Продукція > TP6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TP65H035G4WSQA | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 46.5 GAN FET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TP65H035G4WSQA | Renesas Electronics | GaN FETs GAN FET 650V 46.5A TO247 | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H035G4WSQA | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H035G4WSQA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 22nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H035G4YS | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H035G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 42.7 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 42.7nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm | на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H035G4YS | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 35MOHM GAN FET IN TO247-4L | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H035G4YS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H035WS | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H035WS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 35mOhm | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H035WSQA | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 35mOhm | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H035WSQA | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4BS | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 34 A GAN FET Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V | на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TP65H050G4BS | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H050G4BS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 16nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4BS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mOhm | на замовлення 324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4PQS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 50MOHM GAN FET IN TOLL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4PQS-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4PRS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 50MOHM GAN FET IN TOLT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4PRS-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4PWS | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 50MOHM GAN FET IN TO247-3L | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 960 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4PWS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 960 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4PYS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 960 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4PYS | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 50MOHM GAN FET IN TO247-4L | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 960 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4QS-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H050G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 16nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | на замовлення 1612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4QS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 34 A GAN FET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4QS-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4QS-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H050G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 16nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | на замовлення 1612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4QS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 34 A GAN FET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V | на замовлення 1063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TP65H050G4WS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L | на замовлення 708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4WS | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H050G4WS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 16nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4WS | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 34 A GAN FET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TP65H050G4YS | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H050G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 35 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 16nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050G4YS | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V | на замовлення 1234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TP65H050G4YS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L | на замовлення 560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050WS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mOhm | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050WS | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 34A TO247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TP65H050WSQA | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mOhm | на замовлення 266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H050WSQA | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TP65H065G4PLSG-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H065G4PLSG-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 65MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H065G4PLSGB-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H065G4PLSGB-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 65MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H065G4PPS | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 65MOHM GAN FET IN TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H065G4PPS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H065G4PQS-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in TOLL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H065G4PQS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 65MOHM GAN FET IN TOLL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H065G4PRS-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in TOLT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H065G4PRS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 65MOHM GAN FET IN TOLT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4LSG-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 8.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4LSG-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 8.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4LSG-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN | на замовлення 2662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4LSGB-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN | на замовлення 2446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4LSGB-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 8.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4LSGB-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TP65H070G4LSGB-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 8.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4LSGB-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4LSGBA-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4LSGBA-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4LSGBEA-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 12V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 400 V | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TP65H070G4LSGBEA-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4LSGBEA-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4LSGBEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 11.9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4LSGBEA-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 12V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4LSGBEA-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4LSGBEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 11.9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4LSGEA-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4LSGEA-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4LSGEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 11.9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4LSGEA-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN | на замовлення 2917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TP65H070G4LSGEA-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4LSGEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 11.9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4LSGEA-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4PS | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 29A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 700µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V | на замовлення 561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TP65H070G4PS | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4PS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220 | на замовлення 958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4QS-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4QS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 29 A GAN FET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | на замовлення 1127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TP65H070G4QS-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 8.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | на замовлення 1861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4QS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 29 A GAN FET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4QS-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 8.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | на замовлення 1861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4RS-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4RS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TOLT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLT Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | на замовлення 1112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4RS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 29 A GAN FET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TOLT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V | на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TP65H070G4RS-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4RS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TOLT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLT Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | на замовлення 1112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4RS-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT | на замовлення 1669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070G4RS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 29 A GAN FET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TOLT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070LDG | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN Packaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070LDG-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 25 A GAN FET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TP65H070LDG-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 227-TP65H070LSG-TR | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070LDG-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 25 A GAN FET Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070LSG | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN Packaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070LSG-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070LSG-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H070LSG-TR | Renesas Electronics | GaN FETs GAN FET 650V 25A PQFN88 | на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H085G4QS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 85MOHM GAN FET IN TOLL | на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TP65H085G4QS-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 85mohm GaN FET in TOLL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H085G4QS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 85MOHM GAN FET IN TOLL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H100G4LSGB-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H100G4LSGB-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H100G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gate-Ladung, typ.: 14.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 650V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id: 18.9A | на замовлення 2941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H100G4LSGB-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: Hi Volt FETs Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V | на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TP65H100G4LSGB-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: Hi Volt FETs Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H100G4LSGB-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H100G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 14.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm | на замовлення 2941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H100G4PS | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H100G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 14.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm | на замовлення 656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H100G4PS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220 | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H100G4PS | Renesas Electronics Corporation | Description: Hi Volt FETs Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V | на замовлення 844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TP65H150BG4JSG | Transphorm | GaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6 | на замовлення 3996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H150BG4JSG-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H150BG4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 4.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 4.9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm | на замовлення 423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |