Результат пошуку "3N60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
MTP3N60E MTP3N60E
Код товару: 23818 		ST Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,5 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 560/43
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
1+22 грн
SPP03N60C3HKSA1 SPP03N60C3HKSA1
Код товару: 113411 		Infineon spp_a03n60c3_rev.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/13
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
1+26 грн
10+ 24.2 грн
3N60 MOT CAN
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOD3N60 AOD3N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD3N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.15 грн
25+ 25.04 грн
37+ 21.92 грн
101+ 20.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
AOD3N60 AOD3N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD3N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+37.38 грн
25+ 31.21 грн
37+ 26.3 грн
101+ 24.89 грн
2500+ 24.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOD3N60 ALPHA AOD3N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
CDE23N-60-B10K CDE23N-60-B10K SR PASSIVES cde-series.pdf Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal
Mounting: THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±20%
Max. operating voltage: 500V
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track material: carbon
Type of potentiometer: slide
Characteristics: linear
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 576 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+123.71 грн
10+ 97.68 грн
16+ 63.26 грн
42+ 59.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
CDE23N-60-B1K; моно; линейная характеристика; 0,5Вт; 88x12.5x11мм
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+166.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
CDE23N-60-B50K CDE23N-60-B50K SR PASSIVES cde-series.pdf Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal
Type of potentiometer: slide
Resistance: 50kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Track material: carbon
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Max. operating voltage: 500V
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+118.33 грн
5+ 96.82 грн
16+ 61.6 грн
44+ 58.27 грн
100+ 57.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
CDE23N-60-B50K; моно; линейная характеристика; 0,5Вт; 88x12.5x11мм
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+333.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM onsemi / Fairchild FGD3N60LSD_D-2313464.pdf IGBT Transistors 600V IGBT HID Application
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.23 грн
10+ 74.82 грн
100+ 50.01 грн
500+ 42.15 грн
1000+ 35.83 грн
2500+ 31.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD03N60RF_DS_v02_06_EN-1226864.pdf IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.5 грн
10+ 53.99 грн
100+ 36.56 грн
500+ 30.97 грн
1000+ 25.24 грн
2500+ 24.31 грн
5000+ 22.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKN03N60RC2ATMA1 IKN03N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKN03N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3361944.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 6074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.05 грн
10+ 44.57 грн
100+ 26.9 грн
500+ 22.44 грн
1000+ 19.05 грн
3000+ 17.31 грн
6000+ 16.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
M83-LMT1M3N600000000 M83-LMT1M3N600000000 Harwin M83-LMT1M3NXX-0000-000-1064273.pdf Headers & Wire Housings
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3019.13 грн
12+ 2528.76 грн
24+ 2180.94 грн
60+ 1852.63 грн
1008+ 1851.97 грн
M83-LMT2M3N60-0000-000 M83-LMT2M3N60-0000-000 Harwin M83-LMT2M3NXX-0000-000-1308168.pdf Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1615.23 грн
12+ 1407.59 грн
24+ 1194.02 грн
SIHB053N60E-GE3 SIHB053N60E-GE3 Vishay sihb053n60e.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
1+438.96 грн
10+ 363 грн
25+ 297.67 грн
100+ 255.72 грн
250+ 241.73 грн
500+ 227.08 грн
1000+ 194.45 грн
