Продукція > RGT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RGTH40TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 72W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 141ns
Turn-on time: 47ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 144000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGTH40TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 40 A, 1.6 V, 144 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 144
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/73ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.07 грн
10+285.23 грн
100+205.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 144mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+197.16 грн
78+181.53 грн
100+176.72 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGTH40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 144 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 20A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65GC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 72W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 141ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 20A IGBT Stop Trench
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/73ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.85 грн
30+125.55 грн
120+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 20A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/73ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.07 грн
10+246.89 грн
100+176.94 грн
600+135.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TK65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TK65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 26A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 59 W
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.34 грн
30+231.39 грн
120+198.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TK65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGTH50TK65DGC11 - IGBT, 26 A, 1.6 V, 59 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 59
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 26
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TK65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TK65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 26A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 59 W
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.69 грн
30+129.07 грн
120+105.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TK65GC11ROHMDescription: ROHM - RGTH50TK65GC11 - IGBT, 26 A, 1.6 V, 59 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 59
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 26
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65ROHM SemiconductorIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGTH50TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
Verlustleistung Pd: 174
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 87W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 87W
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 65ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 172ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 25A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.66 грн
10+248.63 грн
100+203.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 174 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.66 грн
10+205.00 грн
100+171.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGTH50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.12 грн
10+238.06 грн
100+195.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGTH50TS65GC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
DC-Kollektorstrom: 50
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 174
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65GC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 174000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+199.56 грн
80+177.93 грн
100+170.71 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 25A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 174 W
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.50 грн
10+265.00 грн
100+190.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGTH50TS65GC13 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TK65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 28A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 61 W
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.25 грн
30+146.40 грн
120+119.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TK65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGTH60TK65DGC11 - IGBT, 28 A, 1.6 V, 61 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 61
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TK65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TK65GC11ROHMDescription: ROHM - RGTH60TK65GC11 - IGBT, 28 A, 1.6 V, 61 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 28A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TK65GC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Switching Type, 650V 30A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TK65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 28A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 61 W
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.02 грн
30+255.12 грн
120+212.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65DROHM SemiconductorIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.23 грн
59+243.59 грн
100+235.32 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 58A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.66 грн
30+169.60 грн
120+139.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A IGBT Stop Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGTH60TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 58 A, 1.6 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 194
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 58
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+293.03 грн
51+281.86 грн
100+272.30 грн
250+254.61 грн
500+229.34 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 58A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.59 грн
30+244.42 грн
120+211.39 грн
510+183.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 30A TRNCH
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+528.21 грн
52+275.77 грн
100+247.12 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGTH60TS65GC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 58 A, 1.6 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 194
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 58
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65GC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.97 грн
76+187.54 грн
100+181.18 грн
250+169.41 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 197 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A IGBT Stop Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65GC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.97 грн
76+187.54 грн
100+181.18 грн
