Продукція > DMT

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT64M1LCG-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 3K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT64M1LCG-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 2K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT64M1LPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT64M2LPSW-13

Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2799 pF @ 30 V

на замовлення 7412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.63 грн
10+	58.80 грн
100+	41.21 грн
500+	30.48 грн
1000+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT64M2LPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

на замовлення 2085 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT64M2LPSW-13

Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2799 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.10 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT64M3SK3-13

Description: IC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6019 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 287500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.21 грн
5000+	30.02 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT64M3SK3-13

MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R 2.5K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT64M3SK3-13

на замовлення 289900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.06 грн
10+	75.33 грн
100+	50.67 грн
500+	37.60 грн
1000+	34.48 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT64M8LCG-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 3K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT64M8LCG-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 2K

на замовлення 1798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT64M8LSS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT64M8LSS-13

Description: DIODES INC. - DMT64M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 3900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	25.69 грн
33+	25.04 грн
100+	24.30 грн
500+	21.96 грн
1000+	19.86 грн

Мінімальне замовлення: 32 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT67M8LCG-13

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT67M8LCG-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3333-8 T&R 3K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT67M8LCG-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3333-8 T&R 2K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT67M8LCGQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3333-8 T&R 3K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT67M8LCGQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin VDFN EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT67M8LCGQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3333-8 T&R 2K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT67M8LPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

на замовлення 2159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT67M8LPSW-13

Description: MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta), 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 745000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.54 грн
5000+	21.45 грн
7500+	21.05 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT67M8LPSW-13

Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm

на замовлення 2399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.49 грн
500+	36.53 грн
1000+	30.86 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT67M8LPSW-13

на замовлення 747249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.79 грн
10+	46.34 грн
100+	34.12 грн
500+	28.10 грн
1000+	25.59 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT67M8LPSW-13

Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm

на замовлення 2399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.88 грн
11+	75.84 грн
100+	53.49 грн
500+	36.53 грн
1000+	30.86 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT67M8LSS-13

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 30 V

на замовлення 6380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.22 грн
10+	51.93 грн
100+	34.30 грн
500+	25.06 грн
1000+	22.77 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT67M8LSS-13

Description: DIODES INC. - DMT67M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 5100 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.32 грн
500+	29.59 грн
1000+	24.52 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT67M8LSS-13

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.78 грн
5000+	20.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT67M8LSS-13

на замовлення 1997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.35 грн
14+	60.88 грн
100+	40.32 грн
500+	29.59 грн
1000+	24.52 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT67M8LSS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LFV-13

MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LFV-13

Description: MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LFV-13

Trans MOSFET N-CH 60V 54.1A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LFV-7

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	19.60 грн
4000+	18.01 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LFV-7

Trans MOSFET N-CH 60V 54.1A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LFV-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43.3A; Idm: 210A; 2.7W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 210A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 13.3mΩ
Power dissipation: 2.7W
Drain current: 43.3A
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LFV-7

Description: MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V

на замовлення 5736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.60 грн
10+	47.25 грн
100+	31.04 грн
500+	22.59 грн
1000+	20.49 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LFV-7

MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V

на замовлення 513 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LPS-13

Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 69.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LPS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.2A; Idm: 270A; 2.4W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 270A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI5060-8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 10.8mΩ
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 11.2A
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LPS-13

Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 5900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.58 грн
500+	26.95 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LPS-13

Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 69.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LPS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LPS-13

Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 5900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	92.66 грн
15+	55.03 грн
100+	36.58 грн
500+	26.95 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LPS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 14.1A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LPSW-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 12.1A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LSS-13

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2107 pF @ 30 V

на замовлення 9140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.54 грн
10+	30.49 грн
100+	20.99 грн
500+	16.82 грн
1000+	15.17 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LSS-13

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2107 pF @ 30 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.15 грн
5000+	12.70 грн
7500+	12.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LSS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.7A; Idm: 100A; 1.9W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31.8nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 1.9W
Drain current: 9.7A
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT68M8LSS-13

MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V

на замовлення 2257 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT69M5LCG-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.37W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1406 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT69M5LCG-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 208A; 2.64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.7A
Power dissipation: 2.64W
Case: V-DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 208A
Kind of package: 7 inch reel; tape

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT69M5LCG-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 2K

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT69M5LCG-7

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT69M5LFVW-7

Description: DIODES INC. - DMT69M5LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40.6 A, 6200 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.74W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.39 грн
500+	27.10 грн
1000+	22.57 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT69M5LFVW-7

Description: DIODES INC. - DMT69M5LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40.6 A, 6200 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm

на замовлення 1154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	97.54 грн
17+	50.48 грн
100+	39.10 грн
500+	29.21 грн
1000+	24.46 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT69M5LFVWQ-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 160A; 2.74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
Power dissipation: 2.74W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 160A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT69M5LH3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 300A; 3.3W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Power dissipation: 3.3W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT69M5LH3

