Результат пошуку "50n06" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FQP50N06 FQP50N06
Код товару: 193976 		JSMicro fqp50n06-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 71 шт
38 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 200 шт
200 шт - очікується 05.10.2024
1+38 грн
10+ 34.2 грн
100+ 30.8 грн
RFP50N06LE RFP50N06LE
Код товару: 189268 		JSMICRO JSM50N06C_TO-220AB.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 126 шт
62 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+49 грн
10+ 44.5 грн
383LX681M450N062 383LX681M450N062 Cornell Dubilier - CDE 381-383.pdf Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 680uF 450V 20%
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1376.13 грн
10+ 1255.65 грн
25+ 1033.18 грн
48+ 944.07 грн
96+ 849.88 грн
288+ 813.65 грн
528+ 784.67 грн
D2450N06T D2450N06T Infineon Technologies Infineon_D2450N_DS_v03_01_en_de-3360096.pdf Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+15728.29 грн
9+ 14370.43 грн
27+ 12219.98 грн
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR di050n06d1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.71 грн
14+ 27.17 грн
25+ 24.53 грн
47+ 18.79 грн
130+ 17.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR di050n06d1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.25 грн
9+ 33.86 грн
25+ 29.43 грн
47+ 22.55 грн
130+ 21.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
DI050N06D1 DI050N06D1 Diotec Semiconductor MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.37 грн
10+ 61.41 грн
100+ 32.02 грн
500+ 31.66 грн
1000+ 30.72 грн
2500+ 20.07 грн
5000+ 18.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit050n06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.64 грн
14+ 28.68 грн
16+ 25.06 грн
41+ 21.81 грн
112+ 20.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit050n06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.37 грн
8+ 35.74 грн
10+ 30.07 грн
41+ 26.17 грн
112+ 24.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
DIT050N06 DIT050N06 Diotec Semiconductor dit050n06.pdf MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.5 грн
10+ 52.33 грн
100+ 30 грн
500+ 25.14 грн
1000+ 20.79 грн
2500+ 20 грн
5000+ 18.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQP50N06 JSMicro Semiconductor fqp50n06-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 50
FQP50N06L ON-Semicoductor fqp50n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
HYG350N06LA1D HUAYI Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024; IRLR024TRL; IRLR024TR; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; HYG350N06LA1D HUAYI THYG350n06la1d
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 50
IPD350N06L G IPD350N06L G Infineon Technologies Infineon_IPD350N06LG__DS_v01_03_en-3359999.pdf MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.77 грн
10+ 41.33 грн
100+ 30 грн
500+ 26.66 грн
1000+ 23.55 грн
2500+ 23.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.71 грн
12+ 33.96 грн
25+ 29.96 грн
35+ 25.96 грн
94+ 24.6 грн
500+ 24.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.25 грн
7+ 42.32 грн
25+ 35.95 грн
35+ 31.15 грн
94+ 29.52 грн
500+ 29.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S2_14_DS_v01_01_en-1731714.pdf MOSFETs N
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.48 грн
10+ 104.15 грн
100+ 64.63 грн
500+ 51.59 грн
1000+ 47.38 грн
2500+ 43.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S2L_13_DS_v01_00_en-1731785.pdf MOSFETs N
на замовлення 31033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.34 грн
10+ 96.65 грн
100+ 66.29 грн
250+ 62.53 грн
500+ 52.96 грн
1000+ 48.62 грн
2500+ 44.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4_09_DS_v01_02_en-1227078.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 12305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.22 грн
10+ 64.66 грн
100+ 44.49 грн
500+ 37.53 грн
1000+ 35.57 грн
2500+ 32.75 грн
5000+ 32.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4L_08_DS_v01_00_en-1731795.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.34 грн
10+ 86.65 грн
100+ 53.62 грн
500+ 42.46 грн
1000+ 38.47 грн
2500+ 34.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N06S4L12.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.78 грн
7+ 55.25 грн
20+ 44.6 грн
55+ 42.19 грн
500+ 40.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N06S4L12.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.34 грн
5+ 68.84 грн
20+ 53.52 грн
55+ 50.63 грн
500+ 49.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4L_12_DS_v01_00_en-1226991.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 6463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.97 грн
10+ 77.16 грн
100+ 48.47 грн
500+ 38.18 грн
1000+ 34.34 грн
2500+ 31.23 грн
5000+ 30.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3-TP Micro Commercial Components (MCC) MCTL150N06YHE3_TOLL_8_-3462174.pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
1+415.88 грн
