Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15705) > Сторінка 90 з 262

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 104 130 156 182 208 234 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DSP8-08S-TUB DSP8-08S-TUB IXYS DSP8-08S.pdf Description: DIODE ARRAY GP 800V 8A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2R4N120P-TRL IXTA2R4N120P-TRL IXYS Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2-TRL IXTA70N075T2-TRL IXYS Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXA30RG1200DHG-TRR IXYS IXA30RG1200DHGLB.pdf Description: IGBT PHASELEG 1200V 43A SMPD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXA30RG1200DHG-TUB IXYS IXA30RG1200DHGLB.pdf Description: IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA65P1800TA MCMA65P1800TA IXYS Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fMCMA65P1800TA.pdf Description: SCR MODULE 1.8KV 65A TO240AA
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2763.79 грн
10+2454.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-12N1B MDD95-12N1B IXYS MDD95-12N1B.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 120A TO240AA
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-22N1B MDD95-22N1B IXYS MDD95-22N1B.pdf Description: DIODE MODULE 2.2KV 120A TO240AA
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-18N1B MDD95-18N1B IXYS MDD95-18N1B.pdf Description: DIODE MODULE 1.8KV 120A TO240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 mA @ 1800 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3316.54 грн
10+2980.05 грн
100+2587.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-14N1B MDD95-14N1B IXYS MDD95-14N1B.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 120A TO240AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-08N1B MDD95-08N1B IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=C739CD69-01DF-4C28-9717-59284F453676&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MDD95-08N1B-Datasheet Description: DIODE MOD GP 800V 120A TO-240AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 mA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-20N1B MDD95-20N1B IXYS MDD95-20N1B.pdf Description: DIODE MODULE 2KV 120A TO240AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5 IXYS IXYP60N65A5.pdf Description: IGBT PT 650V 134A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.52 грн
50+225.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTM5N100 IXYS Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTM5N100A IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=F7DB4069-B88F-41BF-AFEC-9BE33ADDE318&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-5N100A-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TRL CLA50E1200TC-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA50E1200TC-Datasheet?assetguid=0a7ad2bc-21e4-400c-913e-65dfcb8907e4 Description: SCR 1.2KV 79A TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Hold (Ih) (Max): 75 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 550A, 595A
Current - On State (It (AV)) (Max): 50 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 50 µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 79 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+314.28 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TRL CLA50E1200TC-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA50E1200TC-Datasheet?assetguid=0a7ad2bc-21e4-400c-913e-65dfcb8907e4 Description: SCR 1.2KV 79A TO-268AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Hold (Ih) (Max): 75 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 550A, 595A
Current - On State (It (AV)) (Max): 50 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 50 µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 79 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+692.23 грн
10+457.72 грн
100+370.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3 IXFA220N06T3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_220n06t3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1Y82N120C3H1 IXYS Description: DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PZ-TRL CLA20EF1200PZ-TRL IXYS Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCLA20EF1200PZ.pdf Description: SCR 1.2KV 35A TO263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PB CLA20EF1200PB IXYS Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCLA20EF1200PB.pdf Description: SCR 1.2KV 35MA TO220
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PZ-TUB CLA20EF1200PZ-TUB IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA20EF1200PZ-Datasheet?assetguid=b4d6e4f0-e5db-4d08-b024-c6def3ffd29e Description: SCR 1.2KV 35A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 25 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 20 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A, 130A
Current - On State (It (AV)) (Max): 20 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.4 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 35 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+334.56 грн
50+165.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXG70IF1200NA IXYS Description: IGBT MODULE - OTHERS SMPD-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C150PC-TUB DSA30C150PC-TUB IXYS Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5 IXYH120N65A5 IXYS IXYH120N65A5.pdf Description: IGBT PT 650V 290A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/370ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 790 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+816.30 грн
30+469.64 грн
120+400.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C150PC-TRL DSA30C150PC-TRL IXYS Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C200PC-TRL DSA30C200PC-TRL IXYS Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C45PC-TUB DSA30C45PC-TUB IXYS Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C200PC-TUB DSA30C200PC-TUB IXYS Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA15IM200UC-TRL DSA15IM200UC-TRL IXYS Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSA15IM200UC-Datasheet?assetguid=E11AB165-7251-4394-9B12-0D46B7E1EDBF Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 67pF @ 24V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA15IM200UC-TRL DSA15IM200UC-TRL IXYS Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSA15IM200UC-Datasheet?assetguid=E11AB165-7251-4394-9B12-0D46B7E1EDBF Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 67pF @ 24V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT14N300HV IXBT14N300HV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-14n300hv-datasheet?assetguid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c Description: IGBT 3000V 38A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3372.16 грн
