Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTA230N04T4 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA230N075T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA230N075T2-7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTA24N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 390W Case: TO263 On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 390ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTA24P085T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTA260N055T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 260A Power dissipation: 480W Case: TO263 On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXTA260N055T2-7 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 260A Power dissipation: 480W Case: TO263-7 On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXTA26P10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -26A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 70ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXTA26P20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263 Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Reverse recovery time: 240ns Drain-source voltage: -200V Drain current: -26A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 349 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTA270N04T4 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA270N04T4-7 | IXYS | IXTA270N04T4-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA28P065T | IXYS |
![]() |
на замовлення 253 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXTA2N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 86W Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 800ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 293 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTA300N04T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA32N20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA32P05T | IXYS |
![]() |
на замовлення 291 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTA32P20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA340N04T4 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA340N04T4-7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTA34N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO263 On-state resistance: 96mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 390ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTA36N30P | IXYS |
![]() |
на замовлення 247 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTA36P15P | IXYS |
![]() |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXTA380N036T4-7 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 36V Drain current: 380A Power dissipation: 480W Case: TO263-7 On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 54ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTA3N100D2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA3N100D2HV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA3N100P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA3N120 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA3N120HV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTA3N150HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A Power dissipation: 250W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 38.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTA3N50D2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA3N50P | IXYS |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTA42N25P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA44P15T | IXYS |
![]() |
на замовлення 77 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTA460P2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA48N20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA48P05T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTA4N150HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 4A Power dissipation: 280W Case: TO263 On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 44.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXTA4N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: X2-Class Reverse recovery time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTA4N70X2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXTA4N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 100W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 14.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 560ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXTA50N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263 Mounting: SMD Case: TO263 Reverse recovery time: 150ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 360W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 70nC Technology: PolarHT™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXTA50N25T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns Mounting: SMD Case: TO263 Reverse recovery time: 166ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 50A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 400W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 78nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTA52P10P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA60N10T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTA60N20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 73nC Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: TO263 Reverse recovery time: 118ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTA62N15P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA64N10L2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA6N100D2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA6N50D2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 226 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTA70N075T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTA75N10P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTA76N25T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 76A Power dissipation: 460W Case: TO263 On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 148ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXTA76P10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -76A Power dissipation: 298W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 197nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 70ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTA80N075L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 357W Case: TO263 On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 285 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTA80N10T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTA80N12T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 80nC Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: TO263 Reverse recovery time: 90ns Drain-source voltage: 120V Drain current: 80A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 325W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTA86N20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTA8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTA8N70X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO263; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTA90N055T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXTA230N04T4 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA230N04T4 SMD N channel transistors
IXTA230N04T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA230N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA230N075T2 SMD N channel transistors
IXTA230N075T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA230N075T2-7 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA230N075T2-7 SMD N channel transistors
IXTA230N075T2-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA24N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA24P085T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA24P085T SMD P channel transistors
IXTA24P085T SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA260N055T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA260N055T2-7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA26P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA26P20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 618.24 грн |
3+ | 389.37 грн |
8+ | 354.32 грн |
250+ | 340.86 грн |
