Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16524) > Сторінка 275 з 276

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 243 270 271 272 273 274 275 276  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MWI30-06A7 IXYS MWI30-06A7_MWI30-06A7T.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 30A
Power dissipation: 140W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Application: motors
Technology: NPT
Topology: IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI30-06A7T IXYS MWI30-06A7_MWI30-06A7T.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 30A
Power dissipation: 140W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Application: motors
Technology: NPT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEE29-12CC DSEE29-12CC IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=24507e8a-7c41-4bc2-92b1-51550d9eec5c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEE29-12CC-Datasheet Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 200A; ISOPLUS220™
Case: ISOPLUS220™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward voltage: 1.62V
Power dissipation: 165W
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+824.37 грн
3+632.33 грн
10+586.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06B DSEP30-06B IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9922dd98-2752-4f64-b2f8-12debebce6e5&filename=littelfuse-power-semiconductors-dsep30-06b-datasheet Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; TO247-2; 165W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward voltage: 2.51V
Power dissipation: 165W
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 250A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+324.60 грн
3+275.10 грн
10+238.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEK60-06A DSEK60-06A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFEEB0A271688143&compId=DSEK60-06A.pdf?ci_sign=94149bf0d7fcf164a0ecaecd7f42ae47ec172e5d Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30Ax2; tube; Ifsm: 300A; TO247-3; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward voltage: 1.4V
Power dissipation: 125W
Load current: 30A x2
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: FRED
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+385.57 грн
10+347.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06A DSEP30-06A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFEEE99375004143&compId=DSEP30-06A.pdf?ci_sign=c8282cd2e443bb79a372024573e7f8566338ba13 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; TO247-2; 165W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 165W
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 250A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+345.21 грн
10+268.72 грн
30+245.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06BR DSEP30-06BR IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFEEE50238512143&compId=DSEP30-06BR.pdf?ci_sign=8fe33b0a2e535ec1dd571a8e494d41ae71ddc313 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward voltage: 1.61V
Power dissipation: 135W
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 250A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+523.82 грн
10+331.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.14 грн
10+135.56 грн
50+110.04 грн
100+106.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2 IXTP6N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D45948322AD820&compId=IXTA(H%2CP)6N100D2.pdf?ci_sign=ae2f4eab8381be464d1f510c96b6fa260d11e708 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+607.97 грн
5+460.89 грн
10+420.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N100P IXTH3N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28651E56919B820&compId=IXTA(H%2CP)3N100P.pdf?ci_sign=0b0e6af9cebb48da08e75d4a7da1ab33e554d73b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO247-3; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
Gate charge: 36nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.97 грн
10+330.91 грн
30+258.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100P IXTP08N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D9641FC3F820&compId=IXTA(P%2CY)08N100P.pdf?ci_sign=401fa2ad4a14adfb35f84e1f4d1d7ff0a0c5450a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.30 грн
4+129.18 грн
10+103.66 грн
50+94.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.94 грн
5+221.67 грн
10+200.14 грн
25+172.23 грн
50+156.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2 IXTA08N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.03 грн
10+196.16 грн
25+155.49 грн
50+118.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL38N100P IXFL38N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA0D820&compId=IXFL38N100P.pdf?ci_sign=94929944ea010461ba73f32c37d8eedfcfafaddd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 29A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35µC
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 29A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS i5-pac™
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+932.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N100Q3 IXFR24N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B8D820&compId=IXFR24N100Q3.pdf?ci_sign=ca4e72774d87e585c7a699e877221fe57b34009d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2463.67 грн
3+2062.83 грн
10+1817.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED47B1C40012A18&compId=IXFB44N100P.pdf?ci_sign=fe6581ef286df05fe0b0acd958d2ed414c5337a2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 305nC