30+2271.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH90N65A5 IXYH90N65A5 IXYS IXYH90N65A5.pdf Description: IGBT PT 650V 220A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/420ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 650 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MEK350-02DA MEK350-02DA IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MEK350-02DA-Datasheet?assetguid=f9a4636c-ad4d-45f1-8e3a-908cfe229687 Description: DIODE MODULE GP 200V 356A Y4-M6
Packaging: Bulk
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 356A
Supplier Device Package: Y4-M6
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 260 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5204.13 грн
12+3871.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXT100N75B4HV IXYS Description: IGBT DISCRETE TO-268HV
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDA95-22N1B MDA95-22N1B IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=441D64ED-A6F7-4150-8AEA-B5FCDAD504FD&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MDA95-22N1B-Datasheet Description: DIODE MOD GP 2200V 120A TO240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 2200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DCG20C1200HR IXYS Description: POWER DIODE DISC-SCHOTTKY ISOPLU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD56-16N1B MDD56-16N1B IXYS MDD56-16N1B.pdf Description: DIODE MOD GP 1.6KV 95A TO240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.48 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 1600 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2495.97 грн
10+2135.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA10P1200UZ-TRL DMA10P1200UZ-TRL IXYS Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fDMA10P1200UZ.pdf Description: POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100-TRL IXYS Description: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4 IXYS Description: IGBT DISCRETE TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4 IXYS Description: IGBT DISCRETE TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/140ns
Switching Energy: 5.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 680 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA30N65C3HV IXXA30N65C3HV IXYS Description: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C300PC-TRL DPG30C300PC-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG30C300PC-Datasheet?assetguid=A6D00945-3547-4C51-A033-F4148B459A51 Description: DIODE ARRAY GP 300V 15A TO-263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C300PC-TRL DPG30C300PC-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG30C300PC-Datasheet?assetguid=A6D00945-3547-4C51-A033-F4148B459A51 Description: DIODE ARRAY GP 300V 15A TO-263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C300PC-TUB DPG30C300PC-TUB IXYS Description: DIODE ARRAY GP 300V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N40PA LSIC2SD120N40PA IXYS littelfuse-power-semiconductors-lsic2sd120n40pa-series-datasheet?assetguid=aa1f0fd4-53ef-4907-b3b6-d4310e1c03ce Description: DIODE MOD SIC 1200V 42A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1636.03 грн
10+1136.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N300HV IXYS media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c&amp;filename=littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_14n300hv_datasheet.pdf Description: DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65B3D1 IXYN100N65B3D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=58FFEEED-9B24-40CA-BCD4-EA5864CA8970&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYN100N65B3D1-Datasheet.PDF Description: IGBT MOD 650V 185A 600W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 185 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.74 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGM40N60AL IXYS Description: POWER MOSFET TO-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120B4 IXYS Description: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C4 IXYS Description: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120A4 IXYP30N120A4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-30n120a4-datasheet?assetguid=9fce9f90-2af9-4a75-bf7f-be975fe328f4 Description: IGBT 1200V 106A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/235ns
Switching Energy: 4mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 184 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A3HV IXYS Description: IGBT DISCRETE TO-263HV
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64 Description: IGBT PT 1200V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns
Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA14N300HV IXBA14N300HV IXYS Description: IGBT NPT 3000V 38A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-263
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/166ns
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
W2054NC450 IXYS Description: DIODE STANDARD 4500V 2055A W5
Packaging: Box
Package / Case: DO-200AC, K-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2055A
Supplier Device Package: W5
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 160°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3000 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 4500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M1104NC450 IXYS Description: DIODE STANDARD 4500V 1104A W5
Packaging: Box
Package / Case: DO-200AC, K-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1104A
Supplier Device Package: W5
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 1500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 4500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GWM100-01X1-SLSAM IXYS GWM100-01X1.pdf Description: MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
Packaging: Tube
Package / Case: 17-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS-DIL™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GWM120-0075X1-SLSAM IXYS GWM120-0075X1.pdf Description: MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
Packaging: Tube
Package / Case: 17-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS-DIL™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-08S-TUB DSP8-08S.pdf
DSP8-08S-TUB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 800V 8A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2R4N120P-TRL
