Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFD122Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123HARRISIRFD123
на замовлення 19804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+119.95 грн
500+107.66 грн
1000+99.28 грн
10000+85.36 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123HARRISIRFD123
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+119.95 грн
500+107.66 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123HARRISIRFD123
на замовлення 7743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+119.95 грн
500+107.66 грн
1000+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123VishayTrans MOSFET N-CH 100V 0.6A 4-Pin HVMDIP IRFD123 IRFD123 TIRFD123
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 39639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+84.81 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123HARRISIRFD123
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+119.95 грн
500+107.66 грн
1000+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBF
Код товару: 26821
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: HD-1
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 1,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 450/11
Монтаж: THT
у наявності: 20 шт
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD123PBF - N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD1Z0
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD1Z3Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 11749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD1Z3HARRISIRFD1Z3
на замовлення 11664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.45 грн
549+64.30 грн
1000+59.31 грн
10000+50.98 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD1Z3HARRIS1997
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210IRFD210 Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210Harris CorporationDescription: 0.6A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+1008.61 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210HARRISIRFD210
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+125.83 грн
500+113.27 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBFMOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBF
Код товару: 118708
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.5 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 200V 1.5A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD213Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 4379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+65.03 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD213HARRISIRFD213
на замовлення 4122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.57 грн
500+79.71 грн
1000+73.51 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD213
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD213HARRISIRFD213
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.57 грн
500+79.71 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214IR09+
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 0.45A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214PBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220Harris CorporationDescription: 0.8A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 480mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFD220PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220VishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=200V, Id=0.8A@T=25C, Id=0.5A@T=100C, Rds=0.8 R, P=1.0W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220(94-2188)
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBFMOSFET N-CH 200V 0.8A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBF
Код товару: 22410
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: HD-1
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 0,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,8 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 260/14
Монтаж: THT
у наявності: 24 шт
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 4 шт
  • 4 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+21.00 грн
10+18.60 грн
100+17.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.3 A, 0.8 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 200V .8A N-CH MOSFET
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 480mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.53 грн
10+91.96 грн
100+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD223
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 250V 0.63 Amp
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFD224PBF. - MOSFET N, HEXDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD3055
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310Harris CorporationDescription: 0.4A 400V 3.600 OHM N-CHANNEL
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 210mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+91.19 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310HARRISIRFD310
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.52 грн
500+154.06 грн
1000+142.30 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 210mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.81 грн
10+98.36 грн
100+66.73 грн
500+49.92 грн
1000+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.35A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.35A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 350 mA, 3.6 ohm, DIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 350
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.35A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD311Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+100.45 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD311HARRISIRFD311
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+138.77 грн
500+124.66 грн
1000+114.74 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD313Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+93.39 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD313HARRISIRFD313
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.01 грн
500+114.65 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320HARRISIRFD320
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+197.57 грн
500+186.98 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFD320PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 490MA 4HVMDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+142.66 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD3202002 DIP-4
на замовлення 15621 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+77.57 грн
206+68.56 грн
250+67.87 грн
500+61.05 грн
1000+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.09 грн
10+101.31 грн
100+82.20 грн
250+78.47 грн
500+64.68 грн
1000+56.03 грн
2000+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.67 грн
10+118.32 грн
100+81.08 грн
500+61.14 грн
1000+56.33 грн
2000+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.10 грн
10+77.57 грн
100+68.56 грн
250+65.45 грн
500+56.52 грн
1000+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.02 грн
169+83.59 грн
250+82.75 грн
500+71.03 грн
1000+59.35 грн
2000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 400V .49A N-CH MOSFET
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD320PBF - N CHANNEL MOSFET, 400V, 490mA, HD-1
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 490
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFD320PBF. - MOSFET N, HEXDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD321Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD322HARRISIRFD322
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+171.70 грн
500+163.46 грн
1000+154.06 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD322Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+125.02 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD323Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+111.78 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD323HARRISIRFD323
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.06 грн
500+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420
Код товару: 86636
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD420PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 370 mA, 3 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 370
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 0.37A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]