Продукція > NE3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NE3503M04-T2-A
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3503M04-T2B
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3503M04-T2B-A
на замовлення 17990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3503M04-T2B-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET HFET 2V M04
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 12dB
Technology: HFET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 163494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3503M04-T2B-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3503M04-T2B-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 12dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3503M04-T2B-ANEC/CELNEC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3503M04V75
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3503MO4-T2
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3505M0-T2-A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3505M04-T2
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3505M04-T2-A
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3505M04-T2-ARenesas Electronics America IncDescription: NE3505M04 TRANSISTOR
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3505M04T2NEC
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3508M04-07-T2-ARochester Electronics, LLCDescription: NE3505M04 TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3508M04-A
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3508M04-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 120mA
Frequency: 2GHz
Power - Output: 18dBm
Gain: 14dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: F4TSMM, M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3508M04-EVNF23-ACELDescription: EVAL DEV RF NE3508M04
Supplied Contents: Board(s)
Type: FET
For Use With/Related Products: NE3508M04
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3508M04-EVNF23-ACELRF Development Tools L to S band LNA Eval Brd
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3508M04-T1-A
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3508M04-T2
на замовлення 36500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3508M04-T2-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: F4TSMM, M04
Noise Figure: 0.45dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 14dB
Power - Output: 18dBm
Frequency: 2GHz
Current Rating (Amps): 120mA
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3508M04-T2-ARenesasHETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR POWERMOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3509M04nec10+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3509M04-A
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3509M04-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 2GHz
Power - Output: 11dBm
Gain: 17.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.4dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3509M04-EVNF24-ACELDescription: EVAL DEV RF NE3509M04
Packaging: Box
For Use With/Related Products: NE3509M04
Type: FET
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: NE3509M04
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3509M04-EVNF24-ACELRF Development Tools For NE3509M04-A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3509M04-T1-A
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3509M04-T2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3509M04-T2-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 2GHz
Power - Output: 11dBm
Gain: 17.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.4dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3509M04-T2-ANEC08+
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3510M04-07-T2-ARenesas Electronics America IncDescription: RF SMALL SIGNAL FET
на замовлення 62655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
677+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 677 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3510M04-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 97mA
Frequency: 4GHz
Power - Output: 11dBm
Gain: 16dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 15 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3510M04-A
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3510M04-T1-A
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3510M04-T2-ACalifornia Eastern LaboratoriesTrans RF FET 4V 0.097A 4-Pin Case M04 T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3510M04-T2-ACalifornia Eastern LaboratoriesTrans RF FET 4V 0.097A 4-Pin Case M04 T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3510M04-T2-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 97mA
Frequency: 4GHz
Gain: 16dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 15 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3511S02-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.3dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13.5dB
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3511S02-ACalifornia Eastern LaboraHJ-FET NCH 13.5DB S02 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3511S02-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.3dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3511S02-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.3dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3512S02NECTO-50
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3512S02-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.35dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13.5dB
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3512S02-ACELRF JFET Transistors C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3512S02-ARenesas ElectronicsArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3512S02-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3512S02-T1C-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET HFET 2V S02
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: HFET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3512S02-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3512S02-T1DNEC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3512S02-T1D-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET HFET 2V S02
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.35dB
Technology: HFET
Gain: 13.5dB
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
на замовлення 14041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3513M04-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: M04
Noise Figure: 0.65dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13dB
Power - Output: 125mW
Configuration: N-Channel
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 60mA
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3513M04-T2-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 12GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 125mW
Gain: 13dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.65dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3513M04-T2B-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4MMOLD
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: 4-Super Mini Mold
Noise Figure: 0.65dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13dB
Power - Output: 125mW
Configuration: N-Channel
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 60mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
на замовлення 4755000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+72.27 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3514S02-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Gain: 10dB
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Strip
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.75dB
