Результат пошуку "nm60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Світлодіод 3мм жовтий 590нм 60 ° (L-934LYD-Kingbright) Код товару: 43043
Додати до обраних
Обраний товар
|
Kingbright |
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра вивідніКолір свічення: жовтий Корпус/ Розміри: 3 mm Тип лінзи: дифузна жовта Падіння напруги: 2,1 V Сила світла/ Світловий потік: 1,5 mcd Кут огляду: 60° Форма: Кругла Довжина хвилі: 590 nm |
у наявності: 4 шт
|
|
||||||||||||||
| NM6002-CS | NEWAVE | 1999 SOP |
на замовлення 619 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NM6038F |
на замовлення 35871 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
4DHDMI-101-1920-1200-CT-NM-600 | 4D Systems |
TFT Displays & Accessories 12.1'' 1280 x 800 500cd/m2 Capacitive Touch Display Module |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB11NM60T4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp |
на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB20NM60T4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB22NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh |
на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB24NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB26NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs POWER MOSFET N-CH 600V |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB34NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB8NM60T4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 Volt 5 Amp |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD10NM60N | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2035 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD10NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 10A |
на замовлення 3653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD13NM60N | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 618 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD13NM60ND | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus |
на замовлення 4046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD3NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II |
на замовлення 2202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD5NM60-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.1A Power dissipation: 96W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Pulsed drain current: 20A |
на замовлення 123 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD5NM60-1 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp |
на замовлення 1997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD5NM60T4 | STMicroelectronics |
N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18 @ 10 В, Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 275 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD5NM60T4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD5NM60T4 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55°C ~ 150°C; STD5NM60T4 TSTD5NM60t4кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD7NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK |
на замовлення 2643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD7NM60N | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60Nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD7NM60N | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60Nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD9NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO |
на замовлення 2141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STE70NM60 | STMicroelectronics |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 600V; 70A; ISOTOP; screw; Idm: 44A; 600W Case: ISOTOP Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 55mΩ Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Drain current: 70A Pulsed drain current: 44A Drain-source voltage: 600V Power dissipation: 600W Type of semiconductor module: MOSFET transistor |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF10NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 155 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF10NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF10NM60N | ST |
N-MOSFET 10A 600V 25W 0.55Ω STF10NM60N TSTF10NM60nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF10NM60ND | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR |
на замовлення 946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF11NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC Pulsed drain current: 40A |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF13NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ || |
на замовлення 191 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF13NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh |
на замовлення 667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF13NM60N | ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF13NM60N TSTF13NM60Nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF13NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF18NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF18NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF22NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF24NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 305 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF24NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh |
на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF26NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 123 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF26NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V 20 A Mdmesh |
на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF34NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 116A |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF7NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen |
на замовлення 568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF7NM60N | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 20W; -55°C ~ 150°C; STF7NM60N TSTF7NM60nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF9NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STI13NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK |
на замовлення 883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL13NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL26NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II |
на замовлення 2092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL3NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS |
на замовлення 2869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Pulsed drain current: 32A |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A |
