Продукція > STW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STW52NK25ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 32.76A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 32.76A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW54NK30ZSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW54NK30ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 221 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW54NM65NDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.055 Ohm 49A FDmesh II
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW54NM65NDSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW54NM65NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 49A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NE10STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NE10
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM50N
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM50NSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 500V, 54 A Power II Mdmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 600V Power MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V FDMesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+695.34 грн
600+688.51 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+695.03 грн
600+688.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW55NM60ND (транзистори польові N-канальні)
Код товару: 43769
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
УКТЗЕД: 8541 30 00 90
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW5630/JDR18BDRSeoul Semiconductor Inc.Description: LED 5630 LINEAR STRIP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1115.95 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW56N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 360W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2STMMOSFET PTD HIGH VOLTAGE Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW56N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 46800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+661.97 грн
3000+586.56 грн
6000+564.16 грн
9000+525.34 грн
12000+472.92 грн
15000+448.34 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 46800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+661.97 грн
3000+586.56 грн
6000+564.16 грн
9000+525.34 грн
12000+472.92 грн
15000+448.34 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+943.55 грн
25+899.99 грн
50+863.78 грн
100+803.57 грн
250+720.96 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW56N60M2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+722.27 грн
30+409.66 грн
60+375.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+515.31 грн
1200+506.90 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+673.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+515.31 грн
1200+506.90 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31A; Idm: 196A; 358W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 358W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+620.16 грн
5+475.31 грн
10+417.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+770.42 грн
30+438.65 грн
60+402.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW56N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2STMicroelectronicsSTW56N65M2 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 45A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+421.38 грн
1200+419.77 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 26.5A; Idm: 168A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 26.5A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+421.38 грн
1200+419.77 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+806.92 грн
30+464.73 грн
60+427.49 грн
120+371.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
Kind of package: tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+457.29 грн
3+403.85 грн
10+363.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 42A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5-4STMicroelectronicsMOSFETs N-chanel 650 V 0.056 Ohm typ 42 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N60DM2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW58N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 360W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N60DM2AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; Idm: 200A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N65DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 48A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N65DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N65DM2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW58N65DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 360W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N65DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NA90
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NB100
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NB100STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NB90STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NB90STTO-247
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 25 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.86 грн
30+214.71 грн
120+177.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+123.25 грн
3000+122.02 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+279.20 грн
4+241.81 грн
10+199.43 грн
20+170.35 грн
30+155.39 грн
120+134.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.85 грн
30+133.93 грн
120+132.57 грн
510+127.56 грн
1020+115.80 грн
2010+108.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100Z
Код товару: 86647
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100ZSTN-MOSFET; 1000V; 30V; 3,7Ohm; 3,5A; 125W; -55°C ~ 150°C; STW5NK100Z TSTW5NK100Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+91.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+123.25 грн
3000+122.02 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW5NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.5 A, 3.7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
на замовлення 6444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+149.14 грн
107+133.29 грн
120+131.95 грн
510+126.95 грн
1020+115.26 грн
2010+107.94 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK90Z
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NM80
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW60300SMC Diode SolutionsDescription: 60A 300V, TO-247AC, TRENCH SCHOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW60300CSMC Diode SolutionsDescription: 60A 300V, TO-247AD, TRENCH SCHOT
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.65 грн
25+127.47 грн
50+114.32 грн
100+96.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6045CSMC Diode SolutionsDescription: 60A 45V, TO-247AD, TRENCH SCHOTT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW6060CSMC Diode SolutionsDescription: 60A 60V,TO-247AD, TRENCH SCHOTTK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW60N10
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW60N10STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW60N10FI
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW60N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1090.39 грн
30+644.46 грн
60+596.20 грн
120+521.46 грн
510+482.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW60N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.049 Ohm 46A Mdmesh V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW60NE10STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW60NE10STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW60NE10
Код товару: 88397
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW60NE10STSO16
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW60NE10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW60NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5790 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW60NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.035 Ohm 68A MDmesh II FET
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.