250+169.41 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65GC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65GC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+486.08 грн
50+286.26 грн
53+271.06 грн
100+237.21 грн
120+208.75 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD 650V 58A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.26 грн
30+246.84 грн
120+205.40 грн
510+164.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 30A TRNCH
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65GC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+257.93 грн
58+248.10 грн
100+239.69 грн
250+224.11 грн
500+201.86 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65GC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+476.16 грн
50+288.53 грн
100+256.47 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TK65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TK65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 31A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 66 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.88 грн
30+213.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TK65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 31A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 66 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.41 грн
30+127.06 грн
120+103.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TK65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DG-C11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+168.78 грн
90+158.41 грн
200+156.52 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A IGBT Stop Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+324.30 грн
46+310.36 грн
50+298.54 грн
100+278.11 грн
250+249.70 грн
500+233.19 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+613.83 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.29 грн
10+324.93 грн
100+236.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65GC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.42 грн
10+229.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A Trench IGBT Field Stop TO-247N
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65GC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65GC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65GC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+555.37 грн
50+389.42 грн
100+314.93 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGTH80TS65GC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 70A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.80 грн
10+206.81 грн
100+173.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTMPCarlo Gavazzi Inc.Description: RG1P TAMPER PROOF COVER
Packaging: Box
For Use With/Related Products: RG Series
Accessory Type: Cover, Safety
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2821.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTMPCarlo GavazziRelay Sockets & Fixings RG1P TAMPER PROOF COVER (PACK OF 5 PCS)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTRI2 1-0ALCATEL
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTRI21-0
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTSPANDUITDescription: PANDUIT - RGTS - Schraube, 12-24, 12.7 mm, Kohlenstoffstahl, Zink, Sechskantkopf, Schlitz
tariffCode: 73181552
Gewindemaß - Imperial: 12-24
Schraubenlänge: 12.7
Befestigungsüberzug: Zink
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
Schraubenkopf: Sechskantkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Kohlenstoffstahl
usEccn: EAR99
Produktpalette: RGTS
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTSPanduit CorpDescription: GROUNDING SCREW THREAD #12-24
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTSPanduitScrews & Fasteners GRNDing Screw Thread Forming, #12-24
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTS-CYPANDUITDescription: PANDUIT - RGTS-CY - Schraube, 12-24, 12.7 mm, Kohlenstoffstahl, Zink, Sechskantkopf, Schlitz
tariffCode: 73182200
Gewindemaß - Imperial: 12-24
Schraubenlänge: 12.7
Befestigungsüberzug: Zink
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
Schraubenkopf: Sechskantkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Kohlenstoffstahl
usEccn: EAR99
Produktpalette: RGTS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTS-CYPanduit CorpDescription: SHT MTL SCREW HEX SLOTTED #12-24
Packaging: Bulk
Material: Steel
Thread Size: #12-24
Type: Sheet Metal Screw
Plating: Zinc
Length - Below Head: 0.472" (11.99mm)
Screw Head Type: Hex Head
Drive Type: Hex Socket, Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTS-CYPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories THREAD FORMG SCREWS #12-24X1/2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTS1032-CPanduit CorpDescription: SHT MTL SCREW HEX SLOTTED #10-32
Packaging: Bulk
Material: Steel
Thread Size: #10-32
Type: Sheet Metal Screw
Plating: Zinc
Length - Below Head: 0.472" (11.99mm)
Screw Head Type: Hex Head
Drive Type: Hex Socket, Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTS24120FV00CARLO GAVAZZI / PARTNER STOCKDescription: CARLO GAVAZZI / PARTNER STOCK - RGTS24120FV00 - MOTOR DRIVES 1-PHASE SOFT STARTER 1
tariffCode: 85364190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTS24120FV00Carlo GavazziSoft Starters 1-PHASE SOFT STARTER 12A UE: 100 - 240 VAC I/P:24V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTS24120FV00Carlo Gavazzi Inc.Description: SOFT START 12A 100-240 VAC I/P:2
Packaging: Box
Mounting Type: DIN Rail
Current - Output: 12A
Type: Module
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 24VAC/DC
Voltage - Load: 110 ~ 240V
Number of Motors: 1
Motor Type: AC Motor
Control / Drive Type: Soft Start / Stop
Part Status: Active
Wattage - Load: 1.1 kW
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19594.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTS24120GV00Carlo Gavazzi Inc.Description: SOFT STRT 12A 100-240VAC
Packaging: Box
Mounting Type: DIN Rail
Current - Output: 12A
Type: Module
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 100 ~ 240VAC
Voltage - Load: 110 ~ 240V
Number of Motors: 1
Motor Type: AC Motor
Control / Drive Type: Soft Start / Stop
Part Status: Active
Wattage - Load: 1.1 kW
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19908.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTS24120GV00Carlo GavazziSoft Starters 1-PHASE S.STARTER 12A UE:100-240VAC I/P:100-240VAC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTS24160FV00CARLO GAVAZZICategory: Soft Starters
Description: Automation module: softstart; 24VAC; for DIN rail mounting; IP20
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20
Electrical connection: screw terminals
Type of automation module: softstart
Operating temperature: -40...60°C
Starting/stopping time: 0.5...5s
Supply voltage: 24V AC; 24V DC
Rated continuous current: 16A
Max motor power: 1.5kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTS24160FV00Carlo GavazziSoft Starters 1-PHASE SOFT STARTER 16A UE: 100 - 240 VAC I/P:24V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.