Technology: GaAs HJ-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3514S02-T1C-ACalifornia Eastern LaboratoriesTrans RF FET N-CH 4V 0.07A 4-Pin Case S-02 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3514S02-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.75dB
Technology: GaAs HJ-FET
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Gain: 10dB
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3514S02-T1C-ACalifornia Eastern LaboratoriesTrans RF FET N-CH 4V 0.07A 4-Pin Case S-02 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3514S02-T1D
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3514S02-T1D-ARenesas Electronics America IncDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.75dB
Technology: HFET
Gain: 10dB
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3515S02-A
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3515S02-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Bulk
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.3dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 12.5dB
Power - Output: 14dBm
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 88mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3515S02-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 88mA
Frequency: 12GHz
Power - Output: 14dBm
Gain: 12.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.3dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3515S02-T1C-ACELRF JFET Transistors Super Low Noise Pseudomorphic
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3515S02-T1D-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET HFET 2V S02
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 88mA
Frequency: 12GHz
Power - Output: 14dBm
Gain: 12.5dB
Technology: HFET
Noise Figure: 0.3dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 645153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3516S02-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 12GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 165mW
Gain: 14dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3516S02-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 12GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 165mW
Gain: 14dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3517S03-ACELDescription: FET RF HJFET 20GHZ 4V 15MA S03
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3517S03-ACalifornia Eastern LaboraFET RF HJFET 20GHZ 4V 15MA S03 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3517S03-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 20GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.7dB
Supplier Device Package: S03
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3517S03-T1C-ACalifornia Eastern LaboratoriesTrans FET N-CH 4V 70mA GaAs HFET 4-Pin Case S-03 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3517S03-T1D-ARochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 117799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3520S03-ACalifornia Eastern LaboratoriesTrans FET N-CH 4V 70mA GaAs HFET 4-Pin Case S-03
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3520S03-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S03
Noise Figure: 0.65dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13.5dB
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3520S03-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S03
Noise Figure: 0.65dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13.5dB
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3521M04-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V
Current - Test: 6 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 3 V
Noise Figure: 0.85dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 10.5dB
Configuration: N-Channel
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 15mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Strip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3521M04-T2-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V
Current - Test: 6 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Part Status: Obsolete
Noise Figure: 0.85dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 11dB
Configuration: N-Channel
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 1402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3521M04-T2-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3521M04-T2-ACELCEL N-Channel GaAs HJ-FET, K-Band Low Noise and High Gain
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3521M04-T2-A
Код товару: 191034
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3560M06-T2
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE3706NP35MAG-MATE®Description: MAGNET 0.375"D X 0.062"THICK RND
Packaging: Bag
Material: Neodymium Iron Boron (NdFeB)
Shape: Round
Operating Temperature: 82.2°C
Size: 0.375" Dia x 0.062" H (9.53mm x 1.57mm)
Finish: NiCuNi
Magnetization: Axial
Grade: N35
Part Status: Active
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+101.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3710NP35MAG-MATE®Description: MAGNET 0.375"D X 0.100"THICK RND
Packaging: Bag
Material: Neodymium Iron Boron (NdFeB)
Shape: Round
Operating Temperature: 82.2°C
Size: 0.375" Dia x 0.100" H (9.53mm x 2.54mm)
Finish: NiCuNi
Magnetization: Axial
Grade: N35
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+114.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3720NP35MAG-MATE®Description: MAGNET 0.375"D X 0.200"THICK RND
Packaging: Bag
Material: Neodymium Iron Boron (NdFeB)
Shape: Round
Operating Temperature: 82.2°C
Size: 0.375" Dia x 0.200" H (9.53mm x 5.08mm)
Finish: NiCuNi
Magnetization: Axial
Grade: N35
Part Status: Active
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+281.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3737NP42MAG-MATE®Description: MAGNET 0.375"D X 0.375"THICK CYL
Packaging: Bag
Material: Neodymium Iron Boron (NdFeB)
Shape: Cylindrical
Operating Temperature: 82.2°C
Size: 0.375" Dia x 0.375" H (9.53mm x 9.53mm)
Finish: NiCuNi
Magnetization: Axial
Grade: N42
Part Status: Active
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+231.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3750NP42MAG-MATE®Description: MAGNET 0.375"D X 0.500"THICK CYL
Packaging: Bag
Material: Neodymium Iron Boron (NdFeB)
Shape: Cylindrical
Operating Temperature: 82.2°C
Size: 0.375" Dia x 0.500" H (9.53mm x 12.70mm)
Finish: NiCuNi
Magnetization: Axial
Grade: N42
Part Status: Active
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE3750NP52MAG-MATE®Description: MAGNET 0.375"D X 0.500"THICK CYL
Packaging: Bag
Material: Neodymium Iron Boron (NdFeB)
Shape: Cylindrical
Operating Temperature: 82.2°C
Size: 0.375" Dia x 0.500" H (9.53mm x 12.70mm)
Finish: NiCuNi
Magnetization: Axial
Grade: N52
Part Status: Active
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+266.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE38018CELRF JFET Transistors L-S Band Lo No Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE38018
Код товару: 168456
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE38018
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE38018-EVCD19NEC/CELNEC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE38018-EVNF19NEC/CELNEC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE38018-T1
Код товару: 47992
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE38018-T1NECSOT343
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE38018-T1 SOT343-V68NEC
на замовлення 812 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE38018-T1 SOT343-V68NEC
на замовлення 812 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE38018-T1(68)
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE38018-T1-67
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NE38018-T1-68NEC09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]