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1923.53 грн
5+1640.22 грн
25+1511.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100PM IXFP4N100PM IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A284F48771C1F820&compId=IXFP4N100PM.pdf?ci_sign=1ef0c0309d4cc2d6be2edb57ccec12bf05151bb4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 2.1A; Idm: 8A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2-7 IXFA230N075T2-7 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9405C15EB820&compId=IXFA230N075T2-7.pdf?ci_sign=1b2d5f843fc07ea895f6f33fcdd57b9553e3c1a9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 59ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1125N CPC1125N IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4928AF20B60C7&compId=CPC1125N.pdf?ci_sign=37beec7290e33484c75fff726185ce9ab1651de2 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS22-12IO1M CS22-12IO1M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B39BD91F287CDE28&compId=CS22-12IO1M-DTE.pdf?ci_sign=7059b06fb11b31f481f0878b05422bdcb307ce1a Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 30mA; TO220FP; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 16A
Case: TO220FP
Mounting: THT
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30mA
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+207.81 грн
10+159.48 грн
50+121.20 грн
100+111.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CS30-12IO1 CS30-12IO1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A7A1C4E460781E27&compId=CS30-12IO1-DTE.pdf?ci_sign=e71831bbd611d0d403ce659e4ecabb1a51f3954c Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 55mA; TO247AD; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Case: TO247AD
Mounting: THT
Max. load current: 47A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 55mA
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.12 грн
10+258.35 грн
30+254.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA5E1200UC-TRL CLA5E1200UC-TRL IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CF06F8B3A4538BF&compId=CLA5E1200UC.pdf?ci_sign=7886f252147582f7a20d6fad18da76decb7917c7 Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 7.8A; 5A; Igt: 30/50mA; DPAK; SMD; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. load current: 7.8A
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30/50mA
на замовлення 2224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.85 грн
10+129.97 грн
25+127.58 грн
100+118.81 грн
250+113.23 грн
500+101.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200PB CLA30E1200PB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEFEC36F01A38BF&compId=CLA30E1200PB.pdf?ci_sign=d383d2f8fbaa84679fa1f0485503906033c4eae7 Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30/50mA; TO220AB; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. load current: 47A
Max. forward impulse current: 255A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30/50mA
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.81 грн
5+209.71 грн
10+181.01 грн
25+149.91 грн
50+145.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLF20E1200PB CLF20E1200PB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA9952EC35D40C0C7&compId=CLF20E1200PB.pdf?ci_sign=259617a1c258254612c9ab39e81daa6420058592 Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 31A; 20A; Igt: 55mA; TO220AB; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. load current: 31A
Max. forward impulse current: 175A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 55mA
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.78 грн
10+188.18 грн
50+159.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200HB CLA30E1200HB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EFAC10EF225820&compId=CLA30E1200HB.pdf?ci_sign=5ea43205d611045b998b73b0dfda412ae9b80fe1 Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 28mA; TO247AD; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Case: TO247AD
Mounting: THT
Max. load current: 47A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 28mA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLB30I1200PZ-TUB CLB30I1200PZ-TUB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BCB5BF9A635F80C4&compId=CLB30I1200PZ.pdf?ci_sign=a1f9b4639a575365c028e15a3311ad9611b93dcf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30/50mA; TO263ABHV; SMD; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Case: TO263ABHV
Mounting: SMD
Max. load current: 47A
Max. forward impulse current: 255A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30/50mA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.98 грн
3+187.39 грн
10+165.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40E1200HR CLA40E1200HR IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BCB55076DADEE0C4&compId=CLA40E1200HR.pdf?ci_sign=81b17d8fccd5f58e2866df768188a420f4102207 Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 63A; 40A; Igt: 50/80mA; ISO247™; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. load current: 63A
Max. forward impulse current: 555A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 50/80mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+741.08 грн
3+637.11 грн
10+530.26 грн
30+484.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MEK250-12DA IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB87B287EDE20DC&compId=PCN241015_Y4-M6%20screw.pdf?ci_sign=38ad13cc2fd32f04493442be66d282dffeb86793 Category: Diode modules
Description: Module: diode; common cathode; 1.2kV; If: 260A; Y4-M6; Ufmax: 1.54V
