Результат пошуку "50n06" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQP50N06 Код товару: 193976 |
JSMicro |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31 Монтаж: THT |
у наявності: 71 шт
38 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків очікується:
200 шт
200 шт - очікується 05.10.2024
|
|
|||||||||||||||
RFP50N06LE Код товару: 189268 |
JSMICRO |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Монтаж: THT |
у наявності: 126 шт
62 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Львів 30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
|||||||||||||||
383LX681M450N062 | Cornell Dubilier - CDE | Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 680uF 450V 20% |
на замовлення 878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D2450N06T | Infineon Technologies | Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DI050N06D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DI050N06D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2538 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DI050N06D1 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DIT050N06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 85W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: max. 1.2mm |
на замовлення 1141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DIT050N06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 85W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1141 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DIT050N06 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP50N06 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP50N06L | ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HYG350N06LA1D | HUAYI |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024; IRLR024TRL; IRLR024TR; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; HYG350N06LA1D HUAYI THYG350n06la1d кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD350N06L G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2 |
на замовлення 2392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD350N06LGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 68W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD350N06LGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 68W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1386 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD50N06S214ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N |
на замовлення 2514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD50N06S2L13ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N |
на замовлення 31033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD50N06S409ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET |
на замовлення 12305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD50N06S4L08ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET |
на замовлення 1406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD50N06S4L12ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 50W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD50N06S4L12ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 50W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2117 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET |
на замовлення 6463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MCTL150N06YHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RFP50N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RFP50N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 213 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RFP50N06 | onsemi / Fairchild | MOSFETs TO-220AB N-CH POWER |
на замовлення 2024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RFP50N06 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RFP50N06 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SICW050N065H-BP | Micro Commercial Components (MCC) | SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB |
на замовлення 360 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SICW050N065H4-BP | Micro Commercial Components (MCC) | SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4 |
на замовлення 360 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SQD50N06-09L_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 40341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP50N06 | ST MICROELECTRONICS | -n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUD50N06-09L-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 136W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUD50N06-09L-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 136W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 828 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUD50N06-09L-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V |
на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUD50N06-09L-E3 | Siliconix |
N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM850N06CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.3A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM850N06CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.3A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 187 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM850N06CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 10647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM850N06CX RPG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMK50N06TS | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
