Продукція > STW

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STW5098/E01ST-Ericsson IncDescription: BOARD EVAL I2C/SPI STW5098
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW5098BBLR/LFST-Ericsson IncDescription: IC CODEC STEREO W/AMP 112VFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW5098BBLT/LFST-Ericsson IncDescription: IC CODEC STEREO W/AMP 112VFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW5098TST-Ericsson IncDescription: IC CODEC STEREO W/AMP 112LFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW50N10STTO-247
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW50N65DM2AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 24A
Technology: MDmesh™ DM2
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW50N65DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+522.67 грн
30+289.87 грн
120+243.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW50N65DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.64 грн
10+309.62 грн
100+225.74 грн
600+212.62 грн
1200+209.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW50N65DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW50N65DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW50N65DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW50N65DM6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW50N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.074 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+683.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW50N65DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW50N65DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 21A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 91mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 120A
Technology: MDmesh™ DM6
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW50NB20STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW50NB20
Код товару: 1976
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, V: 200 V
Струм стоку Idd, A: 50 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW50NB20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW50NB20STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 50 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW5100
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW5101
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW515FLIR ExtechDescription: STOPWATCH/CLOCK BACKLIT DISPLAY
Part Status: Active
For Measuring: Time
Includes: Battery, Strap
Type: Stopwatch/Clock
Packaging: Box
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2173.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW515ExtechEnvironmental Test Equipment Stopwatch/Clock with Backlit Display
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2348.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW515EXTECH INSTRUMENTSDescription: EXTECH INSTRUMENTS - STW515 - Timer / Zähler, 77 mm, 19 mm
tariffCode: 90328900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Außentiefe: 19mm
Außenbreite: -
SVHC: To Be Advised
Außenhöhe: 77mm
Messbereich: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Zählgeschwindigkeit: -
usEccn: EAR99
Genauigkeit %: -
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2254.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW515GMS InstrumentsSTW515
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW515-NISTFLIR ExtechDescription: STOPWATCH/CLOCK BACKLIT NIST
Packaging: Box
Type: Stopwatch/Clock
Includes: Battery, Calibration Certificate, Strap
For Measuring: Time
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW515-NISTExtechEnvironmental Test Equipment Stopwatch/Clock with Backlit Display w/ NIST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW52N50C3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW52N60DM6STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2468 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW52N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 64 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW52NK25ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 250V; 30V; 45mOhm; 52A; 300W; -55°C ~ 150°C; STW52NK25Z TSTW52NK25Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+119.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW52NK25ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW52NK25ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 52A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+548.30 грн
30+304.36 грн
120+255.24 грн
510+206.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW52NK25ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 250 Volt 52 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.06 грн
10+297.71 грн
100+216.77 грн
600+197.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW52NK25Z
Код товару: 109598
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW52NK25ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 32.76A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 32.76A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW52NK25ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.67 грн
30+288.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW52NK25ZSTMN-CHANNEL 250V - 0.033. - 52A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW52NK25ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW52NK25Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 26 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+544.45 грн
5+429.28 грн
10+313.30 грн
50+272.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW52NK25ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW52NK25ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+311.81 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW54NK30ZSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW54NK30ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 54A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 221 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW54NM65NDSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW54NM65NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 49A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW54NM65NDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.055 Ohm 49A FDmesh II
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NE10STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NE10
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM50N
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 54A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 500V, 54 A Power II Mdmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM50NSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 600V Power MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+695.34 грн
600+688.51 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V FDMesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+695.03 грн
600+688.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM60ND (транзистори польові N-канальні)
Код товару: 43769
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
УКТЗЕД: 8541 30 00 90
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW5630/JDR18BDRSeoul Semiconductor Inc.Description: LED 5630 LINEAR STRIP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW56N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1089.70 грн
5+767.54 грн
10+675.73 грн
50+522.76 грн
100+448.03 грн
250+413.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1115.95 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+542.87 грн
30+304.41 грн
120+256.43 грн
510+212.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+659.62 грн
10+443.79 грн
100+318.25 грн
600+283.73 грн
1200+265.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+737.74 грн
10+496.18 грн
100+356.22 грн
600+316.87 грн
1200+296.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2STMMOSFET PTD HIGH VOLTAGE Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW56N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+682.98 грн
5+562.97 грн
10+442.97 грн
50+403.10 грн
100+363.81 грн
250+356.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.40 грн
30+356.53 грн
120+301.24 грн
510+244.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 46800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+661.97 грн
3000+586.56 грн
6000+564.16 грн
9000+525.34 грн
12000+472.92 грн
15000+448.34 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW56N60M2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+746.60 грн
5+630.63 грн
10+515.45 грн
50+370.94 грн
100+315.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 46800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+661.97 грн
3000+586.56 грн
6000+564.16 грн
9000+525.34 грн
12000+472.92 грн
15000+448.34 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+675.67 грн
30+383.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+943.55 грн
25+899.99 грн
50+863.78 грн
100+803.57 грн
250+720.96 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+709.56 грн
10+412.03 грн
100+303.75 грн
600+298.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+515.31 грн
1200+506.90 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+873.86 грн
10+544.61 грн
100+394.88 грн
600+366.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+515.31 грн
1200+506.90 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+673.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2STMicroelectronicsSTW56N65M2 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31A; Idm: 196A; 358W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 358W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+620.16 грн
5+475.31 грн
10+417.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+688.10 грн
30+390.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW56N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+740.97 грн
5+590.36 грн
10+439.75 грн
50+392.63 грн
100+348.62 грн
250+334.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 45A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 26.5A; Idm: 168A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5STMicroelectronics
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+421.38 грн
1200+419.77 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+717.61 грн
10+462.84 грн
100+332.05 грн
600+295.47 грн
1200+283.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+612.91 грн
5+504.18 грн
10+395.45 грн
50+358.98 грн
100+323.08 грн
250+315.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+807.70 грн
30+465.05 грн
120+396.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+421.38 грн
1200+419.77 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 42A TO247-4L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+457.29 грн
3+403.85 грн
10+363.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]