IXTA2R4N120P-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2-TRL
IXTA70N075T2-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXA30RG1200DHG-TRR IXA30RG1200DHGLB.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT PHASELEG 1200V 43A SMPD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXA30RG1200DHG-TUB IXA30RG1200DHGLB.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA65P1800TA Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fMCMA65P1800TA.pdf
MCMA65P1800TA
Виробник: IXYS
Description: SCR MODULE 1.8KV 65A TO240AA
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2763.79 грн
10+2454.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-12N1B MDD95-12N1B.pdf
MDD95-12N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.2KV 120A TO240AA
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-22N1B MDD95-22N1B.pdf
MDD95-22N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2.2KV 120A TO240AA
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-18N1B MDD95-18N1B.pdf
MDD95-18N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.8KV 120A TO240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 mA @ 1800 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3316.54 грн
10+2980.05 грн
100+2587.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-14N1B MDD95-14N1B.pdf
MDD95-14N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.4KV 120A TO240AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-08N1B media?resourcetype=datasheets&itemid=C739CD69-01DF-4C28-9717-59284F453676&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MDD95-08N1B-Datasheet
MDD95-08N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD GP 800V 120A TO-240AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 mA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-20N1B MDD95-20N1B.pdf
MDD95-20N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2KV 120A TO240AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5.pdf
IXYP60N65A5
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 134A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.52 грн
50+225.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTM5N100
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTM5N100A media?resourcetype=datasheets&itemid=F7DB4069-B88F-41BF-AFEC-9BE33ADDE318&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-5N100A-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA50E1200TC-Datasheet?assetguid=0a7ad2bc-21e4-400c-913e-65dfcb8907e4
CLA50E1200TC-TRL
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.2KV 79A TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Hold (Ih) (Max): 75 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 550A, 595A
Current - On State (It (AV)) (Max): 50 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 50 µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 79 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+314.28 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA50E1200TC-Datasheet?assetguid=0a7ad2bc-21e4-400c-913e-65dfcb8907e4
CLA50E1200TC-TRL
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.2KV 79A TO-268AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Hold (Ih) (Max): 75 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 550A, 595A
Current - On State (It (AV)) (Max): 50 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 50 µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 79 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+692.23 грн
10+457.72 грн
100+370.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_220n06t3_datasheet.pdf.pdf
IXFA220N06T3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 60V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1Y82N120C3H1
Виробник: IXYS
Description: DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PZ-TRL Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCLA20EF1200PZ.pdf
CLA20EF1200PZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.2KV 35A TO263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PB Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCLA20EF1200PB.pdf
CLA20EF1200PB
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.2KV 35MA TO220
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PZ-TUB Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA20EF1200PZ-Datasheet?assetguid=b4d6e4f0-e5db-4d08-b024-c6def3ffd29e
CLA20EF1200PZ-TUB
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.2KV 35A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 25 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 20 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A, 130A
Current - On State (It (AV)) (Max): 20 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.4 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 35 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+334.56 грн
50+165.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXG70IF1200NA
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE - OTHERS SMPD-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C150PC-TUB
DSA30C150PC-TUB
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5 IXYH120N65A5.pdf
IXYH120N65A5
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 290A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/370ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 790 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+816.30 грн
30+469.64 грн
120+400.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C150PC-TRL
DSA30C150PC-TRL
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C200PC-TRL
DSA30C200PC-TRL
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C45PC-TUB
DSA30C45PC-TUB
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C200PC-TUB
DSA30C200PC-TUB
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA15IM200UC-TRL Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSA15IM200UC-Datasheet?assetguid=E11AB165-7251-4394-9B12-0D46B7E1EDBF
DSA15IM200UC-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 67pF @ 24V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA15IM200UC-TRL Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSA15IM200UC-Datasheet?assetguid=E11AB165-7251-4394-9B12-0D46B7E1EDBF
DSA15IM200UC-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 67pF @ 24V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT14N300HV littelfuse-discrete-igbts-ixb-14n300hv-datasheet?assetguid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c
IXBT14N300HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 38A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3372.16 грн
