Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18014) > Сторінка 282 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 277 278 279 280 281 282 283 284 285 286 287 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS IXFN180N15P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1611.61 грн
2+1415.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS IXFB150N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1953.74 грн
2+1715.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IX9907N IX9907N IXYS IX9907.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Output current: 1.7A
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 650V DC
Kind of package: tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.48 грн
14+65.03 грн
38+62.04 грн
300+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IX9908N IX9908N IXYS IX9908.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Output current: 1.7A
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 650V DC
Kind of package: tube
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.06 грн
7+62.04 грн
19+49.34 грн
50+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
VUO68-16NO7 VUO68-16NO7 IXYS VUO68-16NO7.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 68A; Ifsm: 300A
Leads: wire Ø 1.5mm
Case: ECO-PAC 1
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 68A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Electrical mounting: THT
Mechanical mounting: screw
Version: module
Type of bridge rectifier: three-phase
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1024.76 грн
3+899.24 грн
25+894.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340N IX4340N IXYS IX4340.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Supply voltage: 5...20V
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.68 грн
10+62.64 грн
21+42.08 грн
58+39.77 грн
500+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340NE IX4340NE IXYS IX4340.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -5÷5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8-EP
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Supply voltage: 5...20V
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+92.58 грн
10+59.58 грн
21+41.86 грн
58+39.54 грн
300+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340NETR IXYS IX4340NE?assetguid=B6D399FA-9C99-4C15-B6C0-B87CEC93F28F Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -5÷5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8-EP
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340NTR IX4340NTR IXYS Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N50D2 IXTT16N50D2 IXYS IXTH(T)16N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 695W
Case: TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200HB CLA100E1200HB IXYS CLA100E1200HB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 80mA; TO247AD; THT; tube
Mounting: THT
Case: TO247AD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 160A
Load current: 100A
Gate current: 80mA
Max. forward impulse current: 1.19kA
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.08 грн
3+358.05 грн
7+338.62 грн
120+325.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200KB CLA100E1200KB IXYS CLA100E1200KB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 80mA; TO264; THT; tube
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Mounting: THT
Case: TO264
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 160A
Load current: 100A
Gate current: 80mA
Max. forward impulse current: 1.19kA
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+592.48 грн
3+438.04 грн
6+414.86 грн
25+407.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP20N85X IXFP20N85X IXYS IXFH(P)20N85X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.43 грн
10+162.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP20N60C5M IXKP20N60C5M IXYS IXKP20N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Reverse recovery time: 340ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X2M IXTP20N65X2M IXYS IXTP20N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 36W; TO220FP; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1 IXYP20N65B3D1 IXYS IXYP20N65B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 108A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 IXYS IXK(H)20N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+483.00 грн
3+322.17 грн
8+304.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20T IXTA60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+334.08 грн
3+278.82 грн
4+222.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.58 грн
4+257.89 грн
10+243.68 грн
50+233.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T IXTQ60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO3P
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.62 грн
5+198.09 грн
13+186.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3 IXYN120N120C3 IXYS IXYN120N120C3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+887.11 грн
2+556.14 грн
5+525.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+924.94 грн
2+614.44 грн
4+580.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3 IXXA50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS IXXH50N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3 IXXH50N60C3 IXYS IXXH50N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 IXYS IXXH50N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3 IXXP50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+685.86 грн
2+456.72 грн
6+431.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3 IXYS IXYN150N60B3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 750A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3 IXYA20N65C3 IXYS IXYA(H)20N65C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1 IXYA20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.28 грн
3+226.49 грн
5+180.90 грн
14+170.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65C3 IXYH20N65C3 IXYS IXYA(H)20N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.48 грн
7+141.28 грн
18+133.80 грн
50+133.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1M IXYP20N65C3D1M IXYS IXYP20N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Collector current: 9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N65X2 IXFK120N65X2 IXYS IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Gate charge: 240nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N65X2 IXFX120N65X2 IXYS IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 220ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N65X2 IXTK120N65X2 IXYS IXT_120N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 505ns
Gate charge: 230nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120N65X2 IXTX120N65X2 IXYS IXT_120N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 505ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426N IX4426N IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+76.48 грн
10+61.82 грн
23+39.54 грн
63+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS IXTK120N25P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+978.88 грн
2+790.11 грн
4+747.50 грн
100+738.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06BR DSEP30-06BR IXYS DSEP30-06BR.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.61V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward impulse current: 250A
Power dissipation: 135W
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Mounting: THT
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.39 грн
3+342.36 грн
8+323.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N80P IXFR24N80P IXYS IXFR24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+963.58 грн
2+639.11 грн
