Продукція > SIJ

MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK-8 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA22DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 201 A, 570 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm

на замовлення 2176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.90 грн
500+	56.84 грн
1500+	48.21 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 65A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.81 грн
10+	68.69 грн
100+	53.00 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA22DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 201 A, 570 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm

на замовлення 2176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	148.75 грн
50+	109.73 грн
100+	76.90 грн
500+	56.84 грн
1500+	48.21 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA52ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 131
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 48
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3
Код товару: 211395

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > ВЧ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.86 грн
6000+	32.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

на замовлення 12057 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.73 грн
10+	77.97 грн
100+	53.79 грн
500+	40.04 грн
1000+	37.28 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 883-892 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	83.72 грн
500+	57.51 грн
1000+	52.39 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.92 грн
10+	128.69 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	160.94 грн
10+	119.49 грн
100+	83.72 грн
500+	57.44 грн
1000+	50.51 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 18030 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 474-483 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.60 грн
10+	60.84 грн
100+	47.30 грн
500+	37.63 грн
1000+	30.65 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA58ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm

на замовлення 3042 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.73 грн
500+	36.23 грн
1000+	30.59 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 32.3A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	42.23 грн
19+	40.45 грн
100+	37.35 грн
500+	34.41 грн
1000+	30.66 грн

Мінімальне замовлення: 18 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V

на замовлення 5785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.19 грн
10+	53.44 грн
100+	41.60 грн
500+	33.08 грн
1000+	26.95 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA58ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm

на замовлення 3042 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	126.80 грн
11+	80.39 грн
100+	53.73 грн
500+	36.23 грн
1000+	30.59 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 482 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK

на замовлення 2772 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA72ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 96 A, 0.00285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 56.8
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 26979 шт:

термін постачання 712-721 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA72ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 96 A, 0.00285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 96
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 56.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 24A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.00 грн
10+	75.62 грн
25+	74.22 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.62 грн
10+	55.40 грн
100+	38.33 грн
500+	30.05 грн
1000+	25.58 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S) 150C MOSFET

на замовлення 16816 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 5354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	386.10 грн
10+	311.32 грн
25+	282.87 грн
100+	236.25 грн
500+	169.30 грн
2000+	163.73 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V

на замовлення 2826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	363.69 грн
10+	233.53 грн
100+	167.32 грн
500+	151.93 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	137.35 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

на замовлення 5354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	236.25 грн
500+	169.30 грн
2000+	163.73 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH400E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1894 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiJH440E-T1-GE3

MOSFETs N-Channel 40V PowerPAK 8x8L

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiJH440E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiJH440E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 277 A, 1890 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	230.85 грн
10+	225.97 грн
100+	221.91 грн
500+	201.53 грн
1000+	181.84 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

MOSFETs PWRPK 100V N-CH MOSFET

на замовлення 1832 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 277 A, 1890 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	221.91 грн
500+	201.53 грн
1000+	181.84 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 277A (Tc)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK

на замовлення 5460 шт:

термін постачання 811-820 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V

на замовлення 1862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	490.67 грн
10+	334.90 грн
100+	243.91 грн
500+	192.53 грн
1000+	191.85 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V

на замовлення 1723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	482.05 грн
10+	313.54 грн
100+	234.29 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH5800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 302 A, 1350 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	361.72 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

MOSFETs N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET, 1.35 mO 10V 1.58 mO 7.5V

на замовлення 342 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH5800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 302 A, 1350 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	535.66 грн
10+	361.72 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	578.37 грн
10+	497.29 грн
25+	496.91 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	569.83 грн
10+	372.34 грн
100+	272.26 грн
500+	217.04 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	399.92 грн
50+	321.54 грн
100+	250.12 грн
250+	245.25 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	578.37 грн
29+	496.91 грн

Мінімальне замовлення: 25 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 920 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 920µohm

на замовлення 607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	502.34 грн
5+	436.50 грн
10+	370.66 грн
50+	334.37 грн
100+	246.64 грн
250+	237.58 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

MOSFETs PPAK8X8 N-CH 60V 37A

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3-X

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

MOSFETs PPAK8X8 N-CH 80V 29A

на замовлення 2027 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1550 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00122ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1550µohm

на замовлення 553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	268.24 грн
500+	243.04 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V

на замовлення 3215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	478.91 грн
10+	310.67 грн
100+	225.37 грн
500+	199.92 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1550 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1550µohm

на замовлення 553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	544.61 грн
10+	367.41 грн
100+	268.24 грн
500+	243.04 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 299A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 299A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 333W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	180.74 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET 87AJ3388
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	541.35 грн
10+	365.78 грн
25+	333.27 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3-X

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJK140E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	211.59 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJK140E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 1954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJK140E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJK140E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 795 A, 470 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 795A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	564.93 грн
5+	473.89 грн
10+	382.85 грн
50+	307.95 грн
100+	239.67 грн
250+	234.80 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJK140E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V

на замовлення 2166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	538.48 грн
10+	351.43 грн
100+	256.88 грн
500+	234.05 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJK140E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJK140E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 795 A, 470 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 795A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	382.85 грн
50+	307.95 грн
100+	239.67 грн
250+	234.80 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 417A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11480 pF @ 50 V

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	251.04 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJK5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 417 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 417A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm

на замовлення 1399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	368.22 грн
100+	297.50 грн
500+	261.16 грн
1000+	236.19 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3

N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 74 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11480 @ 50, Qg, нКл = 200 @ 10 В, Rds = 1,4 мОм @ 80 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ мкА, Р, Вт = 17, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerBSFN Очікується: 3 Од. вим:
кількість в упаковці: 1500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3

MOSFETs PWRPK 100V 417A

на замовлення 8538 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 417A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11480 pF @ 50 V

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	439.72 грн
10+	324.03 грн
25+	299.32 грн
100+	255.40 грн
250+	243.25 грн
500+	235.92 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3