Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18010) > Сторінка 278 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 273 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGR32N90B2D1 IXGR32N90B2D1 IXYS IXGR32N90B2D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 22A; 160W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: HiPerFAST™; PT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 22A
Power dissipation: 160W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 42ns
Turn-off time: 690ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427MTR IX4427MTR IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: DFN8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Supply voltage: 4.5...30V
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+132.82 грн
10+78.11 грн
20+43.80 грн
55+41.41 грн
500+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1230N CPC1230N IXYS CPC1230N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: SOP4
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 30Ω
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+62.79 грн
17+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1230NTR CPC1230NTR IXYS CPC1230N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: SOP4
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 30Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1231N CPC1231N IXYS CPC1231N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: SOP4
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NC
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 30Ω
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.85 грн
10+100.91 грн
11+86.71 грн
28+82.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1231NTR CPC1231NTR IXYS CPC1231N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: SOP4
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NC
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 30Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI60-12A DSEI60-12A IXYS DSEI60-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 52A; tube; Ifsm: 500A; TO247-2; 189W
Case: TO247-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 52A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 0.5kA
Power dissipation: 189W
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: FRED
Mounting: THT
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+499.10 грн
3+358.05 грн
7+338.62 грн
30+328.15 грн
120+325.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA710 LCA710 IXYS littelfuse-integrated-circuits-lca710-datasheet?assetguid=c3811d33-57ae-4a3d-b8d6-f328a7772467 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1000mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 0.25ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+367.08 грн
4+220.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LCA710R LCA710R IXYS LCA710.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1000mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 0.25ms
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LCA710RTR IXYS LCA710.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1000mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 0.25ms
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LCA710S LCA710S IXYS littelfuse-integrated-circuits-lca710-datasheet?assetguid=c3811d33-57ae-4a3d-b8d6-f328a7772467 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1000mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 0.25ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+564.30 грн
4+231.72 грн
11+220.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA710STR IXYS LCA710.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1000mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 0.25ms
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170 IXBT24N170 IXYS IXBH(t)24N170.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Case: TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1755.70 грн
2+1541.34 грн
10+1519.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10P IXFH140N10P IXYS IXFH(T)140N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+621.46 грн
3+413.37 грн
6+390.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N10P IXFT140N10P IXYS IXFH(T)140N10P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.70 грн
10+216.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ140N10P IXTQ140N10P IXYS IXTQ140N10P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 120ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N10P IXTT140N10P IXYS IXTQ140N10P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 120ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3714CTR CPC3714CTR IXYS CPC3714.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.24A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.50 грн
10+50.76 грн
29+31.02 грн
79+29.30 грн
1000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80P IXTA4N80P IXYS IXTA(P)4N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS IXTA(P)4N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.34 грн
10+94.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH4N250C IXYS DS100320(IXGH-GT4N250C).pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 57nC
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 13A
Pulsed collector current: 8A
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK64N250 IXBK64N250 IXYS IXBK(X)64N250.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 400nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 397ns
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA44N25X3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=d4d53a59-e025-4cd0-9ea6-9898c3e6cbeb&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_44n25x3_datasheet.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: SMD
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO263
Reverse recovery time: 87ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1020N CPC1020N IXYS cpc1020n.pdf Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 1200mA; max.30VDC; max.30VAC; SMT; SOP4; 0.25Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1.2A
Switched voltage: max. 30V AC; max. 30V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: current source
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+355.81 грн
6+152.49 грн
16+144.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200HB CLA50E1200HB IXYS CLA50E1200HB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50mA; TO247AD; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50mA
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.65kA
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+427.46 грн
4+267.60 грн
10+247.42 грн
30+242.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TUB CLA50E1200TC-TUB IXYS CLA50E1200TC.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50/80mA; D3PAK; SMD; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50/80mA
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 555A
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+592.48 грн
3+396.18 грн
