Продукція > STW

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STW57N65M5-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+456.27 грн
3+402.95 грн
10+362.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5-4STMicroelectronicsMOSFETs N-chanel 650 V 0.056 Ohm typ 42 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 42A TO247-4L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N60DM2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW58N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+724.05 грн
5+582.62 грн
10+440.38 грн
50+376.09 грн
100+331.32 грн
250+315.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO247
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N65DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 48A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N65DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N65DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NA90
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NB100
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NB100STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NB90STTO-247
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NB90STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100Z
Код товару: 86647
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.81 грн
107+133.00 грн
120+131.66 грн
510+126.66 грн
1020+115.00 грн
2010+107.70 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+278.58 грн
4+241.27 грн
10+198.99 грн
20+169.97 грн
30+155.05 грн
120+134.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100ZSTN-MOSFET; 1000V; 30V; 3,7Ohm; 3,5A; 125W; -55°C ~ 150°C; STW5NK100Z TSTW5NK100Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+91.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+122.97 грн
3000+121.75 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 25 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.98 грн
30+214.24 грн
120+177.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.52 грн
30+133.63 грн
120+132.28 грн
510+127.27 грн
1020+115.55 грн
2010+108.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW5NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.5 A, 3.7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.64 грн
10+204.92 грн
100+155.90 грн
500+132.82 грн
1000+119.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+122.97 грн
3000+121.75 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK90Z
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NM80
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW60N10
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW60N10STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW60N10FI
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW60N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1088.75 грн
30+643.48 грн
120+554.81 грн
510+481.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW60N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.049 Ohm 46A Mdmesh V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW60NE10STSO16
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW60NE10STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW60NE10
Код товару: 88397
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW60NE10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW60NE10STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW60NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5790 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW60NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.035 Ohm 68A MDmesh II FET
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW6130STATICTECCategory: ESD Brushes
Description: Brush; ESD; 10mm; Overall len: 170mm; Features: dissipative
Type of antistatic accessories: brush
Version: ESD
Material: polypropylene conductive
Resistance to: most of alcohols; most of solvents
Brush width: 10mm
Working part length: 35mm
Overall length: 170mm
Features of antistatic elements: dissipative
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+498.24 грн
5+436.95 грн
10+411.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW6131STATICTECCategory: ESD Brushes
Description: Brush; ESD; 20mm; Overall len: 220mm; Features: dissipative
Type of antistatic accessories: brush
Version: ESD
Material: polypropylene conductive
Resistance to: most of alcohols; most of solvents
Brush width: 20mm
Working part length: 90mm
Overall length: 220mm
Features of antistatic elements: dissipative
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+691.10 грн
5+606.09 грн
10+570.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW6140STATICTECCategory: ESD Brushes
Description: Brush; ESD; 35mm; Overall len: 95mm; Features: dissipative
Material: polypropylene conductive
Type of antistatic accessories: brush
Features of antistatic elements: dissipative
Version: ESD
Resistance to: most of alcohols; most of solvents
Brush width: 35mm
Working part length: 70mm
Overall length: 95mm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+795.57 грн
5+698.12 грн
10+656.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW6142STATICTECCategory: ESD Brushes
Description: Brush; ESD; 55mm; Overall len: 180mm; Features: dissipative
Version: ESD
Type of antistatic accessories: brush
Features of antistatic elements: dissipative
Resistance to: most of alcohols; most of solvents
Brush width: 55mm
Working part length: 160mm
Overall length: 180mm
Material: polypropylene conductive
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2732.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW62N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW62N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW62N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1039.07 грн
5+1037.46 грн
10+1035.85 грн
50+559.66 грн
100+481.48 грн
250+468.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW62N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW62N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+956.24 грн
30+558.71 грн
120+479.41 грн
510+406.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW62NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.049 Ohm 55A MDmesh II FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW62NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 65A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+846.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW63N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW63N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW63N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N023M9-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW65N023M9-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 95 A, 0.0199 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0199ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1280.95 грн
5+1136.30 грн
10+990.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N023M9-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 92A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N023M9-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N023M9-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 92A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+976.50 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N023M9-4STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8844 pF @ 400 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1148.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N045M9-4STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+867.90 грн
30+667.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N045M9-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW65N045M9-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.039 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+921.74 грн
5+855.84 грн
10+789.95 грн
50+692.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N045M9-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 54A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N045M9-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.81 грн
10+246.70 грн
100+245.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N65DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N65DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+751.66 грн
30+429.99 грн
120+365.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N65DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 100 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+999.63 грн
30+590.30 грн
120+508.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 30A; Idm: 184A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW65N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 46 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1235.15 грн
5+1147.55 грн
10+1059.96 грн
50+903.66 грн
100+759.07 грн
250+683.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N80K5STMicroelectronicsSTW65N80K5 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.07 Ohm typ., 46 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 31.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 252A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW68N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+903.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N60M6-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 63A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 31.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N60M6-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 252A; 390W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N60M6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N65DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N65DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 51 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N65DM6STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3528 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N65DM6-4AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N65DM6-4AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW68N65DM6-4AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 72 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 480W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1317.11 грн
5+928.17 грн
10+816.47 грн
50+632.04 грн
100+538.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N65DM6-4AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+939.19 грн
30+548.29 грн
120+470.17 грн
510+397.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW69N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.50 грн
5+695.92 грн
10+567.35 грн
50+485.03 грн
100+434.64 грн
250+421.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+719.11 грн
30+451.16 грн
120+442.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+977.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+821.27 грн
21+700.09 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+977.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5-4STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 650V 0.037Ohm 58A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+871.77 грн
30+508.39 грн
120+435.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N120K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N120K3
Код товару: 177072
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, V: 1200 V
Струм стоку Idd, A: 6 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,94 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1050/39
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+99.00 грн
10+90.20 грн
100+82.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N120K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N120K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 1200V 1.95 Ohm 6A Zener SuperMESH3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]