Продукція > RD3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RD3G08BBLHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08CBKHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3G08CBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08CBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+189.50 грн
10+92.27 грн
100+72.41 грн
500+58.32 грн
1000+56.69 грн
2500+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08CBKHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08CBLHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+186.45 грн
10+90.77 грн
100+71.10 грн
500+57.21 грн
1000+55.12 грн
2500+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08CBLHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3G08CBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08CBLHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3G08CBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 96W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08CBLHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08DBKHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3G08DBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08DBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 N-CH 40V 80A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+189.50 грн
10+92.27 грн
100+72.41 грн
500+58.32 грн
1000+54.66 грн
2500+52.71 грн
5000+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08DBKHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08DBLHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+150.69 грн
10+72.24 грн
100+55.97 грн
500+44.68 грн
1000+43.12 грн
2500+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08DBLHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G400GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.45 грн
10+92.23 грн
100+71.93 грн
500+55.77 грн
1000+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G400GNTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 40.0A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+125.57 грн
10+79.52 грн
100+46.18 грн
500+36.66 грн
1000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G400GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.47 грн
5000+42.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G500GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G500GNTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 50.0A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+163.62 грн
10+103.52 грн
100+61.71 грн
500+49.05 грн
1000+47.62 грн
2500+45.21 грн
5000+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G500GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800 pF @ 20 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.29 грн
10+104.44 грн
100+71.13 грн
500+53.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G500GNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 35W; DPAK,TO252
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 31nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G600GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G600GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.12 грн
10+122.08 грн
100+83.76 грн
500+63.23 грн
1000+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G600GNTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 60.0A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+173.52 грн
10+110.27 грн
100+65.88 грн
500+53.03 грн
1000+48.86 грн
2500+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H045SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H045SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H045SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H045SPFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -45V Vdss -4.5A TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+129.38 грн
10+81.02 грн
100+47.75 грн
500+37.90 грн
1000+34.83 грн
2500+31.25 грн
5000+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H045SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H045SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H045SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.59 грн
10+89.33 грн
100+69.64 грн
500+53.99 грн
1000+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H045SPTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -45V -4.5A TO-252 (DPAK)
на замовлення 4405 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+112.63 грн
10+52.66 грн
100+39.33 грн
500+32.09 грн
1000+29.42 грн
2500+26.22 грн
5000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H045SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.44 грн
10+78.01 грн
100+60.79 грн
500+47.13 грн
1000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H045SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H045SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H045SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H045SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H045SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H080SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H080SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 8 A, 0.091 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H080SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.14 грн
10+105.11 грн
100+81.97 грн
500+63.55 грн
1000+50.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H080SPFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -45V Vdss -8A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+149.16 грн
10+84.02 грн
100+52.32 грн
500+44.23 грн
1000+40.77 грн
2500+36.40 грн
5000+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H080SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H080SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 8 A, 0.091 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H080SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H080SPTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V -8A TO-252(DPAK)
на замовлення 3316 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+89.80 грн
10+80.27 грн
100+54.08 грн
500+44.68 грн
1000+35.29 грн
2500+33.92 грн
5000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H080SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.19 грн
10+80.47 грн
50+60.37 грн
100+50.58 грн
500+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H080SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+109.59 грн
143+100.17 грн
250+91.61 грн
500+80.08 грн
1000+70.54 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 6802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+104.19 грн
161+88.78 грн
188+75.93 грн
200+69.47 грн
500+60.21 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.65 грн
10+101.46 грн
100+68.96 грн
500+51.64 грн
1000+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -45V Vdss -16A TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 4946 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+152.97 грн
10+85.52 грн
100+57.21 грн
500+46.31 грн
1000+42.60 грн
2500+38.49 грн
5000+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 6802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.12 грн
10+121.17 грн
25+115.95 грн
50+107.64 грн
100+77.28 грн
250+73.68 грн
500+59.97 грн
1000+51.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H160SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+106.18 грн
141+101.44 грн
250+97.38 грн
500+90.50 грн
1000+81.06 грн
2500+75.52 грн
5000+73.49 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -45V -16A TO-252(DPAK)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+152.97 грн
10+73.52 грн
100+57.21 грн
500+45.47 грн
1000+42.79 грн
2500+38.94 грн
5000+37.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+105.35 грн
157+91.09 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H160SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -16A; Idm: -32A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+170.95 грн
117+122.47 грн
122+117.21 грн
127+108.80 грн
164+78.11 грн
250+74.47 грн
500+60.62 грн
1000+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.47 грн
10+97.44 грн
50+73.77 грн
100+62.06 грн
500+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H200SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.91 грн
10+106.23 грн
100+85.40 грн
500+65.85 грн
1000+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H200SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H200SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+101.98 грн
10+74.19 грн
100+52.64 грн
500+44.03 грн
1000+41.81 грн
2500+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H200SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H200SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.01 грн
10+87.91 грн
50+66.34 грн
100+55.73 грн
500+44.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H200SNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 45V 20A TO-252 (DPAK)
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+141.55 грн
10+67.74 грн
100+51.08 грн
500+41.55 грн
1000+38.16 грн
2500+34.31 грн
5000+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H200SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H200SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L01BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 29468 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+89.04 грн
10+58.66 грн
100+38.81 грн
500+31.77 грн
1000+30.01 грн
2500+27.40 грн
5000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+57.63 грн
258+55.32 грн
500+53.32 грн
1000+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.22 грн
10+67.81 грн
100+48.48 грн
500+36.16 грн
1000+33.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+103.93 грн
162+88.36 грн
241+59.22 грн
255+54.12 грн
500+46.83 грн
1000+42.20 грн
2500+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+57.63 грн
258+55.32 грн
500+53.32 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+82.06 грн
250+81.67 грн
500+65.22 грн
1000+56.99 грн
2500+48.14 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+95.09 грн
174+82.06 грн
250+81.67 грн
500+62.89 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 30 V
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.65 грн
10+90.97 грн
50+68.68 грн
100+57.71 грн
500+45.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 18569 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+143.08 грн
10+90.02 грн
100+53.03 грн
500+42.21 грн
1000+38.68 грн
2500+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+127.24 грн
132+108.21 грн
139+103.34 грн
200+94.37 грн
500+79.20 грн
1000+61.97 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0087 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 N-CH 60V 40A
на замовлення 693 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+162.86 грн
10+103.52 грн
100+61.12 грн
500+48.79 грн
1000+44.88 грн
2500+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0087 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.77 грн
10+87.91 грн
100+69.99 грн
500+55.58 грн
1000+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L03BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 29 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, Pch -60V -29A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+130.14 грн
10+61.66 грн
100+47.88 грн
500+37.90 грн
1000+36.92 грн
2500+31.18 грн
5000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L03BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 29 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L04BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L04BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L04BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+151.45 грн
10+95.27 грн
100+57.80 грн
500+48.66 грн
1000+42.07 грн
2500+35.75 грн
5000+35.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L04BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L04BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L04BBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 367 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+133.18 грн
10+84.77 грн
100+49.18 грн
500+39.01 грн
1000+35.75 грн
2500+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L04BBKHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L04BBLHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+133.18 грн
10+84.02 грн
100+48.79 грн
500+38.68 грн
1000+35.42 грн
2500+31.83 грн
5000+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.86 грн
10+67.14 грн
25+60.89 грн
100+50.65 грн
250+47.55 грн
500+45.68 грн
1000+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+92.09 грн
10+60.24 грн
100+43.57 грн
500+41.88 грн
1000+41.29 грн
2500+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.109 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.