Продукція > SQS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQS180ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS180ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0053 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS180ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0053 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+71.78 грн
50+53.80 грн
100+45.03 грн
500+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+64.01 грн
100+42.68 грн
500+31.48 грн
1000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 44A 8-Pin PowerPAK 1212-SLW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+73.52 грн
100+49.13 грн
500+36.29 грн
1000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixP-Channel 80 V 44A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK 1212-8SLW Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS181ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0241 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0241ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 44A 8-Pin PowerPAK 1212-SLW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.23 грн
6000+28.89 грн
9000+27.79 грн
15000+24.93 грн
21000+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 25085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS181ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0241 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0241ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS182ELNW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS182ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+52.68 грн
100+39.63 грн
500+29.64 грн
1000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS182ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS201CENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 8320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS20B-1001FS
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS20B1001GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 19 RES 1K OHM 20SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS20B1002GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 19 RES 10K OHM 20SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS20B1501GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 19 RES 1.5K OHM 20SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS20B4701GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 19 RES 4.7K OHM 20SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS24A1001FS
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS24B1002GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 23 RES 10K OHM 24SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS24B4701GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 23 RES 4.7K OHM 24SSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS24B5001GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 23 RES 5K OHM 24SSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS24B5101GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 23 RES 5.1K OHM 24SSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS2C-02H-1A-RJST AutomotiveAutomotive Connectors RED CPA HOUSING RESTRICTED PART
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS2F-02-1TJST AutomotiveAutomotive Connectors 2CIRCUIT FERRITE RESTRICTED PART
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS2L-02H-1A-YJST AutomotiveAutomotive Connectors 2 CIR YELLOW CVR HSG RESTRICTED PART
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS2R-02H-2C-DJST AutomotiveAutomotive Connectors YELLOW FEMALE HSG RESTRICTED PART
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS400EN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 16A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS401EN-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 16A, POWERPAK 1212
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.97 грн
6000+25.57 грн
9000+24.57 грн
15000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 61314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.33 грн
10+54.50 грн
100+43.02 грн
500+32.40 грн
1000+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 862942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 108781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_GE3
Код товару: 183342
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401ENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 141950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405CENWVishaySQS405CENW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0106ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405CENW-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 39W; PowerPAK® 1212-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Power dissipation: 39W
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 16A 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405CENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C AEC-Q101
на замовлення 22526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.97 грн
100+30.15 грн
500+21.92 грн
1000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+60.08 грн
100+46.73 грн
500+37.18 грн
1000+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405EN-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.55 грн
6000+28.93 грн
9000+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+60.08 грн
100+46.73 грн
500+37.18 грн
1000+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405ENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS407ENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS407ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS407ENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
на замовлення 70020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS407ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+61.74 грн
100+44.92 грн
500+35.02 грн
1000+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS407ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.31 грн
6000+27.77 грн
9000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS411ENW-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS411ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.21 грн
9000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS411ENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS411ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS411ENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS411ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+59.25 грн
50+44.09 грн
100+36.78 грн
500+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS411ENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS411ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0273 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 53.6W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0273ohm
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS414CENW-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS414CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.70 грн
6000+17.50 грн
9000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS414CENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS414CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+42.80 грн
100+29.19 грн
500+22.69 грн
1000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1 GE3VishayMOSFETs POWRPK P CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+60.91 грн
50+45.39 грн
100+37.88 грн
500+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+40.21 грн
2000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4825 @ 25, Qg, нКл = 82, Rds = 16,1 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 62,5, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerPAK 1212-8W Очікується: 10 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0161 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+41.66 грн
343+41.24 грн
345+41.08 грн
346+39.47 грн
500+36.40 грн
1000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+70.12 грн
50+52.49 грн
100+43.92 грн
500+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.21 грн
2000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.18 грн
19+41.66 грн
25+41.24 грн
100+39.61 грн
250+36.55 грн
500+34.95 грн
1000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.16 грн
6000+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.64 грн
9000+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3VishayMOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.96 грн
6000+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS415ENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W
на замовлення 6456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS420EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
10+67.33 грн
100+44.81 грн
500+33.01 грн
1000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS420EN-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 8A 18W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 22089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS420EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.21 грн
6000+26.14 грн
9000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS423EN-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS423EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS423EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.