1560G CPC1560G IXYS CPC1560.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 300mA; max.60VAC
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
On-state resistance: 5.6Ω
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
Kind of output: MOSFET
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Turn-on time: 0.1ms
Turn-off time: 400µs
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+331.83 грн
10+270.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1560GS CPC1560GS IXYS CPC1560.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 300mA; max.60VAC
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
On-state resistance: 5.6Ω
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
Kind of output: MOSFET
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Turn-on time: 0.1ms
Turn-off time: 400µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1560GSTR IXYS CPC1560.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 300mA; max.60VAC
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
On-state resistance: 5.6Ω
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
Kind of output: MOSFET
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Turn-on time: 0.1ms
Turn-off time: 400µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06B DSEP30-06B IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9922dd98-2752-4f64-b2f8-12debebce6e5&filename=littelfuse-power-semiconductors-dsep30-06b-datasheet Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; TO247-2; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 250A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.51V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 25ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+335.48 грн
3+284.43 грн
10+253.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06A DSEP30-06A IXYS DSEP30-06A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; TO247-2; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 250A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+344.60 грн
10+235.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06BR DSEP30-06BR IXYS DSEP30-06BR.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; ISOPLUS247™
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 250A
Case: ISOPLUS247™
Max. forward voltage: 1.61V
Power dissipation: 135W
Reverse recovery time: 25ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+444.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1 IXYH40N90C3D1 IXYS IXYH40N90C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+789.47 грн
3+661.13 грн
5+614.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3 IXYH40N90C3 IXYS IXYH40N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DCG20C1200HR DCG20C1200HR.pdf
DCG20C1200HR
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 12.5Ax2; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12.5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 750A
Kind of package: tube
Technology: SiC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1309.10 грн
3+1206.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCG35C1200HR DCG35C1200HR.pdf
DCG35C1200HR
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 18Ax2; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 1kA
Kind of package: tube
Technology: SiC
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1859.72 грн
3+1664.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DHG30I1200HA DHG30I1200HA.pdf
DHG30I1200HA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO247-2; 180W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
Technology: Sonic FRD™
Reverse recovery time: 200ns
Power dissipation: 180W
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.83 грн
10+278.50 грн
20+241.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DPF60C200HJ DPF60C200HB.pdf
DPF60C200HJ
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 30Ax2; tube; Ifsm: 560A; ISOPLUS247™
Type of diode: rectifying
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 560A
Kind of package: tube
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Reverse recovery time: 35ns
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.31 грн
3+230.25 грн
10+204.01 грн
30+193.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C200HB Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG30C200HB-Datasheet?assetguid=C7522524-F8A5-4F62-BC19-FCC564D51D7C
DPG30C200HB
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15Ax2; tube; Ifsm: 240A; TO247-3; 90W
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.24kA
Kind of package: tube
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Reverse recovery time: 35ns
Power dissipation: 90W
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.67 грн
10+192.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXA12IF1200HB IXA12IF1200HB.pdf
IXA12IF1200HB
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 27nC
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Power dissipation: 85W
Collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+366.47 грн
10+280.20 грн
30+240.41 грн
120+211.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T IXT_18P10T.pdf
IXTP18P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Gate charge: 39nC
Reverse recovery time: 62ns
On-state resistance: 0.12Ω
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.82 грн
10+182.85 грн
25+148.99 грн
50+118.51 грн
100+94.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MCO600-22io1 Littelfuse-Power-Semiconductors-MCO600-22io1-Datasheet?assetguid=513E57AB-C4CD-4D86-994B-0EA2FF79457F
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 2.2kV; 600A; Y1; Ufmax: 1.34V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 600A
Case: Y1
Max. forward voltage: 1.34V
Gate current: 300/400mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCO600-20io1 Littelfuse-Power-Semiconductors-MCO600-20io1-Datasheet?assetguid=053B5CC5-F625-4018-BAE3-C7C231E84F22
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 2kV; 600A; Y1; Ufmax: 1.34V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 2kV
Load current: 600A
Case: Y1
Max. forward voltage: 1.34V
Gate current: 300/400mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50P description 99497.pdf
IXFN100N50P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 75A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LF21844NTR LF21844NTR.pdf
LF21844NTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -2.3÷1.9A
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Case: SO14
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1973Y CPC1973.pdf
CPC1973Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 0.35mA; max.400VAC
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Max. operating current: 0.35mA
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 5Ω
Switched voltage: max. 400V AC
Relay variant: 1-phase
Insulation voltage: 2.5kV
Case: SIP4
Kind of output: MOSFET
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+695.57 грн
10+567.16 грн
25+515.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1302G CPC1302.pdf
CPC1302G
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: Darlington; Uinsul: 3.75kV; Uce: 350V
Kind of output: Darlington
Case: DIP8
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Number of channels: 2
Collector-emitter voltage: 350V
CTR@If: 1000-8000%@1mA
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.80 грн
50+123.59 грн
100+111.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1302GSTR CPC1302.pdf
CPC1302GSTR
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: Darlington; Uinsul: 3.75kV; Uce: 350V
Collector-emitter voltage: 350V
CTR@If: 1000-8000%@1mA
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: Darlington
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Turn-off time: 80µs
Turn-on time: 1µs
Trigger current: 50mA