7+374.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD162-16io1 MCD162-16io1 IXYS MCD162-16io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.03V; Ifsm: 6kA
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 181A
Case: Y4-M6
Max. forward voltage: 1.03V
Max. forward impulse current: 6kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Max. load current: 300A
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Threshold on-voltage: 0.88V
Gate current: 150/200mA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4223.03 грн
6+3860.84 грн
12+3770.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1001N CPC1001N IXYS 1 Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; 1.5kV; SOP4
Case: SOP4
Turn-on time: 1µs
Turn-off time: 30µs
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 1.5kV
CTR@If: 100-800%@0.2mA
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.96 грн
10+71.01 грн
19+46.72 грн
52+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1002N CPC1002N IXYS cpc1002n.pdf Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 700mA; max.60VDC; SMT; SOP4; OptoMOS; -40÷85°C
Type of relay: solid state
Relay variant: current source
Case: SOP4
On-state resistance: 0.55Ω
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 2ms
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 700mA
Switched voltage: max. 60V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.76 грн
14+66.53 грн
37+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1002NTR CPC1002NTR IXYS CPC1002N.pdf Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 700mA; max.60VDC; SMT; SOP4; OptoMOS; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Case: SOP4
On-state resistance: 0.55Ω
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 2ms
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 700mA
Type of relay: solid state
Relay variant: current source
Switched voltage: max. 60V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1006N CPC1006N IXYS CPC1006N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 75mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Case: SOP4
On-state resistance: 10Ω
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 75mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 3089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+99.02 грн
13+71.01 грн
35+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1009N CPC1009N IXYS CPC1009N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 0.5ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.60 грн
10+77.74 грн
13+71.01 грн
35+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS IXKR47N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1403.12 грн
2+1231.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK16-01AS DSSK16-01AS IXYS DSSK16-01A.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 8Ax2; reel,tape; 90W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 90W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK16-01A DSSK16-01A IXYS DSSK16-01A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 8Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.65V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Power dissipation: 90W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA IXYS IXA60IF1200NA.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 290W
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: XPT™
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2617.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120 IXYS IXDN75N120.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B
Power dissipation: 660W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 190A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC19N60C5 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3 IXGA20N120A3 IXYS IXG_20N120A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.04 грн
3+315.44 грн
8+298.25 грн
100+287.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3 IXGA20N120B3 IXYS IXGA(P)20N120B3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ140N20X3 IXFQ140N20X3 IXYS IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+787.29 грн
2+586.79 грн
5+554.64 грн
30+542.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2 IXFH22N65X2 IXYS IXF_22N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.94 грн
4+270.60 грн
9+255.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2 IXFP22N65X2 IXYS IXF_22N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+375.94 грн
4+228.74 грн
11+216.78 грн
100+207.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2M IXFP22N65X2M IXYS IXFP22N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+350.98 грн
5+189.12 грн
13+178.65 грн
100+174.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS IXGR48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1307.32 грн
2+823.00 грн
3+778.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4 IXYS IXXH40N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.74 грн
3+342.36 грн
4+272.84 грн
9+257.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1 IXXH40N65B4D1 IXYS IXXH40N65B4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4H1 IXXH40N65B4H1 IXYS IXXH40N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 207ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65C4D1 IXXH40N65C4D1 IXYS IXXH40N65C4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 215A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 68nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3 IXFA16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.20 грн
10+158.47 грн
50+153.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N60P3 IXFH16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO247-3
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.97 грн
5+211.54 грн
12+200.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP76N15T2 IXFP76N15T2 IXYS IXFA(H,P)76N15T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns
Reverse recovery time: 69ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+342.12 грн
5+207.06 грн
12+195.84 грн
250+188.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDH20N120 IXDH20N120 IXYS IXDH20N120_IXDH20N120D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.98 грн
3+318.44 грн
8+301.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK20N120P IXFK20N120P IXYS IXF_20N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P IXFN20N120P IXYS IXFN20N120P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1114.12 грн
3+998.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR20N120P IXFR20N120P IXYS IXFR20N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1740.41 грн
2+1527.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX20N120P IXFX20N120P IXYS IXF_20N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1509.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 IXYS IXG_20N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+634.34 грн
3+328.15 грн
8+310.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS IXG_20N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+565.92 грн
4+254.15 грн
10+240.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR32N90B2D1 IXGR32N90B2D1.pdf
