Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFD220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 200V .8A N-CH MOSFET
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBF
Код товару: 22410
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: HD-1
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 0,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,8 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 260/14
Монтаж: THT
у наявності: 24 шт
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 4 шт
  • 4 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+21.00 грн
10+18.60 грн
100+17.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD223
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 250V 0.63 Amp
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFD224PBF. - MOSFET N, HEXDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD3055
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310Harris CorporationDescription: 0.4A 400V 3.600 OHM N-CHANNEL
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 210mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+90.14 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310HARRISIRFD310
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.52 грн
500+154.06 грн
1000+142.30 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.35A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.35A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.35A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 350 mA, 3.6 ohm, DIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 350
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 210mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.98 грн
10+97.23 грн
100+65.96 грн
500+49.34 грн
1000+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD311HARRISIRFD311
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+138.77 грн
500+124.66 грн
1000+114.74 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD311Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+99.30 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD313HARRISIRFD313
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.01 грн
500+114.65 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD313Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD3202002 DIP-4
на замовлення 15621 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320HARRISIRFD320
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+197.57 грн
500+186.98 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFD320PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 490MA 4HVMDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+141.03 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.10 грн
10+77.57 грн
100+68.56 грн
250+65.45 грн
500+56.52 грн
1000+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 400V .49A N-CH MOSFET
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.48 грн
10+116.96 грн
100+80.15 грн
500+60.43 грн
1000+55.68 грн
2000+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.02 грн
169+83.59 грн
250+82.75 грн
500+71.03 грн
1000+59.35 грн
2000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD320PBF - N CHANNEL MOSFET, 400V, 490mA, HD-1
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 490
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+77.57 грн
206+68.56 грн
250+67.87 грн
500+61.05 грн
1000+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.09 грн
10+101.31 грн
100+82.20 грн
250+78.47 грн
500+64.68 грн
1000+56.03 грн
2000+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFD320PBF. - MOSFET N, HEXDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD321Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD322Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+123.58 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD322HARRISIRFD322
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+171.70 грн
500+163.46 грн
1000+154.06 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD323Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+110.49 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD323HARRISIRFD323
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.06 грн
500+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420
Код товару: 86636
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD420PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 370 mA, 3 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 370
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 0.37A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBFMOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010IR09+
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9010PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 1.1 A, 0.35 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFD9010PBF. - P CHANNEL MOSFET, -50V, 1.1A, HD-1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9012
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014 (транзистор польовий)
Код товару: 43571
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10 Ом
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishay SiliconixTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF
Код товару: 43657
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: HVMDIP
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 1,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,50 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 270/12
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+10.50 грн
100+9.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 12, Rds = 0,5 Ом, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+185, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 60V 1.1A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.85 грн
13+59.24 грн
100+52.92 грн
500+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD9020PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020IR
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.23 грн
10+101.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 60V 1.6A P-CH MOSFET
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9020PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024
Код товару: 31844
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: HD-1
Напруга сток-витік Uds, В: 80 В
Струм стоку Id, А: 1,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 60V 1.6A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBFMOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBF
Код товару: 48522
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110SiliconixP-MOSFET 0.7A 100V 1.3W 1.2Ω IRFD9110 TIRFD9110
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110HARRISIRFD9110
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.15 грн
1000+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110Harris CorporationDescription: 0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 6914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 100V .7A P-CH MOSFET
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF
Код товару: 59118
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: HVMDIP
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 0,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 200/8,7
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+33.00 грн
10+27.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+105.63 грн
156+90.49 грн
200+86.01 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF(MOSFET,P-CH,100V,0.7A,DIP-4) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]