Результат пошуку "nm60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
Світлодіод 3mm жовтий 590nm 60 ° (L-934LYD-Kingbright) Світлодіод 3mm жовтий 590nm 60 ° (L-934LYD-Kingbright)
Код товару: 43043
Додати до обраних Обраний товар
Kingbright 3004.pdf Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра вивідні
Колір свічення: жовтий
Корпус/ Розміри: 3 мм
Тип лінзи: дифузна жовта
Падіння напруги, В: 2,1 В
Сила світла/ Світловий потік: 1,5 mcd
Кут огляду: 60°
Форма: Кругла
Довжина хвилі / Колірна температура: 590 нм
у наявності: 4 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4+5.00 грн
10+3.20 грн
100+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NM6002-CS NEWAVE 1999 SOP
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NM6038F
на замовлення 35871 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4DHDMI-101-1920-1200-CT-NM-600 4DHDMI-101-1920-1200-CT-NM-600 4D Systems 4DHDMI_Datasheet_R_1_0.pdf TFT Displays & Accessories 12.1'' 1280 x 800 500cd/m2 Capacitive Touch Display Module
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4DLCD-50-800-480-NT-NM-600-R 4D LCD Pty Ltd Description: GRAPHIC DISPLAY TFT RGB 5"
Packaging: Box
Display Type: TFT - Color, IPS (In-Plane Switching)
Display Mode: Transmissive
Backlight: LED
Interface: Parallel, 24-Bit (RGB)
Viewing Area: 108.00mm W x 64.80mm H
Dot Pixels: 800 x 480
Diagonal Screen Size: 5" (127.00mm)
Graphics Color: Red, Green, Blue (RGB)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4385.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4 STB11NM60T4 STMicroelectronics en.CD00005066.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4 STB11NM60T4 STMicroelectronics en.CD00005066.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4 STB11NM60T4 STMicroelectronics en.CD00005066.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.91 грн
10+248.45 грн
100+177.64 грн
500+149.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60N STB13NM60N STMicroelectronics en.DM00073069.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.61 грн
10+280.61 грн
100+202.06 грн
500+174.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60T4 STB20NM60T4 STMicroelectronics en.CD00002505.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NM60N STB22NM60N STMicroelectronics en.CD00237949.pdf MOSFETs N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB24NM60N STB24NM60N STMicroelectronics en.DM00022852.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.99 грн
10+340.93 грн
100+248.37 грн
500+223.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB24NM60N STB24NM60N STMicroelectronics en.DM00022852.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60N STB26NM60N STMicroelectronics en.CD00232934.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+574.82 грн
10+375.95 грн
100+275.44 грн
500+252.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60N STB26NM60N STMicroelectronics en.CD00232934.pdf MOSFETs POWER MOSFET N-CH 600V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60N STB26NM60N STMicroelectronics en.CD00232934.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+228.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM60ND STB28NM60ND STMicroelectronics ST%28B%2CF%2CP%2CW%2928NM60ND_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.26 грн
10+332.95 грн
100+242.22 грн
500+217.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM60ND STB28NM60ND STMicroelectronics ST%28B%2CF%2CP%2CW%2928NM60ND_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+198.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB34NM60N STB34NM60N STMicroelectronics en.CD00279556.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB34NM60N STB34NM60N STMicroelectronics en.CD00279556.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+782.07 грн
10+520.09 грн
100+404.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB7ANM60N STB7ANM60N STMicroelectronics en.DM00058125.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.02 грн
10+101.89 грн
100+69.28 грн
500+51.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NM60T4 STB8NM60T4 STMicroelectronics en.CD00002085.pdf MOSFETs N-Ch 650 Volt 5 Amp
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N STMicroelectronics STD10NM60N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.93 грн
10+113.80 грн
100+93.72 грн
500+87.86 грн
1000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N STMicroelectronics std10nm60n.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.29 грн
10+173.89 грн
100+121.77 грн
500+94.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N STMicroelectronics std10nm60n.pdf MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 10A
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N STMicroelectronics std10nm60n.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60ND STD10NM60ND STMicroelectronics std10nm60nd.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.08 грн
10+122.98 грн
100+84.76 грн
500+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N STMicroelectronics STB13NM60N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+220.78 грн
5+168.19 грн
10+150.62 грн
50+114.64 грн
100+103.76 грн
250+91.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N STMicroelectronics en.DM00073069.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N STMicroelectronics en.DM00073069.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 3402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.11 грн
10+178.79 грн
100+125.37 грн
500+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60ND STD13NM60ND STMicroelectronics STx13NM60ND_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 50 V
на замовлення 9412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.65 грн
10+244.31 грн
100+174.51 грн
500+146.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60ND STD13NM60ND STMicroelectronics STx13NM60ND_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+132.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60ND STD13NM60ND STMicroelectronics STx13NM60ND_DS.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60N STD3NM60N STMicroelectronics en.DM00052307.pdf MOSFETs N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60-1 STD5NM60-1 STMicroelectronics std5nm60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 18nC
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.42 грн
75+74.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60-1 STD5NM60-1 STMicroelectronics en.CD00002085.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STMicroelectronics STD5NM60T4.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18 @ 10 В, Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 STMicroelectronics en.CD00002085.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.45 грн
