Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18009) > Сторінка 279 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGP20N120B3 IXGP20N120B3 IXYS IXGA(P)20N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+556.26 грн
4+254.15 грн
10+240.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV IXYA20N120C3HV IXYS IXY_20N120C3_HV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3 IXYH20N120C3 IXYS IXYH(P)20N120C3_HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 IXYS IXYH20N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+651.24 грн
2+560.62 грн
5+529.98 грн
30+524.00 грн
120+509.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYJ20N120C3D1 IXYS IXYJ20N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3 IXYP20N120C3 IXYS IXYH(P)20N120C3_HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT20N120C3D1HV IXYT20N120C3D1HV IXYS IXYT20N120C3D1HV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 17A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMA10IM1200UZ-TUB DMA10IM1200UZ-TUB IXYS DMA10IM1200UZ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 10A; TO252AA; Ufmax: 1.21V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.21V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Power dissipation: 100W
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.74 грн
25+72.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1390G CPC1390G IXYS CPC1390.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 140mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 140mA
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 22Ω
Mounting: THT
Case: DIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.66 грн
9+98.67 грн
25+93.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1390GR CPC1390GR IXYS cpc1390.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 140mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 140mA
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 22Ω
Mounting: SMT
Case: DIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.86 грн
9+98.67 грн
25+93.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1390GV CPC1390GV IXYS CPC1390.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 140mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 140mA
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 22Ω
Mounting: THT
Case: DIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.42 грн
9+101.66 грн
24+96.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+994.18 грн
3+880.56 грн
10+849.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.72 грн
5+208.55 грн
12+197.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+581.21 грн
3+402.16 грн
7+380.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1 IXXN110N65B4H1 IXYS IXXN110N65B4H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 650A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1 IXXN110N65C4H1 IXYS IXXN110N65C4H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 470A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1 IXYS IXXR110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 490A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1 IXXX110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+737.38 грн
2+491.11 грн
3+490.36 грн
5+464.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS IXT_30N60L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
Reverse recovery time: 710ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2 IXTT30N60L2 IXYS IXT_30N60L2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Gate charge: 335nC
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 710ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60P IXTT30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 IXYS IXXH30N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 37nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 166ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3M IXXQ30N60B3M IXYS IXXQ30N60B3M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 292ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX55N50 IXFX55N50 IXYS IXFX50N50_IXFX55N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 55A; 520W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Power dissipation: 520W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2 IXTA15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+664.93 грн
2+454.48 грн
6+429.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 IXTP15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426MTR IX4426MTR IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: DFN8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...30V
Kind of output: inverting
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.24 грн
10+67.95 грн
21+43.80 грн
57+41.41 грн
500+40.66 грн
1000+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N25P IXFH100N25P IXYS IXFH100N25P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3 IXFH100N30X3 IXYS IXF_100N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1055.36 грн
2+705.64 грн
4+666.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2 IXFK100N65X2 IXYS IXFK(X)100N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1015.91 грн
3+891.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25P IXTK100N25P IXYS IXTK100N25P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+984.52 грн
2+618.18 грн
4+584.54 грн
10+583.80 грн
100+568.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60C3 IXXH100N60C3 IXYS IXXH100N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 95s
Turn-off time: 0.22µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP260N055T2 IXTP260N055T2 IXYS IXTA(P)260N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+430.68 грн
3+360.30 грн
4+286.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS IXF_48N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+994.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS IXGA(P,H)48N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+345.34 грн
3+288.54 грн
4+239.20 грн
11+225.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 IXGH48N60A3 IXYS IXGA(P,H)48N60A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS IXGH48N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1088.36 грн
3+973.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS IXGH48N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.84 грн
3+417.10 грн
6+393.93 грн
25+389.45 грн
30+383.47 грн
90+378.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS IXGH48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+759.12 грн
3+435.04 грн
6+411.12 грн
120+408.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 IXGP48N60A3 IXYS IXGA(P,H)48N60A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1117N CPC1117N IXYS cpc1117n.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.86 грн