SIHB23N60E-GE3 SIHB23N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihb23n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.92 грн
10+ 263.44 грн
25+ 189.79 грн
100+ 162.49 грн
500+ 144.51 грн
1000+ 123.2 грн
2000+ 120.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb33n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+379.92 грн
10+ 330.84 грн
25+ 280.36 грн
100+ 249.06 грн
250+ 236.41 грн
500+ 221.09 грн
1000+ 181.13 грн
SIHB33N60EF-GE3 SIHB33N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb33n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.39 грн
10+ 381.38 грн
25+ 312.32 грн
100+ 275.7 грн
250+ 273.7 грн
500+ 252.39 грн
1000+ 230.41 грн
SIHB33N60ET1-GE3 SIHB33N60ET1-GE3 Vishay Semiconductors sihb33n60e.pdf MOSFET N-Channel 600V
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.86 грн
10+ 355.34 грн
25+ 291.68 грн
100+ 250.39 грн
250+ 236.41 грн
500+ 217.76 грн
800+ 179.14 грн
SIHB33N60ET5-GE3 SIHB33N60ET5-GE3 Vishay / Siliconix sihb33n60e.pdf MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.75 грн
10+ 352.28 грн
25+ 289.02 грн
100+ 247.73 грн
250+ 234.41 грн
500+ 210.44 грн
800+ 177.8 грн
SiHG23N60E-GE3 SiHG23N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg23n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+324.75 грн
10+ 269.57 грн
25+ 185.8 грн
100+ 176.47 грн
250+ 171.15 грн
500+ 165.15 грн
1000+ 135.18 грн
SIHG33N60E-GE3 SIHG33N60E-GE3 Vishay sihg33n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+198.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
SIHG33N60E-GE3 SIHG33N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg33n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.94 грн
10+ 320.88 грн
25+ 265.71 грн
100+ 237.74 грн
250+ 230.41 грн
500+ 225.09 грн
1000+ 193.12 грн
SIHG33N60EF-GE3 SIHG33N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg33n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.26 грн
10+ 396.7 грн
25+ 312.32 грн
100+ 285.02 грн
250+ 269.7 грн
500+ 250.39 грн
1000+ 217.09 грн
SIHG73N60AE-GE3 SIHG73N60AE-GE3 Vishay Semiconductors sihg73n60ae.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+798.68 грн
10+ 725.24 грн
25+ 538.08 грн
100+ 498.79 грн
500+ 430.86 грн
1000+ 387.57 грн
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg73n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+879.48 грн
10+ 763.53 грн
25+ 645.96 грн
50+ 643.96 грн
SIHP23N60E-BE3 SIHP23N60E-BE3 Vishay / Siliconix sihp23n60e.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.53 грн
10+ 188.39 грн
50+ 138.51 грн
100+ 128.53 грн
250+ 125.86 грн
1000+ 119.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
SiHP23N60E-GE3 SiHP23N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp23n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.53 грн
10+ 186.86 грн
25+ 153.17 грн
100+ 131.19 грн
250+ 123.86 грн
500+ 116.54 грн
1000+ 99.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP33N60E-GE3 SIHP33N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp33n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.63 грн
10+ 307.1 грн
50+ 236.41 грн
100+ 209.1 грн
250+ 204.44 грн
500+ 199.78 грн
1000+ 193.12 грн
SIHP33N60EF-GE3 SIHP33N60EF-GE3 Vishay sihp33n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIHP33N60EF-GE3 SIHP33N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp33n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.47 грн
10+ 350.75 грн
50+ 269.04 грн
100+ 253.06 грн
SIHW33N60E-GE3 SIHW33N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihw33n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.82 грн
10+ 383.68 грн
25+ 314.99 грн
100+ 269.7 грн
250+ 255.05 грн
480+ 239.74 грн
960+ 205.77 грн
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD03N60C3_DataSheet_v02_07_EN-3363995.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.55 грн
10+ 88.84 грн
100+ 60.4 грн
500+ 51.14 грн
1000+ 41.69 грн
2500+ 37.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd03n60c3-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPU03N60C3BKMA1 SPU03N60C3BKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SP_03N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.03 грн
