Продукція > DMT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMT10H009SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.35 грн
500+70.67 грн
1000+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.33 грн
10+95.04 грн
100+81.35 грн
500+70.67 грн
1000+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 282500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.07 грн
10+63.19 грн
100+42.02 грн
500+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.20 грн
500+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 6140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+63.43 грн
100+36.66 грн
500+28.72 грн
1000+26.16 грн
2500+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.92 грн
12+68.70 грн
100+47.20 грн
500+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 транзистор
Код товару: 197183
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 10 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.53 грн
5000+29.83 грн
12500+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+50.14 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
на замовлення 9323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.32 грн
50+73.90 грн
100+67.05 грн
500+55.20 грн
1000+50.79 грн
2000+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.67 грн
10+75.34 грн
100+59.16 грн
500+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.52 грн
11+68.95 грн
25+68.26 грн
100+56.79 грн
250+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+68.95 грн
208+68.26 грн
241+58.89 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.56 грн
10+90.94 грн
100+61.53 грн
500+45.93 грн
1000+42.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 26734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.87 грн
10+43.66 грн
100+34.86 грн
500+34.38 грн
1000+33.41 грн
2500+28.72 грн
5000+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.40 грн
500+43.60 грн
1000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+78.09 грн
184+77.30 грн
220+64.47 грн
250+61.55 грн
500+50.73 грн
1000+48.34 грн
3000+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET Low Rdson
на замовлення 11207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.18 грн
10+68.20 грн
25+59.23 грн
100+49.01 грн
250+48.95 грн
500+44.67 грн
1000+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.69 грн
10+78.09 грн
25+77.30 грн
100+62.17 грн
250+56.99 грн
500+48.70 грн
1000+48.34 грн
3000+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.24 грн
16+52.43 грн
100+48.40 грн
500+43.60 грн
1000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.78 грн
10+50.11 грн
100+45.58 грн
500+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.06 грн
10+80.92 грн
100+60.98 грн
500+46.69 грн
1000+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.17 грн
500+52.87 грн
1000+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 4432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+88.92 грн
100+55.78 грн
500+45.36 грн
1000+41.70 грн
2500+37.49 грн
5000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.81 грн
10+91.82 грн
100+67.17 грн
500+52.87 грн
1000+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSSQ-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4166 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.42 грн
500+44.42 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.03 грн
5000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.17 грн
10+92.62 грн
100+57.42 грн
500+44.42 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
на замовлення 6674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.60 грн
10+72.99 грн
100+48.98 грн
500+36.31 грн
1000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.51 грн
10+72.88 грн
100+47.15 грн
500+37.21 грн
1000+34.03 грн
2500+29.62 грн
5000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
на замовлення 111690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+64.92 грн
100+48.61 грн
500+36.04 грн
1000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+73.36 грн
100+48.53 грн
500+39.28 грн
1000+34.31 грн
2500+30.58 грн
5000+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H014LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.9 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.06 грн
11+76.43 грн
100+55.25 грн
500+43.75 грн
1000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.80 грн
5000+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H014LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.9 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.25 грн
500+43.75 грн
1000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 47086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.18 грн
10+57.32 грн
100+32.86 грн
500+27.61 грн
1000+25.75 грн
2000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.18 грн
500+35.52 грн
1000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+54.97 грн
100+36.17 грн
500+29.81 грн
1000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.54 грн
13+63.14 грн
100+45.18 грн
500+35.52 грн
1000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 14946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.27 грн
10+71.12 грн
100+47.53 грн
500+35.10 грн
1000+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.15 грн
6000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.95 грн
10+70.34 грн
100+40.87 грн
500+32.10 грн
1000+29.34 грн
3000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 108296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
10+35.15 грн
100+31.60 грн
500+29.53 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.68 грн
174+81.87 грн
204+69.68 грн
250+66.52 грн
500+53.16 грн
1000+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.10 грн
10+36.84 грн
100+28.86 грн
500+28.23 грн
1000+27.06 грн
2000+24.78 грн
4000+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.15 грн
4000+25.55 грн
6000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.99 грн
14+56.12 грн
25+55.82 грн
100+45.08 грн
250+41.32 грн
500+35.11 грн
1000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52.7 A, 0.0107 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.91 грн
10+107.12 грн
100+66.45 грн
500+47.34 грн
1000+42.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 4140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.03 грн
10+73.04 грн
100+44.04 грн
500+36.24 грн
1000+33.14 грн
2500+29.62 грн
5000+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 15754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.32 грн
10+64.62 грн
100+45.16 грн
500+35.68 грн
1000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52.7 A, 0.0107 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.45 грн
500+47.34 грн
1000+42.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.72 грн
5000+30.06 грн
7500+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]