Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15705) > Сторінка 246 з 262

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTR36P15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr36p15p_datasheet.pdf.pdf IXTR36P15P THT P channel transistors
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+531.35 грн
4+382.65 грн
9+360.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR40P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr40p50p_datasheet.pdf.pdf IXTR40P50P THT P channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1341.68 грн
2+965.03 грн
4+912.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR48P20P-Datasheet.PDF?assetguid=B87E3A50-EF94-4FF7-A731-EE21735ACBE0 IXTR48P20P THT P channel transistors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+753.90 грн
3+546.79 грн
6+517.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P20P IXTR90P20P IXYS IXTR90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+769.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n450hv-datasheet?assetguid=77e78b19-f9d4-4f1c-bb1f-3fed948a23e3 IXTT02N450HV SMD N channel transistors
на замовлення 147 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2065.53 грн
2+1952.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60P IXTT16P60P IXYS IXT_16P60P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 460W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1195.80 грн
10+816.30 грн
30+779.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT24P20 IXYS DS98769GIXTHIXTT24P20.pdf IXTT24P20 SMD P channel transistors
на замовлення 183 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1145.75 грн
2+734.65 грн
5+694.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXTT50P10 IXYS IXT_50P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+881.67 грн
3+751.61 грн
10+649.62 грн
30+606.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf IXTT68P20T SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1284.41 грн
3+1214.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_75n10_datasheet.pdf.pdf IXTT75N10L2 SMD N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1286.31 грн
2+1042.16 грн
4+985.80 грн
30+985.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT82N25P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf IXTT82N25P SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+647.41 грн
5+623.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT8P50 IXYS 94534.pdf IXTT8P50 SMD P channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+845.47 грн
2+592.27 грн
6+560.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf IXTU4N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 68 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+198.06 грн
9+144.36 грн
23+136.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTU8N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 66 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+384.40 грн
7+176.00 грн
19+166.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e&filename=littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf IXTX120P20T THT P channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2072.45 грн
2+1959.73 грн
30+1956.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX210P10T IXYS IXTX210P10T THT P channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2239.55 грн
2+2116.95 грн
30+2114.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150L IXTX8N150L IXYS IXTK(X)8N150L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 1.7µs
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 700W
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 1.5kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3045.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20P IXTX90P20P IXYS IXT_90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1296.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100-datasheet?assetguid=ca4a4953-c354-4601-9187-3763cc42151f IXTY01N100 SMD N channel transistors
на замовлення 350 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+196.99 грн
9+138.43 грн
24+130.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+347.13 грн
5+285.45 грн
10+248.18 грн
25+213.57 грн
50+193.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682 IXTY18P10T SMD P channel transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+424.86 грн
6+215.55 грн
15+204.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P IXYS IXTA1N120P%2C%20IXTP1N120P.pdf IXTY1N120P SMD N channel transistors
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+219.35 грн
7+170.07 грн
19+160.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf IXTY1R6N100D2 SMD N channel transistors
на замовлення 372 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+387.60 грн
6+197.75 грн
17+186.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd IXTY1R6N50D2 SMD N channel transistors
на замовлення 348 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+340.74 грн
6+197.75 грн
17+186.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY3N50P IXYS 99200.pdf IXTY3N50P SMD N channel transistors
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+33.33 грн
95+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=6F632209-E987-45D8-BD19-71A9B1E1ECDC&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-44N10T-Datasheet.PDF IXTY44N10T SMD N channel transistors
на замовлення 285 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+244.91 грн
10+124.58 грн
26+117.66 грн
140+117.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+231.07 грн
10+139.64 грн
25+125.57 грн
70+116.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+290.70 грн
10+216.65 грн
20+176.99 грн
25+167.10 грн
70+133.48 грн
140+123.60 грн
560+119.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS IXXH110N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 226 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1105.29 грн
3+965.19 грн
5+859.24 грн
10+752.45 грн
30+698.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1255.43 грн
3+1099.70 грн
