Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MKI65-06A7T | IXYS | MKI65-06A7T IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MKI75-06A7 | IXYS | MKI75-06A7 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MKI75-06A7T | IXYS | MKI75-06A7T IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() +1 |
MMIX1F132N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 63A Case: SMPD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 267nC Reverse recovery time: 250ns Pulsed drain current: 330A Power dissipation: 520W Technology: HiPerFET™; Polar3™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
MMIX1F160N30T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A Mounting: SMD Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™ Polarisation: unipolar Gate charge: 367nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 20mΩ Kind of channel: enhancement Case: SMPD Drain current: 102A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 570W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 300V Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
MMIX1F180N25T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() +1 |
MMIX1F210N30P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 108A Pulsed drain current: 550A Power dissipation: 520W Case: SMPD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 268nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
MMIX1F230N20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMIX1F360N15T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
MMIX1F40N110P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.1kV Drain current: 24A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 500W Case: SMPD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 310nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
MMIX1F420N10T | IXYS | MMIX1F420N10T SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMIX1F44N100Q3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
MMIX1F520N075T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMIX1G120N120A3V1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT Power dissipation: 400W Case: SMPD Mounting: SMD Gate charge: 420nC Kind of package: tube Collector current: 105A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 700A Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 105ns Turn-off time: 1365ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMIX1G320N60B3 | IXYS | MMIX1G320N60B3 SMD IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMIX1H60N150V1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() +1 |
MMIX1T550N055T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W Type of transistor: N-MOSFET Technology: GigaMOS™; TrenchT2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 550A Pulsed drain current: 2kA Power dissipation: 830W Case: SMPD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 595nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 100ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() +1 |
MMIX1T600N04T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 40V; 600A; Idm: 2kA; 830W Case: SMPD Kind of channel: enhancement Technology: GigaMOS™; TrenchT2™ Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 100ns Gate charge: 590nC On-state resistance: 1.3mΩ Drain current: 600A Power dissipation: 830W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 2kA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
MMIX1X100N60B3H1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMIX1X200N60B3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMIX1X200N60B3H1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMIX1X340N65B4 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMIX1Y100N120C3H1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMIX2F60N50P3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
MMIX4B22N300 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMIX4G20N250 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMJX1H40N150 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMO110-12IO7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMO110-14IO7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMO140-12IO7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMO140-16IO7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMO175-12IO7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMO175-16IO7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMO230-12IO7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMO230-16IO7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
MMO62-12IO6 | IXYS |
![]() Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V Electrical mounting: screw Case: SOT227B Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: opposing Type of semiconductor module: thyristor Gate current: 100mA Max. forward voltage: 1.29V Load current: 30A Max. forward impulse current: 0.4kA Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
MMO62-16IO6 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMO74-12IO6 | IXYS |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
MMO74-16IO6 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMO90-12io6 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMO90-14IO6 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MMO90-16io6 | IXYS |
![]() |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
MPK95-06DA | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MUBW10-06A6K | IXYS | MUBW10-06A6K IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MUBW10-06A7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MUBW10-12A7 | IXYS | MUBW10-12A7 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MUBW100-06A8 | IXYS | MUBW100-06A8 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MUBW15-06A6K | IXYS | MUBW15-06A6K IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MUBW15-06A7 | IXYS | MUBW15-06A7 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MUBW15-12A7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MUBW15-12T7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MUBW20-06A6K | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MUBW25-06A6K | IXYS | MUBW25-06A6K IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MUBW25-12A7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MUBW30-06A7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MUBW30-12A6K | IXYS | MUBW30-12A6K IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MUBW35-06A6K | IXYS | MUBW35-06A6K IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MUBW35-12A8 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MUBW50-06A8 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A Application: motors Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Power dissipation: 250W Max. off-state voltage: 0.6kV Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Semiconductor structure: diode/transistor Case: E3-Pack Technology: NPT Type of semiconductor module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
MUBW50-12A8 | IXYS | MUBW50-12A8 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
MKI65-06A7T |
Виробник: IXYS
MKI65-06A7T IGBT modules
MKI65-06A7T IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MKI75-06A7T |
Виробник: IXYS
MKI75-06A7T IGBT modules
MKI75-06A7T IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1F132N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 63A
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 267nC
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 520W
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 63A
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 267nC
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 520W
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3455.24 грн |
10+ | 3203.31 грн |
MMIX1F160N30T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A
Mounting: SMD
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 367nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 20mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: SMPD
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 570W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A
Mounting: SMD
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 367nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 20mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: SMPD
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 570W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3224.55 грн |
10+ | 2989.76 грн |
MMIX1F180N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1F180N25T SMD N channel transistors
MMIX1F180N25T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1F210N30P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 520W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 520W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3416.28 грн |
10+ | 3171.67 грн |
20+ | 3050.40 грн |
MMIX1F230N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1F230N20T SMD N channel transistors
MMIX1F230N20T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1F360N15T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1F360N15T2 SMD N channel transistors