IXGR32N90B2D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 22A; 160W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: HiPerFAST™; PT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 22A
Power dissipation: 160W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 42ns
Turn-off time: 690ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427MTR IX4426-27-28.pdf
IX4427MTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: DFN8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Supply voltage: 4.5...30V
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+132.82 грн
10+78.11 грн
20+43.80 грн
55+41.41 грн
500+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1230N CPC1230N.pdf
CPC1230N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: SOP4
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 30Ω
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+62.79 грн
17+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1230NTR CPC1230N.pdf
CPC1230NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: SOP4
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 30Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1231N CPC1231N.pdf
CPC1231N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: SOP4
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NC
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 30Ω
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.85 грн
10+100.91 грн
11+86.71 грн
28+82.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1231NTR CPC1231N.pdf
CPC1231NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: SOP4
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NC
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 30Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI60-12A DSEI60-12A.pdf
DSEI60-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 52A; tube; Ifsm: 500A; TO247-2; 189W
Case: TO247-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 52A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 0.5kA
Power dissipation: 189W
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: FRED
Mounting: THT
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.10 грн
3+358.05 грн
7+338.62 грн
30+328.15 грн
120+325.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA710 littelfuse-integrated-circuits-lca710-datasheet?assetguid=c3811d33-57ae-4a3d-b8d6-f328a7772467
LCA710
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1000mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 0.25ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+367.08 грн
4+220.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LCA710R LCA710.pdf
LCA710R
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1000mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 0.25ms
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LCA710RTR LCA710.pdf
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1000mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 0.25ms
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LCA710S littelfuse-integrated-circuits-lca710-datasheet?assetguid=c3811d33-57ae-4a3d-b8d6-f328a7772467
LCA710S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1000mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 0.25ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+564.30 грн
4+231.72 грн
11+220.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA710STR LCA710.pdf
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1000mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 0.25ms
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170 IXBH(t)24N170.pdf
IXBT24N170
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Case: TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1755.70 грн
2+1541.34 грн
10+1519.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10P IXFH(T)140N10P.pdf
IXFH140N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+621.46 грн
3+413.37 грн
6+390.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N10P IXFH(T)140N10P.pdf
IXFT140N10P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.70 грн
10+216.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ140N10P IXTQ140N10P-DTE.pdf
IXTQ140N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 120ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N10P IXTQ140N10P-DTE.pdf
IXTT140N10P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 120ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3714CTR CPC3714.pdf
CPC3714CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.24A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.50 грн
10+50.76 грн
29+31.02 грн
79+29.30 грн
1000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80P IXTA(P)4N80P.pdf
IXTA4N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P IXTA(P)4N80P.pdf
IXTP4N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.34 грн
10+94.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH4N250C DS100320(IXGH-GT4N250C).pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 57nC
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 13A
Pulsed collector current: 8A
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK64N250 IXBK(X)64N250.pdf
IXBK64N250
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 400nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 397ns
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA44N25X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=d4d53a59-e025-4cd0-9ea6-9898c3e6cbeb&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_44n25x3_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: SMD
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO263
Reverse recovery time: 87ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1020N cpc1020n.pdf
CPC1020N
Виробник: IXYS
Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 1200mA; max.30VDC; max.30VAC; SMT; SOP4; 0.25Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1.2A
Switched voltage: max. 30V AC; max. 30V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: current source
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+355.81 грн
6+152.49 грн
16+144.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200HB CLA50E1200HB.pdf
CLA50E1200HB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50mA; TO247AD; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50mA
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.65kA
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+427.46 грн
4+267.60 грн
10+247.42 грн
30+242.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TUB CLA50E1200TC.pdf
CLA50E1200TC-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50/80mA; D3PAK; SMD; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50/80mA
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 555A
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+592.48 грн
3+396.18 грн
7+374.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD162-16io1 MCD162-16io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
MCD162-16io1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.03V; Ifsm: 6kA
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 181A