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: common cathode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 260A
Case: Y4-M6
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 2.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF97E62CB569820&compId=IXFN64N60P.pdf?ci_sign=5337465655f291d661ef9e1d6e80c564eef352dc description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 96mΩ
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3 IXFX64N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BBFE33F23C1820&compId=IXFK(X)64N60P.pdf?ci_sign=72bec012642347b0204adb069da5fad2f328c04f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR64N60P IXFR64N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC5CF820&compId=IXFR64N60P.pdf?ci_sign=a5ddf5810bd4633ad4f2915f9b84a8516788d93e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 320W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 320W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P IXFX64N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BBFE33F23C1820&compId=IXFK(X)64N60P.pdf?ci_sign=72bec012642347b0204adb069da5fad2f328c04f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60P IXFN82N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C7A165E0998BF&compId=IXFN82N60P.pdf?ci_sign=0609a250046cc3b3184e0f9e8a1cec155172d322 description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 72A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 72A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 75mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Pulsed drain current: 200A
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ22N60P3 IXFQ22N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO3P
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N60P IXTQ22N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987DF99DA4B2358BF&compId=IXTQ22N60P.pdf?ci_sign=a9e8633f155efa548c5fb2c6d491c1d7e8a3fc27 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH42N60P3 IXFH42N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F79820&compId=IXFH42N60P3.pdf?ci_sign=2290d2eee92156c5a1711cfb89d3bcb1b88db4cc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 42A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX2127G IX2127G IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D85F670F3CC58BF&compId=IX2127.pdf?ci_sign=38a8b7c0bf9e260942cd93345172f63defde3c14 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Output current: -500...250mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Case: DIP8
Supply voltage: 9...12V
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IX2127N IX2127N IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D85F670F3CC58BF&compId=IX2127.pdf?ci_sign=38a8b7c0bf9e260942cd93345172f63defde3c14 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Output current: -500...250mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
Supply voltage: 9...12V
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
LBA716S LBA716S IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A4F258929B38BF&compId=lba716.pdf?ci_sign=d45d468b46d147689665005b9ee4dfd3cf1d6094 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 1000mA
Case: DIP8
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.4Ω
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Manufacturer series: OptoMOS
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+544.43 грн
10+473.65 грн
50+383.54 грн
100+364.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N100P IXFP7N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEC13C244BC98BF&compId=IXF_7N100P.pdf?ci_sign=098a71bb06e557089a0d1511de1a94a0bc177181 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA120X200LB-TUB DSA120X200LB-TUB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991C8E21202C2B8BF&compId=DSA120X200LB.pdf?ci_sign=cade504b715789123a9bc4b1a6fe7bb93fd83604 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPD; SMD; 200V; 65Ax2; tube; 185W
Semiconductor structure: double independent
Case: SMPD
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Power dissipation: 185W
Max. forward voltage: 0.67V
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 65A x2
Max. forward impulse current: 700A
Kind of package: tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1387.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P IXFN140N30P IXYS IXFN140N30P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 700W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2523.78 грн
5+2014.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK50-015A DSSK50-015A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991CBA66F9B4258BF&compId=DSSK50-015A.pdf?ci_sign=ab1a501bd233c2ac65940608a5bcbedc2d1e1d8e Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 150V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.68V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 25A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 0.68V
Max. forward impulse current: 0.45kA
Power dissipation: 135W
Kind of package: tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+352.93 грн
3+290.25 грн
10+265.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK50-01A DSSK50-01A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991CBA9C5A1EF58BF&compId=DSSK50-01A.pdf?ci_sign=e9423c14aa2226699a302afb9f9e202d790a5f31 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.65V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 25A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 0.45kA
Power dissipation: 135W