30+2271.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH90N65A5 IXYH90N65A5.pdf
IXYH90N65A5
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 220A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/420ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 650 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MEK350-02DA Littelfuse-Power-Semiconductors-MEK350-02DA-Datasheet?assetguid=f9a4636c-ad4d-45f1-8e3a-908cfe229687
MEK350-02DA
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE GP 200V 356A Y4-M6
Packaging: Bulk
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 356A
Supplier Device Package: Y4-M6
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 260 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5204.13 грн
12+3871.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXT100N75B4HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT DISCRETE TO-268HV
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDA95-22N1B media?resourcetype=datasheets&itemid=441D64ED-A6F7-4150-8AEA-B5FCDAD504FD&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MDA95-22N1B-Datasheet
MDA95-22N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD GP 2200V 120A TO240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 2200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DCG20C1200HR
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISC-SCHOTTKY ISOPLU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD56-16N1B MDD56-16N1B.pdf
MDD56-16N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD GP 1.6KV 95A TO240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.48 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 1600 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2495.97 грн
10+2135.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA10P1200UZ-TRL Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fDMA10P1200UZ.pdf
DMA10P1200UZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4
Виробник: IXYS
Description: IGBT DISCRETE TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4
Виробник: IXYS
Description: IGBT DISCRETE TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/140ns
Switching Energy: 5.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 680 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA30N65C3HV
IXXA30N65C3HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C300PC-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG30C300PC-Datasheet?assetguid=A6D00945-3547-4C51-A033-F4148B459A51
DPG30C300PC-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 300V 15A TO-263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C300PC-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG30C300PC-Datasheet?assetguid=A6D00945-3547-4C51-A033-F4148B459A51
DPG30C300PC-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 300V 15A TO-263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C300PC-TUB
DPG30C300PC-TUB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 300V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N40PA littelfuse-power-semiconductors-lsic2sd120n40pa-series-datasheet?assetguid=aa1f0fd4-53ef-4907-b3b6-d4310e1c03ce
LSIC2SD120N40PA
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD SIC 1200V 42A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1636.03 грн
10+1136.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N300HV media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c&amp;filename=littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_14n300hv_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Description: DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65B3D1 media?resourcetype=datasheets&itemid=58FFEEED-9B24-40CA-BCD4-EA5864CA8970&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYN100N65B3D1-Datasheet.PDF
IXYN100N65B3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 650V 185A 600W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 185 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.74 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGM40N60AL
Виробник: IXYS
Description: POWER MOSFET TO-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120B4
Виробник: IXYS
Description: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C4
Виробник: IXYS
Description: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120A4 littelfuse-discrete-igbts-ixy-30n120a4-datasheet?assetguid=9fce9f90-2af9-4a75-bf7f-be975fe328f4
IXYP30N120A4
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 106A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/235ns
Switching Energy: 4mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 184 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A3HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT DISCRETE TO-263HV
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120B3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns
Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA14N300HV
IXBA14N300HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT NPT 3000V 38A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-263
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/166ns
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
W2054NC450
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 4500V 2055A W5
Packaging: Box
Package / Case: DO-200AC, K-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2055A
Supplier Device Package: W5
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 160°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3000 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 4500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M1104NC450
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 4500V 1104A W5
Packaging: Box
Package / Case: DO-200AC, K-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1104A
Supplier Device Package: W5
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 1500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 4500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GWM100-01X1-SLSAM GWM100-01X1.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
Packaging: Tube
Package / Case: 17-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS-DIL™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GWM120-0075X1-SLSAM GWM120-0075X1.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
Packaging: Tube
Package / Case: 17-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS-DIL™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 104 130 156 182 208 234 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]