Результат пошуку "nm60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 313
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 264
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 358
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
Світлодіод 3мм жовтий 590нм 60 ° (L-934LYD-Kingbright) Код товару: 43043
Додати до обраних
Обраний товар
|
Kingbright |
![]() Колір свічення: жовтий Корпус/ Розміри: 3 mm Тип лінзи: дифузна жовта Падіння напруги: 2,1 V Сила світла/ Світловий потік: 1,5 mcd Кут огляду: 60° Форма: Кругла Довжина хвилі: 590 nm |
у наявності: 10 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
NM6002-CS | NEWAVE | 1999 SOP |
на замовлення 619 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NM6038F |
на замовлення 35871 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
d5; ЖОВТИЙ; diff.(матовий); ф5 h9; LY-F5; 588-590nm; 60 °; 500mcd; 1,9-2,1V (шт) |
на замовлення 346 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
d5; ЗЕЛЕНИЙ; diff.(матовий); ф5 h9; LG-F5; 520-525nm; 60 °; 800mcd; 3,0-3,2V (шт) |
на замовлення 5006 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
d5; ЗЕЛЁНЫЙ; diff.(матовый); ф5 h9; L-7083VGD-Z; 535nm; 60°; 1000-2000mcd; KINGBRIGHT (шт) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
d5; ЧЕРВОНИЙ; diff.(матовий); ф5 h9; LH-F5; 620-625nm; 60°; 400-600mcd; 1,9-2,1V (шт) |
на замовлення 2537 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
STB11NM60T4 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB20NM60T4 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB22NM60N | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1032 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB24NM60N | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB34NM60N | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB34NM60ND | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB8NM60T4 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD10NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD10NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2145 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD10NM60N | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD10NM60ND | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD13NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1049 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD13NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1049 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD13NM60N | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 6419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD13NM60ND | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD3NM60N | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD5NM60-1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.1A Power dissipation: 96W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Pulsed drain current: 20A |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD5NM60-1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.1A Power dissipation: 96W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 130 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD5NM60-1 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD5NM60T4 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STD5NM60T4 | ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STD7ANM60N | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD7NM60N | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STD7NM60N | ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STD9NM60N | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STE70NM60 | STMicroelectronics |
![]() ![]() |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF10NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Pulsed drain current: 32A |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF10NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 165 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF10NM60N | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STF10NM60N | ST |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 210 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STF10NM60ND | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF11NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC Pulsed drain current: 40A |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF11NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF13NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF13NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 755 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF13NM60N | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STF13NM60N | ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STF13NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 27nC Pulsed drain current: 44A |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF13NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 27nC Pulsed drain current: 44A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF13NM60ND | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF18NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF18NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF18NM60N | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF22NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF22NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 117 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF24NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF24NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 309 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF24NM60N | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF26NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF26NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 162 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF26NM60N | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF34NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 116A |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF34NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 116A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