Kind of package: tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+336.62 грн
3+275.89 грн
10+252.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK50-0025B DSSK50-0025B IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991CBA2F7DE4FB8BF&compId=DSSK50-0025B.pdf?ci_sign=58875aab095e22171b444b48bf7e6c2161a9a26d Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 25V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.42V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 25A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 0.42V
Max. forward impulse current: 330A
Power dissipation: 90W
Kind of package: tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.72 грн
10+129.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609YI IXDN609YI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO263-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.55 грн
10+173.83 грн
50+147.52 грн
100+138.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SI IXDN602SI IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D8766598F5858BF&compId=IXD_602.pdf?ci_sign=3e191a16a6efe3cbc7e087c32c0894f7463b8ad4 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SIATR IXDN602SIATR IXYS littelfuse-integrated-circuits-ixd-602-datasheet?assetguid=75d5db43-b768-4a16-b76f-c3313dc04096 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SITR IXYS littelfuse-integrated-circuits-ixd-602-datasheet?assetguid=75d5db43-b768-4a16-b76f-c3313dc04096 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC255-14io1 MCC255-14io1 IXYS MCC255-14io1.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 250A; Y1; Ufmax: 1.36V
Case: Y1
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.36V
Load current: 250A
Max. off-state voltage: 1.4kV
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16152.54 грн
3+13204.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC255-16io1 MCC255-16io1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B99D55E8C6C820C4&compId=MCC255-16IO1.pdf?ci_sign=93ad59242ff7c1ab22df90aad5d7e28db873c9c4 Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 250A; Y1-CU; Ufmax: 1.08V
Case: Y1-CU
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 7.82kA
Load current: 250A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC255-18io1 MCC255-18io1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B9B9E8F0D60680C4&compId=MCC255-18io1.pdf?ci_sign=c0cb79c28dbaf2bf7900eca875739c56fa1974f9 Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 250A; Y1-CU; Ufmax: 1.08V
Case: Y1-CU
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 7.82kA
Load current: 250A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC255-12io1 MCC255-12io1 IXYS MCC255-12io1.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 250A; Y1; Ufmax: 1.36V
Case: Y1
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.36V
Load current: 250A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VHFD16-12IO1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C87224FE0E2F8BF&compId=VHFD16.pdf?ci_sign=5ca0363f707688a2b5876a748a4685cfb7cf995a Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 21A; screw
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 21A
Max. forward impulse current: 130A
Gate current: 50/80mA
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors
Leads dimensions: 2x0.5mm
Features of semiconductor devices: field diodes; freewheelling diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VHFD16-16IO1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA81F6E5B31FD220C4&compId=VHFD16.pdf?ci_sign=810d4c6dfa2d8e79071b45156d6954fd1ad917d1 Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.6kV; If: 21A; Igt: 65mA
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 21A
Max. forward impulse current: 130A
Gate current: 65mA
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors
Leads dimensions: 2x0.5mm
Features of semiconductor devices: field diodes; freewheelling diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2P50PA IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9B97E6B85EF4C0D6&compId=IXTY2P50PA.pdf?ci_sign=bd00d8d990ebc0245900d412c7fbf52ca1c13176 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -2A; Idm: -6A; 58W
Mounting: SMD
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -2A
Gate charge: 11.9nC
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 58W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD1201 PD1201 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49527A98340C7&compId=PD1201.pdf?ci_sign=4796b58c31b7fff3573b515888640bb4399b4c51 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.400VAC; 1-phase
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 400V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Case: DIP4
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+616.56 грн
10+468.06 грн
25+414.64 грн
100+381.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C436477B578BF&compId=IXFN520N075T2.pdf?ci_sign=da0994bc8236c5e5fae595d8fdc5eb075706d345 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 480A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 940W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 545nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY36N20X3 IXFY36N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB6388D34678BF&compId=IXF_36N20X3.pdf?ci_sign=e9a60fb97407140d73df56f3f3d828fbd32fadba pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 75ns
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 176W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO252