8+ 46.06 грн
21+ 40.23 грн
56+ 37.46 грн
500+ 36.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
SPU03N60C3BKMA1 SPU03N60C3BKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SP_03N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+67.23 грн
5+ 57.4 грн
21+ 48.28 грн
56+ 44.95 грн
500+ 43.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics STB13N60M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.29 грн
5+ 96.42 грн
10+ 85.32 грн
26+ 80.47 грн
200+ 77 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics STB13N60M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 874 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+140.74 грн
5+ 120.16 грн
10+ 102.39 грн
26+ 96.56 грн
200+ 92.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics stb13n60m2-1850166.pdf MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.38 грн
10+ 133.25 грн
100+ 92.57 грн
250+ 88.57 грн
500+ 77.25 грн
1000+ 65.66 грн
2000+ 62.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB33N60DM2 STB33N60DM2 STMicroelectronics stb33n60dm2-1850172.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+319.32 грн
10+ 264.21 грн
25+ 217.09 грн
100+ 185.8 грн
250+ 175.81 грн
500+ 165.15 грн
1000+ 138.51 грн
STB33N60M2 STB33N60M2 STMicroelectronics stb33n60m2-1850311.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.69 грн
10+ 237.41 грн
100+ 163.82 грн
500+ 145.84 грн
1000+ 124.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD13N60DM2 STD13N60DM2 STMicroelectronics std13n60dm2-1850491.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.19 грн
10+ 105.68 грн
100+ 73.25 грн
250+ 71.26 грн
500+ 60.73 грн
1000+ 52.08 грн
2500+ 49.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60DM2 STD13N60DM2 STMicroelectronics en.dm00286120.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics STB13N60M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.1 грн
5+ 83.94 грн
12+ 70.76 грн
32+ 66.59 грн
500+ 63.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics STB13N60M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+120.12 грн
5+ 104.6 грн
12+ 84.91 грн
32+ 79.91 грн
500+ 76.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics en.DM00082928.pdf MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.51 грн
10+ 117.94 грн
100+ 81.91 грн
250+ 80.58 грн
500+ 69.26 грн
1000+ 58.74 грн
2500+ 55.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics dm00070267.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics stf13n60dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.03 грн
10+ 85.32 грн
11+ 77.69 грн
29+ 73.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics stf13n60dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+136.26 грн
3+ 118.43 грн
10+ 102.39 грн
11+ 93.23 грн
29+ 88.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics stf13n60dm2-1850620.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.07 грн
10+ 110.28 грн
100+ 79.25 грн
250+ 78.58 грн
500+ 67.93 грн
1000+ 56.54 грн
2000+ 53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics stf13n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.95 грн
10+ 81.85 грн
12+ 70.76 грн
32+ 66.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics stf13n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 484 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+115.83 грн
10+ 98.23 грн
12+ 84.91 грн
32+ 79.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics 690272105093487dm00070271.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics stf13n60m2-1850540.pdf MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.89 грн
10+ 76.2 грн
100+ 59.07 грн
250+ 58.87 грн
500+ 53.14 грн
1000+ 49.15 грн
2000+ 47.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF13N60M2 ST en.DM00070271.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
STF33N60DM2 STF33N60DM2 STMicroelectronics stf33n60dm2-1850705.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.06 грн
10+ 318.58 грн
25+ 236.41 грн
100+ 203.11 грн
250+ 201.11 грн
500+ 180.47 грн
1000+ 154.5 грн
