Продукція > FDB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDB016N04AL7onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+132.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB016N04AL7onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 769 шт:
термін постачання 241-250 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB016N04AL7ON Semiconductor
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0170N607LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1620A; 250W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1620A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0170N607LonsemiMOSFETs 60V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0170N607LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0170N607LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.88 грн
10+258.89 грн
50+203.41 грн
100+174.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0170N607LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807Lonsemi / FairchildMOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+338.78 грн
10+311.72 грн
25+311.63 грн
100+260.85 грн
250+237.41 грн
500+219.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.24 грн
10+339.20 грн
50+269.41 грн
100+231.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-6
On-state resistance: 4.3mΩ
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 250W
Gate charge: 249nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 190A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+433.52 грн
5+336.30 грн
10+298.56 грн
100+275.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807LonsemiMOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 4663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB0190N807L - MOSFET, N-CH, 80V, 270A, 175DEG C, 250W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 270
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: Power Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+200.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N04AL7onsemi / FairchildMOSFET 40V 2.4MOHM D2PAK-7L PowerTrench MOSFET
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+233.37 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.31 грн
10+349.72 грн
25+346.23 грн
50+225.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+252.23 грн
500+239.26 грн
1000+225.12 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 162A; Idm: 916A; 246W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 162A
Pulsed drain current: 916A
Power dissipation: 246W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+205.25 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+146.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+206.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB024N08BL7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 246
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+252.23 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+252.23 грн
500+239.26 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.07 грн
10+265.23 грн
100+190.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0250N807LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.31 грн
10+278.52 грн
100+201.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0250N807LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0250N807LON Semiconductor
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0250N807LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0250N807LonsemiMOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0250N807LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0250N807LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; Idm: 1110A; 214W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1110A
Power dissipation: 214W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0260N1007LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+521.42 грн
10+513.13 грн
25+504.83 грн
100+478.80 грн
250+435.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0260N1007LonsemiMOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0260N1007LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+788.52 грн
10+524.88 грн
100+408.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0260N1007LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0260N1007LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 250W
Gate charge: 84nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0260N1007LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+513.13 грн
29+504.83 грн
100+478.80 грн
250+435.92 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0260N1007LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0260N1007LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0260N1007LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB029N06ONS/FAIMOSFET N-Ch, 60V, 120A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB029N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
на замовлення 16133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+270.14 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB029N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB029N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB029N06onsemi / FairchildMOSFET NCH 60V 2.9Mohm
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB029N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0300N1007LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+583.56 грн
10+515.11 грн
25+490.50 грн
100+407.70 грн
250+288.09 грн
500+273.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0300N1007LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.26 грн
10+294.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0300N1007Lonsemi / FairchildMOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0300N1007LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB0300N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.7
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0300N1007LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0300N1007LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0300N1007LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB031N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB031N08onsemiMOSFETs 75V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB031N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB031N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB031N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 310W
Gate charge: 124nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 7.1mΩ
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+351.33 грн
10+271.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.53 грн
10+315.95 грн
50+250.26 грн
100+215.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+527.18 грн
31+462.87 грн
100+363.96 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+183.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.18 грн
10+467.49 грн
25+462.87 грн
100+363.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB
на замовлення 61429600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB
на замовлення 29600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06AD
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06AOFAIRCHILDTO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035NNS06+ SIP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+274.00 грн
55+258.47 грн
250+241.83 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+278.63 грн
60+235.72 грн
100+205.58 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.99 грн
10+268.25 грн
50+211.04 грн
100+180.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10AON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+196.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 856A
Power dissipation: 333W
Gate charge: 116nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 3.5mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+245.15 грн
500+232.19 грн
1000+219.22 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.63 грн
10+238.18 грн
25+235.72 грн
100+205.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+149.10 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+196.48 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]