Продукція > SCT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCT30N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+1355.89 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1580.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120STMMOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120D2STMicroelectronicsSilicon carbide Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120D2STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120D2STMicroelectronicsMOSFET PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120HSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 42A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120HSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Kind of package: reel; tape
Case: H2PAK-2
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120HSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120HSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120HSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Nch 1200V 24A SiC TO-247N
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+897.47 грн
30+842.54 грн
120+807.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KLHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1450.06 грн
30+882.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+843.38 грн
10+563.07 грн
50+456.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105mohm 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3105KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105mohm 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3105KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+725.81 грн
10+599.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+734.43 грн
10+707.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3105KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+615.03 грн
25+588.61 грн
50+566.19 грн
100+527.44 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+700.42 грн
25+597.86 грн
30+582.15 грн
50+551.55 грн
100+490.07 грн
250+465.72 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+477.15 грн
32+454.19 грн
120+423.14 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+615.03 грн
25+588.61 грн
50+566.19 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+599.62 грн
30+320.08 грн
120+315.38 грн
510+274.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3120ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 21A, 650V, 0.12 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 103W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+477.15 грн
30+454.19 грн
120+423.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+700.42 грн
25+597.86 грн
30+582.15 грн
50+551.55 грн
100+490.07 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 21A; Idm: 52A; 103W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 103W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+491.81 грн
30+486.79 грн
120+481.97 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1081.13 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.31 грн
30+332.91 грн
120+332.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+944.19 грн
25+900.60 грн
50+864.37 грн
100+804.11 грн
250+721.44 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+491.81 грн
30+486.79 грн
120+481.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120AW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3120AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 650 V, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+929.60 грн
10+623.98 грн
100+471.12 грн
500+388.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120AW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 120m 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+841.82 грн
30+483.49 грн
60+444.56 грн
120+386.47 грн
510+337.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLGC11ROHM - JapanSiC-N-Ch 1200V 17A 103W 0,208R TO247 SCT3160KLGC11 : Rohm SCT3160KLGC11 TSCT3160klgc11
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+792.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+691.65 грн
25+661.94 грн
50+636.72 грн
100+593.15 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Power dissipation: 103W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.16Ω
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+799.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3160KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 17A, 1.2kV, 0.16 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 103W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+533.68 грн
29+504.45 грн
50+464.85 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1093.76 грн
50+935.36 грн
100+765.57 грн
200+640.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3160KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 17
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 103
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 103
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1146.74 грн
100+955.46 грн
450+954.54 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+840.25 грн
30+658.25 грн
120+648.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1066.41 грн
25+1017.17 грн
50+976.24 грн
100+908.19 грн
250+814.83 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT3160KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+289.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7HRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7HRTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+650.23 грн
25+622.30 грн
50+598.58 грн
100+557.62 грн
250+500.65 грн
500+467.55 грн
1000+456.12 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT3160KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+683.49 грн
10+452.12 грн
50+363.78 грн
100+320.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7HRTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+780.72 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
на замовлення 3837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+944.50 грн
10+635.08 грн
100+479.94 грн
500+396.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; Idm: 42A; 100W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 100W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...22V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 208mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1018.33 грн
19+749.61 грн
50+687.37 грн
100+649.19 грн
200+543.85 грн
500+483.30 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3160KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+540.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1004.43 грн
25+829.79 грн
50+778.04 грн
100+696.64 грн
250+641.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1004.43 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+663.89 грн
10+437.85 грн
50+351.79 грн
100+307.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWAHRTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+865.58 грн
50+594.97 грн
100+572.34 грн
200+470.98 грн
500+427.67 грн
1000+348.33 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWAHRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7LA
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT3160KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT3160KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWAHRTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+737.39 грн
25+596.93 грн
50+561.82 грн
250+487.40 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWATLROHMDescription: ROHM - SCT3160KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+613.56 грн
25+570.13 грн
50+527.63 грн
100+466.91 грн
250+419.94 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+649.00 грн
10+427.59 грн
50+343.20 грн
100+298.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+735.46 грн
50+624.20 грн
100+600.63 грн
200+457.34 грн
500+414.20 грн
1000+337.83 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWATLROHMDescription: ROHM - SCT3160KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT31X-055-1R1A045JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 14.87mH 5.5A DCR=65.26Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT31X-055-1R1A045JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 14.87mH 5.5A DCR=65.26Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT31X-060-S1R1A028JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 530V 5.92mH 6A DCR=38.97mOhms Heat Resistant Thru Hole
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT31X-060-S1R1A028JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 530V 5.92mH 6A DCR=38.97mOhms Heat Resistant Thru Hole
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT31X-065-1R2A038JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 10.61mH 6.5A DCR=44.89Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT31X-065-1R2A038JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 10.61mH 6.5A DCR=44.89Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT31X-070-S1R2A023JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 530V 3.99mH 7A DCR=27.19mOhms Heat Resistant Thru Hole
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT31X-070-S1R2A023JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 530V 3.99mH 7A DCR=27.19mOhms Heat Resistant Thru Hole
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT31X-075-1R3A032JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 7.51mH 7.5A DCR=31.93Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.