STF33N60M2 STF33N60M2 STMicroelectronics stf33n60m2-1850852.pdf MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.03 грн
10+ 257.32 грн
25+ 159.16 грн
100+ 145.84 грн
250+ 145.17 грн
500+ 137.18 грн
1000+ 127.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
MTP3N60E
Код товару: 23818
MTP3N60E
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,5 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 560/43
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+22 грн
SPP03N60C3HKSA1
Код товару: 113411		 spp_a03n60c3_rev.pdf
SPP03N60C3HKSA1
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/13
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+26 грн
10+ 24.2 грн
3N60
Виробник: MOT
CAN
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOD3N60 AOD3N60.pdf
AOD3N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+31.15 грн
25+ 25.04 грн
37+ 21.92 грн
101+ 20.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
AOD3N60 AOD3N60.pdf
AOD3N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.38 грн
25+ 31.21 грн
37+ 26.3 грн
101+ 24.89 грн
2500+ 24.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOD3N60 AOD3N60.pdf
Виробник: ALPHA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
CDE23N-60-B10K cde-series.pdf
CDE23N-60-B10K
Виробник: SR PASSIVES
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal
Mounting: THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±20%
Max. operating voltage: 500V
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track material: carbon
Type of potentiometer: slide
Characteristics: linear
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 576 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.71 грн
10+ 97.68 грн
16+ 63.26 грн
42+ 59.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
CDE23N-60-B1K; моно; линейная характеристика; 0,5Вт; 88x12.5x11мм
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+166.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
CDE23N-60-B50K cde-series.pdf
CDE23N-60-B50K
Виробник: SR PASSIVES
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal
Type of potentiometer: slide
Resistance: 50kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Track material: carbon
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Max. operating voltage: 500V
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.33 грн
5+ 96.82 грн
16+ 61.6 грн
44+ 58.27 грн
100+ 57.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
CDE23N-60-B50K; моно; линейная характеристика; 0,5Вт; 88x12.5x11мм
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+333.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSD_D-2313464.pdf
FGD3N60LSDTM
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V IGBT HID Application
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.23 грн
10+ 74.82 грн
100+ 50.01 грн
500+ 42.15 грн
1000+ 35.83 грн
2500+ 31.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD03N60RFATMA1 Infineon_IKD03N60RF_DS_v02_06_EN-1226864.pdf
IKD03N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.5 грн
10+ 53.99 грн
100+ 36.56 грн
500+ 30.97 грн
1000+ 25.24 грн
2500+ 24.31 грн
5000+ 22.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKN03N60RC2ATMA1 Infineon_IKN03N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3361944.pdf
IKN03N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 6074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.05 грн
10+ 44.57 грн
100+ 26.9 грн
500+ 22.44 грн
1000+ 19.05 грн
3000+ 17.31 грн
6000+ 16.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
M83-LMT1M3N600000000 M83-LMT1M3NXX-0000-000-1064273.pdf
M83-LMT1M3N600000000
Виробник: Harwin
Headers & Wire Housings
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3019.13 грн
12+ 2528.76 грн
24+ 2180.94 грн
60+ 1852.63 грн
1008+ 1851.97 грн
M83-LMT2M3N60-0000-000 M83-LMT2M3NXX-0000-000-1308168.pdf
M83-LMT2M3N60-0000-000
Виробник: Harwin
Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1615.23 грн
12+ 1407.59 грн
24+ 1194.02 грн
SIHB053N60E-GE3 sihb053n60e.pdf
SIHB053N60E-GE3
Виробник: Vishay
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+438.96 грн
10+ 363 грн
