Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTH94N20X4MOSFET N-CH 200V 94A X4 TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH94N20X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH94N20X4 - Leistungs-MOSFET, Klasse X4, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.0106 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+848.89 грн
5+768.35 грн
10+687.81 грн
50+619.98 грн
100+554.34 грн
250+543.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96N20PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 96A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+711.40 грн
30+471.48 грн
120+416.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96N20PIXYSMOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+680.56 грн
10+504.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96N25TIXYSMOSFETs 96 Amps 250V 36 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 96A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+644.40 грн
32+452.75 грн
120+393.69 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+719.16 грн
30+410.26 грн
120+348.25 грн
510+284.20 грн
1020+280.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+425.84 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+644.40 грн
30+452.75 грн
120+393.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+427.74 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085TIXYSMOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.46 грн
10+364.40 грн
120+290.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH96P085T. - MOSFET, P-CH, 85V, 96A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH98N20TIXYSMOSFET 98 Amps 200V 26 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH98N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 98A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTI10N60PIXYSMOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTI10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTI12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO262
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ36N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ4N150IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISO247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1063.99 грн
30+627.56 грн
120+540.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ4N150MOSFET 1500В 2,5А TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ4N150IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2.5A; 110W; ISO247™; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 110W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ4N150IXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1165.41 грн
10+874.87 грн
120+571.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ6N150IXYSMOSFET High Voltage Power MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1088.09 грн
10+993.16 грн
30+765.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ6N150IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ6N150MOSFET 1500В 3А TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Technology: PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25PIXYSMOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1025.16 грн
25+616.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30PIXYSMOSFETs 102 Amps 300V 0.033 Rds
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1447.30 грн
10+1051.91 грн
100+791.13 грн
500+749.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 102A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1045.35 грн
25+663.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 102A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30PIXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Id = 102 А, Ptot, Вт = 700, Udss, В = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7500 @ 25, Qg, нКл = 224 @ 10 В, Rds = 33 мОм @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -40...+125, Ugs(th) = 5 В @ 500 мкА,... Транзистори Корпус: TO-264 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: PolarHT™
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 33mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 700W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 102A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1627.05 грн
25+1016.35 грн
100+885.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 102A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N65X2MOSFET N-CH 650V 102A TO264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 450ns
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 1.04kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N65X2IXYSMOSFETs TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1694.56 грн
10+1105.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N20L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK110N20L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 110 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2683.59 грн
5+2534.59 грн
10+2384.78 грн
50+2076.09 грн
100+1787.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3635.68 грн
5+3403.16 грн
10+3192.91 грн
20+2885.32 грн
50+2710.54 грн
100+2658.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N20L2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+3470.98 грн
50+3300.24 грн
100+3162.20 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N20L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N20L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 110A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N20L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 420ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3635.68 грн
5+3403.16 грн
10+3192.91 грн
20+2885.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N30IXYSMOSFETs 110 Amps 300V 0.026 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 110A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N30
Код товару: 32146
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N30Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N20PIXYSMOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25
Код товару: 36909
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25IXYSMOSFETs 120 Amps 250V 0.020 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1116.80 грн
25+708.05 грн
100+670.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1232.26 грн
5+981.37 грн
10+889.13 грн
25+798.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N25P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 250 V, 120 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1380.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1328.82 грн
25+816.16 грн
100+706.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1820.45 грн
10+1468.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25PIXYSMOSFETs 120 Amps 250V 0.024 Rds
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1394.14 грн
10+877.25 грн
100+749.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.023 ohm, TO-264P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1558.44 грн
5+1381.26 грн
10+1204.88 грн
50+954.28 грн
100+824.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1991.29 грн
25+1264.47 грн
100+1109.75 грн
500+1039.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N65X2IXYSMOSFETs TO264 650V 120A N-CH X2CLASS
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1946.65 грн
10+1426.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2676.41 грн
5+2563.01 грн
10+2451.54 грн
25+2197.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2341.29 грн
10+2261.00 грн
25+1490.45 грн
100+1464.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 740nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.04kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20TIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2420.77 грн
25+1563.56 грн
100+1418.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2069.28 грн
8+1925.94 грн
10+1728.85 грн
20+1615.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK120P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 120 A, 0.03 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2079.54 грн
5+1949.87 грн
10+1821.00 грн
50+1570.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2029.34 грн
25+1298.63 грн
100+1284.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK128N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 128A TO264
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK128N15IXYSMOSFETs 128 Amps 150V 0.015 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N20PIXYSMOSFETs 140 Amps 200V 0.018 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK140N20P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 0.018 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1424.75 грн
5+1171.05 грн
10+950.37 грн
50+805.46 грн
100+711.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 140A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264
Mounting: THT
Technology: PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 180ns
Gate charge: 240nC
On-state resistance: 18mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 800W
Drain current: 140A
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N30PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 140A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Technology: Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 0.24Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.04kW
Drain current: 140A
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N30PIXYSMOSFETs Polar Power MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2166.52 грн
10+1574.29 грн
100+1201.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK150N15PIXYSMOSFETs 150 Amps 150V 0.013 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK150N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK150N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 714W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK160N20IXYSMOSFETs 160 Amps 200V 0.013 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK160N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 160A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 415 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK160N20MOSFET 200V 160A 13mOm TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]