Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFT16N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 16A Power dissipation: 460W Case: TO268 On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFT170N25X3HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO268HV; 140ns Kind of channel: enhancement Case: TO268HV Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 170A Gate charge: 0.19µC Reverse recovery time: 140ns On-state resistance: 7.4mΩ Power dissipation: 890W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXFT180N20X3HV | IXYS | IXFT180N20X3HV SMD N channel transistors |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXFT18N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO268 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 90nC On-state resistance: 0.66Ω Drain current: 18A Power dissipation: 830W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: enhancement Case: TO268 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXFT20N100P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFT20N80P | IXYS | IXFT20N80P SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFT220N20X3HV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXFT24N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 24A Power dissipation: 650W Case: TO268 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFT24N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 24A Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Gate charge: 130nC Reverse recovery time: 300ns Power dissipation: 660W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFT26N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 460W Case: TO268 On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFT30N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 460W Case: TO268 On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFT30N50Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 690W Case: TO268 On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFT30N85XHV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 30A; 695W; TO268HV; 160ns Mounting: SMD Case: TO268HV Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 68nC Reverse recovery time: 160ns On-state resistance: 0.23Ω Drain current: 30A Power dissipation: 695W Drain-source voltage: 850V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXFT320N10T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFT340N075T2 | IXYS | IXFT340N075T2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFT36N50P | IXYS | IXFT36N50P SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFT36N60P | IXYS | IXFT36N60P SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFT400N075T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFT40N85XHV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFT42N50P2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXFT44N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 650W Case: TO268 On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFT44N50Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 830W Case: TO268 On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 93nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXFT50N30Q3 | IXYS | IXFT50N30Q3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXFT50N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO268 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFT50N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 660W Case: TO268 On-state resistance: 73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 116nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 195ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFT50N85XHV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO268HV; 218ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 50A Power dissipation: 890W Case: TO268HV On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 218ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXFT52N50P2 | IXYS | IXFT52N50P2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFT60N50P3 | IXYS | IXFT60N50P3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFT60N60X3HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO268HV Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 175ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXFT60N65X2HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Power dissipation: 780W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns Technology: HiPerFET™; X2-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXFT69N30P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFT70N20Q3 | IXYS | IXFT70N20Q3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFT70N30Q3 | IXYS | IXFT70N30Q3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXFT80N65X2HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 80A Power dissipation: 890W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXFT86N30T | IXYS | IXFT86N30T SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFT88N30P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFT94N30P3 | IXYS | IXFT94N30P3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFT94N30T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFT96N20P | IXYS | IXFT96N20P SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFX100N65X2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXFX120N25P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 120A Power dissipation: 700W Case: PLUS247™ On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFX120N30P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 120A Power dissipation: 1.13kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 27mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFX120N30T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 120A Power dissipation: 960W Case: PLUS247™ On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 265nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFX120N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 120A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 220ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXFX140N25T | IXYS | IXFX140N25T THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFX140N30P | IXYS | IXFX140N30P THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFX150N30P3 | IXYS | IXFX150N30P3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXFX160N30T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™ Mounting: THT Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Gate charge: 376nC On-state resistance: 19mΩ Kind of channel: enhancement Case: PLUS247™ Drain current: 160A Power dissipation: 1390W Drain-source voltage: 300V Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXFX170N20P | IXYS | IXFX170N20P THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFX170N20T | IXYS | IXFX170N20T THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXFX180N15P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 830W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 180A Power dissipation: 830W Case: PLUS247™ On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXFX180N25T | IXYS | IXFX180N25T THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFX200N10P | IXYS | IXFX200N10P THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXFX20N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Power dissipation: 780W Case: PLUS247™ On-state resistance: 570mΩ Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFX210N30X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; 190ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 375nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 190ns Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXFX220N17T2 | IXYS | IXFX220N17T2 THT N channel transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFX230N20T | IXYS | IXFX230N20T THT N channel transistors |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFX240N15T2 | IXYS | IXFX240N15T2 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFX240N25X3 | IXYS | IXFX240N25X3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXFX24N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 24A Power dissipation: 1kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXFT16N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT170N25X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO268HV; 140ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO268HV
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 7.4mΩ
Power dissipation: 890W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO268HV; 140ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO268HV