Slew rate: 0.25V/μs
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 5V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+216.97 грн
10+147.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60PD1200NA CLA60PD1200NA.pdf
CLA60PD1200NA
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 60A; SOT227B; Ufmax: 1.09V; screw
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.09V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 94A
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 935A
Kind of package: bulk
Gate current: 40/80mA
Threshold on-voltage: 0.79V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1974.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100PD1200NA Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA100PD1200NA-Datasheet?assetguid=3c99ebf3-0787-4f96-8215-5f6801302969
CLA100PD1200NA
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 100A; SOT227B; Ufmax: 1.21V; screw
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 100A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.21V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 150A
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 1.5kA
Kind of package: bulk
Gate current: 40/80mA
Threshold on-voltage: 0.83V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2586.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA110MB1200NA CLA110MB1200NA.pdf
CLA110MB1200NA
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 50A; SOT227B; Ufmax: 1.04V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.04V
Max. forward impulse current: 935A
Gate current: 40/80mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1675.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMO62-12IO6 MMo62-12io6-DTE.pdf
MMO62-12IO6
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.29V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Gate current: 100mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1974.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 ixgn200n60b3.pdf
IXGN200N60B3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 830W
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X61-02A DSEI2x61-02A.pdf
DSEI2X61-02A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 71Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 71A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 0.88V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 142A
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.95kA
Kind of package: tube
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2053.90 грн
10+1752.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X91-03A description DSEP2X91-03A-DTE.pdf
DSEP2X91-03A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 300V; If: 90Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 90A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.54V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 180A
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFRED™
Max. forward impulse current: 1kA
Kind of package: tube
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2648.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X61-03A description DSEP2x61-03A.pdf
DSEP2X61-03A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 300V; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 60A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.11V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 120A
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFRED™
Max. forward impulse current: 0.6kA
Kind of package: tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2154.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N20P IXFB210N20P.pdf
IXFB210N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.5kW
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3 IXFB210N30P3.pdf
IXFB210N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 210A; 1890W; 250ns
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 14.5mΩ
Drain current: 210A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1890W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC120-12AK Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC120-12AK-Datasheet?assetguid=6d7c4a83-944f-41eb-8b81-8f646ced8d79
DSEC120-12AK
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60Ax2; tube; Ifsm: 500A; TO264; 330W
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
Max. forward voltage: 2.66V
Max. forward impulse current: 0.5kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A x2
Power dissipation: 330W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1118.57 грн
3+974.33 грн
10+914.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3.pdf
IXFH26N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+578.88 грн
5+444.42 грн
10+395.32 грн
30+373.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PS2601 PS2601.pdf
PS2601
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.600VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 600V AC
Relay variant: 1-phase
Mounting: THT
Case: SIP4
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Insulation voltage: 3.75kV
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTP80N075L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+516.89 грн
5+407.17 грн
10+366.54 грн
50+360.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTA80N075L2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1091.22 грн
5+878.68 грн
10+774.56 грн
25+678.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTH80N075L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80MT1200NHB CLA80MT1200NHB.pdf
CLA80MT1200NHB
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 40A; TO247-3; Igt: 70/90mA; Ifsm: 440A
Type of thyristor: triac
Kind of package: tube
Gate current: 70/90mA
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Mounting: THT
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+598.94 грн
10+487.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NHB CLA60MT1200NHB.pdf
CLA60MT1200NHB
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 30A; TO247-3; Igt: 60/80mA; Ifsm: 325A
Type of thyristor: triac
Kind of package: tube
Gate current: 60/80mA
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 325A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Mounting: THT
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+602.59 грн
10+462.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NHR CLA60MT1200NHR.pdf
CLA60MT1200NHR
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 30A; ISO247™; Igt: 60/80mA; Ifsm: 325A
Type of thyristor: triac
Kind of package: tube
Gate current: 60/80mA
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 325A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: ISO247™
Mounting: THT
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+886.10 грн
3+725.46 грн
10+651.81 грн
30+627.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T IXFH230N10T.pdf
IXFH230N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+670.05 грн
10+514.68 грн
30+419.02 грн
120+414.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH(T)320N10T2.pdf
IXFH320N10T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 98ns
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1096.69 грн
5+850.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA50C100HB DSA50C100HB.pdf
DSA50C100HB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.72V
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward impulse current: 0.44kA
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.72V
Load current: 25A x2
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.07 грн
3+241.26 грн
10+213.32 грн
30+194.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK50-01A DSSK50-01A.pdf
DSSK50-01A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.65V
Power dissipation: 135W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward impulse current: 0.45kA
