Продукція > DMT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMTH10H005SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8474 pF @ 50 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.83 грн
10+153.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H005SCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+103.51 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 50 V
на замовлення 7082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.80 грн
10+81.14 грн
100+54.67 грн
500+40.66 грн
1000+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.01 грн
4000+34.02 грн
6000+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009LPSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 360A; 3.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 3.1W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H009LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 6000 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H009LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 6000 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 6700 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 6700 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010LCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010LCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010LCTB-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 108A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010LCTB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010LCTB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010LCTB-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 108A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 98.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W, 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H010SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 7400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SCTDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.01 грн
5000+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 7028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 123 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 123 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.81 грн
10+76.88 грн
100+51.75 грн
500+38.46 грн
1000+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.32 грн
10+100.44 грн
100+68.58 грн
500+51.55 грн
1000+50.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.14 грн
5000+44.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H013LPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H013LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 52.5A TO252
на замовлення 8655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.96 грн
10+61.55 грн
100+40.85 грн
500+29.99 грн
1000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 52.5A TO252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.00 грн
5000+24.08 грн
7500+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.57 грн
5000+24.61 грн
7500+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+50.41 грн
100+39.19 грн
500+31.18 грн
1000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015SK3Q-13DiodesMOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 50.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 56A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 50.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 56A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 59A POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
на замовлення 214744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.29 грн
10+81.74 грн
100+63.55 грн
500+50.55 грн
1000+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 59A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
на замовлення 212500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.90 грн
5000+39.34 грн
12500+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1030000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.41 грн
5000+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 86435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.99 грн
10+101.11 грн
100+69.24 грн
500+52.58 грн
1000+48.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+51.90 грн
100+34.16 грн
500+24.90 грн
1000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+57.14 грн
100+44.44 грн
500+35.35 грн
1000+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.00 грн
5000+27.51 грн
12500+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 5425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 440000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46.3 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T and R 2.5K
на замовлення 3344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 46.3A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+45.25 грн
100+29.58 грн
500+21.43 грн
1000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46.3 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 46.3A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.02 грн
5000+17.05 грн
7500+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H030LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H030LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO252-4L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H032LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H032LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
10+34.93 грн
100+24.19 грн
500+18.97 грн
1000+16.14 грн
2000+14.38 грн
5000+13.40 грн
10000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H032LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T and R 2K
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H032LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H032LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+45.17 грн
100+29.57 грн
500+21.44 грн
1000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H032LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H032LPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 24A POWERDI50
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H032LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 24A POWERDI50
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H032LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H032LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H032LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+39.26 грн
100+25.56 грн
500+18.47 грн
1000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H032LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H032LPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.