WMO50N06TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMO50N06TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 485 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий FQP50N06L 52.4A 60V N-ch TO-220 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2MBI150N-060 | module |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2MBI150N-060 | fuji |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2MBI150N-060 | FUJI | 150A/600V/IGBT/2U |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2MBI150N-060 | FUJI | . |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2MBI150N-060 | FUJI | A4-3 |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2MBI150N-060 | FUJI | 03+ A3-5 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2MBI150N-060 | FUJI | MODULE |
на замовлення 546 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2MBI150N-060 | FUJI | 150A/600V IGBT MODULE |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2MBI150N-060??? | FUJI IGBT | 150A600V2U |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2MBI150N060 | FUJI | MODULE |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2MBI50N-060 | FUJI | . |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2MBI50N-060 | module |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2MBI50N-060 | FUJI | 50A/600V/IGBT/2U |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2MBI50N-060 | FUJI | A4-3 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2MBI50N-060 | FUJI |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
FQP50N06 Код товару: 193976 |
Виробник: JSMicro
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 71 шт
38 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
200 шт
200 шт - очікується 05.10.2024
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 38 грн |
10+ | 34.2 грн |
100+ | 30.8 грн |
RFP50N06LE Код товару: 189268 |
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 126 шт
62 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 49 грн |
10+ | 44.5 грн |
383LX681M450N062 |
Виробник: Cornell Dubilier - CDE
Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 680uF 450V 20%
Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 680uF 450V 20%
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1376.13 грн |
10+ | 1255.65 грн |
25+ | 1033.18 грн |
48+ | 944.07 грн |
96+ | 849.88 грн |
288+ | 813.65 грн |
528+ | 784.67 грн |
D2450N06T |
Виробник: Infineon Technologies
Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 15728.29 грн |
9+ | 14370.43 грн |
27+ | 12219.98 грн |
DI050N06D1 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 57.71 грн |
14+ | 27.17 грн |
25+ | 24.53 грн |
47+ | 18.79 грн |
130+ | 17.81 грн |
DI050N06D1 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 69.25 грн |
9+ | 33.86 грн |
25+ | 29.43 грн |
47+ | 22.55 грн |
130+ | 21.37 грн |
DI050N06D1 |
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 79.37 грн |
10+ | 61.41 грн |
100+ | 32.02 грн |
500+ | 31.66 грн |
1000+ | 30.72 грн |
2500+ | 20.07 грн |
5000+ | 18.77 грн |
DIT050N06 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 53.64 грн |
14+ | 28.68 грн |
16+ | 25.06 грн |
41+ | 21.81 грн |
112+ | 20.6 грн |
DIT050N06 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 64.37 грн |
8+ | 35.74 грн |
10+ | 30.07 грн |
41+ | 26.17 грн |
112+ | 24.72 грн |
DIT050N06 |
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 64.5 грн |
10+ | 52.33 грн |
100+ | 30 грн |
500+ | 25.14 грн |
1000+ | 20.79 грн |
2500+ | 20 грн |
5000+ | 18.77 грн |
FQP50N06 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 20.14 грн |
FQP50N06L |
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 50.82 грн |
HYG350N06LA1D |
Виробник: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024; IRLR024TRL; IRLR024TR; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; HYG350N06LA1D HUAYI THYG350n06la1d
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024; IRLR024TRL; IRLR024TR; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; HYG350N06LA1D HUAYI THYG350n06la1d
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 12.75 грн |
IPD350N06L G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 48.77 грн |
10+ | 41.33 грн |
100+ | 30 грн |
500+ | 26.66 грн |
1000+ | 23.55 грн |
2500+ | 23.19 грн |
IPD350N06LGBTMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 57.71 грн |
12+ | 33.96 грн |
25+ | 29.96 грн |
35+ | 25.96 грн |
94+ | 24.6 грн |
500+ | 24.38 грн |
IPD350N06LGBTMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 69.25 грн |
7+ | 42.32 грн |
25+ | 35.95 грн |
35+ | 31.15 грн |
94+ | 29.52 грн |
500+ | 29.25 грн |
IPD50N06S214ATMA2 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
MOSFETs N
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 128.48 грн |
10+ | 104.15 грн |
100+ | 64.63 грн |
500+ | 51.59 грн |
1000+ | 47.38 грн |
2500+ | 43.33 грн |
IPD50N06S2L13ATMA2 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