10+59.80 грн
100+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MMO62-12IO6 MMO62-12IO6 IXYS MMo62-12io6-DTE.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.29V
Load current: 30A
Semiconductor structure: opposing
Gate current: 100mA
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1918.32 грн
2+1684.12 грн
30+1669.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12A DSP8-12A IXYS DSP8-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; 100W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.34 грн
9+108.39 грн
23+102.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12AS-TRL DSP8-12AS-TRL IXYS DSP8-12AS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120kA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120kA
Power dissipation: 100W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.52 грн
5+175.66 грн
6+157.72 грн
16+148.75 грн
100+147.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12AS-TUB DSP8-12AS-TUB IXYS DSP8-12AS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1945Y CPC1945Y IXYS CPC1945Y.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.120VAC; OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 0.34Ω
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Switching method: zero voltage switching
Max. operating current: 1A
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase
Switched voltage: max. 120V AC
Control current max.: 100mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Case: SIP4
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.50 грн
7+133.80 грн
19+126.33 грн
75+121.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N65A4 IXXN200N65A4 IXYS IXXN200N65A4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX4™; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80P IXFH24N80P IXYS IXFH(K,T)24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS IXFH(K,T)24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+856.52 грн
2+571.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK27N80Q IXFK27N80Q IXYS IXFK(X)27N80Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3 IXFK32N80Q3 IXYS IXFK(X)32N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1589.07 грн
2+1394.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK34N80 IXFK34N80 IXYS IXFK(X)34N80.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS IXFK(X)44N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1171.28 грн
3+1027.81 грн
25+988.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS IXFK(X)44N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1177.72 грн
3+1043.51 грн
10+1007.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MXHV9910B MXHV9910B IXYS MXHV9910.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Output current: 0.28A
Output voltage: 12V
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Input voltage: 8...450V
Frequency: 64kHz
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXHV9910BE IXYS MXHV9910.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; 12V
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8-EP
Output current: 0.28A
Output voltage: 12V
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Input voltage: 8...450V
Frequency: 64kHz
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B3 IXGA(P)20N120B3.pdf
IXGP20N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+556.26 грн
4+254.15 грн
10+240.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV IXY_20N120C3_HV.pdf
IXYA20N120C3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3 IXYH(P)20N120C3_HV.pdf
IXYH20N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1.pdf
IXYH20N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+651.24 грн
2+560.62 грн
5+529.98 грн
30+524.00 грн
120+509.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYJ20N120C3D1 IXYJ20N120C3D1.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3 IXYH(P)20N120C3_HV.pdf
IXYP20N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT20N120C3D1HV IXYT20N120C3D1HV.pdf
IXYT20N120C3D1HV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 17A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMA10IM1200UZ-TUB DMA10IM1200UZ.pdf
DMA10IM1200UZ-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 10A; TO252AA; Ufmax: 1.21V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.21V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Power dissipation: 100W
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.74 грн
25+72.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1390G CPC1390.pdf
CPC1390G
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 140mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 140mA
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 22Ω
Mounting: THT
Case: DIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.66 грн
9+98.67 грн
25+93.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1390GR cpc1390.pdf
CPC1390GR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 140mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 140mA
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 22Ω
Mounting: SMT
Case: DIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.86 грн
9+98.67 грн
25+93.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1390GV CPC1390.pdf
CPC1390GV
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 140mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 140mA
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 22Ω
Mounting: THT
Case: DIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.42 грн
9+101.66 грн
24+96.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+482.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+994.18 грн
3+880.56 грн
10+849.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.72 грн
5+208.55 грн
12+197.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+581.21 грн
3+402.16 грн
7+380.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1 IXXN110N65B4H1.pdf
IXXN110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 650A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1 IXXN110N65C4H1.pdf
IXXN110N65C4H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 470A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1.pdf
IXXR110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 490A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXX110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+737.38 грн
2+491.11 грн
3+490.36 грн
5+464.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 IXT_30N60L2.pdf
IXTQ30N60L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
Reverse recovery time: 710ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTQ30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2 IXT_30N60L2.pdf