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 166950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 544 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT69M5LH3

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V TO251 TUBE 75PCS

на замовлення 127 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT69M8LFV-13

Description: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT69M8LFV-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 19469 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT69M8LFV-13

Description: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.95 грн
10+	48.31 грн
100+	31.70 грн
500+	23.04 грн
1000+	20.88 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT69M8LFV-7

Description: DIODES INC. - DMT69M8LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm

на замовлення 1169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.06 грн
13+	62.83 грн
100+	44.30 грн
500+	32.91 грн
1000+	27.80 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT69M8LFV-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 9976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT69M8LFV-7

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	20.50 грн
4000+	19.52 грн
6000+	19.45 грн
10000+	17.55 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT69M8LFV-7

Description: DIODES INC. - DMT69M8LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm

на замовлення 1169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.30 грн
500+	32.91 грн
1000+	27.80 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT69M8LFV-7

на замовлення 12440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.00 грн
10+	52.83 грн
100+	33.30 грн
500+	24.38 грн
1000+	22.38 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT69M8LPS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT69M8LSS-13

Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT69M8LSS-13

MOSFET 60V N-Ch Enh FET 14mOhm 4.5Vgs 8.4A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT69M8LSS-13

Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT69M8LSS-13

Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT69M9LPDW-13

Category: Transistors - Unclassified
Description: DMT69M9LPDW-13

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

2500+	36.49 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT69M9LPDW-13

Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 44A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.10 грн
500+	26.27 грн
1000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT69M9LPDW-13

на замовлення 1861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	30.73 грн
28+	29.91 грн
100+	29.10 грн
500+	26.27 грн
1000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 27 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT69M9LPDW-13

Cornell Dubilier Electronics (CDE)

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6D1K

Description: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6D33K-F

Film Capacitors 600Vdc 0.0033uF

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT6D33K-F

Cornell Dubilier Knowles

Description: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD
Voltage Rating - DC: 630V
Voltage Rating - AC: 250V
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Termination: PC Pins
Lead Spacing: 0.543" (13.80mm)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Radial
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 0.693" L x 0.252" W (17.60mm x 6.40mm)
Capacitance: 3300 pF
Height - Seated (Max): 0.468" (11.89mm)

на замовлення 4898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.93 грн
10+	116.54 грн
50+	93.08 грн
100+	80.20 грн
500+	67.44 грн
1000+	63.23 грн
2500+	57.62 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6D47K-F

Knowles / Illinois Capacitor

Film Capacitors 600Vdc 0.0047uF

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT6D47K-F

Cornell Dubilier Knowles

Description: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.543" (13.80mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 250V
Voltage Rating - DC: 630V
Height - Seated (Max): 0.503" (12.77mm)
Part Status: Active
Capacitance: 4700 pF
Size / Dimension: 0.693" L x 0.283" W (17.60mm x 7.20mm)

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	154.41 грн
10+	104.84 грн
50+	85.17 грн
100+	73.74 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6D47K-F

Film Capacitors 600Vdc 0.0047uF

на замовлення 727 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT6P1K

Cornell Dubilier Electronics (CDE)

Description: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6P1K-F

Cornell Dubilier Electronics (CDE)

Description: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6S1K-F

Film Capacitors 0.01uF 10% 600/630 Vdc

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6S22K-F

Knowles / Illinois Capacitor

Film Capacitors 0.022uF 600V 10%

на замовлення 881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT6S47K-F

Film Capacitors 0.047uF 600V 10%

на замовлення 538 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT6S47K-F

Cornell Dubilier Knowles

Description: CAP FILM 0.047UF 10% 630VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.732" (18.60mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester
Voltage Rating - AC: 250V
Voltage Rating - DC: 630V
Height - Seated (Max): 0.779" (19.78mm)
Capacitance: 0.047 µF
Size / Dimension: 0.882" L x 0.520" W (22.40mm x 13.20mm)

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.54 грн
10+	48.68 грн
50+	42.55 грн
100+	32.55 грн
500+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6S47K-F

Film Capacitors 0.047uF 600V 10%

на замовлення 1044 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT8007LPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2682 pF @ 40 V

на замовлення 12915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.38 грн
10+	65.52 грн
100+	43.75 грн
500+	32.29 грн
1000+	29.47 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT8007LPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT8007LPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2682 pF @ 40 V

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.35 грн
5000+	25.35 грн
7500+	24.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT8008LCG-7

MOSFET BVDSS: 61V 100V V-DFN3333-8 T&R 2K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT8008LFG-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI3333-8 T&R 3K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT8008LFG-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT8008LFG-7

Description: DIODES INC. - DMT8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 48 A, 5300 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm

на замовлення 1382 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.12 грн
500+	62.72 грн
1000+	53.44 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT8008LFG-7