MMIX1F360N15T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1F40N110P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4357.50 грн |
10+ | 4041.71 грн |
20+ | 3890.11 грн |
MMIX1F420N10T |
Виробник: IXYS
MMIX1F420N10T SMD N channel transistors
MMIX1F420N10T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1F44N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1F44N100Q3 SMD N channel transistors
MMIX1F44N100Q3 SMD N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3882.50 грн |
MMIX1F520N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1F520N075T2 SMD N channel transistors
MMIX1F520N075T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1G120N120A3V1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Mounting: SMD
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector current: 105A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Mounting: SMD
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector current: 105A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1G320N60B3 |
Виробник: IXYS
MMIX1G320N60B3 SMD IGBT transistors
MMIX1G320N60B3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1H60N150V1 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1H60N150V1 SMD/THT thyristors
MMIX1H60N150V1 SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1T550N055T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Pulsed drain current: 2kA
Power dissipation: 830W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 595nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Pulsed drain current: 2kA
Power dissipation: 830W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 595nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3339.38 грн |
10+ | 3100.49 грн |
20+ | 2981.85 грн |
MMIX1T600N04T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 40V; 600A; Idm: 2kA; 830W
Case: SMPD
Kind of channel: enhancement
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 590nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 2kA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 40V; 600A; Idm: 2kA; 830W
Case: SMPD
Kind of channel: enhancement
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 590nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 2kA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2789.83 грн |
2+ | 2543.86 грн |
20+ | 2379.20 грн |
MMIX1X100N60B3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1X100N60B3H1 SMD IGBT transistors
MMIX1X100N60B3H1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1X200N60B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1X200N60B3 SMD IGBT transistors
MMIX1X200N60B3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1X200N60B3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1X200N60B3H1 SMD IGBT transistors
MMIX1X200N60B3H1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1X340N65B4 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1X340N65B4 SMD IGBT transistors
MMIX1X340N65B4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1Y100N120C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1Y100N120C3H1 SMD IGBT transistors
MMIX1Y100N120C3H1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX2F60N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX2F60N50P3 Multi channel transistors
MMIX2F60N50P3 Multi channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2828.57 грн |
MMIX4B22N300 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX4B22N300 SMD IGBT transistors
MMIX4B22N300 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX4G20N250 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX4G20N250 SMD IGBT transistors
MMIX4G20N250 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMJX1H40N150 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMJX1H40N150 SMD/THT thyristors
MMJX1H40N150 SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO110-12IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO110-12IO7 Thyristor modules
MMO110-12IO7 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO110-14IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO110-14IO7 Thyristor modules
MMO110-14IO7 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO140-12IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO140-12IO7 Thyristor modules
MMO140-12IO7 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO140-16IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO140-16IO7 Thyristor modules
MMO140-16IO7 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO175-12IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO175-12IO7 Thyristor modules
MMO175-12IO7 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO175-16IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO175-16IO7 Thyristor modules
MMO175-16IO7 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO230-12IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO230-12IO7 Thyristor modules
MMO230-12IO7 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO230-16IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO230-16IO7 Thyristor modules
MMO230-16IO7 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO62-12IO6 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Electrical mounting: screw
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: opposing
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 100mA
Max. forward voltage: 1.29V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Electrical mounting: screw
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: opposing
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 100mA
Max. forward voltage: 1.29V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2220.79 грн |
MMO62-16IO6 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO62-16IO6 Thyristor modules
MMO62-16IO6 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO74-12IO6 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO74-12IO6 Thyristor modules
MMO74-12IO6 Thyristor modules
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2454.41 грн |
2+ | 2320.17 грн |
MMO74-16IO6 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO74-16IO6 Thyristor modules
MMO74-16IO6 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO90-12io6 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO90-12IO6 Thyristor modules
MMO90-12IO6 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO90-14IO6 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO90-14IO6 Thyristor modules
MMO90-14IO6 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO90-16io6 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO90-16IO6 Thyristor modules
MMO90-16IO6 Thyristor modules
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2526.76 грн |
2+ | 2388.72 грн |
MPK95-06DA |
![]() |
Виробник: IXYS
MPK95-06DA Diode modules
MPK95-06DA Diode modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW10-06A6K |
Виробник: IXYS
MUBW10-06A6K IGBT modules
MUBW10-06A6K IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW10-06A7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MUBW10-06A7 IGBT modules
MUBW10-06A7 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW10-12A7 |
Виробник: IXYS
MUBW10-12A7 IGBT modules
MUBW10-12A7 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW100-06A8 |
Виробник: IXYS
MUBW100-06A8 IGBT modules
MUBW100-06A8 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW15-06A6K |
Виробник: IXYS
MUBW15-06A6K IGBT modules
MUBW15-06A6K IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW15-06A7 |
Виробник: IXYS
MUBW15-06A7 IGBT modules
MUBW15-06A7 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW15-12A7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MUBW15-12A7 IGBT modules
MUBW15-12A7 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW15-12T7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MUBW15-12T7 IGBT modules
MUBW15-12T7 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW20-06A6K |
![]() |
Виробник: IXYS
MUBW20-06A6K IGBT modules
MUBW20-06A6K IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW25-06A6K |
Виробник: IXYS
MUBW25-06A6K IGBT modules
MUBW25-06A6K IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW25-12A7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MUBW25-12A7 IGBT modules
MUBW25-12A7 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW30-06A7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MUBW30-06A7 IGBT modules
MUBW30-06A7 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW30-12A6K |
Виробник: IXYS
MUBW30-12A6K IGBT modules
MUBW30-12A6K IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW35-06A6K |
Виробник: IXYS
MUBW35-06A6K IGBT modules
MUBW35-06A6K IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW35-12A8 |
![]() |
Виробник: IXYS
MUBW35-12A8 IGBT modules
MUBW35-12A8 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW50-06A8 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 250W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E3-Pack
Technology: NPT
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 250W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E3-Pack
Technology: NPT
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW50-12A8 |
Виробник: IXYS
MUBW50-12A8 IGBT modules
MUBW50-12A8 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.