5000+61.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 STMicroelectronics en.CD00002085.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 6652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.54 грн
10+137.97 грн
100+95.34 грн
500+72.39 грн
1000+69.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 STMicroelectronics en.CD00002085.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 ST en.CD00002085.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55°C ~ 150°C; STD5NM60T4 TSTD5NM60t4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60N STD7NM60N STMicroelectronics en.CD00252114.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.67 грн
5000+58.49 грн
7500+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60N STD7NM60N STMicroelectronics en.CD00252114.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
на замовлення 10866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.50 грн
10+132.92 грн
100+91.71 грн
500+69.52 грн
1000+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60N STD7NM60N STMicroelectronics en.CD00252114.pdf MOSFETs N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60N ST en.CD00252114.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60N ST en.CD00252114.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD9NM60N STD9NM60N STMicroelectronics en.CD00286931.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD9NM60N STD9NM60N STMicroelectronics en.CD00286931.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 50 V
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.62 грн
10+146.70 грн
100+101.78 грн
500+77.48 грн
1000+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STE70NM60 STE70NM60 STMicroelectronics ste70nm60.pdf description Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 600V; 70A; ISOTOP; screw; Idm: 44A; 600W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 55mΩ
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 600W
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3197.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60N STF10NM60N STMicroelectronics std10nm60n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+254.12 грн
5+170.70 грн
10+137.23 грн
25+102.92 грн
50+87.86 грн
100+80.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60N STF10NM60N STMicroelectronics std10nm60n.pdf MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60N STF10NM60N STMicroelectronics std10nm60n.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.01 грн
50+150.21 грн
100+136.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60N ST std10nm60n.pdf N-MOSFET 10A 600V 25W 0.55Ω STF10NM60N TSTF10NM60n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60ND STF10NM60ND STMicroelectronics std10nm60nd.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60ND STF11NM60ND STMicroelectronics STX11NM60ND.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 30nC
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+297.38 грн
10+189.95 грн
25+177.40 грн
50+169.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60ND STF11NM60ND STMicroelectronics STX11NM60ND.pdf MOSFETs N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60N STF13NM60N STMicroelectronics STB13NM60N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+193.75 грн
10+162.34 грн
50+121.33 грн
100+115.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60N STF13NM60N STMicroelectronics en.CD00226101.pdf MOSFETs N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60N STF13NM60N STMicroelectronics en.CD00226101.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.03 грн
50+196.42 грн
100+179.07 грн
500+139.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60N ST en.CD00226101.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF13NM60N TSTF13NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Світлодіод 3mm жовтий 590nm 60 ° (L-934LYD-Kingbright)
Код товару: 43043
Додати до обраних Обраний товар
3004.pdf
Світлодіод 3mm жовтий 590nm 60 ° (L-934LYD-Kingbright)
Виробник: Kingbright
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра вивідні
Колір свічення: жовтий
Корпус/ Розміри: 3 мм
Тип лінзи: дифузна жовта
Падіння напруги, В: 2,1 В
Сила світла/ Світловий потік: 1,5 mcd
Кут огляду: 60°
Форма: Кругла
Довжина хвилі / Колірна температура: 590 нм
у наявності: 4 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+3.20 грн
100+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NM6002-CS
Виробник: NEWAVE
1999 SOP
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NM6038F
на замовлення 35871 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4DHDMI-101-1920-1200-CT-NM-600 4DHDMI_Datasheet_R_1_0.pdf
4DHDMI-101-1920-1200-CT-NM-600
Виробник: 4D Systems
TFT Displays & Accessories 12.1'' 1280 x 800 500cd/m2 Capacitive Touch Display Module
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4DLCD-50-800-480-NT-NM-600-R
Виробник: 4D LCD Pty Ltd
Description: GRAPHIC DISPLAY TFT RGB 5"
Packaging: Box
Display Type: TFT - Color, IPS (In-Plane Switching)
Display Mode: Transmissive
Backlight: LED
Interface: Parallel, 24-Bit (RGB)
Viewing Area: 108.00mm W x 64.80mm H
Dot Pixels: 800 x 480
Diagonal Screen Size: 5" (127.00mm)
Graphics Color: Red, Green, Blue (RGB)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4385.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4 en.CD00005066.pdf
STB11NM60T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+143.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4 en.CD00005066.pdf
STB11NM60T4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4 en.CD00005066.pdf
STB11NM60T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+387.91 грн
10+248.45 грн
100+177.64 грн
500+149.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60N en.DM00073069.pdf
STB13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+435.61 грн
10+280.61 грн
100+202.06 грн
500+174.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60T4 en.CD00002505.pdf
STB20NM60T4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NM60N en.CD00237949.pdf
STB22NM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB24NM60N en.DM00022852.pdf
STB24NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+523.99 грн
10+340.93 грн
100+248.37 грн
500+223.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB24NM60N en.DM00022852.pdf
STB24NM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60N en.CD00232934.pdf
STB26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+574.82 грн
10+375.95 грн
100+275.44 грн
500+252.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60N en.CD00232934.pdf
STB26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs POWER MOSFET N-CH 600V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60N en.CD00232934.pdf
STB26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+228.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM60ND ST%28B%2CF%2CP%2CW%2928NM60ND_DS.pdf
STB28NM60ND