25+ 297.67 грн
100+ 255.72 грн
250+ 241.73 грн
500+ 227.08 грн
1000+ 194.45 грн
SIHB23N60E-GE3 sihb23n60e.pdf
SIHB23N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+278.92 грн
10+ 263.44 грн
25+ 189.79 грн
100+ 162.49 грн
500+ 144.51 грн
1000+ 123.2 грн
2000+ 120.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB33N60E-GE3 sihb33n60e.pdf
SIHB33N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+379.92 грн
10+ 330.84 грн
25+ 280.36 грн
100+ 249.06 грн
250+ 236.41 грн
500+ 221.09 грн
1000+ 181.13 грн
SIHB33N60EF-GE3 sihb33n60ef.pdf
SIHB33N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+451.39 грн
10+ 381.38 грн
25+ 312.32 грн
100+ 275.7 грн
250+ 273.7 грн
500+ 252.39 грн
1000+ 230.41 грн
SIHB33N60ET1-GE3 sihb33n60e.pdf
SIHB33N60ET1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Channel 600V
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+428.86 грн
10+ 355.34 грн
25+ 291.68 грн
100+ 250.39 грн
250+ 236.41 грн
500+ 217.76 грн
800+ 179.14 грн
SIHB33N60ET5-GE3 sihb33n60e.pdf
SIHB33N60ET5-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+425.75 грн
10+ 352.28 грн
25+ 289.02 грн
100+ 247.73 грн
250+ 234.41 грн
500+ 210.44 грн
800+ 177.8 грн
SiHG23N60E-GE3 sihg23n60e.pdf
SiHG23N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+324.75 грн
10+ 269.57 грн
25+ 185.8 грн
100+ 176.47 грн
250+ 171.15 грн
500+ 165.15 грн
1000+ 135.18 грн
SIHG33N60E-GE3 sihg33n60e.pdf
SIHG33N60E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+198.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
SIHG33N60E-GE3 sihg33n60e.pdf
SIHG33N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+358.94 грн
10+ 320.88 грн
25+ 265.71 грн
100+ 237.74 грн
250+ 230.41 грн
500+ 225.09 грн
1000+ 193.12 грн
SIHG33N60EF-GE3 sihg33n60ef.pdf
SIHG33N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+469.26 грн
10+ 396.7 грн
25+ 312.32 грн
100+ 285.02 грн
250+ 269.7 грн
500+ 250.39 грн
1000+ 217.09 грн
SIHG73N60AE-GE3 sihg73n60ae.pdf
SIHG73N60AE-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+798.68 грн
10+ 725.24 грн
25+ 538.08 грн
100+ 498.79 грн
500+ 430.86 грн
1000+ 387.57 грн
SIHG73N60E-GE3 sihg73n60e.pdf
SIHG73N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+879.48 грн
10+ 763.53 грн
25+ 645.96 грн
50+ 643.96 грн
SIHP23N60E-BE3 sihp23n60e.pdf
SIHP23N60E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+224.53 грн
10+ 188.39 грн
50+ 138.51 грн
100+ 128.53 грн
250+ 125.86 грн
1000+ 119.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
SiHP23N60E-GE3 sihp23n60e.pdf
SiHP23N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+224.53 грн
10+ 186.86 грн
25+ 153.17 грн
100+ 131.19 грн
250+ 123.86 грн
500+ 116.54 грн
1000+ 99.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP33N60E-GE3 sihp33n60e.pdf
SIHP33N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+335.63 грн
10+ 307.1 грн
50+ 236.41 грн
100+ 209.1 грн
250+ 204.44 грн
500+ 199.78 грн
1000+ 193.12 грн
SIHP33N60EF-GE3 sihp33n60ef.pdf
SIHP33N60EF-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIHP33N60EF-GE3 sihp33n60ef.pdf
SIHP33N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+381.47 грн
10+ 350.75 грн
50+ 269.04 грн
100+ 253.06 грн
SIHW33N60E-GE3 sihw33n60e.pdf
SIHW33N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+463.82 грн
10+ 383.68 грн
25+ 314.99 грн
100+ 269.7 грн
250+ 255.05 грн
480+ 239.74 грн
960+ 205.77 грн
SPD03N60C3ATMA1 Infineon_SPD03N60C3_DataSheet_v02_07_EN-3363995.pdf
SPD03N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.55 грн
10+ 88.84 грн
100+ 60.4 грн
500+ 51.14 грн
1000+ 41.69 грн
2500+ 37.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD03N60C3ATMA1 infineon-spd03n60c3-datasheet-v02_07-en.pdf
SPD03N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPU03N60C3BKMA1 SP_03N60C3.pdf
SPU03N60C3BKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+56.03 грн
8+ 46.06 грн
21+ 40.23 грн
56+ 37.46 грн
500+ 36.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
SPU03N60C3BKMA1 SP_03N60C3.pdf
SPU03N60C3BKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+67.23 грн
5+ 57.4 грн
21+ 48.28 грн
