Продукція > XP1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
XP1044-QL-0N0TM/A-Com Technology SolutionsDescription: IC RF PWR AMP 3W 5.9GHZ 28QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP1044-QL-0N0TM/A-Com Technology SolutionsDescription: IC RF PWR AMP 3W 5.9GHZ 28QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP1044-QL-EV1MACOM Technology SolutionsDescription: EVAL BOARD FOR XP1044-QL-0N0T
Part Status: Active
Utilized IC / Part: XP1044
Contents: Board(s)
Supplied Contents: Board(s)
Type: Amplifier
Frequency: 4GHz ~ 5.9GHz
For Use With/Related Products: XP1044
Packaging: Box
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+84225.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP1044-QL-EV2MACOM Technology SolutionsDescription: XP1044-QL-0N00,EVAL MOD,4.0-5.0G
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+85670.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP1050-QJMimixРадіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP1050-QJ-0G00MimixРадіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP1050-QJ-0G0TM/A-Com Technology SolutionsDescription: IC RF PWR AMP 2.5W 8.5GHZ 24QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP1050-QJ-0G0TM/A-Com Technology SolutionsDescription: IC RF PWR AMP 2.5W 8.5GHZ 24QFN
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP1050-QJ-0G0TM/A-Com Technology SolutionsDescription: IC RF PWR AMP 2.5W 8.5GHZ 24QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP1050-QJ-EV1MACOM Technology SolutionsDescription: EVAL BOARD FOR XP1050-QJ-0G0T
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+47595.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP1050-QJ-EV1MimixРадіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP1091DCPXP92 DIP-16
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP1091ECP
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP1092CP
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP1093CP
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP1097CP
на замовлення 17100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP1099CP
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A045YTYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10A250YT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10A250 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YTYAGEO XSemiMOSFETs Dual N Channe l 100V 2.1A PMPAK-3x
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YTX-Semi (YAGEO)Dual N-channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.21 грн
10+85.25 грн
100+57.39 грн
500+42.64 грн
1000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10A250YT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10A250 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YTXSemiMOSFET Dual N Channe l 100V 2.1A PMPAK-3x
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150MYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 100V/-1
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150MX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 50V, 3040pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V, 160mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V, 51.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10C150 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 50V, 3040pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V, 160mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V, 51.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.16 грн
10+60.47 грн
100+41.69 грн
500+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10C150 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 10MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Frequency: 10 MHz
ESR (Equivalent Series Resistance): 70 Ohms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Operating Mode: Fundamental
Frequency Tolerance: ±30ppm
Frequency Stability: ±30ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: MHz Crystal
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Load Capacitance: 8pF
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10M00000S410TGSDescription: CRYSTAL 10MHZ 30ppm, 10pF 2 Pads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 10pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 70 Ohms
Frequency: 10 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10M00000S412TGSDescription: CRYSTAL 10MHZ 30ppm, 12pF 2 Pads
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Frequency: 10 MHz
ESR (Equivalent Series Resistance): 70 Ohms
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Operating Mode: Fundamental
Frequency Tolerance: ±30ppm
Frequency Stability: ±30ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: MHz Crystal
Mounting Type: Surface Mount
Load Capacitance: 12pF
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10M00000S416TGSDescription: CRYSTAL 10MHZ 30ppm, 16pF 2 Pads
Type: MHz Crystal
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Load Capacitance: 16pF
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Frequency: 10 MHz
ESR (Equivalent Series Resistance): 70 Ohms
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Operating Mode: Fundamental
Frequency Tolerance: ±30ppm
Frequency Stability: ±30ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10M00000S418TGSDescription: CRYSTAL 10MHZ 30ppm, 18pF 2 Pads
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency: 10 MHz
ESR (Equivalent Series Resistance): 70 Ohms
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Operating Mode: Fundamental
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: MHz Crystal
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Load Capacitance: 18pF
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10M00000S420TGSDescription: CRYSTAL 10MHZ 30ppm, 20pF 2 Pads
Operating Mode: Fundamental
Frequency: 10 MHz
ESR (Equivalent Series Resistance): 70 Ohms
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency Tolerance: ±30ppm
Frequency Stability: ±30ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: MHz Crystal
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Load Capacitance: 20pF
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N011LMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 100V 11A SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 80 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N024HYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 100V 25.8A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N024HYAGEO XSemiMOSFETs MOS N 100V 24mOhm TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 100V 28.5A 100A PMPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6480 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10N3R5XT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 142 A, 3500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XTXSemiMOSFET N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 100V 28.5A 100A PMPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6480 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.52 грн
10+129.38 грн
100+91.19 грн
500+71.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XTX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10N3R5XT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 142 A, 3500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8ITYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 100V 67.7A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.29 грн
50+136.60 грн
100+124.18 грн
500+110.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8ITX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+114.00 грн
100+94.57 грн
250+86.73 грн
500+78.84 грн
1000+69.05 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8ITYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10N3R8IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.7 A, 0.00388 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00388ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8ITYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8PYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 100V 130 A TO-220
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8PX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8PYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.70 грн
50+120.04 грн
100+108.46 грн
500+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8PYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10N3R8P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 3880 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3880µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8PXSemiMOSFET N-CH 100V 130 A TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8SYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 100V 132A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011HYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 100V 48.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10NA011H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10NA011 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011HYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 100V 48. 5A TO-252
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011HX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10NA011H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10NA011 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011HYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 100V 48.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.16 грн
10+54.00 грн
100+35.57 грн
500+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011JX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011JYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 100V 48.5A TO251S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.55 грн
80+33.38 грн
160+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011JYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 100V 48. 5A TO-251
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011JYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10NA011J - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.13W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10NA011 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011JXSemiMOSFET N-CH 100V 48. 5A TO-251
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 100V 15.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TLYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 1500 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 347A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP10NA1R5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TLYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 100V 300A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16960 pF @ 80 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TLX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TLYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 1500 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 347A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP10NA1R5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TLYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 100V 300 A TOLL
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TLYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 100V 300A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16960 pF @ 80 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.87 грн
10+293.26 грн
100+219.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R2LMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 100V 17.7A PMPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R4HYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 100V 66A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3248 pF @ 80 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R4ITX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R4ITYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10NA8R4IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 8400 µohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10NA8R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R4ITYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 100V 44A TO-220CFM-T
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R4ITYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3248 pF @ 80 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.66 грн
50+66.26 грн
100+60.47 грн
500+49.48 грн
1000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R4MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 100V 17.8A PMPAK5X6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.8A (Ta), 66.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NB6R9CSTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 100V 20A SPPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 187.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SPPAK 5X6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4768 pF @ 80 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P135YTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -100V -3.4A PMPAK3X
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P500NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10P500N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10P500N_ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P500NXSemiMOSFET P-CH -100V -1 .2A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P500NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 100V 1.2A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P500NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10P500N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10P500N_ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P500NYAGEO XSemiMOSFET P-CH -100V -1 .2A SOT-23
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P500NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 100V 1.2A SOT23
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.42 грн
10+50.99 грн
100+34.42 грн
500+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P500NX-Semi (YAGEO)P-channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN010CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 100V 17A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10TN028YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.125W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10TN028 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YTX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.125W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 50 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.22 грн
10+41.04 грн
100+27.50 грн
500+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10TN028YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.125W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10TN028 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.125W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10TN135H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.1 A, 0.135 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135HYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 100V 8.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]