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.73 грн
10+236.82 грн
25+200.94 грн
70+184.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MWI30-06A7 MWI30-06A7_MWI30-06A7T.pdf
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 30A
Power dissipation: 140W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Application: motors
Technology: NPT
Topology: IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI30-06A7T MWI30-06A7_MWI30-06A7T.pdf
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 30A
Power dissipation: 140W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Application: motors
Technology: NPT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEE29-12CC media?resourcetype=datasheets&itemid=24507e8a-7c41-4bc2-92b1-51550d9eec5c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEE29-12CC-Datasheet
DSEE29-12CC
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 200A; ISOPLUS220™
Case: ISOPLUS220™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward voltage: 1.62V
Power dissipation: 165W
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+824.37 грн
3+632.33 грн
10+586.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06B media?resourcetype=datasheets&itemid=9922dd98-2752-4f64-b2f8-12debebce6e5&filename=littelfuse-power-semiconductors-dsep30-06b-datasheet
DSEP30-06B
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; TO247-2; 165W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward voltage: 2.51V
Power dissipation: 165W
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 250A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+324.60 грн
3+275.10 грн
10+238.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEK60-06A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFEEB0A271688143&compId=DSEK60-06A.pdf?ci_sign=94149bf0d7fcf164a0ecaecd7f42ae47ec172e5d
DSEK60-06A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30Ax2; tube; Ifsm: 300A; TO247-3; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward voltage: 1.4V
Power dissipation: 125W
Load current: 30A x2
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: FRED
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+385.57 грн
10+347.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFEEE99375004143&compId=DSEP30-06A.pdf?ci_sign=c8282cd2e443bb79a372024573e7f8566338ba13
DSEP30-06A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; TO247-2; 165W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 165W
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 250A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+345.21 грн
10+268.72 грн
30+245.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-06BR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFEEE50238512143&compId=DSEP30-06BR.pdf?ci_sign=8fe33b0a2e535ec1dd571a8e494d41ae71ddc313
DSEP30-06BR
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 250A; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward voltage: 1.61V
Power dissipation: 135W
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 250A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.82 грн
10+331.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47
IXTP08N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.14 грн
10+135.56 грн
50+110.04 грн
100+106.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D45948322AD820&compId=IXTA(H%2CP)6N100D2.pdf?ci_sign=ae2f4eab8381be464d1f510c96b6fa260d11e708
IXTP6N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+607.97 грн
5+460.89 грн
10+420.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28651E56919B820&compId=IXTA(H%2CP)3N100P.pdf?ci_sign=0b0e6af9cebb48da08e75d4a7da1ab33e554d73b
IXTH3N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO247-3; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
Gate charge: 36nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+449.97 грн
10+330.91 грн
30+258.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D9641FC3F820&compId=IXTA(P%2CY)08N100P.pdf?ci_sign=401fa2ad4a14adfb35f84e1f4d1d7ff0a0c5450a
IXTP08N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.30 грн
4+129.18 грн
10+103.66 грн
50+94.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47
IXTY08N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.94 грн
5+221.67 грн
10+200.14 грн
25+172.23 грн
50+156.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47
IXTA08N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.03 грн
10+196.16 грн
25+155.49 грн
50+118.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL38N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA0D820&compId=IXFL38N100P.pdf?ci_sign=94929944ea010461ba73f32c37d8eedfcfafaddd
IXFL38N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 29A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35µC
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 29A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS i5-pac™
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+932.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B8D820&compId=IXFR24N100Q3.pdf?ci_sign=ca4e72774d87e585c7a699e877221fe57b34009d
IXFR24N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2463.67 грн
3+2062.83 грн
10+1817.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED47B1C40012A18&compId=IXFB44N100P.pdf?ci_sign=fe6581ef286df05fe0b0acd958d2ed414c5337a2
IXFB44N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 305nC
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1923.53 грн
5+1640.22 грн