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+512.26 грн
10+332.95 грн
100+242.22 грн
500+217.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM60ND ST%28B%2CF%2CP%2CW%2928NM60ND_DS.pdf
STB28NM60ND
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+198.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB34NM60N en.CD00279556.pdf
STB34NM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB34NM60N en.CD00279556.pdf
STB34NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+782.07 грн
10+520.09 грн
100+404.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB7ANM60N en.DM00058125.pdf
STB7ANM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.02 грн
10+101.89 грн
100+69.28 грн
500+51.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NM60T4 en.CD00002085.pdf
STB8NM60T4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 Volt 5 Amp
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N.pdf
STD10NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+182.93 грн
10+113.80 грн
100+93.72 грн
500+87.86 грн
1000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N std10nm60n.pdf
STD10NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+275.29 грн
10+173.89 грн
100+121.77 грн
500+94.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N std10nm60n.pdf
STD10NM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 10A
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N std10nm60n.pdf
STD10NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+87.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60ND std10nm60nd.pdf
STD10NM60ND
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+197.08 грн
10+122.98 грн
100+84.76 грн
500+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STB13NM60N.pdf
STD13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+220.78 грн
5+168.19 грн
10+150.62 грн
50+114.64 грн
100+103.76 грн
250+91.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N en.DM00073069.pdf
STD13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N en.DM00073069.pdf
STD13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 3402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.11 грн
10+178.79 грн
100+125.37 грн
500+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60ND STx13NM60ND_DS.pdf
STD13NM60ND
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 50 V
на замовлення 9412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+381.65 грн
10+244.31 грн
100+174.51 грн
500+146.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60ND STx13NM60ND_DS.pdf
STD13NM60ND
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+132.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60ND STx13NM60ND_DS.pdf
STD13NM60ND
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60N en.DM00052307.pdf
STD3NM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60-1 std5nm60.pdf
STD5NM60-1
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 18nC
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+96.42 грн
75+74.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60-1 en.CD00002085.pdf
STD5NM60-1
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18 @ 10 В, Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 en.CD00002085.pdf
STD5NM60T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+67.45 грн
5000+61.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 en.CD00002085.pdf
STD5NM60T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 6652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+220.54 грн
10+137.97 грн
100+95.34 грн
500+72.39 грн
1000+69.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 en.CD00002085.pdf
STD5NM60T4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 en.CD00002085.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55°C ~ 150°C; STD5NM60T4 TSTD5NM60t4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60N en.CD00252114.pdf
STD7NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+64.67 грн
5000+58.49 грн
7500+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60N en.CD00252114.pdf
STD7NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
на замовлення 10866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+213.50 грн
10+132.92 грн
100+91.71 грн
500+69.52 грн
1000+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60N en.CD00252114.pdf
STD7NM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60N en.CD00252114.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60N en.CD00252114.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD9NM60N en.CD00286931.pdf
STD9NM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD9NM60N en.CD00286931.pdf
STD9NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 50 V
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.62 грн
10+146.70 грн
100+101.78 грн
500+77.48 грн
1000+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STE70NM60 description ste70nm60.pdf
STE70NM60
Виробник: STMicroelectronics
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 600V; 70A; ISOTOP; screw; Idm: 44A; 600W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 55mΩ
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 600W
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3197.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60N std10nm60n.pdf
STF10NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.12 грн
5+170.70 грн
10+137.23 грн
25+102.92 грн
50+87.86 грн
100+80.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60N std10nm60n.pdf
STF10NM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60N std10nm60n.pdf
STF10NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+305.01 грн
50+150.21 грн
100+136.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60N std10nm60n.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 10A 600V 25W 0.55Ω STF10NM60N TSTF10NM60n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60ND std10nm60nd.pdf
STF10NM60ND
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60ND STX11NM60ND.pdf
STF11NM60ND
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 30nC
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+297.38 грн
10+189.95 грн
25+177.40 грн
50+169.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60ND STX11NM60ND.pdf
STF11NM60ND
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60N STB13NM60N.pdf
STF13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+193.75 грн
10+162.34 грн
50+121.33 грн
100+115.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60N en.CD00226101.pdf
STF13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60N en.CD00226101.pdf
STF13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+391.03 грн
50+196.42 грн
100+179.07 грн
500+139.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60N en.CD00226101.pdf
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF13NM60N TSTF13NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]