Продукція > DMT

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H010SPS-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.32 грн
5000+	31.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H010SPSQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

на замовлення 1630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H010SPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.21 грн
500+	60.99 грн
1000+	55.11 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H010SPSQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 67972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	163.82 грн
10+	101.37 грн
100+	69.21 грн
500+	52.03 грн
1000+	51.11 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H010SPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 2275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	155.25 грн
10+	104.04 грн
100+	71.53 грн
500+	52.00 грн
1000+	47.17 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H010SPSQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 67500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.56 грн
5000+	44.49 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015LK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 52.5A TO252

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.25 грн
5000+	24.31 грн
7500+	23.32 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015LK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 52.5A TO252

на замовлення 8655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.90 грн
10+	62.12 грн
100+	41.23 грн
500+	30.27 грн
1000+	27.56 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015LK3-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015LPS-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 52500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.82 грн
5000+	24.84 грн
7500+	24.02 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015LPS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

на замовлення 2744 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015LPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 2598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.48 грн
500+	29.74 грн
1000+	25.29 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015LPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 2598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	68.77 грн
15+	55.84 грн
100+	40.48 грн
500+	29.74 грн
1000+	25.29 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015LPS-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 54980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.06 грн
10+	50.87 грн
100+	39.55 грн
500+	31.46 грн
1000+	25.63 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015SK3-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015SK3-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015SK3Q-13

Diodes

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015SK3Q-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K

на замовлення 2407 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015SPS-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 50.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015SPS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015SPSQ-13

Trans MOSFET N-CH 100V 56A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015SPSQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 50.5A (Tc)
FET Type: N-Channel

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.51 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015SPSQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H015SPSQ-13

Trans MOSFET N-CH 100V 56A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 170000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H017LPD-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	143.06 грн
10+	100.79 грн
100+	69.58 грн
500+	47.63 грн
1000+	42.57 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H017LPD-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V 59A POWERDI50
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.6W (Ta), 93W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 212500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.29 грн
5000+	39.71 грн
12500+	38.96 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H017LPD-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H017LPD-13

на замовлення 2128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.58 грн
500+	47.63 грн
1000+	42.57 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H017LPD-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V 59A POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)

на замовлення 214744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.25 грн
10+	82.50 грн
100+	64.14 грн
500+	51.02 грн
1000+	41.56 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H017LPDQ-13

Trans MOSFET N-CH 100V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 1030000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	60.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H017LPDQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 86435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.47 грн
10+	102.05 грн
100+	69.88 грн
500+	53.06 грн
1000+	48.79 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H017LPDQ-13

Trans MOSFET N-CH 100V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H017LPDQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 85000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	48.86 грн
5000+	46.32 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H017LPDQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H025LK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.00 грн
10+	52.38 грн
100+	34.48 грн
500+	25.13 грн
1000+	22.81 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H025LK3-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

на замовлення 1252 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H025LK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H025LK3Q-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

на замовлення 5425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H025LK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.89 грн
10+	57.67 грн
100+	44.85 грн
500+	35.68 грн
1000+	29.06 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H025LK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.27 грн
5000+	27.77 грн
12500+	26.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H025LPS-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H025LPSQ-13

Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H025LPSQ-13

Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 440000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H025LPSQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H025SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 46.3A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.19 грн
5000+	17.21 грн
7500+	16.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H025SK3-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46.3 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 4210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	59.83 грн
20+	41.29 грн
100+	28.21 грн
500+	19.78 грн
1000+	16.30 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H025SK3-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T and R 2.5K

на замовлення 3344 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H025SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 46.3A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.03 грн
10+	45.66 грн
100+	29.85 грн
500+	21.63 грн
1000+	19.57 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H025SK3-13

на замовлення 4210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.21 грн
500+	19.78 грн
1000+	16.30 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H030LK3-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H030LK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO252-4L

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032LFVW-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.33 грн
10+	35.25 грн
100+	24.41 грн
500+	19.14 грн
1000+	16.29 грн
2000+	14.51 грн
5000+	13.52 грн
10000+	12.52 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032LFVW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K

на замовлення 4362 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032LFVW-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T and R 2K

на замовлення 2070 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032LFVW-7

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.67 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032LFVWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.03 грн
10+	45.59 грн
100+	29.84 грн
500+	21.64 грн
1000+	19.59 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032LFVWQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032LPDW-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V 24A POWERDI50
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032LPDWQ-13

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.49 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032LPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032LPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V

на замовлення 4771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.84 грн
10+	39.63 грн
100+	25.80 грн
500+	18.64 грн
1000+	16.85 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032LPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.00 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032LPSWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032LPSWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

на замовлення 1646 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032LPSWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032SPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032SPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032SPSWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.19 грн
10+	58.95 грн
100+	39.02 грн
500+	28.60 грн
1000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H032SPSWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

на замовлення 839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H038SPDW-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V 25A PWRDI50
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.7W (Ta), 39W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H038SPDW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H038SPDWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H038SPDWQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V 25A PWRDI50
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.7W (Ta), 39W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H071LFDFWQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6/SWP T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H072LPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.03 грн
500+	30.95 грн
1000+	28.01 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H072LPS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H072LPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	47.88 грн
21+	39.50 грн
100+	35.03 грн
500+	30.95 грн
1000+	28.01 грн

Мінімальне замовлення: 17 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H1M7SPGW-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI80
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10881 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 352A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H1M7SPGWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI80
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 352A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10881 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 405W (Tc)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H1M7STLW-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H1M7STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 250 A, 1400 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm

на замовлення 1256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	251.98 грн
500+	200.77 грн
1000+	181.84 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H1M7STLW-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H1M7STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 250 A, 1400 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm

на замовлення 1256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	488.52 грн
10+	343.83 грн
100+	251.98 грн
500+	200.77 грн
1000+	181.84 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H1M7STLWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 85113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	402.10 грн
10+	274.82 грн
100+	203.10 грн
500+	162.08 грн

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H1M7STLWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	179.35 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H1M7STLWQ-13

Diodes Incorporated offers a portfolio of automotive MOSFETs packaged in the space saving, thermally efficient TOLL (PD1012S) package.

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	228.24 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H1M7STLWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K

на замовлення 1380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H2M5STLW-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	298.63 грн
10+	241.68 грн
100+	195.55 грн
500+	163.12 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H2M5STLW-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	209.71 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H2M5STLW-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H2M5STLW-13

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	330.02 грн
10+	226.78 грн
100+	209.71 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H2M5STLWQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	198.33 грн
500+	172.85 грн
1000+	149.80 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H2M5STLWQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H2M5STLWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	366.83 грн
10+	241.46 грн
100+	176.11 грн
500+	139.64 грн

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H2M5STLWQ-13

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	299.94 грн
10+	209.71 грн
100+	198.33 грн
500+	172.85 грн
1000+	149.80 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H2M5STLWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H4M5LPS-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H4M5LPS-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 400A; 2.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Power dissipation: 2.7W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H4M5LPSW

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4843 pF @ 50 V

на замовлення 1587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.71 грн
10+	111.26 грн
100+	76.50 грн
500+	57.85 грн
1000+	53.37 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H4M5LPSW

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4843 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH10H4M5LPSW-13