Продукція > NTT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTTFS010N10MCLTAGON Semiconductor
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 217A; 62W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 217A
Power dissipation: 62W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.05 грн
3000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 45 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 965 @ 50, Qg, нКл = 13 @ 10, Rds = 14,4 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 62, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerWDFN Очікується: 6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1500 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1500+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL
на замовлення 8055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.63 грн
10+105.76 грн
100+62.29 грн
500+49.47 грн
1000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS012N10MDTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0144 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.56 грн
10+107.30 грн
100+73.89 грн
500+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.33 грн
10+97.67 грн
100+66.32 грн
500+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+24.91 грн
100+15.96 грн
500+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.91 грн
10+41.34 грн
100+22.85 грн
500+15.12 грн
1000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27A; Idm: 93A; 7.4W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 7.4W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTAGON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+48.91 грн
100+32.09 грн
500+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTAG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTAGonsemiMOSFETs PFET U8FL 30V 15MO
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.96 грн
10+49.12 грн
100+29.12 грн
500+22.23 грн
1000+17.14 грн
1500+16.93 грн
3000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.17 грн
100+33.63 грн
500+24.49 грн
1000+22.21 грн
2000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTWGonsemiMOSFETs PFET U8FL 30V 15MO
на замовлення 5983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.96 грн
10+52.08 грн
100+30.38 грн
500+23.69 грн
1000+19.65 грн
2500+19.58 грн
5000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTWG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS016N06CTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 32A, 16.3mohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
на замовлення 16380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.31 грн
100+29.01 грн
500+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+13.29 грн
3000+11.64 грн
4500+11.06 грн
7500+9.76 грн
10500+9.39 грн
15000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS020N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 7405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.43 грн
10+32.05 грн
100+17.91 грн
500+13.59 грн
1000+10.80 грн
1500+9.68 грн
9000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
11+27.63 грн
100+17.78 грн
500+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MConsemiMOSFET PTNG 150V 22MOHM, POWERCLIP33
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.28 грн
10+169.86 грн
100+117.05 грн
250+107.99 грн
500+98.24 грн
1000+84.30 грн
3000+79.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37.2 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 71.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.92 грн
10+162.57 грн
100+114.61 грн
500+99.63 грн
1000+86.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.77 грн
10+153.52 грн
100+107.15 грн
500+81.93 грн
1000+75.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+30.49 грн
100+19.65 грн
500+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+12.27 грн
3000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS024N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.16 грн
10+32.53 грн
100+18.18 грн
500+13.86 грн
1000+10.94 грн
1500+9.68 грн
3000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS030N06CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+28.08 грн
100+18.04 грн
500+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.93 грн
11+29.81 грн
100+16.65 грн
500+12.61 грн
1000+11.98 грн
1500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N10GTAGonsemiMOSFETs MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 30mohm, 35A MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 30mohm, 35A
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.57 грн
10+102.56 грн
100+59.85 грн
500+47.45 грн
1000+40.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1366 pF @ 50 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.20 грн
10+95.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1366 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS034N15MConsemiDescription: PTNG 150V 34MOHM POWERCLIP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 53.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS034N15MConsemiMOSFETs Power MOSFET, N Channel, 150V, 27 A, 31m?ohm
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.94 грн
10+108.17 грн
100+66.89 грн
500+54.97 грн
1000+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS034N15MConsemiDescription: PTNG 150V 34MOHM POWERCLIP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 53.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 14849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.95 грн
10+121.97 грн
100+83.80 грн
500+63.33 грн
1000+59.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS080N10GTAGonsemiMOSFETs MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 82mohm, 15A MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 82mohm, 15A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.85 грн
10+56.57 грн
100+32.40 грн
500+25.22 грн
1000+20.27 грн
1500+18.60 грн
24000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS080N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560.5 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.79 грн
3000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS080N10GTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS080N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560.5 pF @ 50 V
на замовлення 3039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+53.36 грн
100+35.11 грн
500+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5onsemiDescription: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
на замовлення 13200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+64.69 грн
100+43.01 грн
500+31.63 грн
1000+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5onsemiDescription: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.11 грн
6000+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5ON Semiconductor
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5onsemiMOSFETs Power MOSFET, P Channel, -100V, -13 A, 120mohm
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.67 грн
10+65.70 грн
100+38.04 грн
500+29.75 грн
1000+27.17 грн
3000+23.76 грн
6000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EON Semiconductor
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.63 грн
10+131.79 грн
100+90.94 грн
500+68.97 грн
1000+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; Idm: 195A; 52W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 195A
Power dissipation: 52W
Case: PQFN8
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EonsemiMOSFETs 25V 1.2 MOHM PC33
на замовлення 4454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.57 грн
10+125.79 грн
100+77.34 грн
500+64.10 грн
1000+62.29 грн
3000+56.71 грн
6000+55.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS1D2N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 860 µohm, PQFN
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 860
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D4N04XMTAGonsemiMOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.56 грн
10+92.14 грн
100+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D4N04XMTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS1D4N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.69 грн
500+43.17 грн
1000+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D4N04XMTAGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2278 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D4N04XMTAGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2278 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D4N04XMTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS1D4N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.56 грн
10+87.79 грн
100+58.69 грн
500+43.17 грн
1000+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 152A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1EONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.74 грн
500+94.35 грн
1000+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1EONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.78 грн
10+147.12 грн
100+122.74 грн
500+94.35 грн
1000+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1EonsemiMOSFETs FET 25V 1.8 MOHM PC33 SINGLE
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.67 грн
10+157.04 грн
100+95.45 грн
500+79.43 грн
1000+75.25 грн
3000+70.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 13 V
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.60 грн
10+139.64 грн
100+96.94 грн
500+73.82 грн
1000+68.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGonsemiMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 40 V, 150 A, 2.1 mohm
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.37 грн
10+83.33 грн
100+49.54 грн
500+39.30 грн
1000+36.58 грн
3000+31.77 грн
6000+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.30 грн
6000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.18 грн
50+87.79 грн
100+69.66 грн
500+53.36 грн
1500+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.66 грн
500+53.36 грн
1500+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.44 грн
10+88.39 грн
100+59.70 грн
500+44.49 грн
1000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGONN
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D8N04HLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/104A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 20 V
на замовлення 39161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+78.12 грн
100+52.56 грн
500+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D8N04HLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/104A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.72 грн
3000+33.65 грн
4500+32.29 грн
7500+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D8N04HLTAGonsemiMOSFETs 40V T8 IN U8FL HEFET
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.73 грн
10+73.07 грн
100+44.24 грн
500+38.32 грн
1000+32.12 грн
1500+30.86 грн
3000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D8N04HLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS2D8N04HLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTAGON SemiconductorMOSFET PFET U8FL 20V 14A 6.7MOHM
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTAGON Semiconductor
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTWGON Semiconductor
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTWGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET -20V -15A 6.7 mOhm Single P-Channel u8FL with ESD Protection
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 3900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.35 грн
500+64.23 грн
1000+53.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2383 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.31 грн
10+123.26 грн
100+84.72 грн
500+64.05 грн
1000+59.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 3900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.83 грн
10+123.55 грн
100+85.35 грн
500+64.23 грн
1000+53.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWGonsemiMOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.83 грн
10+121.79 грн
100+73.16 грн
500+59.29 грн
3000+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2383 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 964 pF @ 15 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 964 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.61 грн
5001+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4821NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4821NTAG
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4821NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A/57A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 38.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]