Продукція > FGA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FGA30N60LSDTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+210.85 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+295.83 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30N60LSDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA30N60LSDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+251.17 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+295.83 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30N60LSDTUonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30N60LSDTUonsemi / FairchildIGBTs 30A 600V N-Ch Planar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30N65SMDON Semiconductor
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30N65SMDTE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30N65SMDFairchild SemiconductorDescription: IGBT FIELD STOP 650V 60A TO-3PN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/102ns
Switching Energy: 716µJ (on), 208µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 8402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+161.22 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30N65SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors IGBT, 650V, 30A, Field Stop
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30N65SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 60A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/102ns
Switching Energy: 716µJ (on), 208µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30S120PONSEMIDescription: ONSEMI - FGA30S120P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 348 W, 1.3 kV, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+540.54 грн
5+460.88 грн
10+381.22 грн
50+343.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30S120PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 348mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30S120PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 348mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30S120PonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1300V 60A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 348 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30S120PONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30S120PonsemiIGBTs Shorted AnodeTM IGBT
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.92 грн
10+374.98 грн
100+271.72 грн
450+241.76 грн
900+225.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30T65SHDonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 238 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 54.7 nC
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 598µJ (on), 167µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14.4ns/52.8ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30T65SHDON Semiconductor
на замовлення 14320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30T65SHDonsemi / FairchildIGBT Transistors FS3TIGBT TO3PN 30A 650V
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+352.77 грн
10+318.09 грн
100+241.07 грн
450+204.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30T65SHDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.58 грн
10+272.30 грн
100+220.28 грн
500+167.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30T65SHDONS/FAIIGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA4060ADFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3PN
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 238 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 55.5 nC
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 1.37mJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/54.4ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA4060ADFFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 238000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+236.90 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA4060ADFonsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT proliferation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N150
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N60UFDTU
Код товару: 100506
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N60UFDTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+179.96 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N60UFDTUFAIRCHILDFGA40N60UFDTU
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+249.87 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N60UFDTUonsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Ultrafast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N60UFDTU_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 40A UFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 48800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+241.62 грн
500+228.65 грн
1000+216.87 грн
10000+196.62 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+241.62 грн
500+228.65 грн
1000+216.87 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA40N65SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Verlustleistung: 349W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+381.22 грн
10+214.59 грн
100+196.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMDTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 18450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+241.62 грн
500+228.65 грн
1000+216.87 грн
10000+196.62 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMDonsemiIGBTs 650V, 40A Field Stop IGBT
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.22 грн
10+211.53 грн
120+151.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.04 грн
30+198.21 грн
120+164.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD (TO-3P, ON) IGBT N-ch 650V 80A
Код товару: 112251
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD FGA40N65ONS/FAITrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40S65SHON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.15 грн
500+203.90 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40S65SHON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40S65SHonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
Power - Max: 268 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 73 nC
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 194µJ (on), 388µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/68.8ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40S65SHON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.31 грн
10+200.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 72.2nC
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+262.82 грн
10+172.76 грн
30+145.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHDonsemiIGBTs FS3TIGBT TO3PN 40A 650V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+326.76 грн
10+213.93 грн
120+116.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 6750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA40T65SHD - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHDFonsemiIGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.46 грн
10+225.15 грн
100+157.46 грн
450+130.98 грн
900+121.93 грн
2700+115.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHDF
Код товару: 164512
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA40T65SHDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.55 грн
10+211.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65UQDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA40T65UQDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65UQDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.93 грн
13+59.03 грн
100+56.49 грн
146+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65UQDFonsemiDescription: IGBT NPT 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/271ns
Switching Energy: 989µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 231 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65UQDFonsemiIGBTs 650V Field Stop Trench IGBT
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.15 грн
10+237.97 грн
100+156.07 грн
450+134.47 грн
900+124.71 грн
2700+117.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA5065ADFonsemi / FairchildIGBT Transistors FS3TIGBT TO3PN 50A 650V
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.67 грн
10+362.96 грн
100+264.76 грн
250+220.16 грн
450+210.41 грн
900+198.57 грн
2700+196.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA5065ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA5065ADFonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
Power - Max: 268 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Gate Charge: 72.2 nC
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 1.35mJ (on), 309µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/62.4ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA5065ADFON Semiconductor
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA5065ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA5065ADFFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Switching Energy: 1.35mJ (on), 309µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/62.4ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 268 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
Gate Charge: 72.2 nC
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+198.81 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50N100BNTD2onsemiDescription: IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/243ns
Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 257 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 156 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50N100BNTD2ONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50N100BNTD2 - IGBT, 50 A, 2.5 V, 156 W, 1 kV, TO-3P, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1
Verlustleistung: 156
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: Trench
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50N100BNTD2ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-ch / 50A 1000V
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50N100BNTD2ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 156mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50N100BNTDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50N100BNTDTU - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50N100BNTDTUON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V 4 0A UFD
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50N100BNTDTUonsemiDescription: IGBT 1000V 50A 156W TO3P
IGBT Type: NPT and Trench
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 156 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 275 nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50N100BNTDTU
Код товару: 143764
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50N100BNTTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT NPT/TRENCH 1000V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/243ns
Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 257 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+195.18 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50N100BNTTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50N100BNTTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+224.35 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50N60LSonsemiDescription: IGBT 600V 100A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 54ns/146ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 240 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50S110PonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1100V 50A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 195 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50S110Ponsemi / FairchildIGBT Transistors 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.17 грн
10+222.74 грн
100+162.34 грн
450+143.53 грн
900+130.29 грн
2700+127.50 грн
5400+123.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50S110PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1100V 50A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
500+154.40 грн
1000+144.97 грн
10000+131.84 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50S110PFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 195 nC
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+121.33 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50S110PONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50S110P - IGBT, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+144.69 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50S110PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1100V 50A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50S110P.ONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50S110P. - IGBT, 50 A, 2.06 V, 300 W, 1.1 kV, TO-3PL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-3PL
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50T65SHDON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 319mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50T65SHDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/73.6ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 384µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319 W
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50T65SHDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50T65SHD - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50T65SHDonsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 50 A Field Stop Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 319mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50T65SHDONS/FAIIGBT 650V 100A 319W TO-3PN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50T65SHD-01onsemiDescription: FGA50T65SHD-01
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/73.6ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 384µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6065ADFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA6065ADF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]