Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18014) > Сторінка 284 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 279 280 281 282 283 284 285 286 287 288 289 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA05N100 IXTA05N100 IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV IXTA05N100HV IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.72 грн
3+232.47 грн
5+184.63 грн
14+174.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100 IXTP05N100 IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100P IXTP05N100P IXYS IXTP05N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614CI IXDN614CI IXYS IXDD614CI-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.44 грн
3+246.68 грн
4+239.20 грн
10+229.48 грн
11+225.74 грн
50+221.26 грн
100+217.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614SI IXDN614SI IXYS IXDD614CI-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8-EP
Supply voltage: 4.5...35V
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
Output current: -14...14A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Kind of output: non-inverting
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Mounting: SMD
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.62 грн
5+193.60 грн
13+183.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X101-12A DSEI2X101-12A IXYS DSEI2X101-12A.pdf description Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 91Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.87V
Load current: 91A x2
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 970A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2712.85 грн
100+2421.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X121-02A DSEI2X121-02A IXYS DSEI2x121-02A.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 123Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 123A x2
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 1.3kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2005.26 грн
2+1760.36 грн
10+1704.30 грн
20+1692.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3 IXFN220N20X3 IXYS IXFN220N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 160A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.2mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 390W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 128ns
Gate charge: 204nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2204.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150L IXTX8N150L IXYS IXTK(X)8N150L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 1.7µs
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 3.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2394.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N65X2 IXTP2N65X2 IXYS IXTP(Y)2N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Technology: X2-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS IXTP24N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.90 грн
5+189.12 грн
13+179.40 грн
100+177.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK36N60P IXFK36N60P IXYS IXFH(K,T)36N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.85 грн
3+264.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXYS IXGH36N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 45ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.77 грн
4+253.40 грн
10+239.20 грн
30+230.98 грн
120+230.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3C1 IXGH36N60B3C1 IXYS IXGx36N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 47ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2196.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXFH26N50P IXYS IXFH26N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+511.18 грн
3+356.56 грн
7+337.12 грн
120+334.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3 IXYS IXFH26N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.71 грн
3+362.54 грн
7+342.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-12io1 IXYS MCD132-12io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 300A
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/200mA
Max. forward impulse current: 4.75kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-14io1 IXYS MCD132-14io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. load current: 300A
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/200mA
Max. forward impulse current: 4.75kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-16io1 IXYS MCD132-16IO1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 300A
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/200mA
Max. forward impulse current: 4.75kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-18io1 IXYS MCD132-18io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. load current: 300A
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/200mA
Max. forward impulse current: 4.75kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL82N60P IXFL82N60P IXYS IXFL82N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+879.06 грн
3+776.65 грн
10+746.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA50P1200TA MCMA50P1200TA IXYS PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 50A; TO240AA; Ufmax: 1.48V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.48V
Load current: 50A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 78/200mA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
Case: TO240AA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1862.77 грн
2+1634.78 грн
10+1612.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA50P1600TA IXYS PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 50A; TO240AA; Ufmax: 1.48V
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.48V
Load current: 50A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 78/200mA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
Case: TO240AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDMA50P1200TG IXYS MDMA50P1200TG.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 50A; TO240AA; Ufmax: 1.09V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.09V
Load current: 50A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 850A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: TO240AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDMA50P1600TG IXYS MDMA50P1600TG.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 50A; TO240AA; Ufmax: 1.09V
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.09V
Load current: 50A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 850A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: TO240AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN50N120SK IXFN50N120SK IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=bd339330-b6b9-4c90-b751-d8293a8ae31c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-IXFN50N120SK-Datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 54ns
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5115.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2 IXFA130N10T2 IXYS IXFA(P)130N10T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.1mΩ
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.44 грн
5+210.05 грн
12+198.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T IXFH230N10T IXYS IXFH230N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.7mΩ