MOSFETs N
на замовлення 31033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.34 грн |
10+ | 96.65 грн |
100+ | 66.29 грн |
250+ | 62.53 грн |
500+ | 52.96 грн |
1000+ | 48.62 грн |
2500+ | 44.78 грн |
IPD50N06S409ATMA2 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
MOSFETs MOSFET
на замовлення 12305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.22 грн |
10+ | 64.66 грн |
100+ | 44.49 грн |
500+ | 37.53 грн |
1000+ | 35.57 грн |
2500+ | 32.75 грн |
5000+ | 32.53 грн |
IPD50N06S4L08ATMA2 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
MOSFETs MOSFET
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.34 грн |
10+ | 86.65 грн |
100+ | 53.62 грн |
500+ | 42.46 грн |
1000+ | 38.47 грн |
2500+ | 34.2 грн |
IPD50N06S4L12ATMA2 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 87.78 грн |
7+ | 55.25 грн |
20+ | 44.6 грн |
55+ | 42.19 грн |
500+ | 40.91 грн |
IPD50N06S4L12ATMA2 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 105.34 грн |
5+ | 68.84 грн |
20+ | 53.52 грн |
55+ | 50.63 грн |
500+ | 49.09 грн |
IPD50N06S4L12ATMA2 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
MOSFETs MOSFET
на замовлення 6463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 103.97 грн |
10+ | 77.16 грн |
100+ | 48.47 грн |
500+ | 38.18 грн |
1000+ | 34.34 грн |
2500+ | 31.23 грн |
5000+ | 30.07 грн |
MCTL150N06YHE3-TP |
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 415.88 грн |
10+ | 344.12 грн |
25+ | 282.57 грн |
100+ | 241.99 грн |
250+ | 228.23 грн |
500+ | 215.19 грн |
1000+ | 184.03 грн |
RFP50N06 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 138.98 грн |
4+ | 114.72 грн |
10+ | 103.4 грн |
11+ | 88.3 грн |
28+ | 83.77 грн |
RFP50N06 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 166.78 грн |
3+ | 142.96 грн |
10+ | 124.08 грн |
11+ | 105.96 грн |
28+ | 100.53 грн |
250+ | 96 грн |
RFP50N06 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 174.13 грн |
10+ | 135.81 грн |
100+ | 88.39 грн |
500+ | 73.18 грн |
800+ | 72.09 грн |
RFP50N06 |
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 75.76 грн |
RFP50N06 |
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 75.76 грн |
SICW050N065H-BP |
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
на замовлення 360 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 595.08 грн |
10+ | 502.43 грн |
100+ | 363.72 грн |
250+ | 349.23 грн |
500+ | 321.69 грн |
1000+ | 289.09 грн |
1800+ | 276.05 грн |
SICW050N065H4-BP |
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
на замовлення 360 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 601.85 грн |
10+ | 509.09 грн |
100+ | 368.79 грн |
250+ | 353.57 грн |
500+ | 325.32 грн |
1000+ | 292.71 грн |
1800+ | 279.67 грн |
SQD50N06-09L_GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 40341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 360.09 грн |
10+ | 300.79 грн |
25+ | 255.04 грн |
100+ | 211.56 грн |
250+ | 187.65 грн |
500+ | 175.34 грн |
1000+ | 160.12 грн |
STP50N06 |
Виробник: ST MICROELECTRONICS
-n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
-n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 64.8 грн |
SUD50N06-09L-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 153.62 грн |
12+ | 79.25 грн |
31+ | 74.72 грн |
SUD50N06-09L-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 184.34 грн |
12+ | 98.75 грн |
31+ | 89.66 грн |
10000+ | 87.85 грн |
SUD50N06-09L-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
MOSFETs 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 240.91 грн |
10+ | 202.47 грн |
25+ | 168.82 грн |
100+ | 141.28 грн |
500+ | 128.97 грн |
1000+ | 121.72 грн |
SUD50N06-09L-E3 |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 71.15 грн |
TSM850N06CX RFG |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 53.64 грн |
12+ | 32.6 грн |
25+ | 22.79 грн |
55+ | 16.3 грн |
150+ | 15.4 грн |
TSM850N06CX RFG |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 64.37 грн |
7+ | 40.63 грн |
25+ | 27.35 грн |
55+ | 19.56 грн |
150+ | 18.48 грн |
TSM850N06CX RFG |
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 10647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 38.55 грн |
12+ | 30 грн |
100+ | 15.58 грн |
1000+ | 11.45 грн |
3000+ | 9.13 грн |
9000+ | 8.19 грн |
24000+ | 7.68 грн |
TSM850N06CX RPG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 11.24 грн |
WMK50N06TS |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMO50N06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 30.89 грн |
25+ | 15.17 грн |
28+ | 13.66 грн |
82+ | 10.87 грн |
224+ | 10.26 грн |
WMO50N06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 37.06 грн |
15+ | 18.9 грн |
25+ | 16.39 грн |
82+ | 13.04 грн |
224+ | 12.32 грн |
1000+ | 12.14 грн |
2500+ | 11.86 грн |
Транзистор польовий FQP50N06L 52.4A 60V N-ch TO-220 |
на замовлення 90 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 120.18 грн |
2MBI150N-060 |
Виробник: FUJI
150A/600V IGBT MODULE
150A/600V IGBT MODULE
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)2MBI150N-060??? |
Виробник: FUJI IGBT
150A600V2U
150A600V2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]