Продукція > DMT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMT10H009SCG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 2K
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.89 грн
4000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13DiodesMOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.69 грн
5000+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 6900 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 6900 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 71104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
10+80.08 грн
100+53.72 грн
500+39.83 грн
1000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 6140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.22 грн
5000+32.46 грн
7500+31.22 грн
12500+28.00 грн
17500+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 282500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 транзистор
Код товару: 197183
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.83 грн
5000+30.11 грн
12500+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.35 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 9323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.82 грн
50+74.59 грн
100+67.67 грн
500+55.71 грн
1000+51.26 грн
2000+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.35 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.35 грн
11+68.79 грн
25+68.11 грн
100+56.66 грн
250+39.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+68.79 грн
208+68.11 грн
241+58.76 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68.8 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+98.57 грн
25+83.69 грн
50+69.88 грн
100+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 26734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68.8 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+77.91 грн
184+77.13 грн
220+64.32 грн
250+61.41 грн
500+50.61 грн
1000+48.23 грн
3000+47.89 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.49 грн
10+77.91 грн
25+77.13 грн
100+62.03 грн
250+56.86 грн
500+48.59 грн
1000+48.23 грн
3000+47.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET Low Rdson
на замовлення 11207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 98A; 1.2W; PowerDI®5060-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI®5060-8
On-state resistance: 8.3mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 5021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+50.57 грн
100+46.00 грн
500+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+81.67 грн
100+61.55 грн
500+47.13 грн
1000+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4166 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSSQ-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.33 грн
5000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
на замовлення 6674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.71 грн
10+73.67 грн
100+49.43 грн
500+36.64 грн
1000+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.19 грн
10+65.52 грн
100+49.06 грн
500+36.37 грн
1000+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H014LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.9 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.09 грн
5000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H014LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.9 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 47086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+55.48 грн
100+36.50 грн
500+30.08 грн
1000+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.44 грн
6000+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 14946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+71.78 грн
100+47.97 грн
500+35.42 грн
1000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
на замовлення 5327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
10+93.06 грн
25+78.95 грн
50+65.85 грн
100+58.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.