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.65V
Load current: 25A x2
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+357.36 грн
3+292.89 грн
10+268.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C100HB DSA30C100HB.pdf
DSA30C100HB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 15Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.72V
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward impulse current: 340A
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.72V
Load current: 15A x2
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+182.00 грн
10+160.84 грн
30+146.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MCB40P1200LB-TRR MCB40P1200LB.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 55A
Case: SMPD-B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCB40P1200LB-TUB MCB40P1200LB.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 55A
Case: SMPD-B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP8-12A DSEP8-12A.pdf
DSEP8-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 40A; TO220AC; 60W; 40ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 40ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.96V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+195.09 грн
10+132.06 грн
50+93.12 грн
100+90.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426MTR IX4426-27-28.pdf
IX4426MTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: DFN8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: inverting
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...30V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+74.75 грн
10+50.37 грн
25+47.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426NTR littelfuse-integrated-circuits-ix4426-27-28-datasheet?assetguid=56368590-6fa3-453c-9630-e9feee6f9250
IX4426NTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: inverting
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426NE
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 4.5÷30V
Case: SOIC8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: non-inverting
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 1.5A
Pulse fall time: 8ns
Impulse rise time: 10ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426NETR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 4.5÷30V
Case: SOIC8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: non-inverting
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 1.5A
Pulse fall time: 8ns
Impulse rise time: 10ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X60-12A media?resourcetype=datasheets&itemid=c205d7ca-54ab-4175-bdd7-497f43ba7754&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEP2x60-12A-Datasheet
DSEP2X60-12A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A x2
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.52V
Max. forward impulse current: 0.8kA
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 120A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3389.43 грн
3+2984.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170A IXBN42N170A.pdf
IXBN42N170A
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Power dissipation: 313W
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3084.95 грн
3+2575.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X30-10B DSEI2x30-10B_DSEI2x31-10B.pdf
DSEI2X30-10B
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1kV; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 2V
Load current: 30A x2
Max. load current: 60A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1689.25 грн
3+1540.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHV IXTA(H)1N170DHV.pdf
IXTA1N170DHV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 30ns
Drain current: 1A
On-state resistance: 16Ω
Power dissipation: 290W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N170DHV IXTA(H)1N170DHV.pdf
IXTH1N170DHV
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO247HV; 30ns
Case: TO247HV
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 30ns
Drain current: 1A
On-state resistance: 16Ω
Power dissipation: 290W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1G320N60B3 MMIX1G320N60B3.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 180A; 1kW; SMPD
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Mounting: SMD
Case: SMPD
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Gate charge: 585nC
Turn-off time: 595ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 1kA
Power dissipation: 1kW
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
OMA160 OMA160.pdf
OMA160
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 50mA; max.250VAC
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP6
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 125µs
Turn-on time: 125µs
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 50mA
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
On-state resistance: 100Ω
Relay variant: 1-phase; current source
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+607.14 грн
10+462.20 грн
25+402.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1560G CPC1560.pdf
CPC1560G
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 300mA; max.60VAC
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
On-state resistance: 5.6Ω
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
Kind of output: MOSFET
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Turn-on time: 0.1ms
Turn-off time: 400µs
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+331.83 грн
10+270.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1560GS CPC1560.pdf
CPC1560GS
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 300mA; max.60VAC
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
On-state resistance: 5.6Ω
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
Kind of output: MOSFET
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Turn-on time: 0.1ms
Turn-off time: 400µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1560GSTR CPC1560.pdf
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 300mA; max.60VAC
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
On-state resistance: 5.6Ω
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
Kind of output: MOSFET
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Turn-on time: 0.1ms
Turn-off time: 400µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06B media?resourcetype=datasheets&itemid=9922dd98-2752-4f64-b2f8-12debebce6e5&filename=littelfuse-power-semiconductors-dsep30-06b-datasheet
DSEP30-06B
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; TO247-2; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 250A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.51V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 25ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.48 грн
3+284.43 грн
10+253.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06A DSEP30-06A.pdf
DSEP30-06A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; TO247-2; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 250A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+344.60 грн
10+235.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06BR DSEP30-06BR.pdf
DSEP30-06BR
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; ISOPLUS247™
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 250A
Case: ISOPLUS247™
Max. forward voltage: 1.61V
Power dissipation: 135W
Reverse recovery time: 25ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+444.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1 IXYH40N90C3D1.pdf
IXYH40N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+789.47 грн
3+661.13 грн
5+614.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3 IXYH40N90C3.pdf
IXYH40N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 225 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 254  [ Наступна Сторінка >> ]