10+925.48 грн
30+832.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS IXXH30N60B3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+547.32 грн
3+475.41 грн
10+404.40 грн
30+362.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+561.16 грн
5+504.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4 IXYS IXXH40N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+513.24 грн
3+445.63 грн
10+378.70 грн
30+341.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 IXYS IXXH60N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 183 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+644.22 грн
3+558.58 грн
10+475.60 грн
30+427.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 IXYS IXXH60N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1159.59 грн
3+1016.53 грн
10+862.20 грн
30+774.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4 IXXH80N65B4 IXYS IXXH80N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+718.76 грн
10+564.74 грн
30+420.22 грн
120+401.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1902.84 грн
3+1739.39 грн
5+1595.87 грн
10+1439.64 грн
25+1270.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4 IXXK160N65B4 IXYS IXXK(x)160N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 425nC
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1725.01 грн
3+1598.72 грн
10+1514.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+237.46 грн
3+207.41 грн
10+175.01 грн
50+158.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1 IXYA20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+302.41 грн
3+261.83 грн
10+223.46 грн
50+200.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 IXYS DS100561BIXYH100N65C3.pdf IXYH100N65C3 THT IGBT transistors
на замовлення 282 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1211.77 грн
2+805.84 грн
4+761.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 IXYS DS100485BIXYH20N120C3D1.pdf IXYH20N120C3D1 THT IGBT transistors
на замовлення 243 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+855.05 грн
2+741.57 грн
5+701.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1 IXYS DS100441AIXYH40N90C3D1.pdf IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1030.75 грн
2+667.42 грн
5+631.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 IXYS IXYH50N120C3d1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 210A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1150.01 грн
3+1025.77 грн
10+943.28 грн
30+845.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS IXYH50N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+922.14 грн
3+799.87 грн
10+681.26 грн
30+611.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh60n90c3_datasheet.pdf.pdf IXYH60N90C3 THT IGBT transistors
на замовлення 284 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+960.47 грн
2+597.21 грн
6+564.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n250chv-datasheet?assetguid=78ea8f5b-1880-4f0f-b0fa-520bc5357c4b IXYH8N250CHV THT IGBT transistors
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1753.08 грн
2+1658.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3 IXYS DS100451BIXYKX120N120C3.pdf IXYK120N120C3 THT IGBT transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2314.70 грн
2+2188.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1 IXYS littelfusediscreteigbtsxptixyn100n120c3h1data.pdf IXYN100N120C3H1 IGBT modules
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3870.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+378.01 грн
10+246.43 грн
50+185.89 грн
100+170.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgh42n30c3-datasheet?assetguid=cfdebaeb-c0d6-454a-8b5e-9c212af484cf IXYP8N90C3D1 THT IGBT transistors
на замовлення 126 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+336.48 грн
5+245.21 грн
14+231.37 грн
50+231.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3 IXYS DS100646IXYKX120N120B3.pdf IXYX120N120B3 THT IGBT transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2289.98 грн
2+2164.41 грн
30+2161.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3 IXYS DS100451BIXYKX120N120C3.pdf IXYX120N120C3 THT IGBT transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2471.91 грн
2+2337.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n90c3-datasheet?assetguid=11d4bd5c-8ae2-405e-8bec-58f631ef5fbe IXYY8N90C3 SMD IGBT transistors
на замовлення 306 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+369.49 грн
7+168.09 грн
20+159.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100 LAA100 One Phase Solid State Relays
на замовлення 250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+456.81 грн
4+323.33 грн
10+305.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100L IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l LAA100L One Phase Solid State Relays
на замовлення 250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+372.69 грн
4+327.28 грн
10+309.48 грн
100+309.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100 LAA100P One Phase Solid State Relays
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+433.38 грн
4+323.33 грн
10+305.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100S IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100 LAA100S One Phase Solid State Relays
на замовлення 87 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+612.27 грн
4+323.33 грн
10+305.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108 IXYS LAA108.pdf LAA108 One Phase Solid State Relays
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+236.39 грн
7+169.08 грн
20+160.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR36P15P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr36p15p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTR36P15P THT P channel transistors
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+531.35 грн
4+382.65 грн
9+360.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR40P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr40p50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTR40P50P THT P channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1341.68 грн
