Продукція > SIR

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIR5708DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.83 грн
10+113.12 грн
25+112.41 грн
50+107.70 грн
100+99.08 грн
250+94.49 грн
500+93.86 грн
1000+93.23 грн
3000+92.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.14 грн
10+146.96 грн
100+101.90 грн
500+77.57 грн
1000+75.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.27 грн
6000+65.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+94.24 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+94.46 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.93 грн
10+186.13 грн
100+130.82 грн
500+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+181.89 грн
79+180.17 грн
80+178.45 грн
100+170.43 грн
250+156.27 грн
500+148.55 грн
1000+147.08 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET
на замовлення 6804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 77.4A
Pulsed drain current: 200A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.89 грн
10+180.17 грн
25+178.45 грн
100+170.43 грн
250+156.27 грн
500+148.55 грн
1000+147.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5710DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5710DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs SOT669 150V 26.8A N-CH MOSFET
на замовлення 18068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5710DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 4.8W; PowerPAK® SO8
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 31.5mΩ
Power dissipation: 4.8W
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 150V
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5710DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.79 грн
10+89.22 грн
100+60.24 грн
500+44.88 грн
1000+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5712DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5712DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0555 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0555ohm
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5712DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5712DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0555 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0555ohm
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5712DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
на замовлення 10204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.93 грн
10+128.92 грн
100+88.76 грн
500+67.18 грн
1000+63.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 10.8 m 10V
на замовлення 5821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR572DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 59.7 A, 0.0086 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 92.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 59.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 75 V
на замовлення 16624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+135.56 грн
100+93.59 грн
500+71.00 грн
1000+68.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR572DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 59.7 A, 0.0086 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 59.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.98 грн
6000+59.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 59.7A; Idm: 180A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 92.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 59.7A
Pulsed drain current: 180A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR574DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 13.8 m 10V
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR574DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 75 V
на замовлення 5938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.74 грн
10+103.63 грн
100+70.51 грн
500+52.87 грн
1000+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR574DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR574DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR574DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR574DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 48.1 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR574DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 48.1A; Idm: 150A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 14.3mΩ
Power dissipation: 78W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 48.1A
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR574DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 75 V
на замовлення 5930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.57 грн
10+108.54 грн
100+74.05 грн
500+55.63 грн
1000+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR574DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR574DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 48.1 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.49 грн
6000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 16 m 10V
на замовлення 5722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 11972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.06 грн
10+93.59 грн
100+63.34 грн
500+47.28 грн
1000+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR576DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42.2 A, 0.0133 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0133ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 75 V
на замовлення 7264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+96.16 грн
100+65.15 грн
500+48.68 грн
1000+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 42.2A; Idm: 120A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 71.4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 42.2A
Pulsed drain current: 120A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-RE3VishayMOSFETs SOT669 150V 42.2A N-CH MOSFET
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR576DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42.2 A, 0.0133 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.82 грн
6000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR578DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.90 грн
10+154.81 грн
100+107.70 грн
500+82.17 грн
1000+81.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR578DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 8.8 M 10V
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 70.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.50 грн
10+167.94 грн
100+117.40 грн
500+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR578DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-RE3VishayMOSFETs SOT669 150V 70.2A N-CH MOSFET
на замовлення 6823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 70.2A; Idm: 200A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 70.2A
Pulsed drain current: 200A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR578DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 70.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.88 грн
6000+53.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.87 грн
10+124.39 грн
100+85.47 грн
500+64.60 грн
1000+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 2400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 13965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 33.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 137.5A; Idm: 300A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 137.5A
Pulsed drain current: 300A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 2400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 13965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 33.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3VishayMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 33.6A
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.93 грн
10+128.62 грн
100+88.54 грн
500+67.01 грн
1000+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3-XVishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5808DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5808DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66.8 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5808DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 66.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.05 грн
6000+43.34 грн
9000+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5808DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5808DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66.8 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5808DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 11528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5808DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 66.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V
на замовлення 11881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.30 грн
10+104.16 грн
100+70.90 грн
500+53.17 грн
1000+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.93 грн
10+128.62 грн
100+88.54 грн
500+67.01 грн
1000+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 146A
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 35.8A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Ta), 146A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 40 V
на замовлення 13869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.76 грн
10+107.18 грн
100+80.66 грн
500+60.86 грн
1000+56.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+71.62 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A; Idm: 300A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 76nC
On-state resistance: 3.2mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 146A
Pulsed drain current: 300A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Ta), 146A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+70.76 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5810DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+66.72 грн
100+44.36 грн
500+32.64 грн
1000+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5810DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 150C MOSFET
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5810DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5812DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5812DP-T1-RE3VishayMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 13A
на замовлення 6333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5812DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+61.67 грн
100+40.86 грн
500+29.96 грн
1000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92.5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.60 грн
6000+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92.5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.33 грн
10+116.46 грн
100+79.74 грн
500+60.09 грн
1000+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.