4+604.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX34N80 IXFX34N80 IXYS IXFK(X)34N80.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80P IXFX44N80P IXYS IXFK(X)44N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1966Y CPC1966Y IXYS CPC1966.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 3000mA; max.240VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 3A
Switched voltage: max. 240V AC
Relay variant: 1-phase
Mounting: THT
Case: SIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+372.72 грн
5+204.07 грн
12+193.60 грн
25+192.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1972G CPC1972G IXYS CPC1972.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.800VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Switching method: zero voltage switching
Max. operating current: 250mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase
Switched voltage: max. 800V AC
Control current max.: 50mA
Mounting: THT
Case: DIP6
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.50 грн
10+83.72 грн
13+68.02 грн
36+64.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2 IXTA08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Power dissipation: 60W
Gate charge: 325nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Power dissipation: 60W
Gate charge: 325nC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+186.76 грн
9+109.14 грн
23+103.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100P IXTP08N100P IXYS IXTA(P,Y)08N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 42W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.51 грн
4+123.34 грн
10+97.18 грн
26+91.94 грн
250+90.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP44N25X3 IXFP44N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_44n25x3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: THT
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 87ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT64N25P IXTT64N25P IXYS IXTQ64N25P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 105nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO268
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1394GR CPC1394GR IXYS CPC1394.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 90mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP4
On-state resistance: 40Ω
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 5kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 90mA
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.80 грн
8+114.37 грн
22+108.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1394GV CPC1394GV IXYS CPC1394.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 90mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 90mA
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 40Ω
Mounting: THT
Case: DIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.92 грн
9+108.39 грн
23+102.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3 IXFK78N50P3 IXYS IXFK(X)78N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1032.82 грн
2+700.41 грн
4+662.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK98N50P3 IXFK98N50P3 IXYS IXFK(X)98N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX78N50P3 IXFX78N50P3 IXYS IXFK(X)78N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX98N50P3 IXFX98N50P3 IXYS IXFK(X)98N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1307.32 грн
2+864.11 грн
3+816.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSB15IM45IB DSB15IM45IB IXYS DSB15IM45IB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 15A; TO262; Ufmax: 0.55V; 70W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO262
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 340A
Power dissipation: 70W
Kind of package: tube
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+25.76 грн
17+22.42 грн
18+21.68 грн
109+20.93 грн
250+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P description IXFN180N15P.pdf
IXFN180N15P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1611.61 грн
2+1415.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2.pdf
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1953.74 грн
2+1715.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IX9907N IX9907.pdf
IX9907N
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Output current: 1.7A
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 650V DC
Kind of package: tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.48 грн
14+65.03 грн
38+62.04 грн
300+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IX9908N IX9908.pdf
IX9908N
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Output current: 1.7A
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 650V DC
Kind of package: tube
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.06 грн
7+62.04 грн
19+49.34 грн
50+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
VUO68-16NO7 VUO68-16NO7.pdf
VUO68-16NO7
Виробник: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 68A; Ifsm: 300A
Leads: wire Ø 1.5mm
Case: ECO-PAC 1
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 68A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Electrical mounting: THT
Mechanical mounting: screw
Version: module
Type of bridge rectifier: three-phase
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1024.76 грн
3+899.24 грн
25+894.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340N IX4340.pdf
IX4340N
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Supply voltage: 5...20V
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.68 грн
10+62.64 грн
21+42.08 грн
58+39.77 грн
500+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340NE IX4340.pdf
IX4340NE
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -5÷5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8-EP
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Supply voltage: 5...20V
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.58 грн
10+59.58 грн
21+41.86 грн
58+39.54 грн
300+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340NETR IX4340NE?assetguid=B6D399FA-9C99-4C15-B6C0-B87CEC93F28F
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -5÷5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8-EP
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340NTR
IX4340NTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N50D2 IXTH(T)16N50D2.pdf
IXTT16N50D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 695W
Case: TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200HB CLA100E1200HB.pdf
CLA100E1200HB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 80mA; TO247AD; THT; tube
Mounting: THT
Case: TO247AD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 160A
Load current: 100A
Gate current: 80mA
Max. forward impulse current: 1.19kA
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.08 грн
3+358.05 грн
7+338.62 грн
120+325.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200KB CLA100E1200KB.pdf
CLA100E1200KB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 80mA; TO264; THT; tube
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Mounting: THT
Case: TO264
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 160A
Load current: 100A
Gate current: 80mA
Max. forward impulse current: 1.19kA
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+592.48 грн
3+438.04 грн
6+414.86 грн
25+407.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP20N85X IXFH(P)20N85X.pdf
IXFP20N85X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.43 грн
10+162.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP20N60C5M IXKP20N60C5M.pdf
IXKP20N60C5M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Reverse recovery time: 340ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X2M IXTP20N65X2M.pdf
IXTP20N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 36W; TO220FP; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1 IXYP20N65B3D1.pdf