2+965.03 грн
4+912.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR48P20P-Datasheet.PDF?assetguid=B87E3A50-EF94-4FF7-A731-EE21735ACBE0
Виробник: IXYS
IXTR48P20P THT P channel transistors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+753.90 грн
3+546.79 грн
6+517.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P20P IXTR90P20P.pdf
IXTR90P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+769.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HV littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n450hv-datasheet?assetguid=77e78b19-f9d4-4f1c-bb1f-3fed948a23e3
Виробник: IXYS
IXTT02N450HV SMD N channel transistors
на замовлення 147 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2065.53 грн
2+1952.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60P IXT_16P60P.pdf
IXTT16P60P
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 460W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1195.80 грн
10+816.30 грн
30+779.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT24P20 DS98769GIXTHIXTT24P20.pdf
Виробник: IXYS
IXTT24P20 SMD P channel transistors
на замовлення 183 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1145.75 грн
2+734.65 грн
5+694.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXT_50P10.pdf
IXTT50P10
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+881.67 грн
3+751.61 грн
10+649.62 грн
30+606.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT68P20T SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1284.41 грн
3+1214.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_75n10_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT75N10L2 SMD N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1286.31 грн
2+1042.16 грн
4+985.80 грн
30+985.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT82N25P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT82N25P SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+647.41 грн
5+623.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT8P50 94534.pdf
Виробник: IXYS
IXTT8P50 SMD P channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+845.47 грн
2+592.27 грн
6+560.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTU4N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 68 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.06 грн
9+144.36 грн
23+136.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Виробник: IXYS
IXTU8N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 66 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.40 грн
7+176.00 грн
19+166.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T media?resourcetype=datasheets&itemid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e&filename=littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
IXTX120P20T THT P channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2072.45 грн
2+1959.73 грн
30+1956.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX210P10T
Виробник: IXYS
IXTX210P10T THT P channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2239.55 грн
2+2116.95 грн
30+2114.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150L IXTK(X)8N150L.pdf
IXTX8N150L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 1.7µs
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 700W
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 1.5kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3045.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20P IXT_90P20P.pdf
IXTX90P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1296.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100-datasheet?assetguid=ca4a4953-c354-4601-9187-3763cc42151f
Виробник: IXYS
IXTY01N100 SMD N channel transistors
на замовлення 350 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.99 грн
9+138.43 грн
24+130.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTY08N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.13 грн
5+285.45 грн
10+248.18 грн
25+213.57 грн
50+193.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 ixty2n65x2.pdf
IXTY14N60X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682
Виробник: IXYS
IXTY18P10T SMD P channel transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+424.86 грн
6+215.55 грн
15+204.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P IXTA1N120P%2C%20IXTP1N120P.pdf
Виробник: IXYS
IXTY1N120P SMD N channel transistors
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.35 грн
7+170.07 грн
19+160.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTY1R6N100D2 SMD N channel transistors
на замовлення 372 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.60 грн
6+197.75 грн
17+186.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
Виробник: IXYS
IXTY1R6N50D2 SMD N channel transistors
на замовлення 348 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+340.74 грн
6+197.75 грн
17+186.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY3N50P 99200.pdf
Виробник: IXYS
IXTY3N50P SMD N channel transistors
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.33 грн
95+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T media?resourcetype=datasheets&itemid=6F632209-E987-45D8-BD19-71A9B1E1ECDC&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-44N10T-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXTY44N10T SMD N channel transistors
на замовлення 285 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.91 грн
10+124.58 грн
26+117.66 грн
140+117.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.07 грн
10+139.64 грн
25+125.57 грн
70+116.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.70 грн
10+216.65 грн
20+176.99 грн
25+167.10 грн
70+133.48 грн
140+123.60 грн
560+119.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4.pdf
IXXH110N65C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 226 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1105.29 грн
3+965.19 грн
5+859.24 грн
10+752.45 грн
30+698.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1255.43 грн
3+1099.70 грн
10+925.48 грн