25+1511.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100PM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A284F48771C1F820&compId=IXFP4N100PM.pdf?ci_sign=1ef0c0309d4cc2d6be2edb57ccec12bf05151bb4
IXFP4N100PM
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 2.1A; Idm: 8A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9405C15EB820&compId=IXFA230N075T2-7.pdf?ci_sign=1b2d5f843fc07ea895f6f33fcdd57b9553e3c1a9
IXFA230N075T2-7
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 59ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+504.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1125N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4928AF20B60C7&compId=CPC1125N.pdf?ci_sign=37beec7290e33484c75fff726185ce9ab1651de2
CPC1125N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS22-12IO1M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B39BD91F287CDE28&compId=CS22-12IO1M-DTE.pdf?ci_sign=7059b06fb11b31f481f0878b05422bdcb307ce1a
CS22-12IO1M
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 30mA; TO220FP; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 16A
Case: TO220FP
Mounting: THT
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30mA
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+207.81 грн
10+159.48 грн
50+121.20 грн
100+111.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CS30-12IO1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A7A1C4E460781E27&compId=CS30-12IO1-DTE.pdf?ci_sign=e71831bbd611d0d403ce659e4ecabb1a51f3954c
CS30-12IO1
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 55mA; TO247AD; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Case: TO247AD
Mounting: THT
Max. load current: 47A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 55mA
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.12 грн
10+258.35 грн
30+254.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA5E1200UC-TRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CF06F8B3A4538BF&compId=CLA5E1200UC.pdf?ci_sign=7886f252147582f7a20d6fad18da76decb7917c7
CLA5E1200UC-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 7.8A; 5A; Igt: 30/50mA; DPAK; SMD; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. load current: 7.8A
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30/50mA
на замовлення 2224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.85 грн
10+129.97 грн
25+127.58 грн
100+118.81 грн
250+113.23 грн
500+101.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200PB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEFEC36F01A38BF&compId=CLA30E1200PB.pdf?ci_sign=d383d2f8fbaa84679fa1f0485503906033c4eae7
CLA30E1200PB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30/50mA; TO220AB; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. load current: 47A
Max. forward impulse current: 255A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30/50mA
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.81 грн
5+209.71 грн
10+181.01 грн
25+149.91 грн
50+145.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLF20E1200PB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA9952EC35D40C0C7&compId=CLF20E1200PB.pdf?ci_sign=259617a1c258254612c9ab39e81daa6420058592
CLF20E1200PB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 31A; 20A; Igt: 55mA; TO220AB; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. load current: 31A
Max. forward impulse current: 175A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 55mA
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.78 грн
10+188.18 грн
50+159.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200HB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EFAC10EF225820&compId=CLA30E1200HB.pdf?ci_sign=5ea43205d611045b998b73b0dfda412ae9b80fe1
CLA30E1200HB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 28mA; TO247AD; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Case: TO247AD
Mounting: THT
Max. load current: 47A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 28mA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLB30I1200PZ-TUB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BCB5BF9A635F80C4&compId=CLB30I1200PZ.pdf?ci_sign=a1f9b4639a575365c028e15a3311ad9611b93dcf
CLB30I1200PZ-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30/50mA; TO263ABHV; SMD; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Case: TO263ABHV
Mounting: SMD
Max. load current: 47A
Max. forward impulse current: 255A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30/50mA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.98 грн
3+187.39 грн
10+165.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40E1200HR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BCB55076DADEE0C4&compId=CLA40E1200HR.pdf?ci_sign=81b17d8fccd5f58e2866df768188a420f4102207
CLA40E1200HR
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 63A; 40A; Igt: 50/80mA; ISO247™; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Case: ISO247™
Mounting: THT
Max. load current: 63A
Max. forward impulse current: 555A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 50/80mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+741.08 грн
3+637.11 грн
10+530.26 грн
30+484.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MEK250-12DA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB87B287EDE20DC&compId=PCN241015_Y4-M6%20screw.pdf?ci_sign=38ad13cc2fd32f04493442be66d282dffeb86793
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; common cathode; 1.2kV; If: 260A; Y4-M6; Ufmax: 1.54V
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: common cathode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 260A
Case: Y4-M6
