Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18009) > Сторінка 276 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 281 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DSS16-0045AS-TUB IXYS DSS16-0045A.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3 IXFA20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.38 грн
3+184.63 грн
10+171.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.16 грн
4+238.45 грн
11+225.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP20N50P3M IXFP20N50P3M IXYS IXFP20N50P3M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 58W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.84 грн
4+228.74 грн
11+216.78 грн
120+216.03 грн
270+207.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+133.63 грн
10+104.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+194.00 грн
10+96.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC40N60C IXYS description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKF40N60SCD1 IXKF40N60SCD1 IXYS IXKF40N60SCD1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 41A; ISOPLUS i4-pac™ x024a
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 41A
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN40N60C IXKN40N60C IXYS IXKN40N60C.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Reverse recovery time: 650ns
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR40N60C IXKR40N60C IXYS IXKR40N60C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Reverse recovery time: 650ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008N CPC1008N IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Case: SOP4
On-state resistance: 8Ω
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.27 грн
12+74.00 грн
33+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008NTR CPC1008NTR IXYS CPC1008N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100P IXFA5N100P IXYS IXFA(H,P)5N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33.4nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P IXFP5N100P IXYS IXFA(H,P)5N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.4nC
Power dissipation: 250W
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+354.20 грн
5+208.55 грн
12+197.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017N CPC1017N IXYS cpc1017n.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Case: SOP4
On-state resistance: 16Ω
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.46 грн
20+45.60 грн
54+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017NTR CPC1017NTR IXYS CPC1017N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 60V DC; max. 600V AC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS IXXH30N60B3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+436.31 грн
3+364.78 грн
4+290.78 грн
9+275.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 IXYS IXBH16N170_IXBT16N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 940ns
Turn-on time: 220ns
Pulsed collector current: 120A
Kind of package: tube
Collector current: 16A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 72nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+741.40 грн
2+642.85 грн
3+621.17 грн
4+607.72 грн
10+599.50 грн
30+583.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170A IXBH16N170A IXYS IXBH(T)16N170A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 370ns
Turn-on time: 43ns
Pulsed collector current: 40A
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1035N CPC1035N IXYS cpc1035n.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+192.40 грн
11+84.47 грн
29+79.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1035NTR CPC1035NTR IXYS CPC1035N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90P20P IXTK90P20P IXYS IXTK90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1212.33 грн
3+1064.44 грн
10+1048.00 грн
25+1023.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427N IX4427N IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+120.75 грн
10+73.11 грн
23+39.54 грн
62+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427NTR IX4427NTR IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.50 грн
10+53.45 грн
24+38.05 грн
64+35.95 грн
500+35.13 грн
1000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3D1 IXGH48N60A3D1 IXYS IXGH48N60A3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120A3 IXGX120N120A3 IXYS IXGK(x)120N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120B3 IXGX120N120B3 IXYS IXGK(x)120N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N60A3 IXGX120N60A3 IXYS IXGX120N60A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 830ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10P IXFK250N10P IXYS IXFK(X)250N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1345.96 грн
2+1181.80 грн
3+1181.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P IXFH24N90P IXYS IXF_24N90P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+780.04 грн
3+710.12 грн
4+687.70 грн
10+660.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N90P IXFR24N90P IXYS IXFR24N90P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate charge: 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT24N90P IXFT24N90P IXYS IXF_24N90P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+994.18 грн
2+786.37 грн
4+743.76 грн
120+716.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3 IXYH24N90C3 IXYS IXYH24N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 240W
Gate charge: 40nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1 IXYH24N90C3D1 IXYS IXYH24N90C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 200W
Gate charge: 40nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXYS IXGH(T)40N120A2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: PT
Turn-off time: 2.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS IXGH40N120B2D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; PT
Turn-off time: 770ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3 IXGH40N120C3 IXYS IXGH40N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; PT
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS IXGH40N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; PT
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3 IXYH40N120B3 IXYS IXYH40N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS IXYH40N120B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS IXYH40N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Pulsed collector current: 175A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1 IXYH40N120C3D1 IXYS IXYH40N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90P IXFH12N90P IXYS IXFH(V)12N90P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
On-state resistance: 1Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X IXTA20N65X IXYS IXTA(H,P)20N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X2 IXTA20N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: 22A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+363.06 грн
3+303.48 грн
4+241.44 грн
10+227.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X IXTH20N65X IXYS IXTA(H,P)20N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+695.52 грн
3+432.80 грн
6+409.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2 IXTH20N65X2 IXYS IXTA(H,P)20N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X IXTP20N65X IXYS IXTA(H,P)20N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X2 IXTP20N65X2 IXYS IXTA(H,P)20N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS IXYH50N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+735.77 грн
2+489.61 грн
5+462.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100P IXFH15N100P IXYS IXFH15N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+848.47 грн
2+561.37 грн
5+530.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3 IXFH15N100Q3 IXYS IXF_15N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3 IXYS IXFR15N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1168.06 грн
3+1025.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 IXTP80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+528.88 грн
3+350.58 грн
7+331.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P IXFA7N80P IXYS IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.44 грн
6+147.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P IXFP7N80P IXYS IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.34 грн
8+121.10 грн
20+114.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2 IXTQ460P2 IXYS IXTQ460P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 48nC
Technology: Polar2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO3P
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+436.31 грн
4+278.07 грн
9+263.12 грн
120+252.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1907B CPC1907B IXYS CPC1907B.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 6000mA; max.60VAC
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 60mΩ
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 1ms
Body dimensions: 21.08x16.76x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 5kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 6A
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Case: SO8
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+630.32 грн
4+280.31 грн
9+264.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+396.86 грн
3+331.89 грн
4+264.62 грн