Power dissipation: 650W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+638.36 грн
3+402.90 грн
6+381.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP130N10T2 IXFP130N10T2 IXYS IXFA(P)130N10T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.1mΩ
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.26 грн
3+250.41 грн
5+205.56 грн
12+194.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N10T IXTP130N10T IXYS IXTA(P)130N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9.1mΩ
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 104nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 67ns
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3 IXFK150N30P3 IXYS IXFK(X)150N30P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1211.52 грн
3+1063.69 грн
100+1022.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD142-16N1 MDD142-16N1 IXYS MDD142-16N1-DTE.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 165A; Y4-M6; Ufmax: 1.05V
Type of module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 165A
Max. load current: 300A
Case: Y4-M6
Max. forward voltage: 1.05V
Max. forward impulse current: 4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3482.43 грн
12+3109.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30P3 IXFK120N30P3 IXYS IXFK(X)120N30P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609CI IXDD609CI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.92 грн
6+154.73 грн
16+146.51 грн
500+141.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609YI IXDD609YI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO263-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.11 грн
6+165.94 грн
15+156.98 грн
250+151.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1560G CPC1560G IXYS CPC1560.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 300mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: MOSFET
Turn-off time: 400µs
Turn-on time: 0.1ms
On-state resistance: 5.6Ω
Contacts configuration: SPST-NO
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.66 грн
5+182.39 грн
14+172.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ110-12IO7 IXYS VVZ110_VVZ175.pdf Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 110A; PWS-E
Version: module
Leads: connectors 2,8x0,8mm; M6 screws
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 110A
Gate current: 100/200mA
Max. forward impulse current: 1.35kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of bridge rectifier: half-controlled
Case: PWS-E
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 IXYS IXT_50P10.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+802.58 грн
2+531.47 грн
5+502.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXTT50P10 IXYS IXT_50P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO268
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+719.67 грн
2+532.22 грн
5+503.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS IXFP60N25X3M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.32 грн
3+348.34 грн
7+329.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10T IXTN210P10T IXYS IXTN210P10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: -800A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR210P10T IXTR210P10T IXYS IXTR210P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -195A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1937.64 грн
2+1701.31 грн
30+1640.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX210P10T IXTX210P10T IXYS IXTX210P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1798.37 грн
2+1578.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1510G CPC1510G IXYS CPC1510.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 200mA; max.250VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 200mA
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 15Ω
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.08 грн
6+159.96 грн
16+151.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1510GS CPC1510GS IXYS CPC1510.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 200mA; max.250VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 200mA
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+371.91 грн
6+173.42 грн
14+163.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 IXYS IXTN102N65X2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 450ns
Pulsed drain current: 204A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: X2-Class
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-12A DSEC16-12A IXYS DSEC16-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8Ax2; tube; Ifsm: 40A; TO220AB; 60W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 40A
Power dissipation: 60W
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Case: TO220AB
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.94V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 40ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-12AS-TUB IXYS DSEC16-12AS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8Ax2; 40ns; D2PAK; Ufmax: 1.96V; 60W
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Power dissipation: 60W
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.96V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 40ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XBB170 XBB170 IXYS XBB170.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+381.57 грн
4+242.94 грн
11+229.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XBB170P XBB170P IXYS XBB170.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.40 грн
4+243.68 грн
11+230.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P IXTQ120N20P IXYS IXTK120N20P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+772.80 грн
2+575.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190 PLB190 IXYS PLB190.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.52 грн
4+256.39 грн
10+242.94 грн
50+242.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190S PLB190S IXYS PLB190.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.92 грн
4+256.39 грн
10+242.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190STR IXYS PLB190.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P IXTY1N120P IXYS IXTY(A,P)1N120P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO252
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+196.42 грн
5+163.70 грн
7+136.79 грн
18+129.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.44 грн
2+441.77 грн
6+417.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M IXTQ48N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+795.34 грн
2+532.97 грн
5+503.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D IXTP01N100D IXYS IXTP(Y)01N100D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 2ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 80Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.66 грн
3+323.67 грн
8+306.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS IXFA(P,Q)60N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.76 грн
3+375.99 грн
7+355.81 грн
50+349.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100 IXTA(P)05N100_HV.pdf
IXTA05N100