IXTT30N60L2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Gate charge: 335nC
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 710ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTT30N60P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1.pdf
IXXH30N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 37nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 166ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3M IXXQ30N60B3M.pdf
IXXQ30N60B3M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 292ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX55N50 IXFX50N50_IXFX55N50.pdf
IXFX55N50
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 55A; 520W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Power dissipation: 520W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTA15N50L2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTH15N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+664.93 грн
2+454.48 грн
6+429.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTP15N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426MTR IX4426-27-28.pdf
IX4426MTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: DFN8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...30V
Kind of output: inverting
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.24 грн
10+67.95 грн
21+43.80 грн
57+41.41 грн
500+40.66 грн
1000+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N25P IXFH100N25P.pdf
IXFH100N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3 IXF_100N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFH100N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1055.36 грн
2+705.64 грн
4+666.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2 IXFK(X)100N65X2.pdf
IXFK100N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1015.91 грн
3+891.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25P IXTK100N25P-DTE.pdf
IXTK100N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+984.52 грн
2+618.18 грн
4+584.54 грн
10+583.80 грн
100+568.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60C3 IXXH100N60C3.pdf
IXXH100N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 95s
Turn-off time: 0.22µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP260N055T2 IXTA(P)260N055T2.pdf
IXTP260N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+430.68 грн
3+360.30 грн
4+286.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXF_48N60P.pdf
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+994.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA(P,H)48N60A3.pdf
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+345.34 грн
3+288.54 грн
4+239.20 грн
11+225.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 IXGA(P,H)48N60A3.pdf
IXGH48N60A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1-DTE.pdf
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1088.36 грн
3+973.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1.pdf
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+520.84 грн
3+417.10 грн
6+393.93 грн
25+389.45 грн
30+383.47 грн
90+378.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1.pdf
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+759.12 грн
3+435.04 грн
6+411.12 грн
120+408.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 IXGA(P,H)48N60A3.pdf
IXGP48N60A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1117N cpc1117n.pdf
CPC1117N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.86 грн
10+59.80 грн
100+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MMO62-12IO6 MMo62-12io6-DTE.pdf
MMO62-12IO6
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.29V
Load current: 30A
Semiconductor structure: opposing
Gate current: 100mA
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1918.32 грн
2+1684.12 грн
30+1669.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12A DSP8-12A.pdf
DSP8-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; 100W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.34 грн
9+108.39 грн
23+102.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12AS-TRL DSP8-12AS.pdf
DSP8-12AS-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120kA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120kA
Power dissipation: 100W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.52 грн
5+175.66 грн
6+157.72 грн
16+148.75 грн
100+147.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12AS-TUB DSP8-12AS.pdf
DSP8-12AS-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1945Y CPC1945Y.pdf
CPC1945Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.120VAC; OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 0.34Ω
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Switching method: zero voltage switching
Max. operating current: 1A
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase
Switched voltage: max. 120V AC
Control current max.: 100mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Case: SIP4
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.50 грн
7+133.80 грн
19+126.33 грн
75+121.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N65A4 IXXN200N65A4.pdf
IXXN200N65A4
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX4™; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80P IXFH(K,T)24N80P.pdf
IXFH24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N80P IXFH(K,T)24N80P.pdf
IXFK24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+856.52 грн
2+571.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK27N80Q IXFK(X)27N80Q.pdf
IXFK27N80Q
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3 IXFK(X)32N80Q3.pdf
IXFK32N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1589.07 грн
2+1394.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK34N80 IXFK(X)34N80.pdf
IXFK34N80
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P IXFK(X)44N80P.pdf
IXFK44N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1171.28 грн
3+1027.81 грн
25+988.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3 IXFK(X)44N80Q3.pdf
IXFK44N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1177.72 грн
3+1043.51 грн
10+1007.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MXHV9910B MXHV9910.pdf
MXHV9910B
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Output current: 0.28A
Output voltage: 12V
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Input voltage: 8...450V
Frequency: 64kHz
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXHV9910BE MXHV9910.pdf
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; 12V
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8-EP
Output current: 0.28A
Output voltage: 12V
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Input voltage: 8...450V
Frequency: 64kHz
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]