на замовлення 4159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NM60 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC Pulsed drain current: 44A |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NM60FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 207 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NM60FD | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp |
на замовлення 672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP11NM60FD | ST |
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C; YFW65R380AF; STP11NM60FD-VB; STP11NM60FD TSTP11NM60FDкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP11NM60FDFP | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp |
на замовлення 523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.3A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NM60ND | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600V, 10A FDMesh II |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP13NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ || |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| Світлодіод 3мм жовтий 590нм 60 ° (L-934LYD-Kingbright) Код товару: 43043
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Kingbright
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра вивідні
Колір свічення: жовтий
Корпус/ Розміри: 3 mm
Тип лінзи: дифузна жовта
Падіння напруги: 2,1 V
Сила світла/ Світловий потік: 1,5 mcd
Кут огляду: 60°
Форма: Кругла
Довжина хвилі: 590 nm
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра вивідні
Колір свічення: жовтий
Корпус/ Розміри: 3 mm
Тип лінзи: дифузна жовта
Падіння напруги: 2,1 V
Сила світла/ Світловий потік: 1,5 mcd
Кут огляду: 60°
Форма: Кругла
Довжина хвилі: 590 nm
у наявності: 4 шт
- 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 3.20 грн |
| 100+ | 3.00 грн |
| NM6002-CS |
Виробник: NEWAVE
1999 SOP
1999 SOP
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| 4DHDMI-101-1920-1200-CT-NM-600 |
![]() |
Виробник: 4D Systems
TFT Displays & Accessories 12.1'' 1280 x 800 500cd/m2 Capacitive Touch Display Module
TFT Displays & Accessories 12.1'' 1280 x 800 500cd/m2 Capacitive Touch Display Module
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13658.51 грн |
| 5+ | 12251.63 грн |
| STB11NM60T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 396.74 грн |
| 10+ | 260.18 грн |
| 100+ | 162.00 грн |
| 500+ | 145.24 грн |
| 1000+ | 135.47 грн |
| STB20NM60T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 413.84 грн |
| 10+ | 267.40 грн |
| 100+ | 173.87 грн |
| 500+ | 145.24 грн |
| 1000+ | 131.97 грн |
| 2000+ | 127.09 грн |
| 5000+ | 125.69 грн |
| STB22NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
MOSFETs N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 399.18 грн |
| 10+ | 298.72 грн |
| 100+ | 217.16 грн |
| 500+ | 208.09 грн |
| 1000+ | 196.22 грн |
| STB24NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 535.23 грн |
| 10+ | 357.34 грн |
| 100+ | 226.24 грн |
| 500+ | 216.47 грн |
| 1000+ | 201.10 грн |
| STB26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs POWER MOSFET N-CH 600V
MOSFETs POWER MOSFET N-CH 600V
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 587.37 грн |
| 10+ | 393.48 грн |
| 100+ | 250.68 грн |
| 500+ | 245.79 грн |
| 1000+ | 228.34 грн |
| STB34NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
MOSFETs N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 799.18 грн |
| 10+ | 544.45 грн |
| 100+ | 367.99 грн |
| 1000+ | 343.55 грн |
| STB8NM60T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 Volt 5 Amp
MOSFETs N-Ch 650 Volt 5 Amp
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 321.79 грн |
| 10+ | 145.35 грн |
| 100+ | 104.04 грн |
| 500+ | 99.16 грн |
| STD10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.16 грн |
| 10+ | 97.50 грн |
| 100+ | 91.62 грн |
| 500+ | 86.57 грн |
| 1000+ | 82.37 грн |
| STD10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 10A
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 10A
на замовлення 3653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 257.43 грн |
| 10+ | 150.97 грн |
| 100+ | 101.25 грн |
| 500+ | 87.28 грн |
| 1000+ | 85.19 грн |
| STD13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 221.77 грн |
| 5+ | 168.94 грн |
| 10+ | 151.29 грн |
| 50+ | 115.15 грн |
| 100+ | 104.22 грн |
| 250+ | 91.62 грн |
| 500+ | 84.89 грн |
| STD13NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
MOSFETs N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 368.22 грн |
| 10+ | 184.69 грн |
| 100+ | 131.28 грн |
| STD3NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
MOSFETs N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.23 грн |
| 10+ | 80.14 грн |
| 100+ | 48.39 грн |
| 500+ | 38.34 грн |
| 1000+ | 34.56 грн |
| 2500+ | 30.65 грн |
| 5000+ | 29.47 грн |
| STD5NM60-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 20A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 20A
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 96.85 грн |
| 75+ | 74.81 грн |
| STD5NM60-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 255.80 грн |
| 10+ | 119.65 грн |
| 100+ | 99.16 грн |
| 500+ | 83.79 грн |
| 1000+ | 75.41 грн |
| 3000+ | 74.72 грн |
| STD5NM60T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18 @ 10 В, Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18 @ 10 В, Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 42.83 грн |
| STD5NM60T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 203.66 грн |
| 10+ | 131.69 грн |
| 100+ | 85.19 грн |
| 500+ | 70.53 грн |
| 1000+ | 67.87 грн |
| 2500+ | 63.68 грн |
| STD5NM60T4 |
![]() |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55°C ~ 150°C; STD5NM60T4 TSTD5NM60t4
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55°C ~ 150°C; STD5NM60T4 TSTD5NM60t4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 40.63 грн |
| STD7NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
MOSFETs N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 217.51 грн |
| 10+ | 110.01 грн |
| 100+ | 71.22 грн |
| 500+ | 60.68 грн |
| 1000+ | 59.63 грн |
| STD7NM60N |
![]() |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 54.09 грн |
| STD7NM60N |
![]() |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 54.09 грн |
| STD9NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO
MOSFETs N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 211.00 грн |
| 10+ | 118.85 грн |
| 100+ | 76.81 грн |
| 500+ | 66.69 грн |
| STE70NM60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 70A; ISOTOP; screw; Idm: 44A; 600W
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 600W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 70A; ISOTOP; screw; Idm: 44A; 600W