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV IXTA(P)05N100_HV.pdf
IXTA05N100HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.72 грн
3+232.47 грн
5+184.63 грн
14+174.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100 IXTA(P)05N100_HV.pdf
IXTP05N100
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100P IXTP05N100P.pdf
IXTP05N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614CI IXDD614CI-DTE.pdf
IXDN614CI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.44 грн
3+246.68 грн
4+239.20 грн
10+229.48 грн
11+225.74 грн
50+221.26 грн
100+217.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614SI IXDD614CI-DTE.pdf
IXDN614SI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8-EP
Supply voltage: 4.5...35V
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
Output current: -14...14A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Kind of output: non-inverting
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Mounting: SMD
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.62 грн
5+193.60 грн
13+183.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X101-12A description DSEI2X101-12A.pdf
DSEI2X101-12A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 91Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.87V
Load current: 91A x2
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 970A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2712.85 грн
100+2421.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X121-02A DSEI2x121-02A.pdf
DSEI2X121-02A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 123Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 123A x2
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 1.3kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2005.26 грн
2+1760.36 грн
10+1704.30 грн
20+1692.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3 IXFN220N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFN220N20X3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 160A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.2mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 390W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 128ns
Gate charge: 204nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2204.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150L IXTK(X)8N150L.pdf
IXTX8N150L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 1.7µs
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 3.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2394.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N65X2 IXTP(Y)2N65X2.pdf
IXTP2N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Technology: X2-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.90 грн
5+189.12 грн
13+179.40 грн
100+177.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK36N60P IXFH(K,T)36N60P.pdf
IXFK36N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.85 грн
3+264.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3 IXGH36N60B3.pdf
IXGH36N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 45ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.77 грн
4+253.40 грн
10+239.20 грн
30+230.98 грн
120+230.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3C1 IXGx36N60B3C1-DTE.pdf
IXGH36N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 47ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2196.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXFH26N50P.pdf
IXFH26N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.18 грн
3+356.56 грн
7+337.12 грн
120+334.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3.pdf
IXFH26N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.71 грн
3+362.54 грн
7+342.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-12io1 MCD132-12io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 300A
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/200mA
Max. forward impulse current: 4.75kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-14io1 MCD132-14io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. load current: 300A
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/200mA
Max. forward impulse current: 4.75kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-16io1 MCD132-16IO1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 300A
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/200mA
Max. forward impulse current: 4.75kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD132-18io1 MCD132-18io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. load current: 300A
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/200mA
Max. forward impulse current: 4.75kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL82N60P IXFL82N60P.pdf
IXFL82N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+879.06 грн
3+776.65 грн
10+746.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA50P1200TA PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf
MCMA50P1200TA
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 50A; TO240AA; Ufmax: 1.48V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.48V
Load current: 50A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 78/200mA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
Case: TO240AA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1862.77 грн
2+1634.78 грн
10+1612.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA50P1600TA PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 50A; TO240AA; Ufmax: 1.48V
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.48V
Load current: 50A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 78/200mA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
Case: TO240AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDMA50P1200TG MDMA50P1200TG.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 50A; TO240AA; Ufmax: 1.09V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.09V
Load current: 50A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 850A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: TO240AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDMA50P1600TG MDMA50P1600TG.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 50A; TO240AA; Ufmax: 1.09V
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.09V
Load current: 50A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 850A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: TO240AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN50N120SK media?resourcetype=datasheets&itemid=bd339330-b6b9-4c90-b751-d8293a8ae31c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-IXFN50N120SK-Datasheet
IXFN50N120SK
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 54ns
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5115.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2 IXFA(P)130N10T2.pdf
IXFA130N10T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.1mΩ
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.44 грн
5+210.05 грн
12+198.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T IXFH230N10T.pdf
IXFH230N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.7mΩ
Power dissipation: 650W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+638.36 грн
3+402.90 грн
6+381.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP130N10T2 IXFA(P)130N10T2.pdf