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 7.4mΩ
Power dissipation: 890W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT180N20X3HV |
Виробник: IXYS
IXFT180N20X3HV SMD N channel transistors
IXFT180N20X3HV SMD N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1558.45 грн |
2+ | 1101.53 грн |
3+ | 1041.55 грн |
IXFT18N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 0.66Ω
Drain current: 18A
Power dissipation: 830W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 0.66Ω
Drain current: 18A
Power dissipation: 830W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT20N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFT20N100P SMD N channel transistors
IXFT20N100P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT20N80P |
Виробник: IXYS
IXFT20N80P SMD N channel transistors
IXFT20N80P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT220N20X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFT220N20X3HV SMD N channel transistors
IXFT220N20X3HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT24N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT24N90P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 130nC
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 660W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 130nC
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 660W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1066.31 грн |
2+ | 999.55 грн |
3+ | 936.83 грн |
4+ | 910.17 грн |
10+ | 875.89 грн |
30+ | 874.94 грн |
IXFT26N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT30N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT30N50Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT30N85XHV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 30A; 695W; TO268HV; 160ns
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
Reverse recovery time: 160ns
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 30A
Power dissipation: 695W
Drain-source voltage: 850V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 30A; 695W; TO268HV; 160ns
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
Reverse recovery time: 160ns
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 30A
Power dissipation: 695W
Drain-source voltage: 850V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT320N10T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFT320N10T2 SMD N channel transistors
IXFT320N10T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT340N075T2 |
Виробник: IXYS
IXFT340N075T2 SMD N channel transistors
IXFT340N075T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT36N50P |
Виробник: IXYS
IXFT36N50P SMD N channel transistors
IXFT36N50P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT36N60P |
Виробник: IXYS
IXFT36N60P SMD N channel transistors
IXFT36N60P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT400N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFT400N075T2 SMD N channel transistors
IXFT400N075T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT40N85XHV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFT40N85XHV SMD N channel transistors
IXFT40N85XHV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT42N50P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFT42N50P2 SMD N channel transistors
IXFT42N50P2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT44N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT44N50Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT50N30Q3 |
Виробник: IXYS
IXFT50N30Q3 SMD N channel transistors
IXFT50N30Q3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 929.94 грн |
2+ | 735.58 грн |
5+ | 669.30 грн |
IXFT50N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1178.06 грн |
2+ | 813.68 грн |
3+ | 782.59 грн |
4+ | 740.70 грн |
IXFT50N85XHV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO268HV; 218ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 50A
Power dissipation: 890W
Case: TO268HV
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 218ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO268HV; 218ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 50A
Power dissipation: 890W
Case: TO268HV
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 218ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT52N50P2 |
Виробник: IXYS
IXFT52N50P2 SMD N channel transistors
IXFT52N50P2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT60N50P3 |
Виробник: IXYS
IXFT60N50P3 SMD N channel transistors
IXFT60N50P3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT60N60X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT60N65X2HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 911.49 грн |
2+ | 811.70 грн |
4+ | 738.80 грн |
IXFT69N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFT69N30P SMD N channel transistors
IXFT69N30P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT70N20Q3 |
Виробник: IXYS
IXFT70N20Q3 SMD N channel transistors
IXFT70N20Q3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT70N30Q3 |
Виробник: IXYS
IXFT70N30Q3 SMD N channel transistors
IXFT70N30Q3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT80N65X2HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT86N30T |
Виробник: IXYS
IXFT86N30T SMD N channel transistors
IXFT86N30T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT88N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFT88N30P SMD N channel transistors
IXFT88N30P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT94N30P3 |
Виробник: IXYS
IXFT94N30P3 SMD N channel transistors
IXFT94N30P3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT94N30T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFT94N30T SMD N channel transistors
IXFT94N30T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFT96N20P |
Виробник: IXYS
IXFT96N20P SMD N channel transistors
IXFT96N20P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFX100N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFX100N65X2 THT N channel transistors
IXFX100N65X2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFX120N25P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 700W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 700W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFX120N30P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFX120N30T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFX120N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFX140N25T |
Виробник: IXYS
IXFX140N25T THT N channel transistors
IXFX140N25T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFX140N30P |
Виробник: IXYS
IXFX140N30P THT N channel transistors
IXFX140N30P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFX150N30P3 |
Виробник: IXYS
IXFX150N30P3 THT N channel transistors
IXFX150N30P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFX160N30T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 376nC
On-state resistance: 19mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 376nC
On-state resistance: 19mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFX170N20P |
Виробник: IXYS
IXFX170N20P THT N channel transistors
IXFX170N20P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFX170N20T |
Виробник: IXYS
IXFX170N20T THT N channel transistors
IXFX170N20T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFX180N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 473.69 грн |
IXFX180N25T |
Виробник: IXYS
IXFX180N25T THT N channel transistors
IXFX180N25T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFX200N10P |
Виробник: IXYS
IXFX200N10P THT N channel transistors
IXFX200N10P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFX20N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1922.43 грн |
2+ | 1752.92 грн |
30+ | 1673.72 грн |
IXFX210N30X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFX220N17T2 |
Виробник: IXYS
IXFX220N17T2 THT N channel transistors
IXFX220N17T2 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1209.85 грн |
2+ | 889.22 грн |
4+ | 840.67 грн |
IXFX230N20T |
Виробник: IXYS
IXFX230N20T THT N channel transistors
IXFX230N20T THT N channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1494.73 грн |
3+ | 1412.86 грн |
IXFX240N15T2 |
Виробник: IXYS
IXFX240N15T2 THT N channel transistors
IXFX240N15T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFX240N25X3 |
Виробник: IXYS
IXFX240N25X3 THT N channel transistors
IXFX240N25X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFX24N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.