Світлодіод 3мм жовтий 590нм 60 ° (L-934LYD-Kingbright) Код товару: 43043
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Kingbright
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра вивідні
Колір свічення: жовтий
Корпус/ Розміри: 3 mm
Тип лінзи: дифузна жовта
Падіння напруги: 2,1 V
Сила світла/ Світловий потік: 1,5 mcd
Кут огляду: 60°
Форма: Кругла
Довжина хвилі: 590 nm
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра вивідні
Колір свічення: жовтий
Корпус/ Розміри: 3 mm
Тип лінзи: дифузна жовта
Падіння напруги: 2,1 V
Сила світла/ Світловий потік: 1,5 mcd
Кут огляду: 60°
Форма: Кругла
Довжина хвилі: 590 nm
у наявності: 10 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 3.40 грн |
10+ | 3.20 грн |
100+ | 3.00 грн |
NM6002-CS |
Виробник: NEWAVE
1999 SOP
1999 SOP
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
d5; ЖОВТИЙ; diff.(матовий); ф5 h9; LY-F5; 588-590nm; 60 °; 500mcd; 1,9-2,1V (шт) |
на замовлення 346 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
313+ | 0.94 грн |
d5; ЗЕЛЕНИЙ; diff.(матовий); ф5 h9; LG-F5; 520-525nm; 60 °; 800mcd; 3,0-3,2V (шт) |
на замовлення 5006 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
264+ | 1.11 грн |
d5; ЗЕЛЁНЫЙ; diff.(матовый); ф5 h9; L-7083VGD-Z; 535nm; 60°; 1000-2000mcd; KINGBRIGHT (шт) |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.93 грн |
d5; ЧЕРВОНИЙ; diff.(матовий); ф5 h9; LH-F5; 620-625nm; 60°; 400-600mcd; 1,9-2,1V (шт) |
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
358+ | 0.82 грн |
STB11NM60T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 405.23 грн |
10+ | 265.71 грн |
100+ | 165.69 грн |
500+ | 158.85 грн |
1000+ | 135.29 грн |
STB20NM60T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 395.48 грн |
1000+ | 146.84 грн |
STB22NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
MOSFETs N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 252.72 грн |
1000+ | 220.26 грн |
STB24NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 513.41 грн |
10+ | 362.73 грн |
100+ | 235.61 грн |
1000+ | 200.65 грн |
STB34NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
MOSFETs N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 749.28 грн |
10+ | 530.55 грн |
100+ | 421.83 грн |
500+ | 421.07 грн |
1000+ | 357.98 грн |
STB34NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch Power Mosfet 600V 0.097 Ohm 29A
MOSFETs N-Ch Power Mosfet 600V 0.097 Ohm 29A
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 832.63 грн |
10+ | 588.24 грн |
100+ | 455.27 грн |
1000+ | 386.10 грн |
STB8NM60T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 Volt 5 Amp
MOSFETs N-Ch 650 Volt 5 Amp
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 121.48 грн |
1000+ | 119.75 грн |
STD10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 90.38 грн |
20+ | 46.71 грн |
55+ | 44.34 грн |
STD10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 108.45 грн |
20+ | 58.21 грн |
55+ | 53.20 грн |
STD10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 10A
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 10A
на замовлення 4207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 110.84 грн |
10+ | 107.51 грн |
100+ | 91.97 грн |
500+ | 91.21 грн |
2500+ | 86.65 грн |
STD10NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
MOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 219.91 грн |
10+ | 140.72 грн |
100+ | 84.37 грн |
500+ | 69.32 грн |
1000+ | 66.66 грн |
2500+ | 58.83 грн |
STD13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 176.49 грн |
10+ | 134.59 грн |
15+ | 64.13 грн |
40+ | 60.96 грн |
STD13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 211.79 грн |
10+ | 167.72 грн |
15+ | 76.95 грн |
40+ | 73.15 грн |
STD13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 6419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 206.61 грн |
10+ | 166.07 грн |
100+ | 109.45 грн |
500+ | 95.77 грн |
2500+ | 81.32 грн |
STD13NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
MOSFETs N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 240.30 грн |
10+ | 152.96 грн |
2500+ | 132.25 грн |
STD3NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
MOSFETs N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
на замовлення 2224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 103.75 грн |
10+ | 77.44 грн |
100+ | 47.43 грн |
500+ | 39.29 грн |
1000+ | 35.72 грн |
2500+ | 31.31 грн |
5000+ | 30.71 грн |
STD5NM60-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 20A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 20A
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 98.90 грн |
18+ | 54.63 грн |
48+ | 51.46 грн |
STD5NM60-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 118.68 грн |
18+ | 68.08 грн |
48+ | 61.75 грн |
STD5NM60-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 116.16 грн |
10+ | 90.03 грн |
100+ | 77.52 грн |
500+ | 76.76 грн |
1000+ | 75.85 грн |
3000+ | 75.62 грн |
STD5NM60T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 86.90 грн |
10+ | 81.90 грн |
