Результат пошуку "50n60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 240
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SGW50N60HS Код товару: 73803 |
Infineon |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247-3 Vces: 600 V Vce: 2,8 V Ic 25: 100 A Ic 100: 50 A |
у наявності: 10 шт
|
|
|||||||||||
IGB50N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IGW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IGW50N60H3FKSA1 | Infineon |
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IGW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 64A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IGW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 64A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 122 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 37A Power dissipation: 95W Case: PG-TO247-3-AI Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 192ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 37A Power dissipation: 95W Case: PG-TO247-3-AI Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 192ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IKFW50N60ETXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 59A Power dissipation: 120W Case: PG-TO247-3-AI Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Turn-on time: 61ns Turn-off time: 332ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||
IKW50N60DTPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 61A Power dissipation: 159.6W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 249nC Kind of package: tube Turn-on time: 50ns Turn-off time: 233ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IKW50N60DTPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 61A Power dissipation: 159.6W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 249nC Kind of package: tube Turn-on time: 50ns Turn-off time: 233ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 163 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IKW50N60H3 | Infineon |
100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode IKW50N60H3 TIKW50n60h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IKW50N60H3 | Infineon |
100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode IKW50N60H3 TIKW50n60h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 315nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 54ns Turn-off time: 297ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 315nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 54ns Turn-off time: 297ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IKW50N60T | Infineon |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IKW50N60T | Infineon |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH50N60X | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 195ns |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH50N60X | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 195ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFQ50N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO3P On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFQ50N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO3P On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFT50N60X | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 660W Case: TO268 On-state resistance: 73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 116nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 195ns |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFT50N60X | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 660W Case: TO268 On-state resistance: 73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 116nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 195ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXXH150N60C3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 150A Power dissipation: 1.36kW Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 700A Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Turn-on time: 0.1µs Turn-off time: 230ns |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXXH150N60C3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 150A Power dissipation: 1.36kW Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 700A Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Turn-on time: 0.1µs Turn-off time: 230ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXXH150N60C3 | Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 1360000mW |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 600V TO-247 |
на замовлення 18 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
E250N60 | ST |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
IGW50N60TP | Infineon technologies |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
IKFW50N60ETXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 59A Power dissipation: 120W Case: PG-TO247-3-AI Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Turn-on time: 61ns Turn-off time: 332ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 240 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IKW50N60DTP | Infineon technologies |
на замовлення 239 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
IKW50N60DTP | Infineon |
на замовлення 15600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
IXGK50N60AU1 | IXYS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
IXGN50N60BD3 | IXYS |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
IXGN50N60BD3 | IXYS | MODULE |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
IXGN50N60BD3 | ABB | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
IXSK50N60AU1 | IXYS | 09+ QFN |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
IXSN50N60U1 | IXYS |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
NGTB50N60L2WG | ON Semiconductor |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
NGTG50N60FWG | ON Semiconductor |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
RFP50N60 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
SGL50N60RUF |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
SGL50N60RUFD |
на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
SGL50N60RUFDTU=== |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
SGL50N60RUFDTU===Fairchild |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
SGL50N60RUFDTU==Fa |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
SGL50N60RUFDTU==Fairchild |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
SGL50N60RUFTU |
на замовлення 4950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
SGW50N60HS | INFINEON | MODULE |
на замовлення 184 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
SM50N60P |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
TD250N600KOF | AEG | 05+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
IGBT IKW50N60H3 Код товару: 177225 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||
IGW50N60H3 Код товару: 107816 |
Infineon |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247-3 Vces: 600 V Vce: 1,85 V Ic 25: 100 A Ic 100: 50 A Pd 25: 333 W td(on)/td(off) 100-150 град: 23/235 |
товар відсутній
|
||||||||||||
IKW50N60H3 Код товару: 94376 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||
IKW50N60T Код товару: 145126 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||
IKW50N60TA Код товару: 139366 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||
IXFT50N60P3 Код товару: 152198 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
IGB50N60TATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 160.82 грн |
IGW50N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 369.04 грн |
3+ | 302.45 грн |
4+ | 262.21 грн |
9+ | 247.64 грн |
IGW50N60H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 167.04 грн |
IGW50N60H3FKSA1 |
Виробник: Infineon
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 258.41 грн |
IGW50N60TFKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 288.36 грн |
3+ | 236.55 грн |
4+ | 206.72 грн |
11+ | 195.62 грн |
IGW50N60TFKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 346.03 грн |
3+ | 294.77 грн |
4+ | 248.06 грн |
11+ | 234.74 грн |
IGW50N60TPXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.47 грн |
IKFW50N60DH3EXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 328.7 грн |
3+ | 269.84 грн |
4+ | 247.64 грн |
9+ | 234.46 грн |
IKFW50N60DH3EXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 394.44 грн |
3+ | 336.27 грн |
4+ | 297.17 грн |
9+ | 281.36 грн |
30+ | 271.37 грн |
IKFW50N60ETXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)IKW50N60DTPXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 254.74 грн |
3+ | 208.8 грн |
5+ | 181.05 грн |
13+ | 171.34 грн |
IKW50N60DTPXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 305.69 грн |
3+ | 260.2 грн |
5+ | 217.26 грн |
13+ | 205.61 грн |
IKW50N60H3 |
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 184.53 грн |
IKW50N60H3 |
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 184.53 грн |
IKW50N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 406.39 грн |
3+ | 288.57 грн |
8+ | 273.31 грн |
IKW50N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 487.67 грн |
3+ | 359.61 грн |
8+ | 327.97 грн |
IKW50N60T |
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 264.05 грн |
IKW50N60T |
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 264.05 грн |
IKW50N60TFKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 239.29 грн |
IXFH50N60X |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 766.47 грн |
2+ | 523.04 грн |
5+ | 494.6 грн |
IXFH50N60X |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 919.76 грн |
2+ | 651.78 грн |
5+ | 593.52 грн |
IXFQ50N60P3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 540.86 грн |
2+ | 414.82 грн |
6+ | 392.62 грн |
30+ | 376.67 грн |
IXFQ50N60P3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 649.03 грн |
2+ | 516.93 грн |
6+ | 471.15 грн |
30+ | 452 грн |
IXFT50N60X |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 858.35 грн |
2+ | 570.21 грн |
4+ | 538.99 грн |
IXFT50N60X |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1030.02 грн |
2+ | 710.57 грн |
4+ | 646.79 грн |
IXXH150N60C3 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 636.48 грн |
2+ | 423.84 грн |
3+ | 423.15 грн |
6+ | 400.25 грн |
IXXH150N60C3 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 763.78 грн |
2+ | 528.17 грн |
3+ | 507.78 грн |
6+ | 480.31 грн |
IXXH150N60C3 |
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 1360000mW
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 1360000mW
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 393.12 грн |
Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 600V TO-247 |
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 241.18 грн |
IKFW50N60ETXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
240+ | 421.33 грн |
IGW50N60H3 Код товару: 107816 |
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,85 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
Pd 25: 333 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 23/235
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,85 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
Pd 25: 333 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 23/235
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]