10+ 344.12 грн
25+ 282.57 грн
100+ 241.99 грн
250+ 228.23 грн
500+ 215.19 грн
1000+ 184.03 грн
RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI RFP50N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.98 грн
4+ 114.72 грн
10+ 103.4 грн
11+ 88.3 грн
28+ 83.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI RFP50N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.78 грн
3+ 142.96 грн
10+ 124.08 грн
11+ 105.96 грн
28+ 100.53 грн
250+ 96 грн
Мінімальне замовлення: 2
RFP50N06 RFP50N06 onsemi / Fairchild RFP50N06_D-2319913.pdf MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.13 грн
10+ 135.81 грн
100+ 88.39 грн
500+ 73.18 грн
800+ 72.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
RFP50N06 ON-Semicoductor FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw rfp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+75.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
RFP50N06 ON-Semicoductor FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw rfp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+75.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
SICW050N065H-BP SICW050N065H-BP Micro Commercial Components (MCC) SICW050N065H_TO_247AB_-3478552.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
на замовлення 360 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
1+595.08 грн
10+ 502.43 грн
100+ 363.72 грн
250+ 349.23 грн
500+ 321.69 грн
1000+ 289.09 грн
1800+ 276.05 грн
SICW050N065H4-BP SICW050N065H4-BP Micro Commercial Components (MCC) SICW050N065H4_TO_247_4_-3478286.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
на замовлення 360 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
1+601.85 грн
10+ 509.09 грн
100+ 368.79 грн
250+ 353.57 грн
500+ 325.32 грн
1000+ 292.71 грн
1800+ 279.67 грн
SQD50N06-09L_GE3 SQD50N06-09L_GE3 Vishay Semiconductors sqd50n06-09l.pdf MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 40341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.09 грн
10+ 300.79 грн
25+ 255.04 грн
100+ 211.56 грн
250+ 187.65 грн
500+ 175.34 грн
1000+ 160.12 грн
STP50N06 ST MICROELECTRONICS -n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+64.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 VISHAY SUD50N06-09L-E3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.62 грн
12+ 79.25 грн
31+ 74.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 VISHAY SUD50N06-09L-E3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+184.34 грн
12+ 98.75 грн
31+ 89.66 грн
10000+ 87.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Vishay Semiconductors sud50n06.pdf MOSFETs 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.91 грн
10+ 202.47 грн
25+ 168.82 грн
100+ 141.28 грн
500+ 128.97 грн
1000+ 121.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50N06-09L-E3 Siliconix sud50n06.pdf N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+71.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM850N06CX_C1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.64 грн
12+ 32.6 грн
25+ 22.79 грн
55+ 16.3 грн
150+ 15.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM850N06CX_C1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.37 грн
7+ 40.63 грн
25+ 27.35 грн
55+ 19.56 грн
150+ 18.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor TSM850N06CX_C1811.pdf MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 10647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.55 грн
12+ 30 грн
100+ 15.58 грн
1000+ 11.45 грн
3000+ 9.13 грн
9000+ 8.19 грн
24000+ 7.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
TSM850N06CX RPG Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
WMK50N06TS WMK50N06TS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMO50N06TS WMO50N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.89 грн
25+ 15.17 грн
28+ 13.66 грн
82+ 10.87 грн
224+ 10.26 грн
Мінімальне замовлення: 14
WMO50N06TS WMO50N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.06 грн
15+ 18.9 грн
25+ 16.39 грн
82+ 13.04 грн
224+ 12.32 грн
1000+ 12.14 грн
2500+ 11.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
Транзистор польовий FQP50N06L 52.4A 60V N-ch TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+120.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
2MBI150N-060 module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N-060 fuji
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N-060 FUJI 150A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N-060 FUJI .
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N-060 FUJI A4-3
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N-060 FUJI 03+ A3-5
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N-060 FUJI MODULE
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N-060 FUJI 150A/600V IGBT MODULE
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N-060??? FUJI IGBT 150A600V2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N060 FUJI description MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI50N-060 FUJI .