10+249.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-0045AS-TUB DSS16-0045A.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFA20N50P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.38 грн
3+184.63 грн
10+171.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFH20N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.16 грн
4+238.45 грн
11+225.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP20N50P3M IXFP20N50P3M.pdf
IXFP20N50P3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 58W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFQ20N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+425.84 грн
4+228.74 грн
11+216.78 грн
120+216.03 грн
270+207.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.63 грн
10+104.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+194.00 грн
10+96.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC40N60C description
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKF40N60SCD1 IXKF40N60SCD1.pdf
IXKF40N60SCD1
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 41A; ISOPLUS i4-pac™ x024a
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 41A
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN40N60C IXKN40N60C.pdf
IXKN40N60C
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Reverse recovery time: 650ns
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR40N60C IXKR40N60C.pdf
IXKR40N60C
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Reverse recovery time: 650ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008N littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476
CPC1008N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Case: SOP4
On-state resistance: 8Ω
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.27 грн
12+74.00 грн
33+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008NTR CPC1008N.pdf
CPC1008NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100P IXFA(H,P)5N100P.pdf
IXFA5N100P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33.4nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P IXFA(H,P)5N100P.pdf
IXFP5N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.4nC
Power dissipation: 250W
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+354.20 грн
5+208.55 грн
12+197.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017N cpc1017n.pdf
CPC1017N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Case: SOP4
On-state resistance: 16Ω
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.46 грн
20+45.60 грн
54+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017NTR CPC1017N.pdf
CPC1017NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 60V DC; max. 600V AC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3-DTE.pdf
IXXH30N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.31 грн
3+364.78 грн
4+290.78 грн
9+275.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170_IXBT16N170.pdf
IXBH16N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 940ns
Turn-on time: 220ns
Pulsed collector current: 120A
Kind of package: tube
Collector current: 16A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 72nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+741.40 грн
2+642.85 грн
3+621.17 грн
4+607.72 грн
10+599.50 грн
30+583.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170A IXBH(T)16N170A.pdf
IXBH16N170A
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 370ns
Turn-on time: 43ns
Pulsed collector current: 40A
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1035N cpc1035n.pdf
CPC1035N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+192.40 грн
11+84.47 грн
29+79.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1035NTR CPC1035N.pdf
CPC1035NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90P20P IXTK90P20P.pdf
IXTK90P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1212.33 грн
3+1064.44 грн
10+1048.00 грн
25+1023.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427N IX4426-27-28.pdf
IX4427N
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+120.75 грн
10+73.11 грн
23+39.54 грн
62+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427NTR IX4426-27-28.pdf
IX4427NTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.50 грн
10+53.45 грн
24+38.05 грн
64+35.95 грн
500+35.13 грн
1000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3D1 IXGH48N60A3D1.pdf
IXGH48N60A3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120A3 IXGK(x)120N120A3.pdf
IXGX120N120A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120B3 IXGK(x)120N120B3.pdf
IXGX120N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N60A3 IXGX120N60A3.pdf
IXGX120N60A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 830ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10P IXFK(X)250N10P.pdf
IXFK250N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1345.96 грн
2+1181.80 грн
3+1181.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P IXF_24N90P.pdf
IXFH24N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+780.04 грн
3+710.12 грн
4+687.70 грн
10+660.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N90P IXFR24N90P.pdf
IXFR24N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate charge: 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT24N90P IXF_24N90P.pdf
IXFT24N90P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+994.18 грн
2+786.37 грн
4+743.76 грн
120+716.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3 IXYH24N90C3.pdf
IXYH24N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 240W
Gate charge: 40nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1 IXYH24N90C3D1.pdf
IXYH24N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 200W
Gate charge: 40nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 IXGH(T)40N120A2.pdf
IXGH40N120A2
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: PT
Turn-off time: 2.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1.pdf
IXGH40N120B2D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; PT
Turn-off time: 770ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3 IXGH40N120C3.pdf
IXGH40N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; PT
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1.pdf
IXGH40N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; PT
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3 IXYH40N120B3.pdf
IXYH40N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1.pdf
IXYH40N120B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3.pdf
IXYH40N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Pulsed collector current: 175A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1 IXYH40N120C3D1.pdf
IXYH40N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90P IXFH(V)12N90P_S.pdf
IXFH12N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
On-state resistance: 1Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X IXTA(H,P)20N65X.pdf
IXTA20N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTA20N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: 22A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+363.06 грн
3+303.48 грн
4+241.44 грн
10+227.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X IXTA(H,P)20N65X.pdf
IXTH20N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+695.52 грн
3+432.80 грн
6+409.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2 IXTA(H,P)20N65X2.pdf
IXTH20N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X IXTA(H,P)20N65X.pdf
IXTP20N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X2 IXTA(H,P)20N65X2.pdf
IXTP20N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+735.77 грн
2+489.61 грн
5+462.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100P IXFH15N100P.pdf
IXFH15N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+848.47 грн
2+561.37 грн
5+530.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3 IXF_15N100Q3.pdf
IXFH15N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3.pdf
IXFR15N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1168.06 грн
3+1025.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTP80N075L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.88 грн
3+350.58 грн
7+331.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf
IXFA7N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.44 грн
6+147.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf
IXFP7N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.34 грн
8+121.10 грн
20+114.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2 IXTQ460P2.pdf
IXTQ460P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 48nC
Technology: Polar2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO3P
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.31 грн
4+278.07 грн
9+263.12 грн
120+252.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1907B CPC1907B.pdf
CPC1907B
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 6000mA; max.60VAC
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 60mΩ
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 1ms
Body dimensions: 21.08x16.76x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 5kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 6A
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Case: SO8
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+630.32 грн
4+280.31 грн
9+264.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+396.86 грн
3+331.89 грн
4+264.62 грн
10+249.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 281 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]