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 2.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF97E62CB569820&compId=IXFN64N60P.pdf?ci_sign=5337465655f291d661ef9e1d6e80c564eef352dc
IXFN64N60P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 96mΩ
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685
IXFX64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BBFE33F23C1820&compId=IXFK(X)64N60P.pdf?ci_sign=72bec012642347b0204adb069da5fad2f328c04f
IXFK64N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR64N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC5CF820&compId=IXFR64N60P.pdf?ci_sign=a5ddf5810bd4633ad4f2915f9b84a8516788d93e
IXFR64N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 320W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 320W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BBFE33F23C1820&compId=IXFK(X)64N60P.pdf?ci_sign=72bec012642347b0204adb069da5fad2f328c04f
IXFX64N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60P description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C7A165E0998BF&compId=IXFN82N60P.pdf?ci_sign=0609a250046cc3b3184e0f9e8a1cec155172d322
IXFN82N60P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 72A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 72A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 75mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Pulsed drain current: 200A
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ22N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e
IXFQ22N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO3P
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987DF99DA4B2358BF&compId=IXTQ22N60P.pdf?ci_sign=a9e8633f155efa548c5fb2c6d491c1d7e8a3fc27
IXTQ22N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH42N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F79820&compId=IXFH42N60P3.pdf?ci_sign=2290d2eee92156c5a1711cfb89d3bcb1b88db4cc
IXFH42N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 42A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX2127G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D85F670F3CC58BF&compId=IX2127.pdf?ci_sign=38a8b7c0bf9e260942cd93345172f63defde3c14
IX2127G
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Output current: -500...250mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Case: DIP8
Supply voltage: 9...12V
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IX2127N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D85F670F3CC58BF&compId=IX2127.pdf?ci_sign=38a8b7c0bf9e260942cd93345172f63defde3c14
IX2127N
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Output current: -500...250mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
Supply voltage: 9...12V
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
LBA716S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A4F258929B38BF&compId=lba716.pdf?ci_sign=d45d468b46d147689665005b9ee4dfd3cf1d6094
LBA716S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 1000mA
Case: DIP8
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.4Ω
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Manufacturer series: OptoMOS
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+544.43 грн
10+473.65 грн
50+383.54 грн
100+364.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEC13C244BC98BF&compId=IXF_7N100P.pdf?ci_sign=098a71bb06e557089a0d1511de1a94a0bc177181
IXFP7N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA120X200LB-TUB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991C8E21202C2B8BF&compId=DSA120X200LB.pdf?ci_sign=cade504b715789123a9bc4b1a6fe7bb93fd83604
DSA120X200LB-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPD; SMD; 200V; 65Ax2; tube; 185W
Semiconductor structure: double independent
Case: SMPD
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Power dissipation: 185W
Max. forward voltage: 0.67V
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 65A x2
Max. forward impulse current: 700A
Kind of package: tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1387.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P description IXFN140N30P.pdf
IXFN140N30P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 700W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2523.78 грн
5+2014.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK50-015A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991CBA66F9B4258BF&compId=DSSK50-015A.pdf?ci_sign=ab1a501bd233c2ac65940608a5bcbedc2d1e1d8e
DSSK50-015A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 150V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.68V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 25A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 0.68V
Max. forward impulse current: 0.45kA
Power dissipation: 135W
Kind of package: tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+352.93 грн
3+290.25 грн
10+265.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK50-01A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991CBA9C5A1EF58BF&compId=DSSK50-01A.pdf?ci_sign=e9423c14aa2226699a302afb9f9e202d790a5f31
DSSK50-01A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.65V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 25A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 0.45kA
Power dissipation: 135W
Kind of package: tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+336.62 грн
3+275.89 грн
10+252.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK50-0025B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991CBA2F7DE4FB8BF&compId=DSSK50-0025B.pdf?ci_sign=58875aab095e22171b444b48bf7e6c2161a9a26d