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI50N-060 module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI50N-060 FUJI 50A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI50N-060 FUJI A4-3
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI50N-060 FUJI
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP50N06
Код товару: 193976		 fqp50n06-d.pdf
FQP50N06
Виробник: JSMicro
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 71 шт
38 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 200 шт
200 шт - очікується 05.10.2024
Кількість Ціна без ПДВ
1+38 грн
10+ 34.2 грн
100+ 30.8 грн
RFP50N06LE
Код товару: 189268		 JSM50N06C_TO-220AB.pdf
RFP50N06LE
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 126 шт
62 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+49 грн
10+ 44.5 грн
383LX681M450N062 381-383.pdf
383LX681M450N062
Виробник: Cornell Dubilier - CDE
Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 680uF 450V 20%
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1376.13 грн
10+ 1255.65 грн
25+ 1033.18 грн
48+ 944.07 грн
96+ 849.88 грн
288+ 813.65 грн
528+ 784.67 грн
D2450N06T Infineon_D2450N_DS_v03_01_en_de-3360096.pdf
D2450N06T
Виробник: Infineon Technologies
Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+15728.29 грн
9+ 14370.43 грн
27+ 12219.98 грн
DI050N06D1 di050n06d1.pdf
DI050N06D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+57.71 грн
14+ 27.17 грн
25+ 24.53 грн
47+ 18.79 грн
130+ 17.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
DI050N06D1 di050n06d1.pdf
DI050N06D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.25 грн
9+ 33.86 грн
25+ 29.43 грн
47+ 22.55 грн
130+ 21.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
DI050N06D1
DI050N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+79.37 грн
10+ 61.41 грн
100+ 32.02 грн
500+ 31.66 грн
1000+ 30.72 грн
2500+ 20.07 грн
5000+ 18.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+53.64 грн
14+ 28.68 грн
16+ 25.06 грн
41+ 21.81 грн
112+ 20.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.37 грн
8+ 35.74 грн
10+ 30.07 грн
41+ 26.17 грн
112+ 24.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+64.5 грн
10+ 52.33 грн
100+ 30 грн
500+ 25.14 грн
1000+ 20.79 грн
2500+ 20 грн
5000+ 18.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 50
FQP50N06L fqp50n06l-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
HYG350N06LA1D
Виробник: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024; IRLR024TRL; IRLR024TR; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; HYG350N06LA1D HUAYI THYG350n06la1d
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 50
IPD350N06L G Infineon_IPD350N06LG__DS_v01_03_en-3359999.pdf
IPD350N06L G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.77 грн
10+ 41.33 грн
100+ 30 грн
500+ 26.66 грн
1000+ 23.55 грн
2500+ 23.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LG-DTE.pdf
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+57.71 грн
12+ 33.96 грн
25+ 29.96 грн
35+ 25.96 грн
94+ 24.6 грн
500+ 24.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LG-DTE.pdf
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.25 грн
7+ 42.32 грн
25+ 35.95 грн
35+ 31.15 грн
94+ 29.52 грн
500+ 29.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD50N06S214ATMA2 Infineon_IPD50N06S2_14_DS_v01_01_en-1731714.pdf
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.48 грн
10+ 104.15 грн
100+ 64.63 грн
500+ 51.59 грн
1000+ 47.38 грн
2500+ 43.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon_IPD50N06S2L_13_DS_v01_00_en-1731785.pdf
IPD50N06S2L13ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 31033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.34 грн
10+ 96.65 грн
100+ 66.29 грн
250+ 62.53 грн
500+ 52.96 грн
1000+ 48.62 грн
2500+ 44.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S409ATMA2 Infineon_IPD50N06S4_09_DS_v01_02_en-1227078.pdf
IPD50N06S409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 12305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.22 грн
10+ 64.66 грн
100+ 44.49 грн
500+ 37.53 грн
1000+ 35.57 грн
2500+ 32.75 грн
5000+ 32.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon_IPD50N06S4L_08_DS_v01_00_en-1731795.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.34 грн
10+ 86.65 грн
100+ 53.62 грн
500+ 42.46 грн
1000+ 38.47 грн
2500+ 34.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+87.78 грн
7+ 55.25 грн
20+ 44.6 грн
55+ 42.19 грн
500+ 40.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.34 грн
5+ 68.84 грн
20+ 53.52 грн
55+ 50.63 грн
500+ 49.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon_IPD50N06S4L_12_DS_v01_00_en-1226991.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 6463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.97 грн
10+ 77.16 грн
100+ 48.47 грн
500+ 38.18 грн