30+832.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3-DTE.pdf
IXXH30N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.32 грн
3+475.41 грн
10+404.40 грн
30+362.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+561.16 грн
5+504.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4.pdf
IXXH40N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.24 грн
3+445.63 грн
10+378.70 грн
30+341.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4.pdf
IXXH60N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 183 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+644.22 грн
3+558.58 грн
10+475.60 грн
30+427.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1.pdf
IXXH60N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1159.59 грн
3+1016.53 грн
10+862.20 грн
30+774.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4 IXXH80N65B4.pdf
IXXH80N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+718.76 грн
10+564.74 грн
30+420.22 грн
120+401.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXK110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1902.84 грн
3+1739.39 грн
5+1595.87 грн
10+1439.64 грн
25+1270.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4 IXXK(x)160N65B4.pdf
IXXK160N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 425nC
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1725.01 грн
3+1598.72 грн
10+1514.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.46 грн
3+207.41 грн
10+175.01 грн
50+158.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYA20N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.41 грн
3+261.83 грн
10+223.46 грн
50+200.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 DS100561BIXYH100N65C3.pdf
Виробник: IXYS
IXYH100N65C3 THT IGBT transistors
на замовлення 282 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1211.77 грн
2+805.84 грн
4+761.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 DS100485BIXYH20N120C3D1.pdf
Виробник: IXYS
IXYH20N120C3D1 THT IGBT transistors
на замовлення 243 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+855.05 грн
2+741.57 грн
5+701.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1 DS100441AIXYH40N90C3D1.pdf
Виробник: IXYS
IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1030.75 грн
2+667.42 грн
5+631.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3d1.pdf
IXYH50N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 210A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1150.01 грн
3+1025.77 грн
10+943.28 грн
30+845.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+922.14 грн
3+799.87 грн
10+681.26 грн
30+611.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh60n90c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYH60N90C3 THT IGBT transistors
на замовлення 284 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+960.47 грн
2+597.21 грн
6+564.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHV littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n250chv-datasheet?assetguid=78ea8f5b-1880-4f0f-b0fa-520bc5357c4b
Виробник: IXYS
IXYH8N250CHV THT IGBT transistors
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1753.08 грн
2+1658.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3 DS100451BIXYKX120N120C3.pdf
Виробник: IXYS
IXYK120N120C3 THT IGBT transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2314.70 грн
2+2188.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1 littelfusediscreteigbtsxptixyn100n120c3h1data.pdf
Виробник: IXYS
IXYN100N120C3H1 IGBT modules
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3870.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYP20N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.01 грн
10+246.43 грн
50+185.89 грн
100+170.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgh42n30c3-datasheet?assetguid=cfdebaeb-c0d6-454a-8b5e-9c212af484cf
Виробник: IXYS
IXYP8N90C3D1 THT IGBT transistors
на замовлення 126 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.48 грн
5+245.21 грн
14+231.37 грн
50+231.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3 DS100646IXYKX120N120B3.pdf
Виробник: IXYS
IXYX120N120B3 THT IGBT transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2289.98 грн
2+2164.41 грн
30+2161.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3 DS100451BIXYKX120N120C3.pdf
Виробник: IXYS
IXYX120N120C3 THT IGBT transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2471.91 грн
2+2337.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3 littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n90c3-datasheet?assetguid=11d4bd5c-8ae2-405e-8bec-58f631ef5fbe
Виробник: IXYS
IXYY8N90C3 SMD IGBT transistors
на замовлення 306 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.49 грн
7+168.09 грн
20+159.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100 media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100
Виробник: IXYS
LAA100 One Phase Solid State Relays
на замовлення 250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.81 грн
4+323.33 грн
10+305.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100L media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l
Виробник: IXYS
LAA100L One Phase Solid State Relays
на замовлення 250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+372.69 грн
4+327.28 грн
10+309.48 грн
100+309.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100P media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100
Виробник: IXYS
LAA100P One Phase Solid State Relays
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.38 грн
4+323.33 грн
10+305.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100S media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100
Виробник: IXYS
LAA100S One Phase Solid State Relays
на замовлення 87 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+612.27 грн
4+323.33 грн
10+305.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108 LAA108.pdf
Виробник: IXYS
LAA108 One Phase Solid State Relays
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.39 грн
7+169.08 грн
20+160.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]