56+ 44.95 грн
500+ 43.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB13N60M2 STB13N60M2.pdf
STB13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+117.29 грн
5+ 96.42 грн
10+ 85.32 грн
26+ 80.47 грн
200+ 77 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB13N60M2 STB13N60M2.pdf
STB13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 874 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+140.74 грн
5+ 120.16 грн
10+ 102.39 грн
26+ 96.56 грн
200+ 92.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB13N60M2 stb13n60m2-1850166.pdf
STB13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+162.38 грн
10+ 133.25 грн
100+ 92.57 грн
250+ 88.57 грн
500+ 77.25 грн
1000+ 65.66 грн
2000+ 62.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB33N60DM2 stb33n60dm2-1850172.pdf
STB33N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+319.32 грн
10+ 264.21 грн
25+ 217.09 грн
100+ 185.8 грн
250+ 175.81 грн
500+ 165.15 грн
1000+ 138.51 грн
STB33N60M2 stb33n60m2-1850311.pdf
STB33N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+286.69 грн
10+ 237.41 грн
100+ 163.82 грн
500+ 145.84 грн
1000+ 124.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD13N60DM2 std13n60dm2-1850491.pdf
STD13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.19 грн
10+ 105.68 грн
100+ 73.25 грн
250+ 71.26 грн
500+ 60.73 грн
1000+ 52.08 грн
2500+ 49.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60DM2 en.dm00286120.pdf
STD13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
STD13N60M2 STB13N60M2.pdf
STD13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.1 грн
5+ 83.94 грн
12+ 70.76 грн
32+ 66.59 грн
500+ 63.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD13N60M2 STB13N60M2.pdf
STD13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.12 грн
5+ 104.6 грн
12+ 84.91 грн
32+ 79.91 грн
500+ 76.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60M2 en.DM00082928.pdf
STD13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.51 грн
10+ 117.94 грн
100+ 81.91 грн
250+ 80.58 грн
500+ 69.26 грн
1000+ 58.74 грн
2500+ 55.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60M2 dm00070267.pdf
STD13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STF13N60DM2 stf13n60dm2.pdf
STF13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.03 грн
10+ 85.32 грн
11+ 77.69 грн
29+ 73.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF13N60DM2 stf13n60dm2.pdf
STF13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+136.26 грн
3+ 118.43 грн
10+ 102.39 грн
11+ 93.23 грн
29+ 88.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF13N60DM2 stf13n60dm2-1850620.pdf
STF13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.07 грн
10+ 110.28 грн
100+ 79.25 грн
250+ 78.58 грн
500+ 67.93 грн
1000+ 56.54 грн
2000+ 53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60M2 stf13n60m2.pdf
STF13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.95 грн
10+ 81.85 грн
12+ 70.76 грн
32+ 66.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF13N60M2 stf13n60m2.pdf
STF13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 484 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.83 грн
10+ 98.23 грн
12+ 84.91 грн
32+ 79.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60M2 690272105093487dm00070271.pdf
STF13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF13N60M2 stf13n60m2-1850540.pdf
STF13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.89 грн
10+ 76.2 грн
100+ 59.07 грн
250+ 58.87 грн
500+ 53.14 грн
1000+ 49.15 грн
2000+ 47.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF13N60M2 en.DM00070271.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
STF33N60DM2 stf33n60dm2-1850705.pdf
STF33N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+348.06 грн
10+ 318.58 грн
25+ 236.41 грн
100+ 203.11 грн
250+ 201.11 грн
500+ 180.47 грн
1000+ 154.5 грн
STF33N60M2 stf33n60m2-1850852.pdf
STF33N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+275.03 грн
10+ 257.32 грн
25+ 159.16 грн
100+ 145.84 грн
250+ 145.17 грн
500+ 137.18 грн
1000+ 127.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]