IXFP130N10T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.1mΩ
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.26 грн
3+250.41 грн
5+205.56 грн
12+194.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N10T IXTA(P)130N10T.pdf
IXTP130N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9.1mΩ
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 104nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 67ns
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3 IXFK(X)150N30P3.pdf
IXFK150N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1211.52 грн
3+1063.69 грн
100+1022.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD142-16N1 MDD142-16N1-DTE.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
MDD142-16N1
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 165A; Y4-M6; Ufmax: 1.05V
Type of module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 165A
Max. load current: 300A
Case: Y4-M6
Max. forward voltage: 1.05V
Max. forward impulse current: 4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3482.43 грн
12+3109.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30P3 IXFK(X)120N30P3.pdf
IXFK120N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609CI IXDD609CI.pdf
IXDD609CI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.92 грн
6+154.73 грн
16+146.51 грн
500+141.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609YI IXDD609CI.pdf
IXDD609YI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO263-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.11 грн
6+165.94 грн
15+156.98 грн
250+151.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1560G CPC1560.pdf
CPC1560G
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 300mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: MOSFET
Turn-off time: 400µs
Turn-on time: 0.1ms
On-state resistance: 5.6Ω
Contacts configuration: SPST-NO
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.66 грн
5+182.39 грн
14+172.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ110-12IO7 VVZ110_VVZ175.pdf
Виробник: IXYS
Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 110A; PWS-E
Version: module
Leads: connectors 2,8x0,8mm; M6 screws
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 110A
Gate current: 100/200mA
Max. forward impulse current: 1.35kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of bridge rectifier: half-controlled
Case: PWS-E
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXT_50P10.pdf
IXTH50P10
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+802.58 грн
2+531.47 грн
5+502.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXT_50P10.pdf
IXTT50P10
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO268
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+719.67 грн
2+532.22 грн
5+503.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M.pdf
IXFP60N25X3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+469.32 грн
3+348.34 грн
7+329.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10T IXTN210P10T.pdf
IXTN210P10T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: -800A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR210P10T IXTR210P10T.pdf
IXTR210P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -195A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1937.64 грн
2+1701.31 грн
30+1640.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX210P10T IXTX210P10T.pdf
IXTX210P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1798.37 грн
2+1578.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1510G CPC1510.pdf
CPC1510G
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 200mA; max.250VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 200mA
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 15Ω
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.08 грн
6+159.96 грн
16+151.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1510GS CPC1510.pdf
CPC1510GS
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 200mA; max.250VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 200mA
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+371.91 грн
6+173.42 грн
14+163.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2.pdf
IXTN102N65X2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 450ns
Pulsed drain current: 204A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: X2-Class
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-12A DSEC16-12A.pdf
DSEC16-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8Ax2; tube; Ifsm: 40A; TO220AB; 60W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 40A
Power dissipation: 60W
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Case: TO220AB
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.94V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 40ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-12AS-TUB DSEC16-12AS.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8Ax2; 40ns; D2PAK; Ufmax: 1.96V; 60W
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Power dissipation: 60W
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.96V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 40ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XBB170 XBB170.pdf
XBB170
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+381.57 грн
4+242.94 грн
11+229.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XBB170P XBB170.pdf
XBB170P
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.40 грн
4+243.68 грн
11+230.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P IXTK120N20P-DTE.pdf
IXTQ120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+772.80 грн
2+575.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190 PLB190.pdf
PLB190
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.52 грн
4+256.39 грн
10+242.94 грн
50+242.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190S PLB190.pdf
PLB190S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+404.92 грн
4+256.39 грн
10+242.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190STR PLB190.pdf
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P IXTY(A,P)1N120P.pdf
IXTY1N120P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO252
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+196.42 грн
5+163.70 грн
7+136.79 грн
18+129.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ34N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec
IXTQ34N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+650.44 грн
2+441.77 грн
6+417.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M
IXTQ48N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+795.34 грн
2+532.97 грн
5+503.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D IXTP(Y)01N100D.pdf
IXTP01N100D
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 2ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 80Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.66 грн
3+323.67 грн
8+306.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3 IXFA(P,Q)60N25X3.pdf
IXFP60N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.76 грн
3+375.99 грн
7+355.81 грн
50+349.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 279 280 281 282 283 284 285 286 287 288 289 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]