1000+ 34.34 грн
2500+ 31.23 грн
5000+ 30.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3_TOLL_8_-3462174.pdf
MCTL150N06YHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+415.88 грн
10+ 344.12 грн
25+ 282.57 грн
100+ 241.99 грн
250+ 228.23 грн
500+ 215.19 грн
1000+ 184.03 грн
RFP50N06 RFP50N06.pdf
RFP50N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.98 грн
4+ 114.72 грн
10+ 103.4 грн
11+ 88.3 грн
28+ 83.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFP50N06 RFP50N06.pdf
RFP50N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.78 грн
3+ 142.96 грн
10+ 124.08 грн
11+ 105.96 грн
28+ 100.53 грн
250+ 96 грн
Мінімальне замовлення: 2
RFP50N06 RFP50N06_D-2319913.pdf
RFP50N06
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+174.13 грн
10+ 135.81 грн
100+ 88.39 грн
500+ 73.18 грн
800+ 72.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
RFP50N06 FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw rfp50n06-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+75.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
RFP50N06 FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw rfp50n06-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+75.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
SICW050N065H-BP SICW050N065H_TO_247AB_-3478552.pdf
SICW050N065H-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
на замовлення 360 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+595.08 грн
10+ 502.43 грн
100+ 363.72 грн
250+ 349.23 грн
500+ 321.69 грн
1000+ 289.09 грн
1800+ 276.05 грн
SICW050N065H4-BP SICW050N065H4_TO_247_4_-3478286.pdf
SICW050N065H4-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
на замовлення 360 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+601.85 грн
10+ 509.09 грн
100+ 368.79 грн
250+ 353.57 грн
500+ 325.32 грн
1000+ 292.71 грн
1800+ 279.67 грн
SQD50N06-09L_GE3 sqd50n06-09l.pdf
SQD50N06-09L_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 40341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+360.09 грн
10+ 300.79 грн
25+ 255.04 грн
100+ 211.56 грн
250+ 187.65 грн
500+ 175.34 грн
1000+ 160.12 грн
STP50N06
Виробник: ST MICROELECTRONICS
-n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+64.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3.pdf
SUD50N06-09L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+153.62 грн
12+ 79.25 грн
31+ 74.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3.pdf
SUD50N06-09L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+184.34 грн
12+ 98.75 грн
31+ 89.66 грн
10000+ 87.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
SUD50N06-09L-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+240.91 грн
10+ 202.47 грн
25+ 168.82 грн
100+ 141.28 грн
500+ 128.97 грн
1000+ 121.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+71.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+53.64 грн
12+ 32.6 грн
25+ 22.79 грн
55+ 16.3 грн
150+ 15.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.37 грн
7+ 40.63 грн
25+ 27.35 грн
55+ 19.56 грн
150+ 18.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 10647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.55 грн
12+ 30 грн
100+ 15.58 грн
1000+ 11.45 грн
3000+ 9.13 грн
9000+ 8.19 грн
24000+ 7.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
TSM850N06CX RPG
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
WMK50N06TS
WMK50N06TS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMO50N06TS
WMO50N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+30.89 грн
25+ 15.17 грн
28+ 13.66 грн
82+ 10.87 грн
224+ 10.26 грн
Мінімальне замовлення: 14
WMO50N06TS
WMO50N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.06 грн
15+ 18.9 грн
25+ 16.39 грн
82+ 13.04 грн
224+ 12.32 грн
1000+ 12.14 грн
2500+ 11.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
Транзистор польовий FQP50N06L 52.4A 60V N-ch TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+120.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
2MBI150N-060
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N-060
Виробник: fuji
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
150A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
.
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
A4-3
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
03+ A3-5
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
150A/600V IGBT MODULE
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N-060???
Виробник: FUJI IGBT
150A600V2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI150N060 description
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
.
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI50N-060
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
50A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
A4-3
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]