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 600W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3211.55 грн |
| STF10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 255.26 грн |
| 5+ | 171.47 грн |
| 10+ | 137.84 грн |
| 25+ | 103.38 грн |
| 50+ | 88.25 грн |
| 100+ | 80.69 грн |
| STF10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 272.91 грн |
| 10+ | 157.39 грн |
| 100+ | 122.20 грн |
| 500+ | 104.74 грн |
| 1000+ | 94.27 грн |
| STF10NM60N |
![]() |
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 53.22 грн |
| STF10NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
MOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.11 грн |
| 10+ | 91.54 грн |
| 100+ | 71.22 грн |
| 1000+ | 70.53 грн |
| 2000+ | 66.06 грн |
| STF11NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 40A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 298.71 грн |
| 10+ | 190.80 грн |
| 25+ | 178.19 грн |
| 50+ | 169.78 грн |
| STF13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 162.93 грн |
| 50+ | 101.70 грн |
| STF13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
MOSFETs N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 386.15 грн |
| 10+ | 187.91 грн |
| 100+ | 138.26 грн |
| 500+ | 131.97 грн |
| 1000+ | 125.69 грн |
| STF13NM60N |
![]() |
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF13NM60N TSTF13NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF13NM60N TSTF13NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 88.41 грн |
| STF13NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 295.99 грн |
| 10+ | 168.94 грн |
| 50+ | 156.34 грн |
| 100+ | 150.45 грн |
| STF18NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 210.00 грн |
| 10+ | 131.96 грн |
| STF18NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
MOSFETs N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 269.65 грн |
| 10+ | 134.91 грн |
| 100+ | 105.44 грн |
| 500+ | 86.59 грн |
| 1000+ | 81.70 грн |
| 2000+ | 76.11 грн |
| STF22NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 354.83 грн |
| 10+ | 192.48 грн |
| 50+ | 168.10 грн |
| STF24NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 244.59 грн |
| 10+ | 170.62 грн |
| 25+ | 131.96 грн |
| 50+ | 115.99 грн |
| STF24NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
MOSFETs N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 325.05 грн |
| 10+ | 165.42 грн |
| 100+ | 130.58 грн |
| 500+ | 106.84 грн |
| 1000+ | 104.04 грн |
| STF26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 392.84 грн |
| 10+ | 265.60 грн |
| 15+ | 258.04 грн |
| 50+ | 239.55 грн |
| 100+ | 229.46 грн |
| STF26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V 20 A Mdmesh
MOSFETs N-channel 600 V 20 A Mdmesh
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 502.64 грн |
| 10+ | 297.12 грн |
| 100+ | 229.73 грн |
| 500+ | 222.05 грн |
| STF34NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 299.61 грн |
| 3+ | 262.24 грн |
| 10+ | 238.71 грн |
| 25+ | 221.06 грн |
| STF7NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
MOSFETs N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 234.62 грн |
| 10+ | 127.68 грн |
| 100+ | 92.17 грн |
| 500+ | 83.79 грн |
| STF7NM60N |
![]() |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 20W; -55°C ~ 150°C; STF7NM60N TSTF7NM60n
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 20W; -55°C ~ 150°C; STF7NM60N TSTF7NM60n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 40.19 грн |
| STF9NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
MOSFETs N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 180.85 грн |
| 10+ | 96.36 грн |
| 100+ | 66.69 грн |
| 500+ | 52.65 грн |
| 1000+ | 48.25 грн |
| 2000+ | 43.43 грн |
| 5000+ | 43.36 грн |
| STI13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
MOSFETs N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.03 грн |
| 10+ | 127.68 грн |
| 100+ | 75.41 грн |
| 500+ | 64.24 грн |
| 1000+ | 54.81 грн |
| 2000+ | 53.56 грн |
| 5000+ | 51.60 грн |
| STL13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
MOSFETs N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 259.88 грн |
| 10+ | 167.03 грн |
| 100+ | 101.95 грн |
| 500+ | 85.19 грн |
| 1000+ | 79.60 грн |
| 3000+ | 74.72 грн |
| STL26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II
MOSFETs N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 451.32 грн |
| 10+ | 298.72 грн |
| 100+ | 187.14 грн |
| 500+ | 173.17 грн |
| 1000+ | 152.92 грн |
| STL3NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS
MOSFETs N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.85 грн |
| 10+ | 115.63 грн |
| 100+ | 75.41 грн |
| 500+ | 65.43 грн |
| STP10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 229.01 грн |
| 10+ | 132.80 грн |
| 25+ | 120.19 грн |
| 50+ | 113.47 грн |
| 100+ | 105.91 грн |
| STP10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
на замовлення 4159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 283.50 грн |
| 10+ | 142.13 грн |
| 100+ | 112.42 грн |
| 500+ | 92.17 грн |
| 1000+ | 86.59 грн |
| STP11NM60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 44A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 44A
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 332.20 грн |
| 10+ | 189.96 грн |
| 25+ | 173.15 грн |
| 50+ | 161.38 грн |
| STP11NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 389.22 грн |
| 10+ | 218.53 грн |
| 25+ | 200.88 грн |
| 50+ | 189.12 грн |
| 100+ | 177.35 грн |
| STP11NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 448.88 грн |
| 10+ | 234.48 грн |
| 100+ | 186.44 грн |
| 500+ | 160.60 грн |
| STP11NM60FD |
![]() |
Виробник: ST
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C; YFW65R380AF; STP11NM60FD-VB; STP11NM60FD TSTP11NM60FD
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C; YFW65R380AF; STP11NM60FD-VB; STP11NM60FD TSTP11NM60FD
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 135.56 грн |
| STP11NM60FDFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 478.20 грн |
| 10+ | 234.48 грн |
| 100+ | 178.76 грн |
| 500+ | 173.87 грн |
| STP11NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 253.45 грн |
| 10+ | 124.40 грн |
| STP11NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600V, 10A FDMesh II
MOSFETs N-channel 600V, 10A FDMesh II
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 413.03 грн |
| 10+ | 266.60 грн |
| 100+ | 173.17 грн |
| 500+ | 139.66 грн |
| 1000+ | 124.99 грн |
| STP13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 297.80 грн |
| 10+ | 188.28 грн |
| 25+ | 171.47 грн |
| 50+ | 160.54 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]






















