Продукція > SIH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIHG22N60S-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60S-E3
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG23N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG23N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+488.78 грн
10+317.47 грн
100+230.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65E-GE3-XVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.60 грн
25+180.00 грн
100+148.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N80AE-GE3VishayMOSFET N-CH 800V 21A TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 21 A, 0.184 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.184ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N80AEF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 800V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N80AEF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N80AEF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG24N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.195 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N80AEF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 800V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
175+221.73 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N80AEF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.01 грн
10+238.75 грн
100+171.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N40D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.64 грн
10+179.01 грн
100+131.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N40D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N40D-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG25N40D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N40D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N40D-GE3VishayMOSFET N-CH 400V 25A TO247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N40D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.64 грн
10+179.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.15 грн
25+191.18 грн
100+157.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.145 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N60EFL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N60EFL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG25N60EFL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.146 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N60EFL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N60EFL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N60EFL-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 61A; 250W; TO247AC
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 146mΩ
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 250W
Pulsed drain current: 61A
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 75A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.80 грн
10+337.92 грн
100+246.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N65E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N65EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 28A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3249 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N65EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG28N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N65EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG28N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N65EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60AEL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EL
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60AEL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Transistormontage: Durchsteckmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: EL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60AEL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60AEL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG30N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG30N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+447.85 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.125 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+448.32 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 130nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3
Код товару: 172042
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.32 грн
10+318.87 грн
100+232.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-GE3VishayMOSFET N-CH 500V 30A TO247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG32N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG33N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG33N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+675.80 грн
28+504.75 грн
100+408.48 грн
500+349.72 грн
1000+285.13 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.083 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 278
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+675.80 грн
10+504.75 грн
100+408.48 грн
500+349.72 грн
1000+285.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+571.14 грн
25+326.88 грн
100+273.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG33N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32.4 A, 0.09 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 313W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG33N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG33N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 101A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 101A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG33N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 32.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N65EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 134nC
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+377.67 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]