Case: Y4-M6
Max. forward voltage: 1.03V
Max. forward impulse current: 6kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Max. load current: 300A
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Threshold on-voltage: 0.88V
Gate current: 150/200mA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4223.03 грн
6+3860.84 грн
12+3770.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1001N 1
CPC1001N
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; 1.5kV; SOP4
Case: SOP4
Turn-on time: 1µs
Turn-off time: 30µs
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 1.5kV
CTR@If: 100-800%@0.2mA
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.96 грн
10+71.01 грн
19+46.72 грн
52+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1002N cpc1002n.pdf
CPC1002N
Виробник: IXYS
Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 700mA; max.60VDC; SMT; SOP4; OptoMOS; -40÷85°C
Type of relay: solid state
Relay variant: current source
Case: SOP4
On-state resistance: 0.55Ω
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 2ms
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 700mA
Switched voltage: max. 60V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.76 грн
14+66.53 грн
37+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1002NTR CPC1002N.pdf
CPC1002NTR
Виробник: IXYS
Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 700mA; max.60VDC; SMT; SOP4; OptoMOS; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Case: SOP4
On-state resistance: 0.55Ω
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 2ms
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 700mA
Type of relay: solid state
Relay variant: current source
Switched voltage: max. 60V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1006N CPC1006N.pdf
CPC1006N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 75mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Case: SOP4
On-state resistance: 10Ω
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 75mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 3089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+99.02 грн
13+71.01 грн
35+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1009N CPC1009N.pdf
CPC1009N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 0.5ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.60 грн
10+77.74 грн
13+71.01 грн
35+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5.pdf
IXKR47N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1403.12 грн
2+1231.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK16-01AS DSSK16-01A.pdf
DSSK16-01AS
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 8Ax2; reel,tape; 90W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 90W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK16-01A DSSK16-01A.pdf
DSSK16-01A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 8Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.65V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Power dissipation: 90W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA.pdf
IXA60IF1200NA
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 290W
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: XPT™
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2617.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120.pdf
IXDN75N120
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B
Power dissipation: 660W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 190A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC19N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3 IXG_20N120A3.pdf
IXGA20N120A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+586.04 грн
3+315.44 грн
8+298.25 грн
100+287.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3 IXGA(P)20N120B3.pdf
IXGA20N120B3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ140N20X3 IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFQ140N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+787.29 грн
2+586.79 грн
5+554.64 грн
30+542.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2 IXF_22N65X2.pdf
IXFH22N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.94 грн
4+270.60 грн
9+255.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2 IXF_22N65X2.pdf
IXFP22N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+375.94 грн
4+228.74 грн
11+216.78 грн
100+207.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2M IXFP22N65X2M.pdf
IXFP22N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+350.98 грн
5+189.12 грн
13+178.65 грн
100+174.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1.pdf
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1307.32 грн
2+823.00 грн
3+778.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4.pdf
IXXH40N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+409.74 грн
3+342.36 грн
4+272.84 грн
9+257.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1 IXXH40N65B4D1.pdf
IXXH40N65B4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4H1 IXXH40N65B4H1.pdf
IXXH40N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 207ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65C4D1 IXXH40N65C4D1.pdf
IXXH40N65C4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 215A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 68nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFA16N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.20 грн
10+158.47 грн
50+153.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFH16N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO247-3
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFP16N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.97 грн
5+211.54 грн
12+200.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP76N15T2 IXFA(H,P)76N15T2.pdf
IXFP76N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns
Reverse recovery time: 69ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+342.12 грн
5+207.06 грн
12+195.84 грн
250+188.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDH20N120 IXDH20N120_IXDH20N120D1.pdf
IXDH20N120
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.98 грн
3+318.44 грн
8+301.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK20N120P IXF_20N120P.pdf
IXFK20N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P IXFN20N120P.pdf
IXFN20N120P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1114.12 грн
3+998.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR20N120P IXFR20N120P.pdf
IXFR20N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1740.41 грн
2+1527.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX20N120P IXF_20N120P.pdf
IXFX20N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1509.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3 IXG_20N120A3.pdf
IXGH20N120A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+634.34 грн
3+328.15 грн
8+310.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3 IXG_20N120A3.pdf
IXGP20N120A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+565.92 грн
4+254.15 грн
10+240.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 273 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]