IXYP20N65B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 108A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH20N60C5 IXK(H)20N60C5.pdf
IXKH20N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+483.00 грн
3+322.17 грн
8+304.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTA60N20T
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+334.08 грн
3+278.82 грн
4+222.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.58 грн
4+257.89 грн
10+243.68 грн
50+233.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTQ60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO3P
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.62 грн
5+198.09 грн
13+186.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3 IXYN120N120C3.pdf
IXYN120N120C3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+887.11 грн
2+556.14 грн
5+525.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+924.94 грн
2+614.44 грн
4+580.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXA50N60B3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXH50N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1.pdf
IXXH50N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3 IXXH50N60C3.pdf
IXXH50N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1.pdf
IXXH50N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXP50N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+685.86 грн
2+456.72 грн
6+431.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3.pdf
IXYN150N60B3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 750A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3 IXYA(H)20N65C3.pdf
IXYA20N65C3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYA20N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.28 грн
3+226.49 грн
5+180.90 грн
14+170.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65C3 IXYA(H)20N65C3.pdf
IXYH20N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYP20N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.48 грн
7+141.28 грн
18+133.80 грн
50+133.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1M IXYP20N65C3D1M.pdf
IXYP20N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Collector current: 9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N65X2 IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf
IXFK120N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Gate charge: 240nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N65X2 IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf
IXFX120N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 220ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N65X2 IXT_120N65X2.pdf
IXTK120N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 505ns
Gate charge: 230nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120N65X2 IXT_120N65X2.pdf
IXTX120N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 505ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426N IX4426-27-28.pdf
IX4426N
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.48 грн
10+61.82 грн
23+39.54 грн
63+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P-DTE.pdf
IXTK120N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+978.88 грн
2+790.11 грн
4+747.50 грн
100+738.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06BR DSEP30-06BR.pdf
DSEP30-06BR
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.61V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward impulse current: 250A
Power dissipation: 135W
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Mounting: THT
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.39 грн
3+342.36 грн
8+323.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N80P IXFR24N80P.pdf
IXFR24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+963.58 грн
2+639.11 грн
4+604.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX34N80 IXFK(X)34N80.pdf
IXFX34N80
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80P IXFK(X)44N80P.pdf
IXFX44N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1966Y CPC1966.pdf
CPC1966Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 3000mA; max.240VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 3A
Switched voltage: max. 240V AC
Relay variant: 1-phase
Mounting: THT
Case: SIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+372.72 грн
5+204.07 грн
12+193.60 грн
25+192.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1972G CPC1972.pdf
CPC1972G
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.800VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Switching method: zero voltage switching
Max. operating current: 250mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase
Switched voltage: max. 800V AC
Control current max.: 50mA
Mounting: THT
Case: DIP6
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.50 грн
10+83.72 грн
13+68.02 грн
36+64.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTA08N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Power dissipation: 60W
Gate charge: 325nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTP08N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Power dissipation: 60W
Gate charge: 325nC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+186.76 грн
9+109.14 грн
23+103.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100P IXTA(P,Y)08N100P.pdf
IXTP08N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 42W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.51 грн
4+123.34 грн
10+97.18 грн
26+91.94 грн
250+90.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP44N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_44n25x3_datasheet.pdf.pdf
IXFP44N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: THT
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 87ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT64N25P IXTQ64N25P-DTE.pdf
IXTT64N25P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 105nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO268
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1394GR CPC1394.pdf
CPC1394GR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 90mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Case: DIP4
On-state resistance: 40Ω
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 5kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 90mA
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.80 грн
8+114.37 грн
22+108.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1394GV CPC1394.pdf
CPC1394GV
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 90mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 90mA
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 40Ω
Mounting: THT
Case: DIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.92 грн
9+108.39 грн
23+102.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3 IXFK(X)78N50P3.pdf
IXFK78N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1032.82 грн
2+700.41 грн
4+662.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK98N50P3 IXFK(X)98N50P3.pdf
IXFK98N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX78N50P3 IXFK(X)78N50P3.pdf
IXFX78N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX98N50P3 IXFK(X)98N50P3.pdf
IXFX98N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1307.32 грн
2+864.11 грн
3+816.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSB15IM45IB DSB15IM45IB.pdf
DSB15IM45IB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 15A; TO262; Ufmax: 0.55V; 70W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO262
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 340A
Power dissipation: 70W
Kind of package: tube
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+25.76 грн
17+22.42 грн
18+21.68 грн
109+20.93 грн
250+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 277 278 279 280 281 282 283 284 285 286 287 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]