IXTA270N04T4 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA270N04T4 SMD N channel transistors
IXTA270N04T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA270N04T4-7 |
Виробник: IXYS
IXTA270N04T4-7 SMD N channel transistors
IXTA270N04T4-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA28P065T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA28P065T SMD P channel transistors
IXTA28P065T SMD P channel transistors
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 196.10 грн |
8+ | 137.24 грн |
22+ | 130.06 грн |
IXTA2N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 224.11 грн |
3+ | 190.03 грн |
7+ | 165.05 грн |
18+ | 156.08 грн |
50+ | 154.28 грн |
IXTA300N04T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA300N04T2 SMD N channel transistors
IXTA300N04T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA32N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA32N20T SMD N channel transistors
IXTA32N20T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA32P05T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA32P05T SMD P channel transistors
IXTA32P05T SMD P channel transistors
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 179.68 грн |
9+ | 125.58 грн |
24+ | 118.40 грн |
IXTA32P20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA32P20T SMD P channel transistors
IXTA32P20T SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA340N04T4 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA340N04T4 SMD N channel transistors
IXTA340N04T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA340N04T4-7 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA340N04T4-7 SMD N channel transistors
IXTA340N04T4-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA34N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA36N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA36N30P SMD N channel transistors
IXTA36N30P SMD N channel transistors
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 405.72 грн |
5+ | 251.16 грн |
12+ | 237.70 грн |
IXTA36P15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA36P15P SMD P channel transistors
IXTA36P15P SMD P channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 485.90 грн |
3+ | 354.32 грн |
9+ | 335.48 грн |
IXTA380N036T4-7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 54ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 54ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA3N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA3N100D2 SMD N channel transistors
IXTA3N100D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA3N100D2HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA3N100D2HV SMD N channel transistors
IXTA3N100D2HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA3N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA3N100P SMD N channel transistors
IXTA3N100P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA3N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA3N120 SMD N channel transistors
IXTA3N120 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA3N120HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA3N120HV SMD N channel transistors
IXTA3N120HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA3N150HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 839.45 грн |
2+ | 652.05 грн |
5+ | 592.92 грн |
50+ | 570.49 грн |
IXTA3N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA3N50D2 SMD N channel transistors
IXTA3N50D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA3N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA3N50P SMD N channel transistors
IXTA3N50P SMD N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 117.85 грн |
24+ | 113.92 грн |
IXTA42N25P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA42N25P SMD N channel transistors
IXTA42N25P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA44P15T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA44P15T SMD P channel transistors
IXTA44P15T SMD P channel transistors
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 518.74 грн |
4+ | 326.51 грн |
9+ | 308.57 грн |
IXTA460P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA460P2 SMD N channel transistors
IXTA460P2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA48N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA48N20T SMD N channel transistors
IXTA48N20T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA48P05T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA48P05T SMD P channel transistors
IXTA48P05T SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA4N150HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA4N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 160.36 грн |
10+ | 130.41 грн |
15+ | 75.35 грн |
39+ | 70.86 грн |
500+ | 69.97 грн |
1000+ | 68.17 грн |
IXTA4N70X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA4N70X2 SMD N channel transistors
IXTA4N70X2 SMD N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 243.43 грн |
7+ | 153.39 грн |
19+ | 145.31 грн |
IXTA4N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA50N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 150ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 150ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA50N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 166ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 166ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA52P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA52P10P SMD P channel transistors
IXTA52P10P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA60N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA60N10T SMD N channel transistors
IXTA60N10T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA60N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 400.89 грн |
3+ | 347.45 грн |
4+ | 267.31 грн |
11+ | 252.06 грн |
IXTA62N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA62N15P SMD N channel transistors
IXTA62N15P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA64N10L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA64N10L2 SMD N channel transistors
IXTA64N10L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA6N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA6N100D2 SMD N channel transistors
IXTA6N100D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA6N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA6N50D2 SMD N channel transistors
IXTA6N50D2 SMD N channel transistors
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 790.19 грн |
2+ | 527.44 грн |
6+ | 498.73 грн |
IXTA70N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA70N075T2 SMD N channel transistors
IXTA70N075T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA75N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA75N10P SMD N channel transistors
IXTA75N10P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA76N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA76P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 485.90 грн |
3+ | 421.04 грн |
4+ | 323.82 грн |
10+ | 305.88 грн |
IXTA80N075L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 868.43 грн |
2+ | 786.19 грн |
4+ | 715.81 грн |
50+ | 702.35 грн |
100+ | 688.00 грн |
IXTA80N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA80N10T SMD N channel transistors
IXTA80N10T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA80N12T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 90ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 325W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 90ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 325W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA86N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA86N20T SMD N channel transistors
IXTA86N20T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 189.34 грн |
10+ | 140.66 грн |
12+ | 90.60 грн |
33+ | 86.11 грн |
300+ | 85.22 грн |
500+ | 82.52 грн |
IXTA8N70X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO263; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO263; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA90N055T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA90N055T2 SMD N channel transistors
IXTA90N055T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.