Продукція > SIH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIHG17N60D-E3Vishay / SiliconixMOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N60D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N60D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N60D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N60D-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 48A; 277.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 277.8W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+134.59 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 800V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+134.84 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.42 грн
25+157.97 грн
100+129.05 грн
500+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AEF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 63nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AEF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG17N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.305 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AEF-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.58 грн
10+187.45 грн
100+132.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AEF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 800V 15A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AEF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80E-GE3VishayE Series Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 122nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG17N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 208
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 208
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG180N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG180N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG180N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG180N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.45 грн
25+187.08 грн
100+153.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG180N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG180N60E-GE3-XVishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG186N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG186N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG186N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG186N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.58 грн
25+162.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG186N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG186N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG190N65E-GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG190N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG190N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247AC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50CVISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C
Код товару: 44837
2 Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/
Монтаж: THT
у наявності: 65 шт
  • 5 шт - склад
  • 60 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+82.50 грн
10+74.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG20N50C TO-24710+
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 А, Ptot, Вт = 292, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2942 @ 25, Qg, нКл = 76 @ 10 В, Rds = 270 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3
Код товару: 51442
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+105.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3VishayTransistor: N-MOSFET unipolar 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+132.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3VishayMOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC (аналог IRFP460) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG20N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.93 грн
10+235.12 грн
100+167.71 грн
500+130.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+369.77 грн
44+325.19 грн
100+274.05 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.55 грн
5+226.48 грн
10+203.42 грн
25+178.72 грн
100+150.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3
Код товару: 218372
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.63 грн
25+208.67 грн
100+172.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 84nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N65EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 21A TO247AC
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N65EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N65EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 17.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 17.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N80AE-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO247 800V 16.3A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.22 грн
25+170.54 грн
100+146.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N80AEF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 16.3A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N80AEF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 800V 16.3A N-CH MOSFET
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N80AEF-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.79 грн
10+127.19 грн
100+102.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N80AEF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 16.3A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N50D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N50D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N50D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60AE-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 49A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 49A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60AEL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60AEL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60E-E3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.40 грн
25+209.50 грн
100+172.87 грн
500+134.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.40 грн
25+209.50 грн
100+172.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60E-GE3-XVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60EFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+278.92 грн
55+258.31 грн
57+248.01 грн
100+231.75 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60EFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.92 грн
10+258.31 грн
25+248.01 грн
100+231.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.08 грн
25+201.82 грн
100+166.32 грн
500+129.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]