100+ | 69.32 грн |
1000+ | 68.63 грн |
2500+ | 63.24 грн |
STD5NM60T4 |
![]() |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55°C ~ 150°C; STD5NM60T4 TSTD5NM60t4
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55°C ~ 150°C; STD5NM60T4 TSTD5NM60t4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 36.56 грн |
STD7ANM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
MOSFETs N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
на замовлення 3559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 148.08 грн |
10+ | 99.64 грн |
100+ | 63.46 грн |
500+ | 50.70 грн |
1000+ | 47.88 грн |
2500+ | 42.03 грн |
5000+ | 41.50 грн |
STD7NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
MOSFETs N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
на замовлення 3308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 140.10 грн |
10+ | 109.26 грн |
100+ | 76.76 грн |
500+ | 64.98 грн |
1000+ | 64.91 грн |
2500+ | 59.66 грн |
STD7NM60N |
![]() |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 36.96 грн |
STD9NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO
MOSFETs N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 80.07 грн |
2500+ | 78.05 грн |
STE70NM60 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 70 Amp
MOSFETs N-Ch 600 Volt 70 Amp
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4465.53 грн |
10+ | 3636.94 грн |
100+ | 2591.76 грн |
STF10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 196.95 грн |
5+ | 143.30 грн |
10+ | 128.26 грн |
18+ | 54.63 грн |
48+ | 51.46 грн |
STF10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 236.35 грн |
5+ | 178.57 грн |
10+ | 153.91 грн |
18+ | 65.55 грн |
48+ | 61.75 грн |
STF10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 294.39 грн |
10+ | 152.09 грн |
100+ | 126.17 грн |
500+ | 120.85 грн |
1000+ | 97.29 грн |
STF10NM60N |
![]() |
на замовлення 210 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 47.91 грн |
STF10NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
MOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 200.40 грн |
10+ | 98.77 грн |
100+ | 77.52 грн |
1000+ | 70.61 грн |
2000+ | 66.66 грн |
STF11NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 40A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 242.14 грн |
10+ | 98.17 грн |
STF11NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 290.57 грн |
10+ | 122.34 грн |
27+ | 111.16 грн |
STF13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 112.55 грн |
12+ | 79.96 грн |
33+ | 76.00 грн |
STF13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 755 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 135.05 грн |
12+ | 99.65 грн |
33+ | 91.21 грн |
STF13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
MOSFETs N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 154.29 грн |
10+ | 149.46 грн |
100+ | 129.21 грн |
STF13NM60N |
![]() |
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF13NM60N TSTF13NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF13NM60N TSTF13NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 79.59 грн |
STF13NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: 44A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: 44A
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 299.27 грн |
10+ | 223.26 грн |
11+ | 84.71 грн |
31+ | 79.96 грн |
STF13NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 359.12 грн |
10+ | 278.22 грн |
11+ | 101.66 грн |
31+ | 95.96 грн |
STF13NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II
MOSFETs N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 228.77 грн |
10+ | 153.83 грн |
100+ | 132.25 грн |
STF18NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 156.88 грн |
10+ | 93.42 грн |
28+ | 88.67 грн |
STF18NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 188.26 грн |
10+ | 116.42 грн |
28+ | 106.41 грн |
STF18NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
MOSFETs N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 250.06 грн |
10+ | 97.89 грн |
100+ | 83.61 грн |
500+ | 82.09 грн |
1000+ | 79.80 грн |
STF22NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 279.66 грн |
9+ | 104.51 грн |
25+ | 98.96 грн |
STF22NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 335.59 грн |
9+ | 130.23 грн |
25+ | 118.76 грн |
STF24NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 276.25 грн |
8+ | 120.34 грн |
10+ | 119.55 грн |
22+ | 113.22 грн |
STF24NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 331.50 грн |
8+ | 149.96 грн |
10+ | 143.46 грн |
22+ | 135.86 грн |
500+ | 131.11 грн |
STF24NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
MOSFETs N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 324.54 грн |
10+ | 166.94 грн |
100+ | 134.53 грн |
500+ | 110.97 грн |
1000+ | 104.89 грн |
STF26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 287.33 грн |
7+ | 150.43 грн |
18+ | 142.51 грн |
STF26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 344.80 грн |
7+ | 187.45 грн |
18+ | 171.01 грн |
STF26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V 20 A Mdmesh
MOSFETs N-channel 600 V 20 A Mdmesh
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 331.63 грн |
10+ | 303.30 грн |
100+ | 253.10 грн |
500+ | 224.97 грн |
1000+ | 224.21 грн |
STF34NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 414.37 грн |
3+ | 346.77 грн |
4+ | 281.85 грн |
10+ | 266.02 грн |
STF34NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 497.25 грн |
3+ | 432.13 грн |
4+ | 338.22 грн |
10+ | 319.22 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]