Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTH72N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH72N30TIXYSMOSFETs 72 Amps 300V 52 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH74N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 74A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N10IXYSMOSFETs STD N-CHNL PWR MOSFE 100V, 75A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH75N10L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N10L2IXYSMOSFETs LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH75N10L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N10L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: Linear L2™
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1158.74 грн
30+693.20 грн
120+607.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N15IXYSMOSFETs 75 Amps 150V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76N25T
Код товару: 188251
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76N25TIXYSMOSFET 76 Amps 250V 39 Rds
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+526.36 грн
10+486.01 грн
25+454.26 грн
50+433.66 грн
100+373.36 грн
500+311.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76P10TIXYSMOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+526.36 грн
30+486.01 грн
32+454.26 грн
50+433.66 грн
100+373.36 грн
500+311.04 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+718.39 грн
30+409.98 грн
60+376.32 грн
120+326.59 грн
510+284.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH7N50Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH7P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1702.80 грн
30+1324.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH7P50Littelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1509.00 грн
30+966.57 грн
120+959.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH7P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1695.24 грн
30+1319.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH7P50TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH7P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1924.99 грн
30+1275.98 грн
120+1268.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH80N075L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+773.18 грн
5+624.89 грн
10+565.06 грн
30+477.81 грн
60+461.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1057.08 грн
16+904.93 грн
30+836.14 грн
120+734.83 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2IXYSMOSFETs TO247 N-CH 75V 80A
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+792.94 грн
30+456.18 грн
60+419.52 грн
120+364.76 грн
510+318.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N20LIXYSMOSFETs Standard Linear Power MOSFETs
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N20LIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1060.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N20LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 80A; 520W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 80A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7753 pF @ 25 V
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1245.72 грн
30+743.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N65X2IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 80 А, Rds = 40 мОм @ 40 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 4000 мкА, Р, Вт = 890, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 137nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 465ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 80A N-CH X2CLASS
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH80N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 890
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N65X2MOSFET N-CH 650V 80A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH86N20TIXYSMOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH86N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 86A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH86N25TIXYSMOSFETs TO247 250V 86A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH86N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 86A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH88N15IXYSMOSFETs 88 Amps 150V 0.022 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH88N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 88A TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH88N30PIXYSMOSFETs 88 Amps 100 V 0.04 Ohms Rds
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH88N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH88N30PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH8P50IXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH8P50TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH8P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+542.62 грн
100+500.94 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH8P50LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH8P50 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 8 A, 1.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH8P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH8P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+474.44 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH8P50IXYSMOSFETs -8 Amps -500V 1.2 Rds
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH90P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 462W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+893.91 грн
30+572.12 грн
120+490.56 грн
510+443.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10PIXYSMOSFETs -90.0 Amps -100V 25 mOhms
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1209.22 грн
13+1102.06 грн
30+961.82 грн
120+912.16 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10PP-Channel 100 V 90A (Tc) 462W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+898.38 грн
10+826.36 грн
25+770.69 грн
100+681.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH90P10P. - MOSFET, P-CH, 100V, 90A, TO-247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 462W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH94N20X4IXYSMOSFETs TO247 200V 94A N-CH X4CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH94N20X4LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH94N20X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH94N20X4 - Leistungs-MOSFET, Klasse X4, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.0106 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH94N20X4MOSFET N-CH 200V 94A X4 TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH94N20X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 94A X4 TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISO TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
на замовлення 4015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+918.76 грн
30+537.67 грн
120+461.65 грн
510+420.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96N20PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 96A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+711.40 грн
30+471.48 грн
120+416.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96N20PIXYSMOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96N25TIXYSMOSFETs 96 Amps 250V 36 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 96A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+425.84 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+644.40 грн
30+452.75 грн
120+393.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+427.74 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+718.39 грн
30+409.98 грн
60+376.32 грн
120+326.59 грн
510+284.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085TIXYSMOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+644.40 грн
32+452.75 грн
120+393.69 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH96P085T. - MOSFET, P-CH, 85V, 96A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH98N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 98A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH98N20TIXYSMOSFET 98 Amps 200V 26 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTI10N60PIXYSMOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTI10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTI12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ36N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ4N150IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2.5A; 110W; ISO247™; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 110W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
Gate charge: 44.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ4N150IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISO247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1063.21 грн
30+627.11 грн
60+579.92 грн
120+506.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ4N150IXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ4N150MOSFET 1500В 2,5А TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ6N150IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.