DSSK50-0025B
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 25V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.42V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 25A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 0.42V
Max. forward impulse current: 330A
Power dissipation: 90W
Kind of package: tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.72 грн
10+129.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609YI IXDD609CI.pdf
IXDN609YI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO263-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.55 грн
10+173.83 грн
50+147.52 грн
100+138.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D8766598F5858BF&compId=IXD_602.pdf?ci_sign=3e191a16a6efe3cbc7e087c32c0894f7463b8ad4
IXDN602SI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SIATR littelfuse-integrated-circuits-ixd-602-datasheet?assetguid=75d5db43-b768-4a16-b76f-c3313dc04096
IXDN602SIATR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SITR littelfuse-integrated-circuits-ixd-602-datasheet?assetguid=75d5db43-b768-4a16-b76f-c3313dc04096
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC255-14io1 MCC255-14io1.pdf
MCC255-14io1
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 250A; Y1; Ufmax: 1.36V
Case: Y1
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.36V
Load current: 250A
Max. off-state voltage: 1.4kV
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16152.54 грн
3+13204.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC255-16io1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B99D55E8C6C820C4&compId=MCC255-16IO1.pdf?ci_sign=93ad59242ff7c1ab22df90aad5d7e28db873c9c4
MCC255-16io1
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 250A; Y1-CU; Ufmax: 1.08V
Case: Y1-CU
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 7.82kA
Load current: 250A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC255-18io1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B9B9E8F0D60680C4&compId=MCC255-18io1.pdf?ci_sign=c0cb79c28dbaf2bf7900eca875739c56fa1974f9
MCC255-18io1
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 250A; Y1-CU; Ufmax: 1.08V
Case: Y1-CU
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 7.82kA
Load current: 250A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC255-12io1 MCC255-12io1.pdf
MCC255-12io1
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 250A; Y1; Ufmax: 1.36V
Case: Y1
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.36V
Load current: 250A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VHFD16-12IO1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C87224FE0E2F8BF&compId=VHFD16.pdf?ci_sign=5ca0363f707688a2b5876a748a4685cfb7cf995a
Виробник: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 21A; screw
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 21A
Max. forward impulse current: 130A
Gate current: 50/80mA
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors
Leads dimensions: 2x0.5mm
Features of semiconductor devices: field diodes; freewheelling diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VHFD16-16IO1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA81F6E5B31FD220C4&compId=VHFD16.pdf?ci_sign=810d4c6dfa2d8e79071b45156d6954fd1ad917d1
Виробник: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.6kV; If: 21A; Igt: 65mA
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 21A
Max. forward impulse current: 130A
Gate current: 65mA
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors
Leads dimensions: 2x0.5mm
Features of semiconductor devices: field diodes; freewheelling diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2P50PA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9B97E6B85EF4C0D6&compId=IXTY2P50PA.pdf?ci_sign=bd00d8d990ebc0245900d412c7fbf52ca1c13176
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -2A; Idm: -6A; 58W
Mounting: SMD
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -2A
Gate charge: 11.9nC
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 58W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD1201 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49527A98340C7&compId=PD1201.pdf?ci_sign=4796b58c31b7fff3573b515888640bb4399b4c51
PD1201
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.400VAC; 1-phase
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 400V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Case: DIP4
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+616.56 грн
10+468.06 грн
25+414.64 грн
100+381.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN520N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C436477B578BF&compId=IXFN520N075T2.pdf?ci_sign=da0994bc8236c5e5fae595d8fdc5eb075706d345
IXFN520N075T2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 480A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 940W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 545nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY36N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB6388D34678BF&compId=IXF_36N20X3.pdf?ci_sign=e9a60fb97407140d73df56f3f3d828fbd32fadba pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFY36N20X3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 75ns
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 176W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO252
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.73 грн
10+236.82 грн
25+200.94 грн
70+184.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 243 270 271 272 273 274 275 276  [ Наступна Сторінка >> ]